專利名稱：基板處理裝置以及基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過(guò)將半導(dǎo)體基板、液晶顯示裝置用玻璃基板、光掩模用玻璃 基板等基板浸漬在處理液中來(lái)對(duì)基板進(jìn)行清洗、蝕刻等處理的基板處理裝置。
背景技術(shù)：
在基板的制造工序中，使用通過(guò)將基板浸漬到貯存于處理槽的處理液中來(lái)對(duì)基板進(jìn)行處理的基板處理裝置。圖18是表示以往基板處理裝置100的 例子的圖。如圖18所示，以往的基板處理裝置100具有貯存處理液的處理 槽110， 一邊從配置在處理槽110底部的噴出噴嘴113噴出處理液， 一邊從 處理槽110上部使處理液溢出，由此向基板W的周圍供給處理液，對(duì)基板 W進(jìn)行處理。尤其是在所謂的單槽(one bath)方式的基板處理裝置中，從噴出噴嘴 113依次噴出蝕刻液、清洗液、純水等多種處理液。然后，依次將這些多種 處理液貯存在處理槽110的內(nèi)部，由此依次對(duì)基板W進(jìn)行多種處理。這種以往的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)如公開在專利文獻(xiàn)1中。專利文獻(xiàn)l: JP特開2007-36189號(hào)公報(bào)。如圖18所示，以往的基板處理裝置100的噴出噴嘴113向處理槽110 內(nèi)的基板W噴出處理液。因此，從噴出噴嘴113噴出的處理液在處理槽110 內(nèi)部形成較高速度的液流，在處理槽110的整個(gè)內(nèi)部被攪拌。但是，由于這 種以往的噴出方式在處理槽110的整個(gè)內(nèi)部攪拌處理液，所以無(wú)法從處理槽 110有效地排出舊的處理液并置換成新的處理液。在這樣的以往的基板處理裝置100中，若在處理槽110內(nèi)部混入顆粒等 異物，則這些異物也在處理槽110內(nèi)部與處理液一同被攪拌。因此，以往的 基板處理裝置100無(wú)法迅速地從處理槽110排出混入到處理槽110內(nèi)部的異 物。因此，有可能使這些異物附著到處理中的基板W的表面而污染基板W 或者引起基板W的處理不良。尤其是在作為處理液使用酸性藥液的情況、 或者使用疏水表面的基板W的情況下，由于容易在基板W的表面附著顆粒 等異物，所以上述問(wèn)題更大。另外，在單槽方式的基板處理裝置中，如在進(jìn)行蝕刻處理之際，有要對(duì) 基板W進(jìn)行均勻處理的情況，以及要將貯存在處理槽內(nèi)部的處理液置換為其他處理液的情況。為了對(duì)基板w進(jìn)行均勻處理，優(yōu)選在處理槽內(nèi)部形成較高速度的液流，使貯存在處理槽內(nèi)部的處理液的濃度均勻。另一方面，為 了將貯存在處理槽內(nèi)部的處理液有效地置換為其他處理液，優(yōu)選在處理槽內(nèi) 部形成較低速度的液流，從處理槽上部將處理液以擠出的方式進(jìn)行排出。但是，在以往的基板處理裝置中，如上所述，為從一對(duì)噴出噴嘴113向 處理槽110內(nèi)部噴出處理液的構(gòu)成。因此，很難根據(jù)處理狀況在處理槽110 內(nèi)部形成不同的液流，無(wú)法同時(shí)滿足要提高處理液處理的均勻性的要求、以 及要將貯存在處理槽內(nèi)部的處理液有效置換為其他處理液的要求。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述情況而提出的，其目的在于提供一種能夠控制處理槽 內(nèi)部中的處理液的攪拌并能夠有效地將顆粒等異物向處理槽外部排出的基 板處理裝置以及基板處理方法。為了解決上述課題，技術(shù)方案1所述的發(fā)明為一種通過(guò)將基板浸漬在處理液中來(lái)進(jìn)行基板的處理的基板處理裝置，其特征在于，具有處理槽，其 具有側(cè)壁和底壁，在處理槽的內(nèi)部貯存處理液；第一噴出部，其在上述處理 槽的內(nèi)部向上述側(cè)壁或者上述底壁噴出處理液；排出部，其用于排出從上述 處理槽的上部溢出的處理液；升降機(jī)，其使基板在上述處理槽的內(nèi)部和上述 處理槽的上方位置之間升降移動(dòng)。技術(shù)方案2所述的發(fā)明是如技術(shù)方案1所述的基板處理裝置，其特征在 于，上述第一噴出部向形成在上述側(cè)壁或者上述底壁上的凹部噴出處理液。技術(shù)方案3所述的發(fā)明是如技術(shù)方案2所述的基板處理裝置，其特征在 于，上述第一噴出部具有一對(duì)噴出噴嘴，上述一對(duì)噴出噴嘴向形成在上述處 理槽的相向的一對(duì)側(cè)壁上的凹部分別噴出處理液。技術(shù)方案4所述的發(fā)明是如技術(shù)方案3所述的基板處理裝置，其特征在 于，上述凹部分別形成在上述一對(duì)側(cè)壁的下端部。技術(shù)方案5所述的發(fā)明是如技術(shù)方案3或4所述的基板處理裝置，其特 征在于，上述凹部是向著上述處理槽的內(nèi)側(cè)張開的截面為V字形狀的槽。技術(shù)方案6所述的發(fā)明為技術(shù)方案5所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述噴出噴嘴向著構(gòu)成上述截面為V字形狀的槽的一對(duì)錐面中的下側(cè)的錐 面噴出處理液。技術(shù)方案7所述的發(fā)明是如技術(shù)方案3或4所述的基板處理裝置，其特 征在于，上述凹部為向著上述處理槽內(nèi)側(cè)張開的曲面狀的槽。技術(shù)方案8所述的發(fā)明為技術(shù)方案1所述的基板處理裝置，其特征在于， 還具有第二噴出部，其向上述處理槽的內(nèi)側(cè)噴出處理液；控制部，其根據(jù) 處理的進(jìn)行狀況分別獨(dú)立控制上述第一噴出部以及上述第二噴出部的動(dòng)作； 從上述第一噴出部噴出的處理液通過(guò)與上述處理槽的上述內(nèi)壁面碰撞，從而 在上述處理槽的內(nèi)部形成比從上述第二噴出部噴出的處理液低速的液流。技術(shù)方案9所述的發(fā)明是如技術(shù)方案8所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述第一噴出部向著上述處理槽的形成在上述內(nèi)壁面上的凹部噴出處理液。技術(shù)方案10所述的發(fā)明是如技術(shù)方案9所述的基板處理裝置，其特征 在于，上述第二噴出部具有配置在上述處理槽的底部附近的第一噴嘴和配置 在上述處理槽的上部附近的第二噴嘴；上述第一噴出部具有處于上述處理槽 的底部附近且配置在上述第一噴嘴的上方的第三噴嘴。技術(shù)方案11所述的發(fā)明是如技術(shù)方案IO所述的基板處理裝置，其特征 在于，上述第一噴嘴、上述第二噴嘴和上述第三噴嘴均在上述處理槽的內(nèi)部 隔著用于浸漬基板的區(qū)域而配置成一對(duì)。技術(shù)方案12所述的發(fā)明是如技術(shù)方案11所述的基板處理裝置，其特征 在于，上述處理液包括對(duì)基板實(shí)施蝕刻處理的蝕刻液和實(shí)施其他處理的非蝕 刻液；上述控制部在向上述處理槽內(nèi)部供給上述蝕刻液時(shí)，從上述第二噴出 部噴出上述蝕刻液。技術(shù)方案13所述的發(fā)明是如技術(shù)方案12所述的基板處理裝置，其特征 在于，還具有計(jì)測(cè)部，該計(jì)測(cè)部用于計(jì)測(cè)在貯存于上述處理槽內(nèi)部的處理液 中所包含的上述蝕刻液成分的濃度或者處理液的比電阻值，上述控制部在將 貯存于上述處理槽內(nèi)部的上述蝕刻液置換為上述非蝕刻液時(shí)，使得從上述第 二噴出部噴出上述非蝕刻液，當(dāng)上述計(jì)測(cè)部的計(jì)測(cè)值達(dá)到規(guī)定值時(shí)，使來(lái)自 上述第二噴出部的上述非蝕刻液的噴出停止，并且，進(jìn)行來(lái)自上述第一噴出
