專利名稱：：磨削加工方法以及磨削加工裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及通過噴射磨粒等各種磨削材料、噴砂材料、研磨材料(在本發(fā)明中，將這些統(tǒng)稱為"研磨材料"。)，對被處理對象乃至被加工對象面(在本發(fā)明中，稱為"工件(W)"。)進(jìn)行研磨、切削、噴砂、清理等(在本發(fā)明中，將這些統(tǒng)稱為"磨削"，將它們中使用的方法稱為磨削加工方法、將使用的裝置稱為磨削加工裝置。)的磨削加工方法以及磨削加工裝置，例如，涉及能夠用于將硅晶片等晶片(以下，簡稱為"工件(W)"。)作為處理對象，對形成在該晶片上的膜或污垢進(jìn)行磨削的磨削加工方法以及使用所述磨削方法的磨削加工裝置。
背景技術(shù)：
：例如，對于晶片等半導(dǎo)體器件材料，通過對例如單晶硅晶片實施由多個工序組成的加工來進(jìn)行制造。在制造這樣的半導(dǎo)體器件時，為了監(jiān)視各工序的狀態(tài)、討論各工藝過程中的條件等，在制造工序中使用所謂的被稱為測試晶片的測試用晶片。下面，以測試晶片為例，對技術(shù)背景、以及課題進(jìn)行說明。這種測試晶片的使用量很大，多達(dá)用于制造實際出售等制品的晶片(原始晶片；primewafer)的生產(chǎn)量的大約1/3左右。由于這種檢査用的測試晶片僅僅是在半導(dǎo)體器件的制造工序中使用的晶片，并不作為最終的制品出廠，因此只要是具有與原始晶片同樣的平滑面的晶片即可，即使是再生品也不妨礙使用。因此，對于這種測試晶片，一旦在半導(dǎo)體器件的制造工序中被用于各種測試中后，通過腐蝕來除去在表面上形成的覆膜或污垢之后重復(fù)使用。謀求通過這種晶片的再生使用來減少昂貴晶片的使用量、降低制造成本。為了再生這種使用過的測試晶片，作為除去在表面上形成的覆膜等的方法，以往一直使用化學(xué)腐蝕(etching)法。但是，在通過化學(xué)腐蝕除去覆膜的情況下，由于腐蝕速度根據(jù)材質(zhì)不同而不同，因此如果將混合有由那些不同材質(zhì)構(gòu)成的覆膜的測試晶片浸泡在腐蝕液中，則由于由該材質(zhì)的不同引起腐蝕速度不同，從而在腐蝕后的測試晶片的表面上產(chǎn)生凹凸。因此，如果想將這樣產(chǎn)生的凹凸加工成與原始晶片同樣的平坦面，則需要增大下一工序的拋光(polishing)的加工量(tabforpolishing),其結(jié)果是，測試晶片的厚度在一次使用中大幅減少，由此再生使用次數(shù)受到限制。并且，在上述的進(jìn)行化學(xué)腐蝕的情況下，腐蝕液的使用是不可或缺的，因此腐蝕液或用于清洗腐蝕后的硅晶片的清洗水等都被污染，不能直接廢棄，需要進(jìn)行使腐蝕液無害化的處理，還需要用于進(jìn)行這種處理的設(shè)備等。因此，近年來，謀求從使用藥液等的化學(xué)處理向不使用藥液等的干式處理的轉(zhuǎn)換。作為利用這種干式處理進(jìn)行硅晶片腐蝕的方法，提出有通過向硅晶片的覆膜形成面噴射粉狀體從而研磨除去覆膜的方法(參照日本特開2001-162535號公報)。在上述晶片中，除了測試晶片以外，還包括供再生的假片(dummywafer)、原始晶片。如上所述，在通過噴射研磨材料的粉狀體來除去所述工件W即晶片上的覆膜的方法中，例如，如果想要通過一次處理來同時處理多個晶片，則下述方法是有效的在轉(zhuǎn)臺上，例如以與轉(zhuǎn)臺的外周側(cè)相鄰并且使晶片的外周與轉(zhuǎn)臺的外周緣內(nèi)側(cè)內(nèi)接的方式并列配置預(yù)定數(shù)量的晶片，通過使該轉(zhuǎn)臺以該轉(zhuǎn)臺的中心為旋轉(zhuǎn)中心旋轉(zhuǎn)(公轉(zhuǎn)，晶片不旋轉(zhuǎn)。)并輸送而使晶片旋轉(zhuǎn)移動，對該移動的晶片噴射研磨材料。并且，即使是在處理單一的晶片時，例如，在該晶片是切出多個芯片(切割；dicingordiecutting)用的晶片等大型晶片的情況下，或者在采用蒸鍍夾具或模具等的情況下等，通過對確定的一處噴射粉狀體無法進(jìn)行整體加工的情況下，需要以使該晶片的中心與轉(zhuǎn)臺的中心重合的方式進(jìn)行配置來將晶片載置在轉(zhuǎn)臺上，一邊以該轉(zhuǎn)臺的中心為旋轉(zhuǎn)中心旋轉(zhuǎn)(自轉(zhuǎn)；晶片本身旋轉(zhuǎn))一邊噴射研磨材料。進(jìn)而，如果想要對在轉(zhuǎn)臺上這樣移動的晶片的整面噴射研磨材料，則需要進(jìn)行以下的處理使噴嘴從所述工件W的所述旋轉(zhuǎn)軌跡中的待加工的最外周的線(在本申請說明書中稱為"外周線")到所述工件w的所述旋轉(zhuǎn)軌跡中的待加工的最內(nèi)周的線(在本申請說明書中稱為"內(nèi)周線")、即使噴嘴以反復(fù)在外周線—內(nèi)周線之間(配置的一個或者多個工件W的直徑方向)橫穿的方式往復(fù)移動預(yù)定次數(shù)[參照圖15(A)]，或者使噴嘴以一個自轉(zhuǎn)的晶片乃至轉(zhuǎn)臺上的工件反復(fù)在外周線—中心方向—隔著所述外周線的所述中心在與直徑方向相反的方向?qū)χ玫耐庵芫€之間橫穿的方式往復(fù)移動[參照圖15(B)]。但是，在以上述方法使噴嘴移動的情況下，如果使噴嘴的移動速度為恒定速度，則在圖15(A)、(B)中的任何一種情況下，以這種方法加工的晶片，在旋轉(zhuǎn)(并輸送)軌跡的外周側(cè)加工度(主要是磨削的深度)低，在中心側(cè)加工度高。艮口，如圖16所示，如果設(shè)半徑為r,的微小圓，和半徑增加為n的2倍、3倍、4倍、5倍的半徑為r2、r3、r4、15的同心圓，則在面積比中，相對于半徑為t^的圓，半徑為r2的圓為其4倍，半徑為。的圓為其9倍，半徑為r4的圓為其16倍，半徑為rs的圓為其25倍，各圓的面積擴(kuò)大為半徑的倍數(shù)的平方(rm2)，相對于半徑為n的中心圓的面積，形成在其外周的各閉合環(huán)狀的帶狀部分的面積隨著朝向外周方向面積增加為3倍、5倍、7倍、9倍…(rn=(2n—1)r。。因此，對于載置在以單位時間旋轉(zhuǎn)角度e的恒定速度進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)臺上的晶片，例如，如果利用噴嘴從旋轉(zhuǎn)中心朝向外周方向進(jìn)行加工，通過使所述噴嘴以單位時間移動距離r的恒定速度在所述外周線和與該外周線為同心圓的內(nèi)周線之間移動，則隨著距離中心的移動距離增加，單位時間的加工面積也如圖中涂黑的部分所示那樣按照上述倍率增加。相反而言，單位面積的加工時間隨著從內(nèi)周側(cè)朝向外周側(cè)而減少。因此，如果由噴嘴噴射的研磨材料的材質(zhì)、單位時間的研磨材料的噴射量、弧高乃至噴射壓力或噴射速度、噴射距離(噴嘴和工件之間的距離)等其它的加工條件恒定，則在上述那樣使噴嘴以恒定速度移動的情況下，會產(chǎn)生下述問題而無法對晶片的整個表面進(jìn)行均勻的磨削如上所述，在一個工件的旋轉(zhuǎn)軌跡乃至將多個工件在轉(zhuǎn)臺上載置在同心圓上時，在轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)軌跡的外周側(cè)加工度低，在內(nèi)周側(cè)加工度高。其結(jié)果是，如果以加工度低的外周側(cè)為基準(zhǔn)設(shè)定加工時間等加工條件，則在加工度高的內(nèi)周惻就會過度地進(jìn)行磨削，另外，如果按照加工度高的內(nèi)周側(cè)設(shè)定加工條件，則在加工度低的外周側(cè)就會無法完全除去覆膜而有所殘留。特別是硅晶片的尺寸大型化為5英寸、6英寸、8英寸，進(jìn)而現(xiàn)在又增大為12英寸，一年比一年大型化，伴隨著該大型化，所述加工不均勻表現(xiàn)得更加顯著。