專(zhuān)利名稱(chēng)：無(wú)電鍍鎳的方法及由該方法制得的電路板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種無(wú)電鍍鎳的方法及由無(wú)電鍍鎳的方法制得的電路板的 表面鍍層，尤其是可以提供一種可制造出兼具優(yōu)良的焊錫性及抗蝕性的電路 板表面鍍層。
背景技術(shù)：
無(wú)電鍍鎳(Electroless Nickel Plating)是化學(xué)鍍鎳的一種方法，亦稱(chēng)為自身 催化鍍鎳(Autocatalytic Nickel Plating),因?yàn)?946年A.Brenner禾卩G.Riddell
在美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)局服務(wù)時(shí)，無(wú)意中發(fā)現(xiàn)次磷酸鈉可還原鎳離子，并首度使用 "無(wú)電鍍鎳"名詞，并在之后申請(qǐng)美國(guó)專(zhuān)利(美國(guó)專(zhuān)利號(hào)第2532283號(hào))。 在無(wú)電鍍鎳技術(shù)工業(yè)化之后，最初應(yīng)用主要為化學(xué)工業(yè)的防蝕，隨著電子工 業(yè)與信息工業(yè)的興起，在印刷電路板、電腦外殼、硬盤(pán)、手機(jī)面板、液晶面 板的應(yīng)用比例逐漸增加。
無(wú)電鎳金(Electroless Nickel Immersion Gold, ENIG)流程包含無(wú)電鍍鎳 (或稱(chēng)化學(xué)鎳)及浸鍍金(或稱(chēng)化學(xué)金)兩種制程。無(wú)電鍍鎳是一個(gè)自我催 化的反應(yīng)，利用氧化還原的方式將鎳磷合金沉積于銅上，其還原劑通常使用 次磷酸鈉；浸鍍金為一種電位置換反應(yīng)(potential replacement reaction),利用 各金屬氧化還原電位的不同，以電位置換方式將金屬還原并置換沉積出來(lái)， 也就是說(shuō)任何在溶液中擁有較高還原電位的金屬離子，會(huì)取代并沉積在較低 還原電位的金屬被鍍物上，而被鍍物上的金屬則溶解至鍍液中，而此置換反 應(yīng)隨著金逐漸布滿(mǎn)鎳被鍍物后而趨于停止。
需要先鍍鎳層的原因是，其可作為一擴(kuò)散障蔽層(barrier layer),防止金 層與銅層之間的遷移或擴(kuò)散，確保金層的純度，避免金層的氧化。
傳統(tǒng)一般用于電路板制程中的無(wú)電鎳金的處理步驟為脫脂一雙水洗一 微蝕一雙水洗一酸洗(硫酸)一雙水洗一觸媒活化一雙水洗一后浸酸(選擇 性)一雙水洗(選擇性)一熱純水預(yù)浸(選擇性)一無(wú)電鍍鎳一雙水洗一浸鍍金一回收水洗一雙水洗一熱純水洗一封孔(選擇性)一純水洗(選擇性)。 在觸媒活化的步驟中，通常是把表面含銅的被鍍物浸入酸性含鈀的溶 液，可在被鍍物表面置換出鈀的晶種，將被鍍物洗凈后，再放入鎳鍍液中，
即可啟動(dòng)無(wú)電鍍鎳。但以次磷酸鈉還原鎳時(shí)，還原效率僅為30~34%，其余 還原劑則反應(yīng)產(chǎn)生氫氣，由于鈀極易吸附氫氣，若氫氣濃度太高，則會(huì)引發(fā) 鄰近槽液過(guò)度活化而將鎳層還原出來(lái)，此還原出的鎳層為無(wú)方向性的沉淀， 亦非制程中所規(guī)劃的，形成滲鍍而造成無(wú)電鍍鎳鍍層的缺陷(defect)。