部的上述非蝕刻液的噴出。技術(shù)方案14所述的發(fā)明是如技術(shù)方案8至技術(shù)方案13中的任一項(xiàng)所述 的基板處理裝置，其特征在于，上述控制部在將貯存在上述處理槽內(nèi)部的處 理液置換為其他處理液時(shí)，交替進(jìn)行來(lái)自上述第二噴出部的上述其他處理液 的噴出和來(lái)自上述第一噴出部的上述其他處理液的噴出。技術(shù)方案15所述的發(fā)明為一種通過(guò)將基板浸漬在處理液中來(lái)進(jìn)行基板 的處理的基板處理方法，其特征在于，具有a)在處理槽內(nèi)部向上述處理 槽的側(cè)壁或者底壁噴出處理液的工序；b)在貯存于上述處理槽內(nèi)部的處理 液中浸漬基板的工序。根據(jù)技術(shù)方案1 14所述的發(fā)明，從第一噴出部噴出的處理液與側(cè)壁或 者底壁碰撞并擴(kuò)散，作為低速且同樣的液流向處理槽上部前進(jìn)。因此，在處 理槽內(nèi)部產(chǎn)生的顆粒等異物不會(huì)在處理槽內(nèi)部被攪拌而漂浮到處理槽上部， 與處理液一同被迅速地排出到處理槽外部。另外，由于無(wú)需使第一噴出部自 身的結(jié)構(gòu)復(fù)雜，所以能夠控制基板處理裝置的制造成本。尤其，根據(jù)技術(shù)方案2所述的發(fā)明，能夠使在側(cè)壁或者底壁擴(kuò)散的處理 液向著處理槽中央部前進(jìn)。因此，在浸漬于處理液中的基板周圍，能夠良好 地形成低速且同樣的處理液流。尤其，根據(jù)技術(shù)方案3所述的發(fā)明，能夠使在一對(duì)側(cè)壁上擴(kuò)散的處理液 在處理槽中央部附近匯流，并使其在處理槽中央部附近向著上部前進(jìn)。尤其，根據(jù)技術(shù)方案4所述的發(fā)明，能夠使處理液在處理槽底部附近擴(kuò) 散，能夠良好地形成從處理槽底部向上部的處理液流。尤其，根據(jù)技術(shù)方案5所述的發(fā)明，能夠在處理槽側(cè)壁容易地形成凹部。 另外，通過(guò)構(gòu)成截面為V字形狀的槽的錐面的傾斜，能夠容易地設(shè)定處理液 的前進(jìn)方向。尤其，根據(jù)技術(shù)方案6所述的發(fā)明，能夠向著處理槽底部附近使更多的 處理液前進(jìn)。尤其，根據(jù)技術(shù)方案7所述的發(fā)明，能夠更適宜地設(shè)定處理液的前進(jìn)方向。 尤其，根據(jù)技術(shù)方案8所述的發(fā)明，在要提高經(jīng)處理液處理的均勻性時(shí)， 能夠使用第二噴出部在處理槽內(nèi)部形成高速的液流，來(lái)使處理槽內(nèi)的處理液 的濃度均勻化。另外，在要將處理槽內(nèi)的處理液有效地置換為其他處理液時(shí)，
能夠使用第一噴出部在處理槽內(nèi)部形成低速的液流，來(lái)從處理槽有效地排出 處理液。尤其，根據(jù)技術(shù)方案9所述的發(fā)明，能夠使從第一噴出部噴出的處理液 良好地向著處理槽內(nèi)側(cè)前進(jìn)。尤其，根據(jù)技術(shù)方案10所述的發(fā)明，能夠從第二噴出部向著處理槽內(nèi)部均勻地噴出處理液，并且，能夠從第一噴出部向著處理槽底部附近噴出處 理液。尤其，根據(jù)技術(shù)方案11所述的發(fā)明，能夠在浸漬于處理槽內(nèi)部的基板 附近，形成沒(méi)有偏移的處理液流。尤其，根據(jù)技術(shù)方案12所述的發(fā)明，能夠在處理槽內(nèi)部使蝕刻液成分 的濃度均勻化，能夠在基板主面使蝕刻處理均勻地進(jìn)行。尤其，根據(jù)技術(shù)方案13所述的發(fā)明，在處理槽內(nèi)部一定程度殘存有蝕 刻液成分的期間，能夠從第二噴出部噴出處理液，使蝕刻液成分的濃度均勻 化。另外，當(dāng)從處理槽內(nèi)部一定程度排出蝕刻液成分后，能夠從第一噴出部 噴出處理液，使殘存的蝕刻液成分有效地從處理槽中排出。尤其，根據(jù)技術(shù)方案14所述的發(fā)明，能夠攪拌滯留在基板附近的處理 液成分，并有效地置換處理液。另外，根據(jù)技術(shù)方案15所述的發(fā)明，在工序a)中噴出的處理液與處理 槽側(cè)壁或者底壁碰撞并擴(kuò)散，作為低速且同樣的液流向著處理槽上部前進(jìn)。 因此，產(chǎn)生在處理槽內(nèi)部的顆粒等異物不會(huì)在處理槽內(nèi)部被攪拌而漂浮到處 理槽上部，與處理液一同迅速地排出到處理槽外部。


圖1是以平行于基板主面的平面切斷第一實(shí)施方式的基板處理裝置的縱 向剖視圖。圖2是以垂直于基板主面的平面切斷第一實(shí)施方式的基板處理裝置的縱 向剖視圖。圖3是表示處理槽內(nèi)的氫氟酸溶液的流動(dòng)的圖。 圖4是表示基板處理裝置的動(dòng)作流程的流程圖。 圖5是表示變形例中處理槽的形狀以及氫氟酸溶液的流動(dòng)的圖。
圖6是表示變形例中處理槽的形狀以及氫氟酸溶液的流動(dòng)的圖。圖7是表示變形例中處理槽的形狀以及氫氟酸溶液的流動(dòng)的圖。 圖8是表示變形例中處理槽的形狀以及氫氟酸溶液的流動(dòng)的圖。 圖9是表示變形例中處理槽的形狀以及氫氟酸溶液的流動(dòng)的圖。 圖10是以平行于基板主面的平面切斷第二實(shí)施方式的基板處理裝置的 縱向剖視圖。圖11是以垂直于基板主面的平面切斷第二實(shí)施方式的基板處理裝置的 縱向剖視圖。圖12是表示基板處理裝置的控制系統(tǒng)和給排液系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的圖。圖13是表示基板處理裝置的動(dòng)作的順序的流程圖。圖14是表示從稀氫氟酸向純水置換的置換處理的順序的流程圖。圖15是表示從噴出噴嘴向內(nèi)槽內(nèi)側(cè)噴出處理液的狀態(tài)的圖。圖16表示從噴出噴嘴向著內(nèi)槽側(cè)壁噴出處理液的狀態(tài)的圖。圖17表示變形例中處理液的置換處理的順序的流程圖。圖18表示以往的基板處理裝置的例子的圖。
具體實(shí)施方式
以下，參照

本發(fā)明的較佳的實(shí)施方式。<1.第一實(shí)施方式><1-1.基板處理裝置的結(jié)構(gòu)>圖1為以平行于基板W的主面的平面切斷本發(fā)明第一實(shí)施方式的基板 處理裝置的縱向剖視圖。在圖1中還示出了基板處理裝置1所具有的控制系 統(tǒng)和給排液系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)。另外，圖2為以垂直于基板W的主面的平面切斷 基板處理裝置1的縱向剖視圖。在圖1以及圖2中，為了明確裝置內(nèi)的各部 件的位置關(guān)系，顯示了共同的XYZ直角坐標(biāo)系。該基板處理裝置1為如下這樣的裝置在處理槽10的內(nèi)部貯存氫氟酸 (HF)溶液，在所貯存的氫氟酸溶液中浸漬多張基板(以下僅稱為"基板") W，由此對(duì)基板W進(jìn)行蝕刻處理。如圖1以及圖2所示，基板處理裝置1 主要具有用于貯存氫氟酸溶液的處理槽10、保持并上下搬送基板W的升降 機(jī)20、用于向處理槽10供給氫氟酸溶液的氫氟酸溶液供給部30、用于從處
理槽10排出氫氟酸溶液的氫氟酸溶液排出部40、用于控制裝置內(nèi)的各部件 的動(dòng)作的控制部50。處理槽10是由石英等耐藥性的材料構(gòu)成的貯存容器。處理槽10具有貯 存氫氟酸溶液并使基板W貯存在其內(nèi)部的內(nèi)槽11和形成在內(nèi)槽11的外周 部的外槽12。內(nèi)槽11具有在基板W被浸漬的狀態(tài)下位于基板W下方的底 壁111和位于基板W的側(cè)方的側(cè)壁112a 112d，內(nèi)槽11的上部開放。另外， 在內(nèi)槽11的內(nèi)部設(shè)置有噴出氫氟酸溶液的一對(duì)噴出噴嘴13。若從噴出噴嘴 13噴出氫氟酸溶液，則在內(nèi)槽11內(nèi)部貯存氫氟酸溶液，貯存到內(nèi)槽11上部 的氫氟酸溶液從內(nèi)槽11的上部溢出到外槽12。在內(nèi)槽11的側(cè)壁112a 112d中，平行于基板W的排列方向的一對(duì)側(cè)壁 112a、 112b，其下端部具有(與底壁lll接觸的部位)向外側(cè)突出的形狀。 因此，在側(cè)壁112a、 112b的下端部的內(nèi)側(cè)面上形成有沿著基板W的排列方 向延伸的槽部14。槽部14分別具有上部錐面14a和下部錐面14b，作為整 體構(gòu)成向著內(nèi)槽ll的內(nèi)側(cè)張開的截面為V字形狀的槽。一對(duì)噴出噴嘴13是沿著在側(cè)壁112a、 112b形成的槽部14以及基板W 的排列方向水平地配置的管狀部件。在各噴出噴嘴13上等間隔地形成有多 個(gè)噴出口 13a。噴出噴嘴13上的多個(gè)噴出口 13a的位置為與處理槽10內(nèi)相 鄰的基板W之間以及配置在兩端的基板W的外側(cè)對(duì)應(yīng)的位置。