專利名稱:化學(xué)機(jī)械研磨墊的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種化學(xué)機(jī)械研磨墊，包括背板層和研磨層，所述研磨層具有研磨面與非研磨面；所述研磨層具有中心區(qū)域以及位于所述中心區(qū)域外的外圍區(qū)域；并且所述研磨層包括從所述研磨層的研磨面延伸至所述背板層的支持面的中心通孔，以及從所述中心通孔開(kāi)始逐漸向所述中心區(qū)域的外緣逐漸展開(kāi)的螺旋凹槽，從所述螺旋凹槽向所述外圍區(qū)域延伸的多個(gè)輻射凹槽，并且所述輻射凹槽在所述外圍區(qū)域的外緣形成有分支凹槽。本實(shí)用新型所述的化學(xué)機(jī)械研磨墊，可以用于光學(xué)玻璃或樹(shù)脂鏡片，半導(dǎo)體硅或二氧化硅基片，以及其它電子器件所采用的介質(zhì)材料基片或金屬基片的研磨處理，而且有利于減少研磨表面的劃痕數(shù)量，且有利于基片的轉(zhuǎn)移。
【專利說(shuō)明】化學(xué)機(jī)械研磨墊

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及化學(xué)機(jī)械研磨的【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地說(shuō)，本實(shí)用新型涉及一種化學(xué)機(jī)械研磨墊。

【背景技術(shù)】
[0002]化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)是光學(xué)、半導(dǎo)體以及其它電子器件制造工藝中的常用技術(shù)，使用化學(xué)腐蝕及機(jī)械力對(duì)加工過(guò)程中的玻璃基片、硅晶圓或其它襯底材料進(jìn)行平坦化處理。在常規(guī)的CMP工藝中，待研磨的襯底被固定在載體組件上，并使襯底與CMP工藝中的研磨層接觸并提供受控的壓力，同時(shí)使研磨漿料在研磨層表面流動(dòng)。在設(shè)計(jì)研磨層時(shí)，需要考慮的主要因素有研磨漿料在研磨層上的分布，新鮮研磨漿料進(jìn)入研磨軌跡的流動(dòng)，研磨漿料從研磨軌跡的流動(dòng)，以及流過(guò)研磨區(qū)域基本未被利用的研磨漿料的量等等。為了減少基本未被利用的研磨漿料的量以及提高研磨效率和質(zhì)量，在現(xiàn)有技術(shù)中，需要在研磨層表面設(shè)計(jì)各種圖案，然而本領(lǐng)域的技術(shù)人員都知道研磨速率、研磨漿料消耗以及研磨效果等很難兼得，現(xiàn)有技術(shù)中也公開(kāi)了多種改進(jìn)結(jié)構(gòu)以期降低研磨漿料消耗并使得研磨漿料在研磨層上的保持時(shí)間最長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)和圖案，然而需要在保證研磨速率、質(zhì)量的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步降低研磨層上研磨漿料的未利用量，減少研磨漿料的浪費(fèi)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種化學(xué)機(jī)械研磨墊。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了以下技術(shù)方案:
[0005]一種化學(xué)機(jī)械研磨墊，包括背板層和研磨層，所述背板層具有支持面和內(nèi)表面；其特征在于:所述研磨層具有在研磨漿料存在的條件下對(duì)基片表面進(jìn)行研磨的研磨面，與所述背板層內(nèi)表面相粘結(jié)的非研磨面；所述研磨層具有中心區(qū)域以及位于所述中心區(qū)域外的外圍區(qū)域；并且所述研磨層包括從所述研磨層的研磨面延伸至所述背板層的支持面的中心通孔，以及從所述中心通孔開(kāi)始逐漸向所述中心區(qū)域的外緣逐漸展開(kāi)的螺旋凹槽，從所述螺旋凹槽向所述外圍區(qū)域延伸的多個(gè)輻射凹槽，并且所述輻射凹槽在所述外圍區(qū)域的外緣形成有分支凹槽。
[0006]其中，所述螺旋凹槽的深度大于所述輻射凹槽以及分支凹槽的深度。