此外，為了可順利啟動(dòng)自身催化鍍鎳，鍍液中通常包括啟鍍劑，傳統(tǒng)較 佳的啟鍍劑含有有機(jī)硫化物或無(wú)機(jī)硫化物，此硫化物在鍍液中僅占O.l至多 個(gè)ppm，但硫在鎳鍍層的共析量應(yīng)嚴(yán)格控制在約300ppm 350ppm之間。若 共析的硫化物高于350ppm，在后續(xù)的焊錫加工時(shí)，在高溫下，此共析的硫 化物會(huì)斷裂并與錫膏或助焊劑中的活化酸形成硫化氫氣體；硫化氫氣體腐蝕 性極強(qiáng)，會(huì)攻擊鎳鍍層造成氧化及腐蝕，形成硫化鎳及氧化鎳的復(fù)合體，此 即俗稱(chēng)的黑鎳(black nickel)或黑墊(black pad)，此氧化鍍層將嚴(yán)重影響焊錫 性，造成電路板組裝作業(yè)失敗。若槽液中硫含量過(guò)低，硫化物共析量在鎳層 低于300ppm，則無(wú)法有效啟鍍鎳層，造成邊角上啟鍍不良，形成塌陷現(xiàn)象， 俗稱(chēng)削肩(thin shoulder),甚至因啟鍍不良而形成漏鍍(skip plating)。若要 避免上述兩項(xiàng)的缺陷，則需嚴(yán)格控制硫化物在鍍液中含量介于0.1至多個(gè)ppm 之間，此項(xiàng)要求對(duì)業(yè)內(nèi)人士是一大考驗(yàn)。
在上述無(wú)電鍍鎳的步驟中，槽液中pH值操作對(duì)磷含量影響很大pH值 越高，磷含量越低；且pH值越低，磷含量越高。若鍍上的鎳層含磷量較高， 控制在9.5%以上，又以10.5°/。以上為佳，則抗蝕性較佳，但對(duì)焊錫能力則大 為減弱；若鍍上的鎳層含磷量較低，控制在6%以下，又以5.5%以下為佳， 則焊錫性較佳，但對(duì)于抗蝕能力又大為減弱。由于磷含量的高低對(duì)于鍍層質(zhì) 量影響極大，因此，目前業(yè)界使用的單一鍍層，往往使業(yè)者陷于兩難之中。
另外，無(wú)電鍍鎳在啟鍍反應(yīng)的控制對(duì)于化學(xué)鎳金操作的成敗至為重要， 而啟鍍反應(yīng)的成敗是由兩個(gè)重要因素構(gòu)成觸媒活化槽中鈀置換的活性以及 鎳鍍槽液的活性。若兩者活性皆低，則會(huì)因啟鍍不良而造成漏鍍或是削肩； 反之若是兩者活性皆高，則會(huì)因過(guò)度啟鍍而造成滲鍍或是溢鍍。在觸媒活化 槽中鈀置換的活性受到槽液中銅離子濃度的影響，適當(dāng)?shù)腻H含量為100ppm 180ppm;當(dāng)銅離子濃度隨著槽液壽命增加而增高時(shí)，鈀置換的活性 也逐漸趨向不穩(wěn)定，因此如何有效控制活化槽中銅離子含量在一穩(wěn)定狀態(tài)至 為重要。另外，鎳鍍槽液的活性是受槽液壽命的影響，當(dāng)無(wú)電鍍鎳反應(yīng)進(jìn)行 中，由于鎳會(huì)不斷被消耗，因此需不斷補(bǔ)充硫酸鎳至鍍液中，建浴量(metal turn over, MTO or turn or turn over)指每補(bǔ)充硫酸鎳的量達(dá)到鍍液的起始硫酸鎳的 含量時(shí)，稱(chēng)為一個(gè)MTO。在傳統(tǒng)無(wú)電鍍鎳制程中，當(dāng)達(dá)到第5個(gè)MTO時(shí)， 須將整個(gè)鍍液移除，換新的鍍液。將鎳鍍槽液的反應(yīng)活性對(duì)槽液壽命作圖， 圖形呈不規(guī)則曲線軌跡；所幸的是，后半段壽命(2.5 5 MTO)的槽液活性較 為規(guī)則并呈現(xiàn)逐漸遞減的直線軌跡，因此采用后半段壽命的槽液作為啟鍍的 槽液較為有利。若能同時(shí)控制鈀置換活性和鎳槽活性持續(xù)在一穩(wěn)定狀態(tài)，即 可大大減少化學(xué)鎳金制程中因啟鍍不良造成的不合格產(chǎn)品。
因此，有必要提供一種無(wú)電鍍鎳的方法，以改善現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一目的在于，提供兼具優(yōu)良的焊錫性及抗蝕性的無(wú)電鍍鎳的方 法及以該方法制得兼具優(yōu)良的焊錫性及抗蝕性的電路板表面鍍層。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種可持續(xù)穩(wěn)定啟鍍的無(wú)電鍍鎳方法，以提 高制程生產(chǎn)合格率。
為達(dá)成上述的目的之一，本發(fā)明的無(wú)電鍍鎳的方法包括以下步驟將被 鍍物置于第一鍍液中；于被鍍物上鍍上第一鎳層，其中第一鎳層為鎳磷合金； 并且于第一鎳層上鍍上第二鎳層，第二鎳層為鎳磷合金，其中第二鎳層的磷 含量實(shí)質(zhì)上低于第一鎳層的磷含量。