另外，多個(gè) 噴出口 13a的噴出方向朝向槽部14的下部錐面14b。從多個(gè)噴出口 13a噴出 的氫氟酸溶液垂直碰撞到槽部14的下部錐面14b。圖3是表示在處理槽10內(nèi)貯存有氫氟酸溶液的狀態(tài)下又從噴出噴嘴13 噴出氫氟酸溶液時(shí)氫氟酸溶液的流動(dòng)的圖。如圖3所示，從噴出噴嘴13噴 出的氫氟酸溶液碰撞到槽部14的下部錐面14b，沿著下部錐面14b擴(kuò)散并改 變流向而向著內(nèi)槽ll的內(nèi)側(cè)前進(jìn)。氫氟酸溶液碰撞到下部錐面14b并擴(kuò)散， 由此其流動(dòng)速度變慢，進(jìn)一步從內(nèi)槽.11的底部附近改變流向而向上方慢慢 上升。這樣，在側(cè)壁112a、 112b形成的槽部14具有使氫氟酸溶液的流向朝 向內(nèi)槽11內(nèi)側(cè)的整流部的作用，并且，具有使氫氟酸溶液擴(kuò)散來(lái)使其流動(dòng) 速度變慢的作用。升降機(jī)20是用于保持基板W并在處理槽10內(nèi)部和處理槽10上方位置 之間使基板W升降移動(dòng)的搬送機(jī)構(gòu)。升降機(jī)20具有在基板W的排列方向上 延伸的三根保持棒21，在各保持棒21上刻設(shè)有多個(gè)保持槽21a?；錡在 使其周邊部嵌合到保持槽21a中的狀態(tài)下，相互平行地以立起姿勢(shì)保持在三 根保持棒21上。另外，升降機(jī)20與由組合了馬達(dá)和滾珠螺桿等的公知機(jī)構(gòu) 構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)部22連接。若使驅(qū)動(dòng)部22動(dòng)作，則升降機(jī)20上下移動(dòng)，基板 W在處理槽10內(nèi)部的浸漬位置(圖1的狀態(tài))和處理槽IO上方的提起位置 之間被搬送。氫氟酸溶液供給部30是用于向上述噴出噴嘴13供給處理液的配管系 統(tǒng)。如圖1所示，氫氟酸溶液供給部30具有氫氟酸溶液供給源31、配管32、 開關(guān)閥33。配管32上游側(cè)的端部連接到氫氟酸溶液供給源31，在配管32 的路徑中途安裝有開關(guān)閥33。另外，配管32的下游側(cè)分支為兩根，并分別 連接到一對(duì)噴出噴嘴13。因此，若開啟開關(guān)閥33，則從氫氟酸溶液供給源 31通過(guò)配管32向一對(duì)噴出噴嘴13供給氫氟酸溶液，而從噴出噴嘴13的多 個(gè)噴出口 13a向內(nèi)槽11的內(nèi)部噴出氫氟酸溶液。氫氟酸溶液排出部40是用于從外槽12回收氫氟酸溶液并將所回收的氫 氟酸溶液排出到排液管線的配管系統(tǒng)。如圖1所示，氫氟酸溶液排出部40 具有配管41和開關(guān)閥42。配管41上游側(cè)的端部與外槽12連接，配管41下 游側(cè)的端部與工廠內(nèi)的排液管線連接。另外，在配管41的路徑中途安裝有 開關(guān)閥42。因此，若開啟開關(guān)閥42，則從外槽12通過(guò)配管41向排液管線 排出氫氟酸溶液?？刂撇?0是用于控制基板處理裝置1的各部件的動(dòng)作的計(jì)算機(jī)裝置。 控制部50與上述驅(qū)動(dòng)部22、開關(guān)閥33、以及開關(guān)閥42電連接?？刂撇?0 通過(guò)根據(jù)事先安裝的程序或各種輸入指示使上述驅(qū)動(dòng)部22、開關(guān)閥33以及 開關(guān)闊42動(dòng)作，由此進(jìn)行基板W的處理。<1-2.基板處理裝置的動(dòng)作>接著，參照?qǐng)D4的流程圖說(shuō)明在上述基板處理裝置1中處理基板W時(shí) 的動(dòng)作。在該基板處理裝置1中處理基板W時(shí)，首先開啟開關(guān)閥33以及開 關(guān)闊42。由此，從氫氟酸溶液供給部31經(jīng)由配管32向噴出噴嘴13供給氫 氟酸溶液，從噴出噴嘴13向內(nèi)槽ll的內(nèi)部噴出氫氟酸溶液(步驟S1)。從 噴出噴嘴13噴出的氫氟酸溶液慢慢地貯存到內(nèi)槽11內(nèi)部，不久從內(nèi)槽11 上部向外槽12溢出。
接著，通過(guò)規(guī)定的搬送機(jī)構(gòu)從其他裝置搬送而來(lái)的基板W被裝載于在處理槽10的上方位置待機(jī)的升降機(jī)20上。若在升降機(jī)20上裝載了基板W， 則基板處理裝置1使驅(qū)動(dòng)部22動(dòng)作來(lái)使升降機(jī)20下降，而使基板W浸漬 在貯存于處理槽10內(nèi)部的氫氟酸溶液中(步驟S2)?；錡若被浸漬到氫 氟酸溶液中，則因氫氟酸溶液中的氫氟酸成分而受到蝕刻處理。此時(shí)，在處理槽10內(nèi)部形成如圖3所示的氫氟酸溶液流。g卩，從噴出 噴嘴13噴出的氫氟酸溶液碰撞到槽部14的下部錐面14b而擴(kuò)散和降速，并 且沿著下部錐面14b改變流向而向基板W側(cè)前進(jìn)。然后，在內(nèi)槽ll的中央 底部附近合流的氫氟酸溶液從內(nèi)槽11的底部附近向上部慢慢上升，在基板 W周圍形成低速且一律朝向上方的液流。隨著蝕刻處理的進(jìn)行，從基板W的表面向氫氟酸溶液中溶出金屬成分， 另外，附著在基板W表面的顆粒等異物被離析而混入到氫氟酸溶液中。但 是，如上所述在基板W周圍形成有低速且一律向上方的液流。因此，混入 到氫氟酸溶液中的金屬成分和異物不會(huì)在內(nèi)槽11內(nèi)部被攪拌，而向內(nèi)槽11 上部漂浮，與氫氟酸溶液一同迅速地排出到外槽12。因此，能夠防止產(chǎn)生在 氫氟酸溶液中的金屬成分或異物再次附著到基板W的表面。若規(guī)定時(shí)間的蝕刻處理結(jié)束，則基板處理裝置1使驅(qū)動(dòng)部22動(dòng)作來(lái)使 升降機(jī)20上升，將基板W從貯存在內(nèi)槽ll內(nèi)部的氫氟酸溶液中提起(步 驟S3)。然后，基板W從升降機(jī)20交接到規(guī)定的搬送裝置，而被搬送到進(jìn) 行后續(xù)處理的裝置中。另外，基板處理裝置1關(guān)閉開關(guān)閥33以及開關(guān)閥42。 由此，停止從噴出噴嘴13噴出氫氟酸溶液并停止向氫氟酸溶液排出部40排 出氫氟酸溶液(步驟S4)。通過(guò)以上，結(jié)束對(duì)一組基板W的一系列處理。這樣，本實(shí)施方式的基板處理裝置1從噴出噴嘴13向形成于內(nèi)槽11的 側(cè)壁112a、 112b的槽部14噴出氫氟酸溶液。因此，從噴出噴嘴13噴出的 氫氟酸溶液碰撞到槽部14而擴(kuò)散，作為低速且同樣的液流向著內(nèi)槽11的上 部流動(dòng)。因此，在內(nèi)槽ll內(nèi)部產(chǎn)生的金屬成分和異物不會(huì)在內(nèi)槽ll內(nèi)部被 攪拌而向內(nèi)槽11的上部漂浮，與氫氟酸溶液一同迅速地排出到外槽12。另外，在本實(shí)施方式的基板處理裝置中，由于在內(nèi)槽11的內(nèi)部形成了 低速且同樣的氫氟酸溶液的液流，所以能夠從內(nèi)槽11的內(nèi)部有效地排出氫 氟酸溶液，并且，能夠有效地向內(nèi)槽11內(nèi)部供給新的氫氟酸溶液。即，在 蝕刻處理中，能夠?qū)?nèi)槽11內(nèi)部有效地置換為新的氫氟酸溶液，能夠?qū)?板W總是作用于干凈的氫氟酸溶液。因此，能夠縮短蝕刻處理的時(shí)間。假設(shè)，若增大噴出噴嘴13的噴出口 13a的口徑，則在上游側(cè)的噴出口 13a和下游側(cè)的噴出口 13a，氫氟酸溶液的噴出壓力相差很大。但是，本實(shí)施 方式所述基板處理裝置1并不是通過(guò)增大噴出口 13a的口徑來(lái)使氫氟酸溶液 的流動(dòng)低速化，而是通過(guò)使氫氟酸溶液碰撞到內(nèi)槽ll的側(cè)壁112a、 112b來(lái) 使氫氟酸溶液的流動(dòng)低速化。因此，能夠防止在上游側(cè)的噴出口 13a和下游 側(cè)的噴出口 13a氫氟酸溶液的噴出壓力相差很大，并能夠使氫氟酸溶液的流 動(dòng)低速化。另外，本實(shí)施方式的基板處理裝置1無(wú)需使噴出噴嘴13自身的結(jié)構(gòu)復(fù) 雜化，就使氫氟酸溶液的流動(dòng)低速化。因此，能夠抑制含有噴出噴嘴13的 基板處理裝置1的制造成本的上升，并能夠提高氫氟酸溶液的置換效率。