在將多個工件在轉(zhuǎn)臺上載置在同心圓上的情況(圖15(A))下，如果想要消除上述旋轉(zhuǎn)軌跡的內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)之間的加工度之差，則在利用上述的磨削裝置一旦對晶片進(jìn)行磨削后，從轉(zhuǎn)臺上的夾具等卸下加工后的晶片，重新排列該晶片，使其與上次加工時相比內(nèi)外周(直徑)方向的朝向相反，并再次固定夾具，再次進(jìn)行磨削處理等，為了使晶片的整面均勻，需要分成多次進(jìn)行加工作業(yè)，磨削作業(yè)需要很長時間并且變得繁雜。另外，在以上的說明中，例舉了再生測試晶片的情況進(jìn)行了說明，但是這種問題不僅限于再生測試晶片的情況，在例如對硅晶片的表面進(jìn)行研磨、磨削，或以預(yù)定的粗糙度賦予凹凸，進(jìn)一步通過噴射研磨材料進(jìn)行狹縫的形成、切出(切割)等的情況下，通過對在圓周軌跡上移動的硅晶片的表面噴射研磨材料進(jìn)行的磨削作業(yè)都會產(chǎn)生同樣的問題。并且，并不僅限于以硅晶片為加工對象的情況，即使是蒸鍍夾具或模具的清洗等的磨削、以其它任何工件為對象的磨削加工，對在旋轉(zhuǎn)軌跡上移動的工件進(jìn)行加工的情況下，都有可能產(chǎn)生上述那樣的加工不均勻。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明是為了解決上述那樣對在旋轉(zhuǎn)軌跡上移動的工件噴射研磨材料的情況下產(chǎn)生的上述那樣的問題而完成的，目的在于提供一種磨削加工方法以及用于實現(xiàn)所述方法的磨削加工裝置，使得在通過噴射研磨材料而進(jìn)行的工件的磨削中，能夠通過比較簡單的方法對在旋轉(zhuǎn)軌跡上移動的工件的整面進(jìn)行均勻的磨削。為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的磨削加工方法用噴嘴20向工件W的表面噴射研磨材料以進(jìn)行磨削，其特征在于，使所述工件W在預(yù)定的旋轉(zhuǎn)軌跡上旋轉(zhuǎn)移動，并且，在所述工件W的所述旋轉(zhuǎn)軌跡中待加工的最外周的線(即外周線)的內(nèi)周側(cè)(外周線內(nèi))中，假定利用以該旋轉(zhuǎn)軌跡的中心為中心的同心圓分別形成或者劃分成多個面積相等(本申請中稱為"等面積")的區(qū)域(本申請中稱為"等面積區(qū)域")，換言之，以等面積的方式同心圓狀地劃分等面積區(qū)域，對以恒定的加工條件噴射研磨材料的噴嘴的移動進(jìn)行下述控制使該噴嘴橫穿所述多個等面積區(qū)域中的各個等面積區(qū)域的時間恒定，即隨著朝向所述旋轉(zhuǎn)軌跡的中心側(cè)而相對變快，隨著朝向外周側(cè)而相對變慢，使所述噴嘴在與所述各等面積區(qū)域交叉的方向上移動乃至擺動(第一方面的發(fā)明；參照圖8、圖10、圖11)。并且，能夠根據(jù)需要反復(fù)進(jìn)行所述移動或擺動。對于這樣劃分等面積區(qū)域，例如，將由外周緣位于(轉(zhuǎn)臺的)外周線側(cè)的晶片構(gòu)成的多個工件作為對象時，在所述工件的旋轉(zhuǎn)軌跡具有所述外周線和內(nèi)周線的情況下，能夠?qū)⑺鐾庵芫€和所述內(nèi)周線之間的間隔劃分成所述等面積區(qū)域，所述內(nèi)周線距離所述外周線的距離與所述工件的直徑相等，是同心圓的所述工件W的所述旋轉(zhuǎn)軌跡中待加工的最內(nèi)周的線(第二方面的發(fā)明；參照圖8、10)，或者，在使單一的工件自轉(zhuǎn)時，也可以將所述工件的旋轉(zhuǎn)軌跡的外周線內(nèi)的空間劃分成所述等面積區(qū)域(第五方面的發(fā)明；參照圖11)。另外，如圖8、圖IO所示，即使是在工件W的旋轉(zhuǎn)軌跡是具有內(nèi)周線的環(huán)狀旋轉(zhuǎn)軌跡的情況下，也可以如圖11所示對該外周線內(nèi)進(jìn)行等面積地劃分(第一方面的發(fā)明)。對于噴嘴20的移動，可以使其在所述旋轉(zhuǎn)軌跡的外周線—內(nèi)周線之間的范圍內(nèi)移動(第八方面的發(fā)明)，或者，可以以橫穿外周線—中心—隔著所述外周線的所述中心在與直徑方向相反方向?qū)χ玫耐庵芫€之間的方式進(jìn)行所述移動乃至擺動(第九方面的發(fā)明，圖ll)。進(jìn)而，對于利用上述磨削加工方法的處理，可以以配置在轉(zhuǎn)臺11的外周的多個工件W,即以所述旋轉(zhuǎn)軌跡的中心為中心進(jìn)行公轉(zhuǎn)的工件w為對象，或者，也可以以使其中心與轉(zhuǎn)臺11的中心對應(yīng)地進(jìn)行配置的一個工件w，即以所述旋轉(zhuǎn)軌跡的中心為中心進(jìn)行自轉(zhuǎn)的工件w為對象。并且，本發(fā)明的磨削加工裝置的特征在于，所述磨削加工裝置具有噴嘴20，其向工件W噴射研磨材料；旋轉(zhuǎn)、輸送單元10，其具有轉(zhuǎn)臺11等，使所述工件W在預(yù)定的旋轉(zhuǎn)軌跡上移動；以及噴嘴移動控制單元30，其對所述噴嘴20的移動進(jìn)行控制，通過所述噴嘴移動控制單元30的控制，使所述噴嘴20橫穿各個等面積區(qū)域的橫穿時間恒定，所述等面積區(qū)域通過利用以該旋轉(zhuǎn)軌跡的(旋轉(zhuǎn))中心為中心的同心圓劃分所述旋轉(zhuǎn)軌跡內(nèi)部而形成有多個，所述噴嘴移動控制單元30按照下述方式對所述噴嘴20的移動速度進(jìn)行控制，并使噴嘴20在與所述旋轉(zhuǎn)各等面積區(qū)域交叉的方向上移動隨著朝向所述旋轉(zhuǎn)軌跡的中心側(cè)而相對變快，隨著朝向外周側(cè)而相對變慢(第十方面的發(fā)明)。所述噴嘴移動控制單元30具有搖臂31，其通過以預(yù)定的軸支承位置為支點進(jìn)行擺動，使所述噴嘴20在所述旋轉(zhuǎn)軌跡的所述外周線和與該外周線為同心圓的內(nèi)周線之間往復(fù)移動；以及凸輪35，其直接或間接地與所述搖臂31外接，通過旋轉(zhuǎn)使所述搖臂31以預(yù)定的圖形擺動，在將設(shè)在所述搖臂31上的噴嘴20分別配置在該噴嘴20在預(yù)定的定時應(yīng)配置的位置(P1P7)上時，將所述搖臂31和所述凸輪之間的接觸部分所配置的位置分別作為基準(zhǔn)輸入點(plp7)求出，所述凸輪35的外形形狀能夠形成為下述形狀每當(dāng)旋轉(zhuǎn)與所述定時對應(yīng)的旋轉(zhuǎn)角度時依次通過所述基準(zhǔn)輸入點(plp7)(第十一方面的發(fā)明；參照圖8、圖10、圖11)。根據(jù)本發(fā)明的磨削加工方法以及磨削加工裝置，在利用以上說明了的本發(fā)明的結(jié)構(gòu)使噴嘴20移動時，使噴嘴20的移動速度如下所述進(jìn)行變化，能夠減少旋轉(zhuǎn)軌跡的內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)之間產(chǎn)生的加工度的變化隨著從旋轉(zhuǎn)移動的工件W的旋轉(zhuǎn)軌跡的外周側(cè)朝向內(nèi)周側(cè)移動速度相對變快，并且，與此相反，隨著從內(nèi)周側(cè)朝向外周側(cè)移動速度相對變慢。其結(jié)果是，例如在再生測試晶片時，不需要進(jìn)行相對于轉(zhuǎn)臺多次重新排列測試晶片進(jìn)行處理等的作業(yè)，能夠通過一次處理對測試晶片進(jìn)行均勻地磨削，由此，能夠減少測試晶片的磨削量(厚度的減少)，因此，能夠增加測試晶片的再生使用次數(shù)。此外，凸輪35對噴嘴20的移動速度進(jìn)行上述的控制，以使噴嘴20以相等的速度橫穿所述各等面積區(qū)域，通過設(shè)置所述凸輪35，使在旋轉(zhuǎn)軌跡上移動的工件W的任意部分中單位面積的加工時間恒定，能夠基本徹底消除在旋轉(zhuǎn)軌跡的內(nèi)外周側(cè)產(chǎn)生的加工不均勻。