為達(dá)成上述的目的之二，為完成穩(wěn)定啟鍍的目的，本發(fā)明包括以下步驟: 將被鍍物進(jìn)行觸媒活化并控制活化槽保持在第一銅含量；并且采用后半段壽 命的鎳鍍槽液作為上述第一鎳層的啟鍍槽液。
本發(fā)明提供一種被鍍物，該被鍍物為一電路板，包括 一電路板本體， 該電路板本體為該被鍍物；該第一鎳層，覆設(shè)于該電路板本體上，其中該第 一鎳層的磷含量大于9.5%;以及該第二鎳層，覆設(shè)于該第一鎳層之上。
本發(fā)明的有益技術(shù)效果在于，以本發(fā)明的無(wú)電鍍鎳的方法所制成的電路 板表面鍍層兼具優(yōu)良的焊錫性及抗蝕性。


圖1為本發(fā)明的無(wú)電鍍鎳的方法的一種實(shí)施方式的流程圖。
圖2為本發(fā)明的無(wú)電鍍鎳的方法的一裝置實(shí)施例的示意圖。 圖3為本發(fā)明的電路板的一實(shí)施例的示意圖。
其中，附圖標(biāo)iE 被鍍物20 第一鍍液31 第二鍍液41 電路板主體50 第二鎳層62 水洗槽80
l下
第一鍍槽30 第二鍍槽40 電路板5 第一鎳層61 活化槽70
具體實(shí)施例方式
為使本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容更易理解，特舉較佳具體實(shí)施例說(shuō)明如下。 以下請(qǐng)參考圖1所示的本發(fā)明的無(wú)電鍍鎳的方法的流程圖。如圖1所示，
本發(fā)明的無(wú)電鍍鎳的方法包含以下步驟
首先進(jìn)行步驟71:將被鍍物進(jìn)行觸媒活化并控制活化槽保持在第一銅含
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，被鍍物須先置于活化槽，以鈀作觸媒，將被鍍 物表面活化，并且控制活化槽液中的銅濃度保持在第一銅含量，第一銅含量
實(shí)質(zhì)上介于100ppm 180ppm，尤以D0ppm 150ppm為佳，在此銅含量范圍 之間，可穩(wěn)定鈀的活性。
接著進(jìn)行步驟72:水洗。
將被鍍物移至水洗槽進(jìn)行水洗。
接著再進(jìn)行步驟73:將被鍍物置于第一鍍液中。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，被鍍物為表面含有銅的電路板，但本發(fā)明不以
此為限。第一鍍液置于鍍槽中，第一鍍液包括硫酸鎳(NiS04 6H20)、次磷 酸鈉(Na(H2P02) .H20)、添加劑、緩沖劑及pH調(diào)整劑，但本發(fā)明不以此為 限。其中硫酸鎳中的鎳含量占第一鍍液約5%;次磷酸鈉含量占第一鍍液約24%~28%，次磷酸鈉作為還原劑與鎳磷合金中的磷的提供者；多元錯(cuò)合劑 包括選自于蘋(píng)果酸、乳酸、己二酸、琥珀酸、醋酸、胺基醋酸、檸檬酸鹽及 其鹽類(lèi)中的至少三種化合物所組成的群組；添加劑包括安定劑、加速劑、去 極化劑、第一啟鍍劑；且緩沖劑包括醋酸鹽、硼酸鹽、氯化銨；且pH調(diào)整 劑包括液堿(譬如氨水或有機(jī)氨)，但本發(fā)明不以此鍍液的組成為限。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一鍍液使用第2.5至第5建浴量(MTO)的鍍液。
接著進(jìn)行步驟74:于被鍍物上鍍上第一鎳層并控制第一鍍液保持在第一