另外，在本實(shí)施方式中，噴出噴嘴13向在形成于內(nèi)槽11的側(cè)壁112a、 112b的槽部14中的下部錐面14b噴出氫氟酸溶液。因此，擴(kuò)散的氫氟酸溶 液能夠更多地向著內(nèi)槽11底部附近前進(jìn)，由此能夠進(jìn)一步提高氫氟酸溶液 的置換效率。<1-3.變形例>在上述第一實(shí)施方式中，噴出噴嘴13向著槽部14的下部錐面14b噴出 氫氟酸溶液，但是，噴出噴嘴13也可以向著槽部14的其他部位噴出氫氟酸 溶液。例如，如圖5所示，也可以從噴出噴嘴13向著上下的錐面14a、 14b 的邊界部噴出氫氟酸溶液。另外，在上述第一實(shí)施方式中，槽部14是通過(guò)一對(duì)錐面14a、 14b構(gòu)成 的截面為V字形狀的槽，但是，槽部14的形狀也可以是如圖6或圖7所示 那樣的曲面形狀(半筒狀)。即，只要在與噴出噴嘴13的多個(gè)噴出口 13a 對(duì)應(yīng)的位置，形成具有用于對(duì)所噴出的氫氟酸溶液整流的形狀的凹部即可。 在槽部14成為曲面形狀的情況下，如圖7所示，將噴出噴嘴13配置在槽部 14中心軸的稍微上方，向著槽部14的上部噴出氫氟酸溶液也可。這樣一來(lái)， 能夠使從噴出噴嘴13噴出的氫氟酸溶液沿著槽部14的曲面向底部附近前 進(jìn)，并能夠良好地形成從內(nèi)槽ll的底部向上部的氫氟酸溶液流。另外，在上述第一實(shí)施方式中，在內(nèi)槽ll的側(cè)壁112a、 112b的下端部
形成了槽部14，但是，槽部14也可以形成在側(cè)壁112a、 112b的稍微靠上部 的位置。另外，如圖8所示，槽部14也可以形成在內(nèi)槽11的底壁lll上。 另外，也可以無(wú)需在內(nèi)槽11形成槽部14而從噴出噴嘴13向內(nèi)槽ll的 內(nèi)表面噴出氫氟酸溶液。例如，如圖9所示，可以從噴出噴嘴13向內(nèi)槽11 的側(cè)壁112a、 112b噴出氫氟酸溶液。即使是這種方式，也能夠使氫氟酸溶 液擴(kuò)散來(lái)使其流速降低，在基板W周圍能夠形成低速的氫氟酸溶液流。在 向側(cè)壁112a、 112b噴出氫氟酸溶液的情況下，如圖9所示，優(yōu)選對(duì)側(cè)壁112a、 112b垂直地噴出氫氟酸溶液。這樣一來(lái)，能夠防止將內(nèi)槽11上部附近的氫 氟酸溶液(含金屬成分和異物的氫氟酸溶液)巻入到噴出液流中而被搬運(yùn)到 內(nèi)槽ll的底部。另外，在上述第一實(shí)施方式中，作為處理液使用了氫氟酸溶液，但是， 本發(fā)明的基板處理裝置也可以使用其他處理溶液來(lái)進(jìn)行基板W的處理。例 如，作為處理液也可以使用SC-1溶液、SC-2溶液、CARO酸、純水等。另 外，本發(fā)明不僅適用于將半導(dǎo)體基板作為處理對(duì)象的基板處理裝置，而且能 夠適用于以液晶顯示裝置用玻璃基板或光掩模用玻璃基板等的種種基板為 處理對(duì)象的基板處理裝置。<2.第二實(shí)施方式><2-1.基板處理裝置的結(jié)構(gòu)>圖10是以平行于基板W的主面的平面切斷本發(fā)明第二實(shí)施方式的基板 處理裝置201的縱向剖視圖。圖11是以垂直于基板W的主面的平面切斷基 板處理裝置201的縱向剖視圖。為了明確裝置內(nèi)的各部件的位置關(guān)系，在圖 10以及圖11中示出了共同的XYZ直角坐標(biāo)系。另外，圖12是表示基板處 理裝置201具有的控制系統(tǒng)和給排液系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的圖。以下，參照?qǐng)D10 圖 12說(shuō)明基板處理裝置201的結(jié)構(gòu)。該基板處理裝置201是如下這樣的裝置在處理槽210的內(nèi)部依次貯存 純水、稀氫氟酸、純水、SC-1溶液、純水、SC-2溶液、以及純水(以下將 這些各種液體以及它們的混合液總稱為"處理液")，并且，通過(guò)在這些處 理液中浸漬多張基板(以下僅稱為"基板")W，由此對(duì)基板W進(jìn)行清洗、 蝕刻等處理的裝置。如圖10 圖12所示，基板處理裝置201主要具有用于 貯存處理液的處理槽210、保持并上下搬送基板W的升降機(jī)220、用于向處
理槽210供給處理液的處理液供給部230、用于從處理槽210排出處理液的 處理液排出部240、用于控制裝置內(nèi)的各部件的動(dòng)作的控制部250。處理槽210是由石英或者耐藥品樹脂構(gòu)成的貯存容器。處理槽210具有 貯存處理液并使基板W浸漬在其內(nèi)部的內(nèi)槽211和形成在內(nèi)槽211的外周 部的外槽212。內(nèi)槽211具有在基板W被浸漬的狀態(tài)下位于基板W下方的 底壁311和位于基板W的側(cè)方的側(cè)壁312a 312d，內(nèi)槽211的上部被開放。在內(nèi)槽211的內(nèi)部，設(shè)置有向內(nèi)槽211的內(nèi)側(cè)噴出處理液的四根噴出噴 嘴331、 332、 341、 342和向內(nèi)槽211的側(cè)壁312a、 312b噴出處理液的兩根 噴出噴嘴351、 352。噴出噴嘴331、 332、 341、 342、 351、 352均為沿著基 板W的排列方向水平配置的中空管狀的部件，在各噴出噴嘴331、 332、 341、 342、 351、 352上根據(jù)各自的噴出方向以等間隔地形成有多個(gè)噴出口。噴出噴嘴331、 332配置在內(nèi)槽211的上部附近(高于浸漬在處理液中 的基板W中心的位置)，沿著隔著基板W而相向的一對(duì)側(cè)壁312a、 312b 被水平地固定。在各噴出噴嘴331、 332上設(shè)置有向著內(nèi)槽221的內(nèi)側(cè)的略 微下方噴出處理液的多個(gè)噴出口 331a、 332a。多個(gè)噴出口331a、 332a的X 軸方向的位置為與處理槽210內(nèi)的相鄰的基板W之間以及配置在兩端的基 板W的外側(cè)對(duì)應(yīng)的位置。若向噴出噴嘴331、 332供給處理液，則從噴出噴 嘴331、 332的多個(gè)噴出口 331a、 332a向著內(nèi)槽211內(nèi)部的基板W的浸漬位 置噴出處理液。噴出噴嘴341、 342配置在內(nèi)槽211底部附近(低于浸漬在處理液中的 基板W中心的位置)，沿著隔著基板W而相向的一對(duì)側(cè)壁312a、 312b被水 平地固定。在各噴出噴嘴341、 342上設(shè)置有向著內(nèi)槽221的內(nèi)側(cè)的略微上 方噴出處理液的多個(gè)噴出口 341a、 342a和沿著底壁311向著內(nèi)槽211的內(nèi) 側(cè)噴出處理液的多個(gè)噴出口 341b、 342b。多個(gè)噴出口 341a、 341b、 342a、 342b的X軸方向的位置為與處理槽210內(nèi)的相鄰的基板W之間以及配置在 兩端上的基板W的外側(cè)對(duì)應(yīng)的位置。若向噴出噴嘴341、 342供給處理液， 則從噴出噴嘴341、 342的多個(gè)噴出口 341a、 342a向著內(nèi)槽211內(nèi)部的基板 W的浸漬位置噴出處理液，并且，從噴出噴嘴341、 342的多個(gè)噴出口341b、 342b向著內(nèi)槽211底部中央位置噴出處理液。噴出噴嘴351、 352配置在內(nèi)槽211底部附近的噴出噴嘴341、 342的上