對于這樣的噴嘴20的移動，例如，在使所述工件W進(jìn)行以所述轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)軌跡的中心為中心的公轉(zhuǎn)移動等，在不需要對旋轉(zhuǎn)軌跡的中心部噴射研磨材料的情況下，通過下述方式達(dá)成使所述噴嘴的移動范圍在所述旋轉(zhuǎn)軌跡的外周線—內(nèi)周線之間的范圍內(nèi)，即、使所述噴嘴的移動范圍在工件的直徑內(nèi)。另一方面，通過使所述噴嘴在所述旋轉(zhuǎn)軌跡的外周線中心—隔著所述外周線的中心對置的外周線之間移動，例如即使是在對自轉(zhuǎn)的單一的工件W進(jìn)行磨削加工的情況下，也能夠?qū)ぜM(jìn)行均勻地加工。在利用搖臂31進(jìn)行噴嘴20的移動的情況下，通過使該搖臂的移動乃至擺動方向位于與工件W的旋轉(zhuǎn)軌跡的面正交的面內(nèi)，由此能夠使噴嘴在工件的外周線—中心—隔著所述外周線的中心對置的外周線之間的移動為直線移動。其結(jié)果是，消除了在使噴嘴與工件W的旋轉(zhuǎn)方向平行地擺動而使噴嘴呈弧狀移動的情況下所產(chǎn)生的等面積區(qū)域的寬度和橫穿該等面積區(qū)域所需要的噴嘴的移動距離之間的差異，能夠?qū)娮?0的移動進(jìn)行正確地控制。另外，在利用上述各式求得的移動距離dx(dxn)使噴嘴移動的情況下，能夠以使相對于任一等面積區(qū)域的噴嘴的橫穿時間都恒定的方式使噴嘴移動。圖1是噴射(blast)加工裝置的主視圖。圖2是噴射加工裝置的右側(cè)視圖。圖3是噴射加工裝置的俯視圖。圖4是噴射加工裝置的主視透視圖(噴嘴移動控制單元的說明圖)。圖5是噴射加工裝置的俯視透視圖(噴嘴移動控制單元的說明圖)。圖6是噴嘴移動控制單元(凸輪以及凸輪臂部分)的放大俯視圖。圖7是噴嘴移動控制單元(凸輪以及凸輪臂部分)的放大后視圖。圖8是凸輪形狀的確定方法的說明圖。圖9是示出凸輪和轉(zhuǎn)臺的位置關(guān)系的說明圖。圖IO是凸輪形狀的確定方法的說明圖。圖11是凸輪形狀的確定方法的說明圖。圖2是示出凸輪和轉(zhuǎn)臺的位置關(guān)系的說明圖。圖13是示出轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)方向和搖臂的擺動方向之間的關(guān)系說明圖。圖14是示出組裝了本發(fā)明的噴射加工裝置的硅晶片磨削系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)例的主視圖。圖15是示出噴嘴相對于旋轉(zhuǎn)的工件的移動方向的說明圖，(A)是使噴嘴在工件的旋轉(zhuǎn)軌跡的所述外周線和與該外周線為同心圓的內(nèi)周線之間移動的例子，(B)是使噴嘴在工件的旋轉(zhuǎn)軌跡的外周線—中心方向—隔著所述外周線的中心對置的外周線之間移動的例子。圖16是表示在工件的旋轉(zhuǎn)軌跡的外周線—內(nèi)周線(半徑方向)上以恒定的移動速度移動的噴嘴和加工面積的變化之間的關(guān)系的說明圖。標(biāo)號說明1:噴射加工裝置(工件(被加工對象面;硅晶片或者晶片)的磨削裝置);2:機(jī)殼；3:加工室；10:工件(被加工對象面；硅晶片或者晶片)旋轉(zhuǎn)、輸送單元；11:轉(zhuǎn)臺；12:夾具；20:噴嘴；30:噴嘴移動控制單元；31(31a、31b、31c):搖臂；32:旋轉(zhuǎn)軸；33:凸輪臂；34:噴嘴安裝臂；35:凸輪；36:電動機(jī)(凸輪旋轉(zhuǎn)用)；37:動力傳遞機(jī)構(gòu)；37a、37b:帶輪；37c:傳送帶；38:軸承；39:連桿；50:集塵器；60:旋風(fēng)分離器；W:工件(被加工對象面；硅晶片或者晶片等)具體實施例方式其次，下面對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行說明。另外，在以下的實施方式中，都是以晶片作為磨削加工的對象即工件W為例進(jìn)行說明，但是本發(fā)明中的工件W并不如前所述那樣僅限于晶片或者硅晶片，能夠以模具或夾具等各種廣泛的產(chǎn)業(yè)機(jī)械器具和工具以及它們的部件等作為對象。本發(fā)明的磨削加工裝置是對工件W(此處，作為一例舉出硅晶片W，在以下的本實施方式的說明中僅稱為"晶片W"。)的表面噴射研磨材料的噴射加工裝置1，所述噴射加工裝置至少具有旋轉(zhuǎn)、輸送單元10，其使晶片W在預(yù)定的旋轉(zhuǎn)軌跡上旋轉(zhuǎn)移動；噴嘴20，其對該被輸送的晶片W噴射研磨材料；以及噴嘴的移動控制單元30，其使所述噴嘴20朝向預(yù)定的移動方向以預(yù)定的被控制的移動速度移動(參照圖4)。圖1圖3所示的噴射加工裝置1構(gòu)成為在由金屬板等形成的機(jī)殼2的內(nèi)部形成有用于進(jìn)行噴射加工的加工室3，并且該機(jī)殼2的下部形成為朝向下方寬度變窄的倒(四)棱錐狀，能夠回收在加工室3內(nèi)噴射的研磨材料。在形成于該機(jī)殼2內(nèi)的加工室3內(nèi)配置有旋轉(zhuǎn)、搬送單元IO，其由轉(zhuǎn)臺11等構(gòu)成，所述轉(zhuǎn)臺11載置作為加工對象的晶片W進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，使所述晶片W在預(yù)定的旋轉(zhuǎn)軌跡上在加工室3內(nèi)移動；以及噴嘴20，其對安裝在該旋轉(zhuǎn)、輸送單元10上的晶片w噴射研磨材料，并且，橫跨所述機(jī)殼2內(nèi)外設(shè)有噴嘴移動控制單元30，該噴嘴移動控制單元30使該噴嘴20朝向預(yù)定的移動方向以被控制的移動速度移動。在本實施方式中，所述的旋轉(zhuǎn)、輸送單元IO具有轉(zhuǎn)臺11，所述轉(zhuǎn)臺11在形成于機(jī)殼2內(nèi)的加工室3內(nèi)沿水平方向旋轉(zhuǎn)，在圖示的實施方式中該轉(zhuǎn)臺11形成為在俯視圖中中央部分開口的閉合環(huán)狀(參照圖5)。作為加工對象的晶片W可以直接載置在該轉(zhuǎn)臺11上進(jìn)行輸送，但在本實施方式中，在所述轉(zhuǎn)臺11上設(shè)有多個夾具12，所述夾具12形成為能夠分別單獨安裝作為加工對象的晶片W，構(gòu)成為在該夾具12上分別能夠剝離地粘接晶片W或者利用后述的真空卡盤等固定單元固定晶片W(參照圖4)。此處，在本實施方式中，該夾具12形成為具有能夠載置作為加工對象的晶片W的尺寸的圓盤狀，并優(yōu)選設(shè)置固定晶片W的單元，例如對載置的晶片W進(jìn)行真空吸附的真空卡盤或者進(jìn)行靜電固定的靜電卡盤等，以避免載置在該夾具12上的晶片W在加工中被利用噴嘴20噴射的研磨材料或壓縮空氣等吹飛或者引起位置偏移。該夾具12定位并固定在上述轉(zhuǎn)臺ll上，由此，各夾具12上的晶片W以穩(wěn)定的狀態(tài)固定在轉(zhuǎn)臺11上，并且隨著轉(zhuǎn)臺11的旋轉(zhuǎn)以該轉(zhuǎn)臺11的旋轉(zhuǎn)中心為中心公轉(zhuǎn)。所述噴嘴20向通過由所述轉(zhuǎn)臺11以及設(shè)在該轉(zhuǎn)臺11上的夾具12構(gòu)成的旋轉(zhuǎn)、輸送單元10移動的晶片噴射研磨材料，在本實施方式中，所述噴嘴20安裝在噴嘴移動控制單元30上，所述噴嘴移動控制單元30使該噴嘴20在橫穿晶片W的旋轉(zhuǎn)軌跡的方向上反復(fù)移動，噴嘴20利用該噴嘴移動控制單元30在橫穿所述晶片W的旋轉(zhuǎn)軌跡的方向上反復(fù)移動，同時噴嘴20的移動速度被控制為移動速度隨著朝向轉(zhuǎn)臺11的中心側(cè)而變快，移動速度隨著朝向外周側(cè)而變慢。