溫度、第一 pH值及控制第一鎳層的硫共析量介于300ppm至600ppm之間。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一溫度實(shí)質(zhì)上介于75'C至85。C間，優(yōu)選地， 該第一溫度介于8rC至83'C之間，此溫度范圍低于傳統(tǒng)無(wú)電鍍鎳的反應(yīng)溫 度(88°C 90°C)，可避免被鍍物為電路板時(shí)，電路板上的綠漆因高溫而損 壞。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一pH值實(shí)質(zhì)上介于4.0 4.6之間，優(yōu)選地， 該第一pH值介于4.1至4.3之間，在此pH值范圍時(shí)，反應(yīng)速率較低，而鎳 磷合金共析在被鍍物表面上的磷含量增加，其中磷含量約占鎳磷合金的9.5 %以上，尤以10.5%以上為佳，抗蝕性非常優(yōu)良。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一啟鍍劑為有機(jī)或無(wú)機(jī)硫化合物，由于第一 pH值較低且為了能讓被鍍物順利被啟鍍，須控制共析在第一鎳層的硫含量 介于300ppm至600ppm之〖司。
其中，由于第一鍍液使用第2.5至第5個(gè)MTO的鍍液，被鍍物在第2.5 至第5個(gè)MTO的鍍液的啟鍍反應(yīng)較穩(wěn)定，可得到性質(zhì)均勻及方向性良好的 第一鎳層。
接著進(jìn)行步驟75:將已鍍上第一鎳層的被鍍物移至第二鍍液中。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第二鍍液的組成實(shí)質(zhì)上和第一鍍液的組成相同
并置于另一鍍槽中，但第二鍍液與第一鍍液最大的不同在于第二鍍液使用第
0至第2.5個(gè)MTO的鍍液，以此，可共析出較純及鍍層較致密的鎳磷合金，
降低雜質(zhì)及孔隙出現(xiàn)在被鍍物表面的機(jī)率。
最后進(jìn)行步驟76:于第一鎳層上鍍上第二鎳層并控制第二鍍液保持在第
二溫度、第二pH值及第二鎳層的硫共析含量小于300ppm。優(yōu)選地，可控制
該第二鎳層的硫共析量低于200ppm。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第二溫度實(shí)質(zhì)上介于75'C至85'C之間。優(yōu)選 地，該第二溫度介于8rC至83'C之間。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第二pH值 實(shí)質(zhì)上介于4.7 6.0之間，在此pH值范圍時(shí)，反應(yīng)速率較快，而鎳磷合金共 析在被鍍物表面上的磷含量減少，其中磷含量控制在6°/。以下，又以5.5%以 下為佳，可增加焊錫性；且更佳的第二pH值實(shí)質(zhì)上介于5.2 5.5之間。
第二電鍍液包括第二啟鍍劑，第二啟鍍劑為有機(jī)或無(wú)機(jī)含硫化合物，并 且為了避免黑鎳的發(fā)生，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，共析在第二鎳層的硫含量 實(shí)質(zhì)上低于300ppm。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，該第二啟鍍劑包括硫，并 且該第二啟鍍劑的硫含量低于該第一啟鍍劑的硫含量。另外，該第二啟鍍劑 可為與第一啟鍍劑相同的啟鍍劑，或?yàn)榕c第一啟鍍劑不同的含硫化合物的啟 鍍劑，或?yàn)樯鲜鰞烧?與第一啟鍍劑相同的啟鍍劑和與第一啟鍍劑不同的含 硫化合物的啟鍍劑)的混合物。
以下請(qǐng)參考圖2，圖2為本發(fā)明的一種無(wú)電鍍鎳的方法的一裝置實(shí)施例 的示意圖。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，無(wú)電鍍鎳為電路板制程中的無(wú)電鎳金的處理步 驟之一，如圖2所示，將被鍍物20 (譬如表面含有銅的電路板)在不同槽液 進(jìn)行相關(guān)的預(yù)處理后，先將被鍍物20置于活化槽70進(jìn)行觸媒活化，接著將 被鍍物移至水洗槽80進(jìn)行水洗，再將被鍍物20置于第一鍍槽30中，第一 鍍槽30中內(nèi)置第一鍍液31，以此，在被鍍物20表面上鍍上第一層鎳(圖未 示)。接下來(lái)將已鍍上第一鎳層的被鍍物20移至第二鍍槽40中，第二鍍槽 40中內(nèi)置第二鍍液41;以此，在被鍍物20表面上的第一鎳層鍍上第二層鎳 (圖未示)。但須注意的是，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一鎳層的磷含量高 于第二鎳層的磷含量。
