專利名稱：成膜載板及太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種成膜技術(shù)，尤其涉及一種成膜載板及太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法。
背景技術(shù)：
在多晶硅太陽(yáng)能制造設(shè)備中，PECVD(等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積)設(shè)備用來(lái)實(shí)現(xiàn)多 晶硅表面減反射層氮化硅的沉積，等離子能量增加了反應(yīng)粒子的活性，在400°C 50(TC溫 度下使工藝氣體實(shí)現(xiàn)解離、反應(yīng)、沉積等工藝。 如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中的PECVD設(shè)備的工藝腔室結(jié)構(gòu)包括氣體進(jìn)入孔1、氣體勻
流板及上電極2、等離子體發(fā)生源3、工藝腔室4、載板5、加熱板及下電極6等。 工藝氣體通過(guò)氣體進(jìn)入孔1、氣體勻流板2進(jìn)入工藝腔室4，保證工藝氣體均勻分
布在載板5的上方，并形成等離子體，進(jìn)行氮化硅薄膜沉積等成膜工藝。在PECVD成膜過(guò)程
中，影響膜質(zhì)量的工藝參數(shù)主要有等離子體分布均勻性，溫度均勻性以及氣流均勻性等，對(duì)
于大尺寸設(shè)備來(lái)說(shuō)，工藝參數(shù)的均勻性尤其重要。 如圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)中的載板5為實(shí)心平板狀，載板5的上方設(shè)有多塊基片7，工 藝氣體在載板5的上方反應(yīng)成所需薄膜沉積在基片7的上方。
上述現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下缺點(diǎn) 由于載板5為實(shí)心平板，工藝氣體由氣體勻流板2運(yùn)動(dòng)至載板5時(shí)，會(huì)流向載板5 的四周，使載板5四周的氣體濃度大于載板5中心位置的氣體濃度，無(wú)法在基片7的上方獲 得均勻的工藝氣體，影響了膜的均勻性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種能使工藝氣體均勻的成膜載板及太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方 法。 本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的
本發(fā)明的成膜載板，該成膜載板上開有多個(gè)通孔。 本發(fā)明的太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法，包括薄膜沉積工藝，將太陽(yáng)能電池基片放在上 述的成膜載板上，進(jìn)行所述薄膜沉積工藝。 由上述本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明所述的成膜載板及太陽(yáng)能電池的 生產(chǎn)方法，由于成膜載板上開有多個(gè)通孔，使工藝氣體可以從成膜載板的四周及通孔中均 勻通過(guò)，提高氣體在成膜載板上方的均勻性，從而提高成膜的均勻性。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的PECVD設(shè)備的的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的載板的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3為本發(fā)明的成膜載板的具體實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖4為本發(fā)明的成膜載板的具體實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意3
圖5為本發(fā)明的成膜載板的具體實(shí)施例三的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖6a為本發(fā)明中的通孔的結(jié)構(gòu)示意圖一 ； 圖6b為本發(fā)明中的通孔的結(jié)構(gòu)示意圖二 ； 圖6c為本發(fā)明中的通孔的結(jié)構(gòu)示意圖三。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的成膜載板，其較佳的具體實(shí)施方式
是，該成膜載板上開有多個(gè)通孔，多個(gè) 通孔可以在成膜載板上縱向布置一排或多排，并橫向布置一排或多排?？v、橫布置的多排通 孔將成膜載板分割成多個(gè)區(qū)域，每個(gè)區(qū)域可以放置成膜的基片。在成膜工藝中，工藝氣體可 以從成膜載板的四周及通孔中均勻通過(guò)，提高氣體在成膜載板上方的均勻性，從而提高成 膜的均勻性。 具體實(shí)施例一，如圖3所示，縱向布置的一排通孔9和橫向布置的一排通孔9分別 設(shè)于成膜載板8的橫向和縱向中心線處，將成膜載板8分割成4個(gè)區(qū)域，每個(gè)區(qū)域可以放置 一塊基片7。 具體實(shí)施例二，如圖4所示，上例中的每個(gè)區(qū)域可以放置4塊基片7。根據(jù)需要每 個(gè)區(qū)域也可以放置2、3、6塊等多塊基片7。 具體實(shí)施例三，如圖5所示，縱向布置的兩排通孔9和橫向布置的兩排通孔9將成 膜載板8分割成9個(gè)區(qū)域，每個(gè)區(qū)域可以放置一塊基片7。同樣，根據(jù)需要，每個(gè)區(qū)域也可以 放置多塊基片7. 多個(gè)通孔9的布置方式及基片7的布置方式不限于上述三個(gè)實(shí)施例中的布置方 式，也可以采用其它的布置方式。 如圖6a、6b、6c所示，通孔9的形狀根據(jù)需要可以為圓孔、方孔或喇叭形孔等，也可 以是其它形狀的孔。 通孔9的橫向最大尺寸可以小于或等于成膜載板的厚度的兩倍。用于保證等離子 體不能通過(guò)通孔9。 本發(fā)明的太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法，其較佳的具體實(shí)施方式