如圖5所示，這樣的用于對噴嘴20的移動和移動速度進(jìn)行控制的所述噴嘴移動控制單元30具有使所述噴嘴20擺動的搖臂31(31a31c);以及使該搖臂31擺動的凸輪35，通過使該凸輪35的形狀形成為基于本發(fā)明的形狀，從而能夠進(jìn)行如下的速度控制使噴嘴20的移動速度如上述那樣對應(yīng)于內(nèi)—外周方向的位置而變化。在本實施方式中，為了能夠?qū)⑺鐾馆?5、對該凸輪進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動的電動機(jī)36、以及將該電動機(jī)36的旋轉(zhuǎn)傳遞至所述凸輪35的動力傳遞機(jī)構(gòu)37(在圖6和圖7所示的例子中，帶輪37a、37b以及傳送帶37c)配置在受研磨材料或粉塵等的影響較少的加工室3外面，在所述機(jī)殼2的頂板上設(shè)有貫通機(jī)殼2內(nèi)外的軸承38,該軸承38構(gòu)成為對貫通機(jī)殼2內(nèi)外設(shè)置的旋轉(zhuǎn)軸32進(jìn)行軸支承，將在機(jī)殼2外賦予所述旋轉(zhuǎn)軸32的旋轉(zhuǎn)力傳遞至機(jī)殼2內(nèi)。進(jìn)一步設(shè)有在機(jī)殼2內(nèi)安裝在與該旋轉(zhuǎn)軸32正交的方向上的噴嘴安裝臂34;以及凸輪臂33，其以與所述旋轉(zhuǎn)軸32正交的方式安裝在所述機(jī)殼2外，與所述凸輪35接觸并沿著凸輪35的外周形狀擺動，通過所述旋轉(zhuǎn)軸32、噴嘴安裝臂34以及凸輪臂33分別形成所述的搖臂31(31a、31b、31c)。在圖5所示的實施方式中，該搖臂31(31a、31b、31c)相對于一個噴射加工裝置1設(shè)有3個，將設(shè)在其中2個搖臂31a、31b上的凸輪臂33、33以隔著后述的凸輪35的方式配置(參照圖6、圖7)，在使2個搖臂31a、31b擺動的同時，通過利用連桿39將所述2個搖臂中的一方的搖臂3la的旋轉(zhuǎn)軸32和剩余的1個搖臂31c的旋轉(zhuǎn)軸32連接起來，從而能夠通過一個凸輪35的旋轉(zhuǎn)使3個搖臂31a、31b、31c以橫穿晶片W的移動軌跡的方式擺動，同時將由該擺動引起的噴嘴20的移動速度控制為如上述那樣隨著朝向旋轉(zhuǎn)軌跡的中心惻而變快，隨著朝向外周側(cè)而變慢。另外，在圖示的實施方式中，對上述那樣在一個噴射加工裝置1上設(shè)有3個搖臂31a、31b、31c的例子進(jìn)行了說明，但是根據(jù)噴射加工裝置1的尺寸以及每批處理的晶片W的數(shù)量等，能夠增減噴嘴20的數(shù)量以及使噴嘴20移動的搖臂31的數(shù)量。并且，在圖示的實施方式中，在設(shè)在各搖臂31(31a、31b、31c)上的噴嘴安裝臂34上，分別安裝有2個噴嘴20(參照圖4和圖5)，但對于安裝在各搖臂31(31a、31b、31c)上的噴嘴20的數(shù)量，可以設(shè)置1個，也可以設(shè)置2個以上的噴嘴20。對于該搖臂31(31a、31b、31c)，只要能夠以橫穿晶片W的旋轉(zhuǎn)軌跡的方式使所述噴嘴20往復(fù)移動即可，對其安裝位置沒有特別限定，可以安裝在機(jī)殼2的某位置上，在圖示的實施方式中，作為搖臂31(31a、31b、31c)擺動支點的旋轉(zhuǎn)軸32，在俯視圖中配置在轉(zhuǎn)臺11的外周側(cè)，并且將凸輪35相對于該旋轉(zhuǎn)軸32配置在轉(zhuǎn)臺11的內(nèi)周側(cè)(參照圖5)，但是與此相反，也可以將作為搖臂31支點的旋轉(zhuǎn)軸32配置在內(nèi)周側(cè)，將凸輪35配置在外周側(cè)，并不僅限于圖示的實施方式。對于與所述晶片W的旋轉(zhuǎn)軌跡交叉的所述噴嘴20的移動，如上述那樣，其被控制為隨著從轉(zhuǎn)臺11的外周側(cè)朝向內(nèi)周側(cè)而速度相對變快，隨著從內(nèi)周側(cè)朝向外周側(cè)而速度相對變慢。如圖8所示，這樣的噴嘴20的移動速度控制是這樣進(jìn)行控制的利用同心圓將晶片W的旋轉(zhuǎn)軌跡劃分成面積恒定的多個等面積區(qū)域，并且使噴嘴20橫穿各等面積區(qū)域的時間恒定。因此，結(jié)果是，噴嘴20的移動速度被控制為按照以下方式變化移動速度隨著從外周側(cè)朝向內(nèi)周側(cè)移動而變快，移動速度隨著從內(nèi)周側(cè)朝向外周側(cè)而變慢。這樣，能夠使在相同加工條件下通過噴射研磨材料從而單位時間能夠加工的加工面積在該軌跡的內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)恒定。在圖8所示的例子中，為了便于說明，示出了將晶片W的旋轉(zhuǎn)軌跡劃分成形成為閉合環(huán)狀的帶形的6個等面積區(qū)域的例子，但是，通過將該晶片W的旋轉(zhuǎn)軌跡劃分成更多的等面積區(qū)域，更優(yōu)選的是，將晶片W的旋轉(zhuǎn)軌跡作為無數(shù)微小等面積區(qū)域的連續(xù)，對噴嘴20的移動進(jìn)行控制，以使噴嘴20橫穿各等面積區(qū)域的時間為恒定時間t，由此能夠更加正確地使單位時間的加工面積恒定。這樣，能夠消除旋轉(zhuǎn)軌跡的內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)之間的加工不均勻的噴嘴20的移動速度的變化，作為一例，能夠按以下方式算出。在晶片W在內(nèi)周半徑為r、外周半徑為R的環(huán)狀的旋轉(zhuǎn)軌跡上移動的情況中，在噴嘴從晶片W的旋轉(zhuǎn)軌跡的中心側(cè)朝向外周側(cè)橫穿該旋轉(zhuǎn)軌跡的外周線—內(nèi)周線之間的情況下，在距離該旋轉(zhuǎn)軌跡中心的半徑為;的任意點上，設(shè)噴嘴在預(yù)定時間t內(nèi)移動的距離為dx、設(shè)預(yù)定時間t內(nèi)的加工面積為ds,能夠得到下式rfs=;r《r"+血)2-/*2}=;r(2ro[!c+血2)血2+2"血-生=0血2+2r"血"血+r")2-r"2=生血+,"=士2+—作為關(guān)于dx的二次方程，忽略負(fù)解，能夠得到以下的解^二、/,"2+立-r"…式(1)V丌此處，在將晶片W的旋轉(zhuǎn)軌跡分割成n個等面積區(qū)域的情況中，因此，通過將上述式(2)代入上述式(1)中的ds中，同時代入任意點rn的值，由此能夠算出從所述任意點^朝向外周方向移動的噴嘴20在每個預(yù)定時間t內(nèi)移動的距離dx。使用上述的式(1)、式(2)，計算在對載置在外徑(外周線的直徑)為(D1400mm，內(nèi)徑(內(nèi)周線的直徑)為OlOOOmm的轉(zhuǎn)臺上的晶片W(直徑為400mm)進(jìn)行磨削加工時噴嘴在每個預(yù)定時間t內(nèi)的移動距離時，則將該轉(zhuǎn)臺的內(nèi)周和外周作為晶片W的旋轉(zhuǎn)軌跡的外周和內(nèi)周，使上述式(2)中R二700mm、r=500mm，例舉出將所述晶片W的旋轉(zhuǎn)軌跡劃分為18個等面積區(qū)域的情況，則根據(jù)上述式(2)，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>因此，設(shè)轉(zhuǎn)臺的內(nèi)周邊緣為出發(fā)點rQ(rQ=500mm)，設(shè)噴嘴從該出發(fā)點ro在預(yù)定時間t內(nèi)向外周方向移動的移動距離為dXl，設(shè)噴嘴經(jīng)過預(yù)定時間t后的位置(距離旋轉(zhuǎn)軌跡的中心的半徑)為n，則根據(jù)式(1)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>同樣，設(shè)上述I^為式(1)中的r。