方位置，沿著隔著基板W而相向的一對(duì)側(cè)壁312a、 312b被水平地固定。在 各噴出噴嘴351、 352形成有向著在一對(duì)側(cè)壁312a、 312b上形成的槽部216 噴出處理液的多個(gè)噴出口 351a、 351b、 352a、 352b。槽部216分別具有上部 錐面216a和下部錐面216b，作為整體而成為向著內(nèi)槽211的內(nèi)側(cè)張開的截 面為V字形狀的槽。噴出口 351a以及噴出口 352a朝向槽部216的上部錐面 216a，噴出口 351b以及噴出口 352b朝向槽部216的下部錐面216b。另外， 多個(gè)噴出口351a、 351b、 352a、 352b的X軸方向的位置為與處理槽210內(nèi) 的相鄰的基板W之間以及與配置在兩端上的基板W的外側(cè)對(duì)應(yīng)的位置。若 向噴出噴嘴351、352供給處理液，則從噴出噴嘴351、352的多個(gè)噴出口351a、 352a向著槽部216的上部錐面216a噴出處理液，并且，從噴出噴嘴351、 352的多個(gè)噴出口 351b、 352b向著槽部216的下部錐面216b噴出處理液。從噴出噴嘴351、 352噴出的處理液碰撞到槽部216的上部錐面216a以 及下部錐面216b，沿著上部錐面216a以及下部錐面216b擴(kuò)散并改變流向向 著內(nèi)槽211內(nèi)側(cè)前進(jìn)。擴(kuò)散的處理液成為粗且低速的液流抵達(dá)內(nèi)槽211的底 部中央位置，進(jìn)一步，改變流向向著內(nèi)槽211的上方慢慢上升。由此，形成 在側(cè)壁312a、 312b的槽部216作為使從噴出噴嘴351、 352噴出的處理液的 流向向著內(nèi)槽211內(nèi)側(cè)的整流部而發(fā)揮作用，并且起到使從噴出噴嘴351、 352噴出的處理液擴(kuò)散來(lái)使其流動(dòng)速度變慢的效果。基板處理裝置201通過(guò)從這些噴出噴嘴331、 332、 341、 342、 351、 352 向內(nèi)槽211內(nèi)部噴出處理液，從而能夠在內(nèi)槽211內(nèi)部貯存處理液。 一旦處 理液貯存到內(nèi)槽211的上部，則處理液從內(nèi)槽211的上部向外槽212溢出。另外，在內(nèi)槽211的內(nèi)部，設(shè)置有用于計(jì)測(cè)處理液的比電阻值的比電阻 計(jì)217。比電阻計(jì)217具有一對(duì)金屬電極，通過(guò)計(jì)測(cè)該金屬電極間的電阻， 來(lái)計(jì)測(cè)處理液的比電阻值。比電阻計(jì)217在后述處理液的置換處理之際，計(jì) 測(cè)貯存在處理槽210內(nèi)部的處理液的比電阻值，并將所得到的比電阻值的信 息發(fā)送給控制部250。另外，比電阻計(jì)217也可以在金屬電極中內(nèi)置有溫度 傳感器，將規(guī)定溫度中的比電阻值的換算值發(fā)送給控制部250。升降機(jī)220是用于保持基板W并在內(nèi)槽211的內(nèi)部和處理槽210上方 位置之間使基板W升降移動(dòng)的搬送機(jī)構(gòu)。升降機(jī)220具有在基板W的排列 方向上延伸的三根保持棒221，在各保持棒221上刻設(shè)有多個(gè)保持槽221a。
基板W在使其周邊部嵌合到保持槽221a中的狀態(tài)下，相互平行地以立起姿 勢(shì)保持在三根保持棒221上。另外，升降機(jī)220與由組合了馬達(dá)和滾珠螺桿 等的公知機(jī)構(gòu)構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)部222連接。一旦使驅(qū)動(dòng)部222動(dòng)作，則升降機(jī)220 上下移動(dòng)，基板W在處理槽210內(nèi)部的浸漬位置(圖10、圖ll的狀態(tài))和 處理槽210上方的拔出位置之間被搬送。處理液供給部230是用于向上述噴出噴嘴331、 332、 341、 342、 351、 352供給處理液的配管系統(tǒng)。如圖12所示，處理液供給部230具有處理液供 給源23K主配管232、分支配管233a、 233b、以及開關(guān)閥234a、 234b。處理液供給源231具有氫氟酸供給源511、氫氧化氨供給源512、鹽酸 供給源513、過(guò)氧化氫供給源514、以及純水供給源515。氫氟酸供給源511、 氫氧化氨供給源512、鹽酸供給源513、過(guò)氧化氫供給源514、以及純水供給 源515分別經(jīng)由開關(guān)閥235a、 235b、 235c、 235d、 235e與主配管232的流 路連接。另外，主配管232下游側(cè)的端部與分支配管233a以及分支配管233b 連接，在分支配管232a、 233b的路徑中途分別安裝有開關(guān)閥234a、 234b。 分支配管233a的下游側(cè)進(jìn)一步分支為四根，分別與噴出噴嘴331、 332、 341、 342連接。另外，分支配管233b的下游側(cè)進(jìn)一步分支為兩根，分別與噴出噴 嘴351、 352連接。在處理液供給源231中，若關(guān)閉開關(guān)閥235b、 235c、 235d并且開啟開 關(guān)閥235a、 235e，則來(lái)自氫氟酸供給源511的氫氟酸和來(lái)自純水供給源515 的純水以規(guī)定的比例混合而生成稀氫氟酸，所生成的稀氫氟酸供給到主配管 232。稀氫氟酸作為用于對(duì)基板W進(jìn)行蝕刻處理的蝕刻液而發(fā)揮作用。另外，在處理液供給源231中，若關(guān)閉開關(guān)閥235a、 235c并且開啟開關(guān) 閥235b、 235d、 235e，則來(lái)自氫氧化氨供給源512的氫氧化氨、來(lái)自過(guò)氧化 氫供給源514的過(guò)氧化氫和來(lái)自純水供給源515的純水以規(guī)定的比例混合而 生成SC-1溶液，所生成的SC-1溶液供給到主配管232。 SC-1溶液作為用于 對(duì)基板W進(jìn)行藥液清洗處理(非蝕刻處理)的清洗液而發(fā)揮作用。另外，在處理液供給源231中，若關(guān)閉開關(guān)閥235a、 235b并且開啟開 關(guān)閥235c、 235d、 235e，則來(lái)自鹽酸供給源513的鹽酸、來(lái)自過(guò)氧化氫供給 源514的過(guò)氧化氫和來(lái)自純水供給源515的純水以規(guī)定的比例混合而生成 SC-2溶液，所生成的SC-2溶液供給到主配管232。 SC-2溶液作為用于對(duì)基
板W進(jìn)行藥液清洗處理(非蝕刻處理)的清洗液而發(fā)揮作用。另外，在處理液供給源231中，若關(guān)閉開關(guān)闊235a、 235b、 235c、 235d 并且開啟開關(guān)閥235e，則僅來(lái)自純水供給源515的純水供給到主配管232。另外，這樣從處理液供給源231供給的稀氫氟酸、SC-1溶液、SC-2溶 液或者純水通過(guò)切換開關(guān)閥234a、 234b的開閉狀態(tài)而供給到分支配管233a 或者分支配管233b。 g卩，若關(guān)閉開關(guān)閥234b并開啟開關(guān)閥234a，則從處理 液供給源231供給的稀氫氟酸、SC-1溶液、SC-2溶液或者純水通過(guò)分支配 管233a送給到噴出噴嘴331、 332、 341、 342，從噴出噴嘴331、 332、 341、 342的多個(gè)噴出口 331a、 332a、 341a、 341b、 342a、 342b向內(nèi)槽211內(nèi)部噴 出。另外，若關(guān)閉開關(guān)閥234a并開啟開關(guān)閥234b，則從處理液供給源231 供給的稀氫氟酸、SC-1溶液、SC-2溶液或者純水通過(guò)分支配管233b送給到 噴出噴嘴351、 352，從噴出噴嘴351、 352的多個(gè)噴出口 351a、 351b、 352a、 352b向內(nèi)槽211內(nèi)部噴出。處理液排出部240是用于從外槽212回收處理液并將所回收的處理液排 出到排液管線的配管系統(tǒng)。如圖12所示，處理液排出部240具有配管241。 配管241上游側(cè)的端部與外槽212連接，配管241下游側(cè)的端部與工廠內(nèi)的 排液管線連接。因此，溢出到外槽212的處理液從外槽212通過(guò)配管241向 排液管線排出?？刂撇?50是用于控制基板處理裝置201的各部件的動(dòng)作的計(jì)算機(jī)裝 置?？刂撇?50與上述比電阻計(jì)217、驅(qū)動(dòng)部222、以及開關(guān)閥234a、 234b、 235a、 235b、 235c、 235d、 235e電連接?？刂撇?50接受來(lái)自比電阻計(jì)217 的計(jì)測(cè)值，并根據(jù)該計(jì)測(cè)值或則事先安裝的程序控制上述驅(qū)動(dòng)部222、以及 開關(guān)閥234a、 234b、 235a、 235b、 235c、 235d、 235e的動(dòng)作，由此進(jìn)行基板 W的處理。<2-2.基板處理裝置的動(dòng)作>接著，參照?qǐng)D13的流程圖說(shuō)明在上述基板處理裝置201中處理基板W 時(shí)的動(dòng)作。在該基板處理裝置201中處理基板W時(shí)，首先，在關(guān)閉開關(guān)閥234a、 并且開啟開關(guān)閥234b的狀態(tài)下，從處理液供給源231供給純水。從處理液 供給源231供給的純水通過(guò)主配管232以及分支配管233b流入到噴出噴嘴
