專利名稱：：一種鋁電解電容器用陰極箔表面殘留銅的去除方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種去除鋁電解電容器陰極箔表面殘留銅的方法。
背景技術(shù)：
：鋁電解電容器是由陽極引出線連接的陽極鋁箔、陰極引出線連接的陰極鋁箔，中間由電解紙隔開，經(jīng)巻繞后浸漬電解液，再經(jīng)組立，老化分選而成。陰極箔是鋁電解電容器生產(chǎn)中的主要材料之一，由于國內(nèi)2301型陰極箔是一種含鋁量為99%的鋁銅合金箔，其經(jīng)腐蝕后箔表面就會吸附高達30mg/m'的銅離子，嚴重影響鋁電解電容器的使用壽命。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種去除鋁電解電容器陰極箔表面殘留銅的方法，以延長鋁電解電容器的使用壽命。為解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明采取的如下技術(shù)方案一種鋁電解電容器用陰極箔表面殘留銅的去除方法，所述的陰極箔為經(jīng)過腐蝕的銅鋁合金箔，該方法依次包括如下步驟(1)、用磷酸對陰極箔進行處理；(2)、用硝酸鹽溶液對經(jīng)過步驟(1)的陰極箔進行處理使得陰極箔的表面沉積一層納米金屬氧化物膜。所述的金屬硝酸鹽溶液可以為硝酸鋁溶液或硝酸鋯溶液或其它能在鋁表面形成納米金屬氧化物膜和高介電常數(shù)氧化膜的硝酸鹽溶液，其中，優(yōu)選硝酸鋁和硝酸鋯溶液，最優(yōu)選硝酸鋯溶液。作為本發(fā)明的進一步實施方案步驟(2)中，所使用的金屬硝酸鹽的濃度為0.05lmol/L，優(yōu)選0.10.5mo1/L。步驟(2)具體按如下過程進行將陰極箔放入金屬硝酸鹽溶液中，浸漬20~120秒，然后對陰極箔進行烘烤至陰極箔的表面形成一層納米金屬氧化物膜。浸漬時間最好在5070秒之間，進行烘烤時，最好先在低溫下烘烤一段時間，再在高溫下烘烤直至形成納米金屬氧化物膜，具體來說，是先將浸漬后的陰極箔在溫度150250'C下烘烤1060秒，然后在350400"下烘烤10360秒。浸漬時，溶液的溫度最好在25'C40'C之間。由于以上技術(shù)方案的實施，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點本發(fā)明在陰極箔表面沉積一層納米金屬氧化物膜，該膜緊緊的復(fù)合在鋁箔表面，把殘余銅裹覆在內(nèi)，從而有效降低陰極箔表面殘余銅的含量，殘余銅的去除率可達90%以上；另外，該方法操作簡單，成本低。具體實施例方式以下是本發(fā)明的具體實施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案作進一步的描述，但本發(fā)明并不限于這些實施例。實施例1按照本實施例的鋁電解電容器用陰極箔表面殘留銅的去除方法，包括如下步驟(1)、取經(jīng)腐蝕的陰極箔(含銅離子26mg/m')，浸漬在80匸下的3%的磷酸溶液中，浸漬時間60秒，然后取出用水沖洗干凈。(2)、將步驟(1)處理后的陰極箔浸漬在0.1mol/L的硝酸鋁溶液中，保持溶液溫度在351C左右，浸漬60秒后，取出陰極箔，將其放入烘箱中，首先在200'C下烘烤20秒，然后再在400'C下烘烤20秒即得表面生成有一層納米金屬氧化鋁膜的陰極箔。實施例2按照本實施例的鋁電解電容器用陰極箔表面殘留銅的去除方法，基本同實施例l,不同的是，步驟(2)中，使用的是0.2mol/L的硝酸鋁溶液。實施例3按照本實施例的鋁電解電容器用陰極箔表面殘留銅的去除方法，基本同實施例1，不同的是，步驟(2)中，使用的是0.3mol/L的硝酸鋁溶液。實施例4按照本實施例的鋁電解電容器用陰極箔表面殘留銅的去除方法，基本同實施例1，不同的是，步驟(2)中，使用的是0.4mol/L的硝酸鋁溶液。實施例5按照本實施例的鋁電解電容器用陰極箔表面殘留銅的去除方法，基本伺實施例1,不同的是，步驟(2)中，使用的是0.1mol/L的硝酸鋯溶液。實施例6按照本實施例的鋁電解電容器用陰極箔表面殘留銅的去除方法，基本同實施例1,不同的是，步驟(2)中，使用的是0.2mol/L的硝酸鋯溶液。實施例7按照本實施例的鋁電解電容器用陰極箔表面殘留銅的去除方法，基本同實施例1,不同的是，步驟(2)中，使用的是0.3mol/L的硝酸鋯溶液。