(噴嘴20的出發(fā)點)，計算噴嘴在預(yù)定時間t內(nèi)移動的距離dX2、噴嘴經(jīng)過預(yù)定時間t后的位置(距離旋轉(zhuǎn)軌跡中心的半徑)r2，如果以等面積區(qū)域的分割數(shù)量(=18)重復(fù)同樣的作業(yè)計算dx2dx18、r2r18，則能夠求出各等面積區(qū)域的寬度，即每個預(yù)定時間t內(nèi)的噴嘴的移動距離。作為一個例子，利用上述方法求出的每個預(yù)定時間t內(nèi)的噴嘴的移動距離dXldx18、以及距離旋轉(zhuǎn)軌跡的中心的距離ror,8分別在下述的表1中示出。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>在以上的說明中，分別計算了噴嘴20從旋轉(zhuǎn)軌跡的中心側(cè)朝向外周側(cè)移動的情況下，噴嘴20在每個預(yù)定時間t內(nèi)的移動距離以及距離中心的半徑，但是與此相反，即使是在噴嘴20從旋轉(zhuǎn)軌跡的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)移動的情況下也能夠得到同樣的效果。艮P，在任意半徑rj勺位置，設(shè)噴嘴在每個預(yù)定時間t內(nèi)移動的距離為dx、設(shè)加工面積為ds，可得到下式:作為關(guān)于dx的二次方程式，忽略負(fù)解，可以得到以下的解:此處，噴嘴將轉(zhuǎn)臺的外周(r18=R=700mm)作為出發(fā)點，在預(yù)定時間T內(nèi)的移動距離dXis可由下式得出因此，從噴嘴開始移動經(jīng)過預(yù)定時間T后噴嘴的位置(距離旋轉(zhuǎn)軌跡中心的半徑fn)可由下式得出=-血18=700-9.6=690.4每個預(yù)定時間T內(nèi)移動的距離以及移動之后距離旋轉(zhuǎn)軌跡中心的距離都與使噴嘴從中心側(cè)向外周側(cè)移動的情況中求得的結(jié)果(參照表1)相同。利用以如上求得的各nw為半徑的同心圓在轉(zhuǎn)臺上進(jìn)行分割并劃分成等面積區(qū)域，并對噴嘴的移動速度進(jìn)行控制，以使噴嘴以所述的恒定時間T橫穿劃分后的各等面積區(qū)域，由此，能夠?qū)娮斓囊苿铀俣冗M(jìn)行控制，以使單位時間的加工面積恒定。這樣，用于使噴嘴20能夠以被控制的速度移動的凸輪35，如圖6所示一個例子，能夠使用形成為心形的被稱為"心形凸輪"的凸輪，通過將其外形形狀確定為下述的形狀，如上述那樣，能夠使噴嘴20橫穿將晶片W的旋轉(zhuǎn)軌跡分割為等面積而得到的各等面積區(qū)域的移動時間恒定。圖8是用于說明能夠進(jìn)行所述的噴嘴20的移動速度控制的凸輪35的外徑形狀的確定方法的說明圖，圖中連接兩個圓的直線分別表示搖臂31的噴嘴安裝臂34和凸輪臂33，在該圖中，為了便于說明，假定將噴嘴安裝臂34和凸輪臂33在以支點(旋轉(zhuǎn)軸32、示出在兩個圓的大致中間)為中心的相反方向上配置成直線狀的狀態(tài)，但對于凸輪臂33和噴嘴安裝臂34的配置，也能夠形成圖5所示的V字狀的帶有角度的配置。圖中右側(cè)的同心圓是將晶片W的旋轉(zhuǎn)軌跡劃分成預(yù)定數(shù)量(在圖示的例中為6個)的等面積區(qū)域的同心圓，圖中左側(cè)表示凸輪形狀，所述凸輪使所述搖臂31擺動，以使噴嘴20在該各等面積區(qū)域內(nèi)的通過時間恒定。在圖8中，點P1P7示出安裝在噴嘴安裝臂34上的噴嘴20的移動軌跡和所述晶片的移動軌跡的外周線和內(nèi)周線、以及形成在所述內(nèi)外周線之間的劃分所述等面積區(qū)域的線(等面積線)之間的交點，即噴嘴20每經(jīng)過預(yù)定時間t時應(yīng)處的地點，點plp7是噴嘴20位于所述點PlP7時，所述凸輪臂33與凸輪的外周的接觸點(輸入點)的位置(基準(zhǔn)輸入點)，在P、p中相同數(shù)字的各點之間存在相互對應(yīng)關(guān)系。另外，在噴嘴安裝臂34上安裝有多個噴嘴20的情況下，也可以將其中任一個噴嘴20的移動軌跡或者噴嘴20的配置區(qū)間中噴嘴安裝臂34上的任意點的移動軌跡與所述內(nèi)、外周線以及等面積線之間的交點分別設(shè)定為所述點P1P7。另外，轉(zhuǎn)臺ll、搖臂31以及凸輪35的位置關(guān)系，只要能夠使噴嘴20伴隨著凸輪35的旋轉(zhuǎn)而以預(yù)定的速度變化移動即可，可以隨意配置，但在本實施方式中，為了確定凸輪35的外形形狀，作為一例，如圖9所示那樣配置轉(zhuǎn)臺ll、搖臂31、以及凸輪35。在圖9中，所述搖臂31是將噴嘴安裝臂34和凸輪臂33配置在通過支點Q。(旋轉(zhuǎn)軸32)的同一直線上而成的部件，將位于擺動范圍的中間位置的所述搖臂配置在所述轉(zhuǎn)臺的內(nèi)外周之間的中間圓(以轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)中心為圓心，以(R+r)/2為半徑的圓)Pc的切線上，同時，線通過所述中間圓Pc和所述切線之間的切點且與所述切線成直角，將所述線與所述轉(zhuǎn)臺11的外周以及內(nèi)周之間的交點，分別作為安裝在噴嘴安裝臂34上的噴嘴20的移動范圍的末端。并且，將凸輪的旋轉(zhuǎn)中心O配置在下述位置上所述旋轉(zhuǎn)中心O位于連接所述凸輪臂33與所述凸輪外周之間的接觸點(輸入點)的移動范圍的兩端的直線的延長線上、即所述凸輪的旋轉(zhuǎn)中心O位于連接噴嘴20位于轉(zhuǎn)臺的外周線上時以及噴嘴20位于轉(zhuǎn)臺的內(nèi)周線上時的所述輸入點(基準(zhǔn)輸入點pl、p7)的直線的延長線上，且所述凸輪的旋轉(zhuǎn)中心O位于距離所述輸入點(基準(zhǔn)輸入點pl、p7)中任一個較近的點為凸輪的最小半徑Cmin的位置上，在圖示的例中，所述凸輪的旋轉(zhuǎn)中心O位于當(dāng)噴嘴20位于轉(zhuǎn)臺11的內(nèi)徑上時距離移動端側(cè)的距離為凸輪的最小半徑Cmin的位置上。因此，凸輪35的旋轉(zhuǎn)中心O相對于轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)中心P()的配置，可由下式表示另外，凸輪的旋轉(zhuǎn)中心O的配置，并不限于圖8、圖9所示的例子，例如也可以如圖6所示，將凸輪的旋轉(zhuǎn)中心0配置在凸輪臂和凸輪外周之間的接觸點的移動軌跡所描繪的圓弧的延長線上。在圖8中，凸輪35的外周形成為下述的形狀在該凸輪35向預(yù)定的旋轉(zhuǎn)方向旋轉(zhuǎn)0。180。的過程中凸輪35的外周依次接觸輸入點p1p7，旋轉(zhuǎn)剩余的180°360°(0°)的過程中凸輪35的外周依次接觸p7pl，由此構(gòu)成為凸輪旋轉(zhuǎn)一次則噴嘴20能夠進(jìn)行P1P7并在P7折回再次返回P1的往復(fù)運動。進(jìn)而，通過使所述凸輪35的外周形成為每間隔凸輪35的預(yù)定旋轉(zhuǎn)角度(在將晶片W的旋轉(zhuǎn)軌跡分割成6個等間隔區(qū)域的圖示的實施方式中，為2倍的12分割即每間隔30。)依次通過plp7的形狀，能夠?qū)娮?0進(jìn)行控制，使其每經(jīng)過恒定時間就通過P1P7各點。這樣的凸輪的外形形狀是在描繪以所述的凸輪35的旋轉(zhuǎn)中心0為中心且分別通過各基準(zhǔn)輸入點plp7的同心圓的同時，用等角線將該同心圓劃分成每個為30。的等角度，使其中一條等角線通過基準(zhǔn)等角線L1與通過所述基準(zhǔn)輸入點pl的圓之間的交點，通過從所述基準(zhǔn)等角線U開始在順時針、逆時針方向上分別間隔30。