專利名稱：改善液晶顯示產(chǎn)品氧化銦錫膜表面形貌的方法
改善液晶顯示產(chǎn)品氧化銦錫膜表面形貌的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器制造領(lǐng)域，尤其涉及一種改善液晶顯示產(chǎn)品氧化銦錫膜表
面形貌的方法。背景技術(shù)：
在平板液晶顯示用的濾色器(color filter, CF)產(chǎn)品制作過程中，氧化銦錫(In203:Sn， IT0)膜常作為導電層在最上面刻蝕成圖案后作導電極用，IT0膜在最上層會直接與液晶接觸，因此其表面形貌會影響與液晶的浸潤性。如圖1、圖2所示，傳統(tǒng)的大多數(shù)ITO膜表面由于有大顆晶粒的存在導致晶向混亂，與液晶的浸潤性差，因此在顯示屏空盒灌液過程中需要等待較長的時間才能使液晶充分浸潤ITO膜表面，生產(chǎn)效率受影響。

發(fā)明內(nèi)容
基于此，有必要提供一種液晶顯示器空盒灌液時間短的提高生產(chǎn)效率的改善液晶顯示產(chǎn)品氧化銦錫膜表面形貌的方法。 —種改善液晶顯示產(chǎn)品氧化銦錫膜表面形貌的方法，即在氧化銦錫濺射成膜的過程中充入氧氣和氬氣混合氣體。 優(yōu)選的，所述混合氣體的流量為0. 8-5. Osccm。
優(yōu)選的，所述混合氣體的流量為1. 2sccm。
優(yōu)選的，所述混合氣體中氧氣與氬氣的比例為3 : iooo-20 : iooo。 優(yōu)選的，所述混合氣體中氧氣與氬氣的比例為5 : 1000。 通過在氧化銦錫濺射成膜過程中充入氧氣，使制得的氧化銦錫膜表面形貌晶向較
為統(tǒng)一，大顆晶粒明顯減少，增大了液晶材料與氧化銦錫膜的表面浸潤性，從而灌液時間縮短，生產(chǎn)效率提高。


圖1、圖2為具有大顆晶粒、晶向混亂的IT0表面掃描電子顯微鏡檢測圖。
圖3、圖4為晶向較統(tǒng)一的IT0表面掃描電子顯微鏡檢測圖。
具體實施方式

傳統(tǒng)的平板顯示用的濾色器產(chǎn)品制作過程中形成的IT0膜表面常會出現(xiàn)較多的大顆晶粒、晶向較為混亂，如圖1和圖2所示，這樣的ITO膜與液晶材料的浸潤性差，在液晶顯示器灌液過程中需要等待較長的時間，一般為8個小時，才能使液晶材料與IT0膜充分浸潤，生產(chǎn)效率低下。 與傳統(tǒng)所用技術(shù)不同，為改善液晶顯示產(chǎn)品空盒灌液時間長的問題，使ITO膜表面形貌較為統(tǒng)一，在鍍ITO膜時選擇充入氧氣，具體為氧氣和氬氣的混合氣體。由于IT0濺射成膜的過程為結(jié)晶生長過程，加入氧氣會直接影響IT0膜中In0x與Sn0x的結(jié)合生長，即充入氧氣鍍膜時可讓ito膜里氧空位更少，因此結(jié)晶更好，得到的ito膜晶向也較為統(tǒng)一，
如圖3和圖4所示。試驗證明充入氧氣濺射it0后液晶材料與it0膜的浸潤性明顯增強，
可以將液晶顯示產(chǎn)品灌液時間控制在2小時以內(nèi)，生產(chǎn)效率大大提高。 根據(jù)不同的鍍膜設(shè)備，在鍍ito膜時可以選擇不同的氣體流量， 一般為
0. 8-5. Osccm，優(yōu)選1. 2sccm，得到的it0膜表面大顆晶粒較少，晶向較為統(tǒng)一，如圖3和圖4所示。 此外，在確保ito膜層的透過率、面電阻等各項特性正常的前提下，針對鍍膜設(shè)備的不同，還可以選擇不同配比的氧氬混合氣體，一般氧氣與氬氣的比例為
3 : iooo-20 : iooo，優(yōu)選的氧氬比例為5 : iooo，可以得到晶向更為統(tǒng)一的ito表面形貌。 通過在氧化銦錫濺射成膜過程中充入氧氣，使制得的氧化銦錫膜表面形貌晶向較
為統(tǒng)一，大顆晶粒明顯減少，增大了液晶材料與氧化銦錫膜的表面浸潤性，從而灌液時間縮短，生產(chǎn)效率提高。 以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并
不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。
權(quán)利要求
一種改善液晶顯示產(chǎn)品氧化銦錫膜表面形貌的方法，其特征在于，在氧化銦錫濺射成膜的過程中充入氧氣和氬氣的混合氣體。
2. 如權(quán)利要求1所述的改善液晶顯示產(chǎn)品氧化銦錫膜表面形貌的方法，其特征在于，所述混合氣體的流量為0. 8-5. 0sccm。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的改善液晶顯示產(chǎn)品氧化銦錫膜表面形貌的方法，其特征在于，所述混合氣體流量為1. 2sccm。
4. 如權(quán)利要求1所述的改善液晶顯示產(chǎn)品氧化銦錫膜表面形貌的方法，其特征在于，所述混合氣體中氧氣與氬氣的比例為3 : iooo-20 : iooo。
5. 如權(quán)利要求1或4所述的改善液晶顯示產(chǎn)品氧化銦錫膜表面形貌的方法，其特征在于，所述混合氣體中氧氣與氬氣的比例為5 : iooo。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種改善液晶顯示產(chǎn)品氧化銦錫膜表面形貌的方法，通過在氧化銦錫濺射成膜過程中充入氧氣，使制得的氧化銦錫膜表面形貌晶向較為統(tǒng)一，大顆晶粒明顯減少，增大了液晶材料與氧化銦錫膜的表面浸潤性，從而灌液時間縮短，生產(chǎn)效率提高。
文檔編號C23C14/08GK101787517SQ20101012334
公開日2010年7月28日 申請日期2010年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月12日
發(fā)明者敦士軍, 方剛, 毛利良, 王春平, 黃受林, 黃裕坤 申請人:中國南玻集團股份有限公司