[0007]其中，所述螺旋凹槽的橫截面為U形、V形、長(zhǎng)方形或半圓形。
[0008]其中，所述輻射凹槽的橫截面為U形、V形、長(zhǎng)方形或半圓形。
[0009]其中，所述分支凹槽的橫截面為U形、V形、長(zhǎng)方形或半圓形。
[0010]其中，所述螺旋凹槽、輻射凹槽以及分支凹槽的寬度為0.2?1.2mm。
[0011]其中，所述背板層和所述研磨層為圓盤(pán)狀。
[0012]其中，所述背板層的直徑大于或等于所述研磨層的直徑。
[0013]其中，所述研磨層的直徑為50?800mm，并且所述研磨層的厚度為1.5?5.0mm。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型所述的化學(xué)機(jī)械研磨墊具有以下有益效果:
[0015]本實(shí)用新型所述的化學(xué)機(jī)械研磨墊，可以用于光學(xué)玻璃或樹(shù)脂鏡片，半導(dǎo)體硅或二氧化硅基片，以及其它電子器件所采用的介質(zhì)材料基片或金屬基片的研磨處理，而且所述裝置通過(guò)中心通孔給所述研磨裝置的研磨面補(bǔ)充研磨漿料，通過(guò)螺旋凹槽和輻射凹槽的設(shè)置不僅提高了研磨漿料的有效使用率，而且有利于減少基片中心區(qū)域以及周邊區(qū)域研磨量的偏差，不僅保證了適當(dāng)?shù)难心ニ俾?，而且有利于減少研磨表面的劃痕數(shù)量；另外，由于外界的空氣也可以從所述中心通孔進(jìn)入到基片與研磨層的界面中，從而有利于基片的轉(zhuǎn)移。

【附圖說(shuō)明】

[0016]圖1為實(shí)施例1所述化學(xué)機(jī)械研磨墊橫截面的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2為實(shí)施例1所述化學(xué)機(jī)械研磨墊的研磨面的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0018]以下將結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型所述的化學(xué)機(jī)械研磨墊做進(jìn)一步的闡述，以幫助本領(lǐng)域的技術(shù)人員對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)用新型構(gòu)思、技術(shù)方案有更完整、準(zhǔn)確和深入的理解。
[0019]實(shí)施例1
[0020]如圖1?2所示，本實(shí)施例所述的化學(xué)機(jī)械研磨墊，其包括背板層10和研磨層20，根據(jù)需要，所述研磨層的直徑為50?800mm，并且所述研磨層的厚度為1.5?5.0mm ;通常的，為了方便旋轉(zhuǎn)和按壓，所述背板層和所述研磨層為圓盤(pán)狀；而且所述背板層的直徑大于或等于所述研磨層的直徑；作為所述研磨層的材料，可以使用現(xiàn)有技術(shù)中已知的軟質(zhì)材料，例如常用的氨基樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、聚丙烯樹(shù)脂、異氰酸酯樹(shù)脂、聚砜樹(shù)脂、ABS樹(shù)脂、聚碳酸樹(shù)脂或聚酰亞胺樹(shù)脂。所述背板層10具有支持面11和內(nèi)表面12 ;所述研磨層20具有在研磨漿料存在的條件下對(duì)基片表面進(jìn)行研磨的研磨面21，與所述背板層內(nèi)表面相粘結(jié)的非研磨面22 ;所述研磨層20具有中心區(qū)域23以及位于所述中心區(qū)域外的外圍區(qū)域24 ;并且所述研磨層20包括從所述研磨層的研磨面21延伸至所述背板層的支持面11的中心通孔25，以及從所述中心通孔25開(kāi)始逐漸向所述中心區(qū)域23的外緣逐漸展開(kāi)的螺旋凹槽26，從所述螺旋凹槽26向所述外圍區(qū)域延伸的多個(gè)輻射凹槽27，并且所述輻射凹槽在所述外圍區(qū)域的外緣形成有分支凹槽28。所述螺旋凹槽的深度大于所述輻射凹槽以及分支凹槽的深度，所述螺旋凹槽、輻射凹槽以及分支凹槽的橫截面均為U形、V形、長(zhǎng)方形或半圓形，所述螺旋凹槽、輻射凹槽以及分支凹槽的寬度為0.2?1.2mm。