351、 352中，而從噴出噴嘴351、 352噴出到內(nèi)槽211內(nèi)部。由此，純水漸 漸地貯存在內(nèi)槽211內(nèi)部，不久從內(nèi)槽211上部向外槽212溢出(步驟S201)。 溢出到外槽212的純水通過(guò)配管241排出到排液管線。接著，通過(guò)規(guī)定的搬送機(jī)構(gòu)從其他裝置搬送而來(lái)的基板W被裝載于在 處理槽210上方位置待機(jī)的升降機(jī)220上。當(dāng)在升降機(jī)220上裝載了基板W 時(shí)，基板處理裝置201使驅(qū)動(dòng)部222動(dòng)作來(lái)使升降機(jī)220下降，由此，將基 板W浸漬在貯存于內(nèi)槽211內(nèi)部的純水中(步驟S202)。接著，基板處理裝置201關(guān)閉開關(guān)閥234b并且開啟開關(guān)閥234a。然后， 從處理液供給源231供給稀氫氟酸來(lái)代替純水。從處理液供給源231供給的 稀氫氟酸通過(guò)主配管232以及分支配管233a流入噴出噴嘴331、 332、 341、 342中，從噴出噴嘴331、 332、 341、 342噴出到內(nèi)槽211內(nèi)部?；逄幚硌b 置201像這樣向內(nèi)槽211內(nèi)部供給稀氫氟酸，并使處理液從內(nèi)槽211上部向 外槽212溢出，由此，將內(nèi)槽211內(nèi)部從純水慢慢置換為稀氫氟酸(步驟 S203)。若從純水到稀氫氟酸的置換開始，則通過(guò)向基板W主面附近供給的氫氟 酸成分，開始基板W的蝕刻處理。在此，稀氫氟酸從噴出噴嘴331、 332、 341、 342向著內(nèi)槽211內(nèi)側(cè)噴出，如圖15所示，在內(nèi)槽211內(nèi)部形成較高速的液 流。因此，供給到內(nèi)槽211內(nèi)部的氫氟酸成分在內(nèi)槽211的整個(gè)內(nèi)部被充分 攪拌。因此，即使在從純水置換為稀氫氟酸的途中，在內(nèi)槽211內(nèi)部中氫氟 酸成分的濃度也總是被均勻化，對(duì)基板W整個(gè)主面均勻地進(jìn)行蝕刻處理。從純水到稀氫氟酸的置換結(jié)束后，基板處理裝置201也根據(jù)需要繼續(xù)從 噴出噴嘴331、 332、 341、 342噴出稀氫氟酸。浸漬于貯存在內(nèi)槽211的稀 氫氟酸中的基板W繼續(xù)受到蝕刻處理(步驟S204)。接著，基板處理裝置201將內(nèi)槽211的內(nèi)部從稀氫氟酸置換為純水(步 驟S205)。以下，參照?qǐng)D14的流程圖說(shuō)明步驟S205中的從稀氫氟酸到純水 的置換處理的詳細(xì)順序。在將內(nèi)槽211的內(nèi)部從稀氫氟酸置換為純水之際，首先，基板處理裝置 201維持開關(guān)閥234b的關(guān)閉狀態(tài)以及開關(guān)閥234a的開啟狀態(tài)，并從處理液 供給源231供給純水。從處理液供給源231供給的純水通過(guò)主配管232以及 分支配管233a流入到噴出噴嘴331、 332、 341、 342中，從噴出噴嘴331、 332、 341、 342向內(nèi)槽211內(nèi)部噴出(步驟S251)。基板處理裝置201像這 樣向內(nèi)槽211內(nèi)部供給純水并使處理液從內(nèi)槽211上部向外槽212溢出，由 此將內(nèi)槽211的內(nèi)部從稀氫氟酸漸漸地置換為純水。在此，在從稀氫氟酸置換為純水的初期階段，在內(nèi)槽211內(nèi)部殘存的氫 氟酸成分依舊對(duì)基板W進(jìn)行蝕刻處理?；逄幚硌b置201在這樣的置換的初 期階段，從噴出噴嘴331、 332、 341、 342噴出純水，如圖15所示，在內(nèi)槽 211內(nèi)部形成較高速的液流。由此，殘存在內(nèi)槽211內(nèi)部的氫氟酸成分在內(nèi)槽 211的整個(gè)內(nèi)部被充分?jǐn)嚢瑁诨錡的整個(gè)主面均勻地進(jìn)行蝕刻處理。隨著從稀氫氟酸到純水的置換的進(jìn)行，貯存在內(nèi)槽211內(nèi)部的處理液中 的氫氟酸成分的濃度漸漸降低。并且，隨著氫氟酸成分濃度的降低，比電阻 計(jì)217的計(jì)測(cè)值漸漸上升?；逄幚硌b置201接收比電阻計(jì)217的計(jì)測(cè)值， 連續(xù)地監(jiān)測(cè)該計(jì)測(cè)值是否達(dá)到了規(guī)定的基準(zhǔn)值rl (步驟S252)。在此，基準(zhǔn) 值rl是像通過(guò)處理液中的氫氟酸成分對(duì)基板W的蝕刻處理無(wú)法實(shí)質(zhì)地進(jìn)行 那樣的處理液的比電阻值，基于事先的實(shí)驗(yàn)等設(shè)定于控制部250中。當(dāng)比電阻計(jì)217的計(jì)測(cè)值達(dá)到上述的基準(zhǔn)值rl時(shí)，基板處理裝置201 關(guān)閉開關(guān)閥234a并開啟開關(guān)閥234b。由此，停止從噴出噴嘴331、 332、 341、 342噴出純水，而開始從噴出噴嘴351、 352噴出純水(步驟S253)。從噴出噴嘴351、 352噴出的純水碰撞到形成在內(nèi)槽211的側(cè)壁312a、 312b的槽部216并擴(kuò)散，改變流向而向內(nèi)槽211的內(nèi)側(cè)前進(jìn)。因此，在內(nèi)槽 211內(nèi)部，如圖16所示，形成從內(nèi)槽211底部附近向著上部的低速且同樣的 液流。因此，在內(nèi)槽211內(nèi)部殘存的氫氟酸成分以被低速的純水液流擠出的 方式，從內(nèi)槽211的上部向外槽212排出，在內(nèi)槽211內(nèi)部有效地進(jìn)行向純 水的置換?；逄幚硌b置201繼續(xù)接收比電阻計(jì)217的計(jì)測(cè)值，連續(xù)地監(jiān)視該計(jì)測(cè) 值是否達(dá)到規(guī)定的基準(zhǔn)值r2 (步驟S253)。在此，基準(zhǔn)值r2是像判斷為處 理液中的氫氟酸成分幾乎完全被排出、內(nèi)槽211內(nèi)部幾乎完全被置換為純水 那樣的處理液的比電阻值，事先設(shè)定在控制部250中。并且，當(dāng)比電阻計(jì)217 的比電阻值達(dá)到基準(zhǔn)值r2時(shí)，向后續(xù)的步驟S206轉(zhuǎn)移。返回到圖13?；逄幚硌b置201在比電阻計(jì)217的計(jì)測(cè)值達(dá)到上述基準(zhǔn) 值r2之后，也根據(jù)需要繼續(xù)從噴出噴嘴351、 352噴出純水。由此，浸漬于
貯存在內(nèi)槽211的純水中的基板W受到純水的沖洗處理(步驟S206)。接著，基板處理裝置201維持開關(guān)閥234a的關(guān)閉狀態(tài)以及開關(guān)閥234b 的開啟狀態(tài)，并從處理液供給源231供給SC-1溶液。從處理液供給源231 供給的SC-1溶液通過(guò)主配管232以及分支配管233b流入噴出噴嘴351、352 中，從噴出噴嘴351、 352向內(nèi)槽211內(nèi)部噴出?；逄幚硌b置201像這樣 向內(nèi)槽211內(nèi)部供給SC-1溶液，并使處理液從內(nèi)槽211上部向外槽212溢 出，由此，將內(nèi)槽211內(nèi)部漸漸地從純水置換為SC-1溶液(步驟S207)。從噴出噴嘴351、 352噴出的SC-1溶液碰撞到形成在內(nèi)槽211的側(cè)壁 312a、 312b的槽部216并擴(kuò)散，改變流向而向內(nèi)槽211的內(nèi)側(cè)前進(jìn)。因此， 在內(nèi)槽211內(nèi)部，如圖16所示，形成從內(nèi)槽211底部附近向著上部的低速 且同樣的液流。因此，在內(nèi)槽211內(nèi)部的純水以被低速的SC-1溶液的液流 擠出的方式，從內(nèi)槽211的上部向外槽212排出，在內(nèi)槽211內(nèi)部有效地進(jìn) 行從純水到SC-1溶液的置換。從純水到SC-1溶液的置換結(jié)束后，基板處理裝置201也根據(jù)需要繼續(xù) 從噴出噴嘴351、 352噴出SC-1溶液。