本發(fā)明亦提供一種電路板的表面鍍層，其通過(guò)本發(fā)明的無(wú)電鍍鎳的方法 所制成。如圖3所示，電路板5包括電路板本體50、第一鎳層61及第二鎳 層62。其中電路板本體50為表面含有銅的電路板，欲鍍的鎳層鍍于銅之上; 第一鎳層61包括鎳磷合金及硫化物，第一鎳層61覆設(shè)于電路板本體上；且 第二鎳層62包括鎳磷合金及硫化物，第二鎳層62覆設(shè)于第一鎳層61之上， 但須注意的是，第一鎳層61的磷含量實(shí)質(zhì)上高于第二鎳層62的磷含量。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在第一鎳層的硫共析量實(shí)質(zhì)上介于300ppm至600ppm之間；且第二鎳層的硫共析量實(shí)質(zhì)上低于300ppm，由于第二鎳層的 硫含量較低可避免黑墊的產(chǎn)生。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一鎳層61的磷含量實(shí)質(zhì)上高于9.5%，此第 一鎳層61作為底層，因含磷量高，故抗蝕性?xún)?yōu)良；且第二鎳層62的磷含量 實(shí)質(zhì)上低于6%，此第二鎳層62作為表層，因含磷量較低，故焊錫性佳，且 兼具在浸鍍金的制程中，金與第二鎳層62的鎳原子置換率佳，可保護(hù)電路 板表面免于因?yàn)殂~與金置換而被氧化的優(yōu)點(diǎn)。
綜上所述，本發(fā)明無(wú)論目的、手段及功效，均具有迥異于現(xiàn)有技術(shù)的特 征。但應(yīng)注意的是，上述諸多實(shí)施例僅為了便于說(shuō)明而舉例而己，本發(fā)明所 主張的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)，而并非僅限于上述實(shí)施 例。
ii
權(quán)利要求
1.一種無(wú)電鍍鎳的方法，包括以下步驟將一被鍍物置于一第一鍍液中；于該被鍍物上鍍上一第一鎳層，其中該第一鎳層為鎳磷合金；以及于該第一鎳層上鍍上一第二鎳層，其中該第二鎳層為鎳磷合金，其中該第二鎳層的磷含量低于該第一鎳層的磷含量。
2. 如權(quán)利要求1所述的無(wú)電鍍鎳的方法，其中該第一鍍液中包括一第一 啟鍍劑，該第一啟鍍劑包括有機(jī)硫化物或無(wú)機(jī)硫化合物。
3. 如權(quán)利要求2所述的無(wú)電鍍鎳的方法，其中在進(jìn)行于該被鍍物上鍍上 該第一鎳層的步驟中，還包括下列步驟控制該第一鎳層的硫共析量介于300ppm至600ppm之間。
4. 如權(quán)利要求1所述的無(wú)電鍍鎳的方法，其中該第一鍍液使用第2.5至 第5個(gè)MTO的鍍液。
5. 如權(quán)利要求1所述的無(wú)電鍍鎳的方法，其中在進(jìn)行于該被鍍物上鍍上 該第一鎳層的步驟中，還包括下列步驟控制該第一鍍液保持一第一溫度，其中該第一溫度介于75'C至85i:之間。
6. 如權(quán)利要求5所述的無(wú)電鍍鎳的方法，其中該第一溫度介于8rC至83 "C之間。
7. 如權(quán)利要求1所述的無(wú)電鍍鎳的方法，其中在于該被鍍物上鍍上該第 一鎳層的步驟中，還包括下列步驟-控制該第一鍍液于一第一 pH值，其中該第一 pH值介于4.0至4.6之間。
8. 如權(quán)利要求7所述的無(wú)電鍍鎳的方法，其中該第一 pH值介于4.1至 4.3之間。
9. 如權(quán)利要求1所述的無(wú)電鍍鎳的方法，其中在于該被鍍物上鍍上該第 一鎳層的步驟前，還包括下列步驟將該被鍍物置于一活化槽進(jìn)行觸媒活化。控制該活化槽保持在一第一銅含量，其中該第一銅含量介于100ppm至 180ppm。