是，將太陽(yáng)能電池基片 放在上述的成膜載板上，進(jìn)行薄膜沉積工藝。 如在硅太陽(yáng)能電池的制作工藝中，可以將成膜載板用于在多晶硅層上沉積氮化硅 減反射層，或其它的薄膜層等。 也可以將上述的成膜載板應(yīng)用于其它的半導(dǎo)體加工中的薄膜制作工藝中。 本發(fā)明可以解決工藝氣體在載板上方的均勻分布問題，提高成膜的均勻性。在太
陽(yáng)能平面氣相沉積成膜設(shè)備中，膜的均勻性主要受等離子體分布和工藝氣體分布均勻性影
響，而對(duì)于工藝氣體均勻分布的考慮，現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)或者技術(shù)方案主要集中在氣體進(jìn)入噴頭
的設(shè)計(jì)來(lái)提高氣體在載板上方的均勻性。本發(fā)明提供了一種新型的載板設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，在載板
內(nèi)部增加氣體出口 ，使氣體在載板四周及上方均勻分布，保證氣體在載板上方的均勻性，提
高的薄膜均勻性，是一種全新的思路。 以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此， 任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換， 都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種成膜載板，其特征在于，該成膜載板上開有多個(gè)通孔。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜載板，其特征在于，所述多個(gè)通孔包括在所述成膜載板上縱向布置的一排或多排通孔和橫向布置的一排或多排通孔。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜載板，其特征在于，所述縱向布置的一排通孔和橫向布置的一排通孔分別設(shè)于所述成膜載板的橫向和縱向中心線處。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的成膜載板，其特征在于，所述通孔為圓孔、方孔或喇叭形孔。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的成膜載板，其特征在于，所述通孔的橫向最大尺寸小于或等于所述成膜載板的厚度的兩倍。
6. —種太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法，包括薄膜沉積工藝，其特征在于，將太陽(yáng)能電池基片放在權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的成膜載板上，進(jìn)行所述薄膜沉積工藝。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述基片放在所述成膜載板上縱向布置的一排或多排通孔和橫向布置的一排或多排通孔分割形成的多個(gè)區(qū)域中，每個(gè)區(qū)域中放置一塊或多塊基片。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述太陽(yáng)能電池為硅太陽(yáng)能電池，所述基片包括多晶硅層。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述薄膜沉積工藝包括在所述多晶硅層上沉積減反射層。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述減反射層為氮化硅層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種成膜載板及太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法，成膜載板上開有多個(gè)通孔，分縱、橫多排布置，將成膜載板分割成多個(gè)區(qū)域，每個(gè)區(qū)域可以放置成膜的基片。在成膜工藝中，工藝氣體可以從成膜載板的四周及通孔中均勻通過(guò)，提高氣體在成膜載板上方的均勻性，從而提高成膜的均勻性。可以用在硅太陽(yáng)能電池制作工藝中，在多晶硅層上沉積氮化硅減反射層，也可以用于其它的半導(dǎo)體加工中的薄膜制作工藝中。
文檔編號(hào)C23C16/513GK101748378SQ20081023969
公開日2010年6月23日 申請(qǐng)日期2008年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月15日
發(fā)明者李永軍 申請(qǐng)人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司