實施例8按照本實施例的鋁電解電容器用陰極箔表面殘留銅的去除方法，基本同實施例1，不同的是，步驟(2)中，使用的是0.4mol/L的硝酸鋯溶液。實施例9按照本實施例的鋁電解電容器用陰極箔表面殘留銅的去除方法，基本同實施例7，不同的是，步驟(2)中，浸漬時間為70秒。實施例10按照本實施例的鋁電解電容器用陰極箔表面殘留銅的去除方法，基本同實施例7，不同的是，步驟(2)中，浸漬時間為20秒。實施例11按照本實施例的鋁電解電容器用陰極箔表面殘留銅的去除方法，基本同實施例7，不同的是，步驟(2)中，從硝酸鋯溶液中取出陰極箔后，在250'C下烘烤120秒。得到表面生成有一層鋁的納米金屬氧化物膜的陰極箔。依據(jù)標準的銅含量測定方法檢測實施例1至11的陰極箔表面銅的殘余量，結(jié)果見說明書第4頁的表1。5表l實施例1-11所得陰極箔表面殘余銅含量<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>從表1可見，隨著金屬鹽溶液的濃度的增加，殘余銅離子的量也逐漸減少，以硝酸鋯的降低表面殘余銅離子的效果最好。本發(fā)明可有效降低鋁陰極箔表面的殘余銅含量，阻止銅離子遷移到電解電容器的正極，從而延長電解電容器的使用壽命，改善電解電容器的耐髙溫特性。此外，本發(fā)明操作簡便，對設(shè)備要求低。以上對本發(fā)明做了詳盡的描述，其目的在于讓熟悉此領(lǐng)域技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并加以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護范圍，凡根據(jù)本發(fā)明的精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。權(quán)利要求1、一種鋁電解電容器用陰極箔表面殘留銅的去除方法，所述的陰極箔為經(jīng)過腐蝕的銅鋁合金箔，該方法包括(1)、用磷酸對陰極箔進行處理，其特征在于該方法還包括步驟(2)用金屬硝酸鹽溶液對經(jīng)過步驟(1)的陰極箔進行處理使得陰極箔的表面沉積一層納米金屬氧化物膜。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁電解電容器用陰極箔表面殘留銅的去除方法，其特征在于所述的金屬硝酸鹽溶液為硝酸鋁或硝酸鋯溶液或它們的混合溶液。3、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鋁電解電容器用陰極箔表面殘留銅的去除方法，其特征在于所述的金屬硝酸鹽溶液的濃度為0.05lmol/L。4、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鋁電解電容器用陰極箔表面殘留銅的去除方法，其特征在于步驟(2)的具體過程為將陰極箔放入金屬硝酸鹽溶液中，浸漬20120秒，然后對陰極箔進行烘烤至陰極箔的表面形成一層納米金屬氧化物膜。5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的鋁電解電容器用陰極箔表面殘留銅的去除方法，其特征在于所述的浸漬時間為5070秒。6、根據(jù)權(quán)利要求4所述的鋁電解電容器用陰極箔表面殘留銅的去除方法，其特征在于步驟(2)中，先將浸漬后的陰極箔在溫度150250'C下烘烤10~60秒，然后在350400'C下烘烤1060秒使陰極箔的表面形成一層納米金屬氧化物膜。7、根據(jù)權(quán)利要求4所述的鋁電解電容器用陰極箔表面殘留銅的去除方法，其特征在于步驟(2)中，保持金屬硝酸鹽溶液的溫度在25匸40'C之間。全文摘要本發(fā)明涉及一種鋁電解電容器用陰極箔表面殘留銅的去除方法，所述的陰極箔為經(jīng)過腐蝕的銅鋁合金箔，該方法先用磷酸對陰極箔進行處理；然后用硝酸鋁溶液或硝酸鋯溶液處理使得陰極箔的表面沉積一層納米金屬氧化物膜。本發(fā)明通過在陰極箔表面沉積一層特定的納米金屬氧化物膜，極大地降低了陰極箔表面殘余銅的含量，殘余銅的去除率可達90％以上，且該方法操作簡單，成本低。文檔編號C23C22/05GK101649454SQ200910115600公開日2010年2月17日申請日期2009年6月23日優(yōu)先權(quán)日2009年6月23日發(fā)明者鄭德良申請人:吳江飛樂天和電子材料有限公司