的等角線L2、L12與通過基準(zhǔn)輸入點p2的圓之間的交點、通過等角線L3、Lll和通過基準(zhǔn)輸入點p3的圓之間的交點、通過等角線L4、L10和通過基準(zhǔn)輸入點p4的圓之間的交點、通過等角線L5、L9和通過基準(zhǔn)輸入點p5的圓之間的交點、通過等角線L6、L8和通過基準(zhǔn)輸入點p6的圓之間的交點，直到在相對于所述基準(zhǔn)等角線Ll位于相位為180。的位置的等角線L7上，等角線L7和通過基準(zhǔn)輸入點p7的最小圓的交點，由此以大致心形的外周形成凸輪面形狀，從而能夠使噴嘴20反復(fù)移動，并能夠進(jìn)行上述的對移動速度的控制。另外，利用上述的方法確定的凸輪35的外形形狀，即使在改變了凸輪35的旋轉(zhuǎn)中心0相對于凸輪臂33的配置的情況下也能夠應(yīng)用，在參照了圖8的說明中，以將凸輪的旋轉(zhuǎn)中心0配置在基準(zhǔn)輸入點p7側(cè)為例進(jìn)行了說明，但即使與此相反，在將凸輪的旋轉(zhuǎn)中心O設(shè)在基準(zhǔn)輸入點pl側(cè)的情況下，也能夠容易地確定具有與此對應(yīng)的形狀的凸輪的外形(參照圖10)。另外，在參照了圖8的說明中，為了便于說明，以將晶片W的移動軌跡劃分成6個等面積區(qū)域的情況為例進(jìn)行了說明，但是例如在將晶片W的移動軌跡劃分為18個、36個以及更細(xì)的等面積區(qū)域的同時，在劃分為18個等面積區(qū)域的情況下每10。設(shè)一條等角線，在劃分為36個等面積區(qū)域的情況下每5。設(shè)一條等角線等，通過更細(xì)地設(shè)定等角線，能夠更詳細(xì)地確定凸輪35的外周形狀，在實施時，能夠任意選擇合適的所述分割數(shù)量。在以上的參照了圖8圖10的說明中，將噴嘴20的反復(fù)運動作為在與轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)軌跡的外周線和內(nèi)周線之間的各等面積區(qū)域(閉合環(huán)狀的軌跡的寬度)交叉的方向上橫穿各等面積區(qū)域的情況進(jìn)行了說明，但是在使噴嘴20在外周線—中心—隔著所述外周線的中心對置的外周線之間以橫穿旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)臺的方式反復(fù)移動的情況下，通過下述方法，也能夠?qū)崿F(xiàn)使單位時間的加工面積恒定的切削加工、即將轉(zhuǎn)臺劃分為多個等面積區(qū)域，并對噴嘴的移動進(jìn)行控制，以使噴嘴20以預(yù)定時間t橫穿各等面積區(qū)域。作為一個例子，在使噴嘴20在轉(zhuǎn)臺上以上述方式移動的情況下，對于位于距離轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)中心任意距離為L的位置上的噴嘴的移動速度(預(yù)定時間t內(nèi)的移動距離dx)，能夠基于下式得到。設(shè)轉(zhuǎn)臺的外徑(工件乃至晶片直徑)為R、設(shè)轉(zhuǎn)臺上的面積(總加工面積)為S，則因此，在將該轉(zhuǎn)臺上劃分成n個等面積區(qū)域的情況下，各等面積區(qū)域的面積ds可由下式表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula>此處，如果設(shè)將轉(zhuǎn)臺分割成n個的同心圓中最小圓的半徑為n、設(shè)比所述最小圓大一圈的同心圓的半徑為r2、大兩圈的同心圓的半徑為r3-，則對于第n個圓的半徑為r。、以及噴嘴在預(yù)定時間t內(nèi)從半徑rn的位置向外周方向移動的距離dx，分別可以由下式表示=d&另外，噴嘴20從旋轉(zhuǎn)軌跡上的預(yù)定位置rn朝內(nèi)周方向在預(yù)定時間t內(nèi)移動的移動距離dx^可以由下式表示《一,=Vw+h-Viir作為一個例子，在使將直徑1400mm(R二700mm)的轉(zhuǎn)臺分割成等面積區(qū)域的分割數(shù)量n為18的情況下，對于噴嘴的任意的位置Kn^)、以及噴嘴20在該位置在預(yù)定時間t內(nèi)向外周方向移動的距離dx(dx,dx18)，分別能夠如下所示求出(但是，省略r4ns、dX4dx,8的計算)。S-f國2-1539380(mm2)4jS1539380。c，、&=—=~~=85521(mm2)w18=(is,豈=翌=165(mm〉、'一、'；r、由此可得r2=V5r,=V5xl65=233.3(mm)etc,=r2=233.3-165=68.3(mm)r3=^=7^x165=285.8(mm)血2=285.8-233.3=52.5(mm)如上所述，對于噴嘴20在轉(zhuǎn)臺的外周線—中心—隔著所述外周線的中心對置的外周線之間的移動，可以構(gòu)成為如參照圖15(B)說明了的那樣，使搖臂31在與轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)方向平行的方向上擺動，噴嘴20呈弧狀地橫穿轉(zhuǎn)臺，也可以通過使搖臂31如圖13所示在與轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)軌跡的面正交的面上擺動，從而使噴嘴20例如在轉(zhuǎn)臺的直徑上直線地移動。圖11中示出了圖13所示的通過在與轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)軌跡的面正交的面上擺動的搖臂31對噴嘴20的移動速度進(jìn)行控制時使用的凸輪形狀的確定方法的一例，圖中左側(cè)所示虛線的同心圓內(nèi)表示凸輪的外形形狀，圖中右側(cè)的實線的同心圓分別表示分割成多個等面積區(qū)域的工件W的旋轉(zhuǎn)軌跡，連接兩者的直線是示意性地表示搖臂31的直線，這方面與參照圖8、圖IO說明了的凸輪形狀的確定方法的說明圖相同。但是，在參照圖8、圖IO說明了的凸輪形狀中，說明了利用噴嘴20位于等面積線上時凸輪與凸輪臂的輸入點之間的接觸位置處描繪凸輪的外形上的位置，連接這些描繪的點從而確定凸輪形狀，但在圖ll所示的實施方式中，描繪下述各點，這些點是在噴嘴20位于其移動方向的兩端時凸輪臂33的位置(Pl、P14)、以及在與噴嘴20位于各等面積區(qū)域的寬度方向的中間點的位置(P2P13)所對應(yīng)的位置，通過凸輪的外形上的點，并且連接這些描繪出的點來確定凸輪的外形形狀，在這方面與參照圖8、圖IO說明了的確定凸輪的外形形狀的方法不同。艮P，在圖示的例中通過下述的方式確定凸輪35的外形形狀在噴嘴20橫穿各等面積區(qū)域時凸輪的旋轉(zhuǎn)角(15°)中，在其中間點即旋轉(zhuǎn)了7.5°時，噴嘴位于等面積區(qū)域的寬度方向的中間點。并且，在上述的參照圖8、圖10說明了的凸輪中，通過相對于預(yù)定的方向旋轉(zhuǎn)180°，限制轉(zhuǎn)臺在所述外周線和與該外周線成同心圓的內(nèi)周線之間從外周方向朝向內(nèi)周方向移動，通過剩余的180。的旋轉(zhuǎn)，限制從內(nèi)周方向朝向外周方向移動，但在本實施方式的凸輪中，限制如上所述那樣噴嘴在外周線—中心—隔著所述外周線的中心對置的外周線之間橫穿轉(zhuǎn)臺的移動。因此，凸輪35構(gòu)成為下述形狀通過相對于預(yù)定方向旋轉(zhuǎn)90°，進(jìn)行從轉(zhuǎn)臺的外周側(cè)至旋轉(zhuǎn)中心的移動，通過90。180。的旋轉(zhuǎn)，進(jìn)行從旋轉(zhuǎn)中心至外周的移動，限制噴嘴的去程的移動速度，其后，利用從180。到360。(0°)的旋轉(zhuǎn)，從轉(zhuǎn)臺的外周通過中央再次到達(dá)外周，能夠控制噴嘴20的回程的移動速度。因此，相對于將工件乃至晶片的旋轉(zhuǎn)軌跡等面積地劃分所形成的等面積區(qū)域的數(shù)量，以4倍以上的點描繪凸輪的外形形狀，在這方面與參照圖8、圖10說明了的凸輪相比，描點數(shù)變多。