本實(shí)施例所述的化學(xué)機(jī)械研磨墊，可以用于光學(xué)玻璃或樹(shù)脂鏡片，半導(dǎo)體硅或二氧化硅基片，以及其它電子器件所采用的介質(zhì)材料基片或金屬基片的研磨處理，而且所述裝置通過(guò)中心通孔給所述研磨裝置的研磨面補(bǔ)充研磨漿料，通過(guò)螺旋凹槽、輻射凹槽以及分支凹槽的設(shè)置不僅提高了研磨漿料的有效使用率，而且有利于減少基片中心區(qū)域以及周邊區(qū)域研磨量的偏差，不僅保證了適當(dāng)?shù)难心ニ俾?，而且行利于減少研磨表面的劃痕數(shù)量；另外，由于外界的空氣也可以從所述中心通孔進(jìn)入到基片與研磨層的界面中，從而有利于基片的轉(zhuǎn)移。
[0021]對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，具體實(shí)施例只是對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了示例性描述，顯然本實(shí)用新型具體實(shí)現(xiàn)并不受上述方式的限制，只要采用了本實(shí)用新型的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進(jìn)行的各種非實(shí)質(zhì)性的改進(jìn)，或未經(jīng)改進(jìn)將本實(shí)用新型的構(gòu)思和技術(shù)方案直接應(yīng)用于其它場(chǎng)合的，均在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種化學(xué)機(jī)械研磨墊，包括背板層和研磨層，所述背板層具有支持面和內(nèi)表面；其特征在于:所述研磨層具有在研磨漿料存在的條件下對(duì)基片表面進(jìn)行研磨的研磨面，與所述背板層內(nèi)表面相粘結(jié)的非研磨面；所述研磨層具有中心區(qū)域以及位于所述中心區(qū)域外的外圍區(qū)域；并且所述研磨層包括從所述研磨層的研磨面延伸至所述背板層的支持面的中心通孔，以及從所述中心通孔開(kāi)始逐漸向所述中心區(qū)域的外緣逐漸展開(kāi)的螺旋凹槽，從所述螺旋凹槽向所述外圍區(qū)域延伸的多個(gè)輻射凹槽，并且所述輻射凹槽在所述外圍區(qū)域的外緣形成有分支凹槽。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨墊，其特征在于:所述螺旋凹槽的深度大于所述輻射凹槽以及分支凹槽的深度。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨墊，其特征在于:所述螺旋凹槽的橫截面為U形、V形、長(zhǎng)方形或半圓形。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨墊，其特征在于:所述輻射凹槽的橫截面為U形、V形、長(zhǎng)方形或半圓形。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨墊，其特征在于:所述分支凹槽的橫截面為U形、V形、長(zhǎng)方形或半圓形。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨墊，其特征在于:所述螺旋凹槽、輻射凹槽以及分支凹槽的寬度為0.2?1.2mm。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨墊，其特征在于:所述背板層和所述研磨層為圓盤(pán)狀。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的化學(xué)機(jī)械研磨墊，其特征在于:所述研磨層的直徑為50?800mm，并且所述研磨層的厚度為1.5?5.0mm。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的化學(xué)機(jī)械研磨墊，其特征在于:所述背板層的直徑大于或等于所述研磨層的直徑。
【文檔編號(hào)】B24B37-26GK204295485SQ201420779220
【發(fā)明者】朱曉飛, 宋東虹 [申請(qǐng)人]朱曉飛