由此，浸漬于貯存在內(nèi)槽211的SC-1 溶液中的基板W受到SC-1溶液的藥液清洗處理(步驟S208)。接著，基板處理裝置201維持開關(guān)閥234a的關(guān)閉狀態(tài)以及開關(guān)閥234b 的開啟狀態(tài)，并從處理液供給源231供給純水。從處理液供給源231供給的 純水通過(guò)主配管232以及分支配管233b流入噴出噴嘴351、 352中，從噴出 噴嘴351、 352向內(nèi)槽211內(nèi)部噴出?；逄幚硌b置201像這樣向內(nèi)槽211 內(nèi)部供給純水，并使處理液從內(nèi)槽211上部向外槽212溢出，由此，將內(nèi)槽 211內(nèi)部漸漸地從SC-1溶液置換為純水(步驟S209)。從噴出噴嘴351、 352噴出的純水碰撞到形成在內(nèi)槽211的側(cè)壁312a、 312b的槽部216并擴(kuò)散，改變流向而向內(nèi)槽211的內(nèi)側(cè)前進(jìn)。因此，在內(nèi)槽 211內(nèi)部，如圖16所示，形成從內(nèi)槽211底部附近向著上部的低速且同樣的 液流。因此，在內(nèi)槽211內(nèi)部的SC-1溶液以被低速的純水液流擠出的方式， 從內(nèi)槽211的上部向外槽212排出，在內(nèi)槽211內(nèi)部有效地進(jìn)行從SC-1溶 液到純水的置換。從SC-1溶液到純水的置換結(jié)束后，基板處理裝置201也根據(jù)需要繼續(xù) 從噴出噴嘴351、 352噴出純水。由此，浸漬于貯存在內(nèi)槽211的純水中的
基板W受到純水的沖洗處理(步驟S210)。接著，基板處理裝置201維持開關(guān)閥234a的關(guān)閉狀態(tài)以及開關(guān)閥234b 的開啟狀態(tài)，并從處理液供給源231供給SC-2溶液。從處理液供給源231 供給的SC-2溶液通過(guò)主配管232以及分支配管233b流入噴出噴嘴351、352 中，從噴出噴嘴351、 352向內(nèi)槽211內(nèi)部噴出。基板處理裝置201像這樣 向內(nèi)槽211內(nèi)部供給SC-2溶液，并使處理液從內(nèi)槽211上部向外槽212溢 出，由此，將內(nèi)槽211內(nèi)部漸漸地從純水置換為SC-2溶液(步驟S211)。從噴出噴嘴351、 352噴出的SC-2溶液碰撞到形成在內(nèi)槽211的側(cè)壁 312a、 312b的槽部216接觸并擴(kuò)散，改變流向而向內(nèi)槽211的內(nèi)側(cè)前進(jìn)。因 此，在內(nèi)槽211內(nèi)部，如圖16所示，形成從內(nèi)槽211底部附近向著上部的 低速且同樣的液流。因此，內(nèi)槽211內(nèi)部的純水以被低速的SC-2溶液的液 流擠出的方式，從內(nèi)槽211的上部向外槽212排出，在內(nèi)槽211內(nèi)部有效地 進(jìn)行從純水到SC-2溶液的置換。從純水到SC-2溶液的置換結(jié)束后，基板處理裝置201也根據(jù)需要繼續(xù) 從噴出噴嘴351、 352噴出SC-2溶液。由此，浸漬于貯存在內(nèi)槽211的SC-2 溶液中的基板W受到SC-2溶液的藥液清洗處理(步驟S212)。接著，基板處理裝置201維持開關(guān)閥234a的關(guān)閉狀態(tài)以及開關(guān)閥234b 的開啟狀態(tài)，并從處理液供給源231供給純水。從處理液供給源231供給的 純水通過(guò)主配管232以及分支配管233b流入噴出噴嘴351、 352中，從噴出 噴嘴35K 352向內(nèi)槽211內(nèi)部噴出。基板處理裝置201像這樣向內(nèi)槽211 內(nèi)部供給純水，并使處理液從內(nèi)槽211上部向外槽212溢出，由此，將內(nèi)槽 211內(nèi)部漸漸地從SC-2溶液置換為純水(步驟S213)。從噴出噴嘴351、 352噴出的純水碰撞到形成在內(nèi)槽211的側(cè)壁312a、 312b的槽部216并擴(kuò)散，改變流向而向內(nèi)槽211的內(nèi)側(cè)前進(jìn)。因此，在內(nèi)槽 211內(nèi)部，如圖16所示，形成從內(nèi)槽211底部附近向著上部的低速且同樣的 液流。因此，內(nèi)槽211內(nèi)部的SC-2溶液以被低速的純水液流擠出的方式， 從內(nèi)槽211的上部向外槽212排出，在內(nèi)槽211內(nèi)部有效地進(jìn)行從SC-2溶 液到純水的置換。從SC-2溶液到純水的置換結(jié)束后，基板處理裝置201也根據(jù)需要繼續(xù) 從噴出噴嘴351、 352噴出純水。由此，浸漬于忙存在內(nèi)槽211的純水中的
基板W受到純水的沖洗處理(步驟S214)。然后，基板處理裝置201使驅(qū)動(dòng)部222動(dòng)作來(lái)使升降機(jī)220上升，由此 從內(nèi)槽211內(nèi)部提起基板W(步驟S215)。由此，基板處理裝置201結(jié)束對(duì)1 組基板W的一系列處理。本實(shí)施方式的基板處理裝置201要在內(nèi)槽211內(nèi)部使蝕刻處理均勻進(jìn)行 時(shí)(上述步驟S202 S252)，從噴出噴嘴331、 332、 341、 342噴出處理液， 在內(nèi)槽211內(nèi)部形成較高速的液流。由此，在內(nèi)槽211內(nèi)部攪拌氫氟酸成分， 能夠使氫氟酸成分的濃度均勻化。另外，本實(shí)施方式的基板處理裝置201要 有效地置換貯存在內(nèi)槽211內(nèi)部的處理液時(shí)(上述步驟S253 S214)，從噴 出噴嘴351、 352噴出處理液，在內(nèi)槽211內(nèi)部形成較低速的液流。由此， 能夠從內(nèi)槽211有效地排出處理液。這樣，本實(shí)施方式的基板處理裝置201 根據(jù)處理情況分開使用噴出噴嘴331、 332、 341、 342和噴出噴嘴351、 352， 由此能夠使要在內(nèi)槽211內(nèi)部使處理均勻的要求和要有效地置換貯存在內(nèi)槽 211內(nèi)部的處理液的要求都滿足。<2-3.變形例>在上述步驟S253中，僅從噴出噴嘴351、 352噴出了純水，但是也可以 用圖17所示步驟S731 S733的動(dòng)作來(lái)代替該步驟S253的動(dòng)作。g卩，也可 以在比電阻計(jì)217的計(jì)測(cè)值達(dá)到基準(zhǔn)值rl后，依次進(jìn)行來(lái)自噴出噴嘴351、 352的純水的噴出(步驟S731)、來(lái)自噴出噴嘴331、 332、 341、 342的純 水的噴出(步驟S732)和來(lái)自噴出噴嘴351、 352的純水的噴出。這樣，若交替地進(jìn)行來(lái)自噴出噴嘴351、 352的純水的噴出和來(lái)自噴出 噴嘴331、 332、 341、 342的純水的噴出，則能夠用從噴出噴嘴331、 332、 341、 342噴出的純水?dāng)嚢铓埩粼诨錡表面和升降機(jī)220的部件表面附近 的氫氟酸成分，并能夠有效地將氫氟酸成分排出。來(lái)自噴出噴嘴351、 352 的純水的噴出和來(lái)自噴出噴嘴331、 332、 341、 342的純水的噴出例如各自 進(jìn)行10 20秒左右即可，其反復(fù)次數(shù)并不限于圖17所示例子。但是，為了 良好地完成從稀氫氟酸到純水的置換，而優(yōu)選最后進(jìn)行來(lái)自噴出噴嘴351、 352的純水的噴出。另外，在后續(xù)的步驟S206 S214中，同樣地也可以交替 重復(fù)進(jìn)行來(lái)自噴出噴嘴351、 352的處理液的噴出和來(lái)自噴出噴嘴331、 332、 341、 342的處理液的噴出。