另外，即使在噴嘴20橫穿轉(zhuǎn)臺的外周線—中心—隔著所述外周線的中心對置的外周線之間的情況下，也可以如參照圖8、圖10說明了的那樣，在噴嘴20位于劃分成各等面積區(qū)域的等面積線上時，對應(yīng)于凸輪臂33的位置描繪凸輪35的外形形狀，從而確定凸輪形狀。圖11說明了噴嘴20在與轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)軌跡的面正交的方向上擺動的圖13的情況下的凸輪形狀的確定方法，該圖11的實施方式中的轉(zhuǎn)臺、搖臂31、凸輪35的各配置關(guān)系，圖12示出一個例子。如圖12所示，對于本實施方式的搖臂31，在旋轉(zhuǎn)軌跡的外周線—中心—隔著所述外周線的中心對置的外周線之間，其擺動范圍的中心位置配置在通過轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)中心P的直線上，并將凸輪35的旋轉(zhuǎn)中心O配置在連接基準(zhǔn)輸入點pl和pl4的延長線上，而且，配置在離幵凸輪的中心0側(cè)的基準(zhǔn)輸入點p14的距離為凸輪的最小半徑C^的位置上，凸輪的旋轉(zhuǎn)中心O位于離開轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)中心P的距離為Ly、Lx的位置，Ly、Lx如下算出<formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula>在以上說明了的圖11的結(jié)構(gòu)中，對于凸輪35的外形形狀，如下述這樣確定。首先，在凸輪臂33的與凸輪35外周接觸的位置(輸入點)的移動軌跡上，使噴嘴20配置在上述的P1P14的位置時的所述輸入點的對應(yīng)位置被確定為基準(zhǔn)輸入點plpl4，在圖中左側(cè)的圓內(nèi)描繪出通過該基準(zhǔn)輸入點plpl4的同心圓(圖11中用虛線表示的同心圓)。然后，以工件W的圓周軌跡的分割數(shù)量(圖11的實施方式中為6個)的4倍數(shù)量(在圖11的例子中，每15。一根共24根)，描繪等角度地分割圖中左側(cè)的圓的等角度線L1L24，并且通過凸輪的旋轉(zhuǎn)中心O，在等角度線Ll和L24之間以及等角度線L12和L13之間，設(shè)置等角度(圖11的例中為7.5°)地進(jìn)行分割的基準(zhǔn)線LO。然后，將基準(zhǔn)線L0與通過基準(zhǔn)輸入點pl的同心圓之間的交點作為該凸輪的最大半徑Cmax的位置進(jìn)行描繪，將基準(zhǔn)線L0與通過基準(zhǔn)輸入點p14的同心圓的交點作為該凸輪的最小半徑Cmin的位置進(jìn)行描繪。并且，以所述最大半徑Q^的描繪位置作為起點，隨著等角度線在旋轉(zhuǎn)方向上離開所述基準(zhǔn)線L0，來描繪下述的半徑每次變小一級的同心圓與所述等角度線的交點Ll、L24與通過p2的同心圓的交點，L2、L23與通過P3的同心圓的交點，L3、L22與通過p4的同心圓的交點…L12、L13和通過p13的同心圓的交點，連接描繪的各點形成凸輪的外形形狀。另外，在如上構(gòu)成的噴射加工裝置1中，在所述轉(zhuǎn)臺11上的面的任意位置都可以設(shè)置鼓風(fēng)用噴嘴，用于除去堆積在晶片W上的研磨材料等。實施例下面，示出以不同的加工方法對各種工件乃至晶片進(jìn)行一次加工循環(huán)的實施例。表2(實施例1;加工方法圖15(A))丁處硅晶片(測試晶片)丄1干6英寸x20枚轉(zhuǎn)臺(D133030rpm研磨材料C一IOOO粒徑10pm15jam(#1000)噴射壓力0.2MPa0.4MPa噴嘴(直徑)(D9x6根/臂x3噴射距離100讓180秒往復(fù)5次處理時間SCM—6ATV—NE—楊噴砂機(jī)(株式會社不二制作所制造)重力式除去形成在測試晶片表面的膜，并形成了晶片表面沒有加工不均勻的均一的平滑鏡面，不需要利用拋光裝置進(jìn)行鏡面研磨。因此，能夠極大幅度地縮短晶片研磨所需要的時間，并且不需要拋光裝置。并且，由于能夠有效地除去形成在晶片上的膜，因此能夠使晶片再生。表3(實施例2;加工方法圖15(B))<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>玩例2;加工方法圖15(B))<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>對于構(gòu)成為上述方式的噴射加工裝置1，連接有下述裝置等空氣壓縮機(jī)等未圖示的壓縮空氣供給源；集塵器50，其對在加工室3內(nèi)噴射的研磨材料和切削時產(chǎn)生的粉塵等進(jìn)行抽吸；以及旋風(fēng)分離器60，其用于回收從通過該集塵器50從加工室3內(nèi)抽吸來的夾雜有粉塵的研磨材料中除去了粉塵后的研磨材料，構(gòu)筑如圖14所示的用于對晶片W進(jìn)行噴射加工的加工系統(tǒng)。進(jìn)而，在敞幵設(shè)在所述噴射加工裝置1的機(jī)殼2上的開閉門的同時，將晶片W安裝于配置在機(jī)殼2內(nèi)的轉(zhuǎn)臺11上的夾具12，啟動噴射加工裝置1，則利用安裝在搖臂31(31a、31b、31c)上的噴嘴20來噴射研磨材料，并且，外周與設(shè)在該搖臂31(31a、31b、31c)上的凸輪臂33接觸的凸輪35，接受來自電動機(jī)36等驅(qū)動源的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動力而以恒定速度朝一定方向旋轉(zhuǎn)。通過該凸輪35的旋轉(zhuǎn)，搖臂31c以及使凸輪臂33與凸輪35的外周接觸的搖臂31a、31b都開始擺動，所述搖臂31c的旋轉(zhuǎn)軸32經(jīng)由連桿39連接在設(shè)于所述搖臂31a、31b中的一方31a的旋轉(zhuǎn)軸32上。通過該搖臂31(31a、31b、31c)的擺動，噴嘴20以橫穿形成為閉合環(huán)狀的晶片W的移動軌跡的方式反復(fù)移動，并且其速度被控制為在噴嘴20從轉(zhuǎn)臺11的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)移動時移動速度相對變快，在噴嘴20從內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)移動時移動速度相對變慢，由此，能夠防止在使噴嘴20以恒定的速度移動的情況下所產(chǎn)生的在轉(zhuǎn)臺11的外周側(cè)和內(nèi)周側(cè)的加工度不同的問題。特別地，假定將晶片W的移動軌跡以等面積方式劃分為同心圓狀的等面積區(qū)域，并對噴嘴20進(jìn)行控制，使該噴嘴20橫穿各等面積區(qū)域的時間恒定，由此，無論晶片W被配置在轉(zhuǎn)臺11上的任何位置，都能夠使單位時間的加工面積恒定。其結(jié)果是，無論將作為處理對象的晶片W載置在轉(zhuǎn)臺11上的任意位置上，在任意位置都能夠以均勻的加工度進(jìn)行加工。如上所述，對于以本發(fā)明的方法進(jìn)行磨削后的晶片，在所述磨削的目的例如是除去形成在測試晶片的表面的覆膜，以使測試晶片再生的情況下，通過噴射研磨材料而在晶片W的表面上產(chǎn)生深度為18pm左右的痕跡等。因此，可以根據(jù)加工的目的進(jìn)行后述處理，如利用已知的機(jī)械研磨、機(jī)械一化學(xué)研磨等進(jìn)行研磨以除去該痕跡等。權(quán)利要求1、一種磨削加工方法，所述磨削加工方法用噴嘴對工件的表面噴射研磨材料進(jìn)行磨削，其特征在于，使所述工件在預(yù)定的旋轉(zhuǎn)軌跡上旋轉(zhuǎn)移動，并且在所述旋轉(zhuǎn)軌跡的外周線內(nèi)被以該旋轉(zhuǎn)軌跡的中心為中心的同心圓劃分成多個等面積區(qū)域，以恒定的加工條件噴射研磨材料的噴嘴橫穿所述各等面積區(qū)域的時間恒定，并在與所述各等面積區(qū)域交叉的方向上移動。