10. 如權(quán)利要求9所述的無(wú)電鍍鎳的方法，其中該第一銅含量介于130ppm 至150ppm。
11. 如權(quán)利要求1所述的無(wú)電鍍鎳的方法，其中在于該被鍍物上鍍上該第 一鎳層的步驟后，還包括下列步驟將己鍍上該第一鎳層的被鍍物移至一第二鍍液中。
12. 如權(quán)利要求11所述的無(wú)電鍍鎳的方法，其中該第二鍍液包括一第二 啟鍍劑，該第二啟鍍劑包括硫，其中該第二啟鍍劑的硫含量低于該第一啟鍍 劑的硫含量。
13. 如權(quán)利要求12所述的無(wú)電鍍鎳的方法，其中該第二啟鍍劑可為與第 一啟鍍劑相同的啟鍍劑，或?yàn)榕c第一啟鍍劑不同的含硫化合物的啟鍍劑，或 為所述與第一啟鍍劑相同的啟鍍劑以及所述與第一啟鍍劑不同的含硫化合 物的啟鍍劑的混合物。
14. 如權(quán)利要求13所述的無(wú)電鍍鎳的方法，其中在于該第一鎳層上鍍上 該第二鎳層的步驟中，還包括下列步驟-控制該第二鎳層的硫共析量低于300ppm。
15. 如權(quán)利要求13所述的無(wú)電鍍鎳的方法，其中在于該第一鎳層上鍍上 該第二鎳層的步驟中，還包括下列步驟控制該第二鎳層的硫共析量低于200ppm。
16. 如權(quán)利要求11所述的無(wú)電鍍鎳的方法，其中該第二鍍液使用第0至 第2.5個(gè)MTO的鍍液。
17. 如權(quán)利要求11所述的無(wú)電鍍鎳的方法，其中在進(jìn)行于該第一鎳層上 鍍上該第二鎳層的步驟中，還包括下列步驟控制該第二鍍液保持一第二溫度，其中該第二溫度介于75'C至85'C之間。
18.如權(quán)利要求17所述的無(wú)電鍍鎳的方法，其中該第二溫度介于src至83"C之間。
19.如權(quán)利要求11所述的無(wú)電鍍鎳的方法，其中在進(jìn)行于該第一鎳層上 鍍上該第二鎳層的步驟中，還包括下列步驟控制該第二電鍍液于一第二 pH值，其中該第二 pH值介于4.7至6.0之間。
20. 如權(quán)利要求19所述的無(wú)電鍍鎳的方法，其中該第二pH值介于5.2至 5.5之間。
21. —種電路板，通過(guò)如權(quán)利要求1至20中任一項(xiàng)所述的無(wú)電鍍鎳的方 法所制成，包括一電路板本體，該電路板本體為該被鍍物；該第一鎳層，覆設(shè)于該電路板本體上，其中該第一鎳層的磷含量大于9.5 %;以及該第二鎳層，覆設(shè)于該第一鎳層之上。
22. 如權(quán)利要求21所述的電路板，其中該第一鎳層的磷含量大于10.5%。
23. 如權(quán)利要求21所述的電路板，其中該第二鎳層的磷含量低于6%。
24. 如權(quán)利要求21所述的電路板，其中該第二鎳層的磷含量低于5.5%。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種無(wú)電鍍鎳的方法及由該方法制得的電路板，該無(wú)電鍍鎳的方法包括以下步驟將被鍍物置于第一鍍液中；鍍上第一鎳層于被鍍物上，其中第一鎳層為鎳磷合金；并且于第一鎳層上鍍上第二鎳層，第二鎳層為鎳磷合金，其中第二鎳層的磷含量實(shí)質(zhì)上低于第一鎳層的磷含量。通過(guò)上述的無(wú)電鍍鎳的方法可制得一電路板的表面鍍層，即在電路板表面銅焊墊上施鍍第一鎳層及第二鎳層；其中第一鎳層為鎳磷合金；第二鎳層為鎳磷合金；第二鎳層覆蓋于第一鎳層之上；且第二鎳層的磷含量實(shí)質(zhì)上低于第一鎳層的磷含量。以本發(fā)明的無(wú)電鍍鎳的方法所制成的電路板表面鍍層兼具優(yōu)良的焊錫性及抗蝕性。
文檔編號(hào)C23C18/31GK101684552SQ20081016109
公開(kāi)日2010年3月31日 申請(qǐng)日期2008年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月26日
發(fā)明者江德馨 申請(qǐng)人:聯(lián)鼎電子科技有限公司