另外，在上述第二實(shí)施方式中，在內(nèi)槽211的上部附近配置噴出噴嘴331、 332，并且，在內(nèi)槽211的底部附近配置噴出噴嘴341、 342，在噴出噴嘴341、 342的上方附近位置配置噴出噴嘴351、 352，但是，噴出噴嘴331、 332、 341、 342、 351、 352未必一定是這樣的位置關(guān)系。例如，也可以將噴出噴嘴351、 352配置在噴出噴嘴341、 342的下方。另外，在上述第二實(shí)施方式中，噴出噴嘴351、 352向著內(nèi)槽211的側(cè) 壁312a、 312b噴出處理液，但也可以向著內(nèi)槽211的底壁311噴出處理液。 即，噴出噴嘴351、 352只要是向內(nèi)槽211的任一內(nèi)壁面噴出處理液即可。 優(yōu)選在接受從噴出噴嘴351、 352噴出的處理液的內(nèi)槽211的內(nèi)壁面如上述 實(shí)施方式那樣形成有槽部216，但是，即使未形成有槽部216，也能夠使從 噴出噴嘴351、 352噴出的處理液擴(kuò)散，在內(nèi)槽211內(nèi)部形成低速的液流。另外，在上述第二實(shí)施方式中，沒(méi)有特別言及形成在噴出噴嘴331、 332、 341、 342、 351、 352上的噴出口 331a、 332a、 341a、 341b、 342a、 342b、 351a、 351b、 352a、 352b的開口口徑，但是噴出口 331a、 332a、 341a、 341b、 342a、 342b的開口口徑例如為0.70mm 1.0mm左右(如0.85mm)即可，噴出口 351a、351b、352a、352b的開口口徑例如為0.80mm 1.50mm左右(如1.10mm) 即可。各噴出口 331a、 332a、 341a、 341b、 342a、 342b、 351a、 351b、 352a、 352b的開口口徑可以完全相同，但是，若使噴出口351a、 351b、 352a、 352b 的開口口徑比噴出口 331a、 332a、 341a、 341b、 342a、 342b的開口口徑稍微 大，則能夠更加大形成在內(nèi)槽211內(nèi)部的液流的速度差。另外，在上述第二實(shí)施方式中，槽部216是由一對(duì)錐面216a、 216構(gòu)成 的截面為V字形狀的槽，但是，該槽部216的形狀也可以是曲面形狀(半筒 狀)等其他形狀。另外，在上述第二實(shí)施方式中，作為處理液，使用了稀氫氟酸、SC-1 溶液、SC-2溶液、以及純水，但是，本發(fā)明基板處理裝置也可以使用其他處 理液來(lái)進(jìn)行基板W的處理。另外，本發(fā)明不僅適用于以半導(dǎo)體基板為處理 對(duì)象的基板處理裝置，也能夠適用于以液晶顯示裝置用玻璃基板或光掩模用 玻璃基板等種種基板為處理對(duì)象的基板處理裝置。
權(quán)利要求
1. 一種基板處理裝置，通過(guò)在處理液中浸漬基板來(lái)進(jìn)行基板的處理，其特征在于，該基板處理裝置具有處理槽，其具有側(cè)壁和底壁，在處理槽的內(nèi)部貯存處理液；第一噴出部，其在上述處理槽的內(nèi)部向上述側(cè)壁或者上述底壁噴出處理液；排出部，其用于排出從上述處理槽的上部溢出的處理液；升降機(jī)，其使基板在上述處理槽的內(nèi)部和上述處理槽的上方位置之間升降移動(dòng)。
2. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第一噴出部 向形成在上述側(cè)壁或者上述底壁上的凹部噴出處理液。
3. 如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述第一噴出部具有一對(duì)噴出噴嘴；上述一對(duì)噴出噴嘴向在上述處理槽的相向的一對(duì)側(cè)壁上形成的凹部分 別噴出處理液。
4. 如權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，上述凹部分別形 成在上述一對(duì)側(cè)壁的下端部。
5. 如權(quán)利要求3或4所述的基板處理裝置，其特征在于，上述凹部是 向著上述處理槽的內(nèi)側(cè)張開的截面為V字形狀的槽。
6. 如權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于，上述噴出噴嘴向 構(gòu)成上述截面為V字形狀的槽的一對(duì)錐面中的下側(cè)的錐面噴出處理液。
7. 如權(quán)利要求3或4所述的基板處理裝置，其特征在于，上述凹部為 向著上述處理槽的內(nèi)側(cè)張開的曲面狀的槽。
8. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有 第二噴出部，其向上述處理槽的內(nèi)側(cè)噴出處理液；控制部，其根據(jù)處理的進(jìn)行狀況分別獨(dú)立控制上述第一噴出部以及上述 第二噴出部的動(dòng)作；從上述第一噴出部噴出的處理液通過(guò)與上述處理槽的上述內(nèi)壁面碰撞， 從而在上述處理槽的內(nèi)部形成比從上述第二噴出部噴出的處理液低速的液 流。
9. 如權(quán)利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第一噴出部 向著上述處理槽的形成在上述內(nèi)壁面上的凹部噴出處理液。
10. 如權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述第二噴出部具有配置在上述處理槽的底部附近的第一噴嘴和配置在上述處理槽的上部附近的第二噴嘴；上述第一噴出部具有處于上述處理槽的底部附近且配置在上述第一噴 嘴的上方的第三噴嘴。
11. 如權(quán)利要求10所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第一噴嘴、 上述第二噴嘴和上述第三噴嘴均在上述處理槽的內(nèi)部隔著用于浸漬基板的 區(qū)域配置成一對(duì)。
12. 如權(quán)利要求11所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理液包 括對(duì)基板進(jìn)行蝕刻處理的蝕刻液和實(shí)施其他處理的非蝕刻液；上述控制部在向上述處理槽的內(nèi)部供給上述蝕刻液時(shí)，使得從上述第二 噴出部噴出上述蝕刻液。
13. 如權(quán)利要求12所述的基板處理裝置，其特征在于， 還具有計(jì)測(cè)部，該計(jì)測(cè)部用于計(jì)測(cè)貯存于上述處理槽的內(nèi)部的處理液中所包含的上述蝕刻液成分的濃度或者處理液的比電阻值，上述控制部在將貯存于上述處理槽的內(nèi)部的上述蝕刻液置換為上述非 蝕刻液時(shí)，使得從上述第二噴出部噴出上述非蝕刻液，當(dāng)上述計(jì)測(cè)部的計(jì)測(cè) 值達(dá)到規(guī)定值時(shí)，使來(lái)自上述第二噴出部的上述非蝕刻液的噴出停止，并且， 進(jìn)行來(lái)自上述第一噴出部的上述非蝕刻液的噴出。
14. 如權(quán)利要求8至13中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述控制部在將貯存在上述處理槽的內(nèi)部的處理液置換為其他處理液時(shí)，交替進(jìn)行來(lái)自上述第二噴出部的上述其他處理液的噴出和來(lái)自上述第一 噴出部的上述其他處理液的噴出。
15. —種基板處理方法，通過(guò)在處理液中浸漬基板來(lái)進(jìn)行基板的處理， 其特征在于，該方法具有a) 在處理槽的內(nèi)部向上述處理槽的側(cè)壁或者底壁噴出處理液的工序；b) 在貯存于上述處理槽的內(nèi)部的處理液中浸漬基板的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板處理裝置，能夠控制處理槽內(nèi)部中的處理液的攪拌，且能夠有效地將顆粒等異物排出到處理槽外部?；逄幚硌b置(1)從噴出噴嘴(13)向著形成在內(nèi)槽(11)的側(cè)壁(112a、112b)上的槽部14噴出氫氟酸溶液。由此，從噴出噴嘴(13)噴出的氫氟酸溶液與槽部(14)碰撞并擴(kuò)散，作為低速且同樣的液流向內(nèi)槽(11)上部前進(jìn)。因此，產(chǎn)生在內(nèi)槽(11)內(nèi)部的金屬成分或異物不會(huì)在內(nèi)槽(11)內(nèi)部被攪拌而漂浮到內(nèi)槽(11)的上部，與氫氟酸溶液一同被迅速地排出到外槽(12)。
文檔編號(hào)C23F1/08GK101399172SQ20081016109
公開日2009年4月1日 申請(qǐng)日期2008年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月26日
發(fā)明者大澤篤史, 我孫子良隆 申請(qǐng)人:大日本網(wǎng)屏制造株式會(huì)社