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的磨削加工方法，其特征在于，所述工件的旋轉(zhuǎn)軌跡具有所述外周線和與所述外周線成同心圓的內(nèi)周線，將所述外周線和內(nèi)周線之間的間隔劃分成所述各等面積區(qū)域。3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的磨削加工方法，其特征在于，設(shè)所述等面積區(qū)域的面積為ds時，從旋轉(zhuǎn)軌跡的內(nèi)周側(cè)朝向外周側(cè)方向移動的噴嘴按照下述方式移動在距離所述旋轉(zhuǎn)軌跡的中心為半徑rn的任意點處，在預(yù)定時間內(nèi)所述噴嘴的移動距離dx近似于下式，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>4、根據(jù)權(quán)利要求2所述的磨削加工方法，其特征在于，設(shè)所述等面積區(qū)域的面積為ds時，從旋轉(zhuǎn)軌跡的外周側(cè)朝向內(nèi)周側(cè)方向移動的噴嘴按照下述方式移動在距離所述旋轉(zhuǎn)軌跡的中心為半徑rn的任意點處，在預(yù)定時間內(nèi)所述噴嘴的移動距離dx近似于下式，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的磨削加工方法，其特征在于，將所述工件的旋轉(zhuǎn)軌跡的外周線內(nèi)呈同心圓狀劃分成相等面積，作為所述等面積區(qū)域。6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的磨削加工方法，其特征在于，設(shè)將所述旋轉(zhuǎn)軌跡劃分成多個等面積區(qū)域時的直徑最小的同心圓的半徑為ri，所述噴嘴按照下述方式移動位于從中心開始第n個同心圓上的噴嘴在預(yù)定時間內(nèi)向外周方向移動的距離dx近似于下式，7、根據(jù)權(quán)利要求5所述的磨削加工方法，其特征在于，設(shè)將所述旋轉(zhuǎn)軌跡劃分成多個等面積區(qū)域時的直徑最小的同心圓的半徑為n，所述噴嘴按照以下方式移動位于從中心開始第n個同心圓上的噴嘴在預(yù)定時間內(nèi)向內(nèi)周方向移動的距離dx近似于下式，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>8、根據(jù)權(quán)利要求2所述的磨削加工方法，其特征在于，所述噴嘴在所述旋轉(zhuǎn)軌跡的所述外周線和內(nèi)周線的等面積區(qū)域范圍內(nèi)移動。9、根據(jù)權(quán)利要求1所述的磨削加工方法，其特征在于，所述噴嘴橫穿所述旋轉(zhuǎn)軌跡的外周線一中心方向一隔著所述外周線的中心對置的外周線之間進(jìn)行移動。10、一種磨削加工裝置，其特征在于，所述磨削加工裝置具有噴嘴，其對工件噴射研磨材料；旋轉(zhuǎn)、輸送單元，其使所述工件在預(yù)定的旋轉(zhuǎn)軌跡上旋轉(zhuǎn)移動；以及噴嘴移動控制單元，在所述旋轉(zhuǎn)軌跡的外周線內(nèi)形成有多個等面積區(qū)域，所述等面積區(qū)域由以該旋轉(zhuǎn)軌跡的中心為中心的同心圓劃分而成，所述噴嘴移動控制單元使所述噴嘴橫穿所述等面積區(qū)域的時間恒定，并使所述噴嘴在與所述等面積區(qū)域交叉的方向上移動。11、根據(jù)權(quán)利要求10所述的磨削加工裝置，其特征在于，所述噴嘴移動控制單元具有搖臂，其通過以預(yù)定的軸支承位置為支點進(jìn)行擺動，使得所述噴嘴在所述旋轉(zhuǎn)軌跡的所述外周線和與該外周線為同心圓的內(nèi)周線之間往復(fù)移動；以及凸輪，其與所述搖臂外接，通過旋轉(zhuǎn)使所述搖臂以預(yù)定的圖形擺動，在將設(shè)在所述搖臂上的噴嘴分別配置在該噴嘴在預(yù)定的定時應(yīng)配置的位置上時，將所述搖臂與所述凸輪之間的接觸部分所配置的位置分別作為基準(zhǔn)輸入點，所述凸輪的外形形狀為每旋轉(zhuǎn)與所述定時對應(yīng)的旋轉(zhuǎn)角度時依次通過所述基準(zhǔn)輸入點。12、根據(jù)權(quán)利要求ll所述的磨削加工裝置，其特征在于，使所述搖臂在與所述工件的旋轉(zhuǎn)軌跡的面正交的面內(nèi)擺動。13、根據(jù)權(quán)利要求10所述的磨削加工裝置，其特征在于，所述工件的旋轉(zhuǎn)軌跡具有外周線和內(nèi)周線，將該外周線和內(nèi)周線之間的間隔劃分成面積為ds的所述等面積區(qū)域，并且所述噴嘴移動控制單元使所述噴嘴以下述方式移動在距離所述旋轉(zhuǎn)軌跡的中心半徑為r。的任意點上，從旋轉(zhuǎn)軌跡的內(nèi)周側(cè)朝外周側(cè)方向移動的噴嘴在預(yù)定時間內(nèi)移動的距離dx近似于下式，14、根據(jù)權(quán)利要求10所述的磨削加工裝置，其特征在于，所述工件的旋轉(zhuǎn)軌跡具有外周線和內(nèi)周線，將該外周線和內(nèi)周線之間的間隔劃分成面積為ds的所述等面積區(qū)域，并且所述噴嘴移動控制單元使所述噴嘴以下述方式移動在距離所述旋轉(zhuǎn)軌跡的中心半徑為rn的任意點上，從旋轉(zhuǎn)軌跡的外周側(cè)朝內(nèi)周側(cè)方向移動的噴嘴在預(yù)定時間內(nèi)移動的距離dx近似于下式，15、根據(jù)權(quán)利要求10所述的磨削加工裝置，其特征在于，將所述工件的旋轉(zhuǎn)軌跡的外周線內(nèi)以同心圓狀等面積地劃分而形成n個所述等面積區(qū)域，設(shè)劃分成所述等面積區(qū)域的直徑最小的同心圓的半徑為rp所述噴嘴移動控制單元使所述噴嘴以下述方式移動位于從中心開始第n個同心圓上的噴嘴在預(yù)定時間內(nèi)向外周方向移動的移動距離與利用下式規(guī)定的移動距離dx近似于下式，16、根據(jù)權(quán)利要求10所述的磨削加工裝置，其特征在于，將所述工件的旋轉(zhuǎn)軌跡的外周線內(nèi)等面積地劃分成同心圓狀，形成n個所述等面積區(qū)域，設(shè)劃分成所述等面積區(qū)域的直徑最小的同心圓的半徑為rp所述噴嘴移動控制單元使所述噴嘴以下述方式移動位于從中心開始第n個同心圓上的噴嘴在預(yù)定時間內(nèi)向內(nèi)周方向移動的移動距離與利用下式規(guī)定的移動距離dx近似于下式，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>全文摘要本發(fā)明提供磨削加工方法以及磨削加工裝置，對在旋轉(zhuǎn)軌跡上移動的工件(W)的整面均勻地噴射研磨材料。在使工件在預(yù)定的旋轉(zhuǎn)軌跡上旋轉(zhuǎn)移動的同時，一邊對每次噴射定量研磨材料的噴嘴(20)的移動速度進(jìn)行控制，一邊使該噴嘴(20)反復(fù)在所述旋轉(zhuǎn)軌跡的所述外周線和內(nèi)周線之間，或者在所述外周線→中心方向→外周線之間往復(fù)移動，所述噴嘴(20)的移動速度被控制為隨著朝向所述旋轉(zhuǎn)軌跡的中心側(cè)移動速度相對變快、隨著朝向外周側(cè)相對變慢。噴嘴(20)的這種移動速度控制，以同心圓狀將工件(W)的旋轉(zhuǎn)軌跡劃分成多個等面積區(qū)域，使噴嘴(20)分別以恒定時間橫穿各等面積區(qū)域。文檔編號B24C5/00GK101380726SQ200810128099公開日2009年3月11日申請日期2008年7月29日優(yōu)先權(quán)日2007年9月4日發(fā)明者月田盛夫,間瀬惠二申請人:株式會社不二制作所