一種ito薄膜、銀漿薄膜激光刻蝕加工工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種ITO薄膜、銀漿薄膜激光刻蝕加工工藝，包括以下工藝步驟：a.將待加工的電子產(chǎn)品放置在激光刻蝕機的工作平臺上并進行定位；b.預先設(shè)計將要刻蝕的ITO電路圖形、銀漿電路圖形輸入激光刻蝕軟件；c.分別針對ITO電路圖形、銀漿電路圖形設(shè)置激光參數(shù)、運動參數(shù)；d.啟動激光刻蝕機，對ITO電路圖形和銀漿電路圖形進行激光刻蝕，本發(fā)明的能夠同時完成對ITO薄膜和銀漿薄膜的激光刻蝕，減少刻蝕過程中的定位誤差，產(chǎn)品良率可以達到98%，印刷烘干后產(chǎn)品的最小線束寬達到25um，大大提高了產(chǎn)品的精度；節(jié)省了設(shè)備投入成本，簡化了刻蝕加工工藝，大大提高了刻蝕加工效率，有利于降低生產(chǎn)成本。
【專利說明】一種ITO薄膜、銀漿薄膜激光刻蝕加工工藝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及激光刻蝕電子產(chǎn)品【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種ITO薄膜、銀漿薄膜激光刻蝕加工工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的快速發(fā)展，電子產(chǎn)品的應用也越來越廣泛，利用激光刻蝕設(shè)備對附著在玻璃或者PET基底上的ITO薄膜或者銀漿薄膜進行剝離加工，可以在玻璃、PET基底上ITO薄膜、多晶膜和其它氧化物薄膜上大范圍內(nèi)進行各種圖案，各種尺寸的精密、高速刻蝕，并且能夠保證很高的產(chǎn)能，已經(jīng)成為電子產(chǎn)品加工過程中的重要工序之一。
[0003]但是現(xiàn)有的激光刻蝕加工方法在一次刻蝕加工制程中只能對單獨對ITO薄膜或者銀漿薄膜進行刻蝕加工，利用該種方法對于僅僅包括ITO薄膜或者銀漿薄膜的電子產(chǎn)品能夠滿足刻蝕加工要求，但是對于同時含有ITO薄膜和銀漿薄膜的電子產(chǎn)品來說，只能首先在一種設(shè)備上對ITO薄膜或者銀漿薄膜進行刻蝕加工，然后再在另一種設(shè)備上對銀漿薄膜或者ITO薄膜進行刻蝕加工，不僅需要多次對待加工工件進行定位，導致誤差增大，產(chǎn)品的成品良率較低，質(zhì)量差，而且刻蝕加工工藝復雜，生產(chǎn)效率低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足提供一種能夠一次性完成ITO薄膜和銀漿薄膜的激光刻蝕，大大提高成品率以及生產(chǎn)效率的ITO薄膜、銀漿薄膜激光刻蝕加工工藝。
[0005]為了實現(xiàn)以上目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案。
[0006]一種ITO薄膜、銀漿薄膜激光刻蝕加工工藝，包括以下工藝步驟:
a.將待加工的電子產(chǎn)品放置在激光刻蝕機的工作平臺上，所述電子產(chǎn)品的具有ITO薄膜與銀漿薄膜的一面朝向激光刻蝕機的激光刻頭，并對電子產(chǎn)品進行定位；
b.將預先設(shè)計好的待刻蝕的ITO電路圖形并將設(shè)計好的ITO電路圖形輸入激光刻蝕機的激光刻蝕軟件；
c.設(shè)定激光刻蝕機針對ITO電路圖形刻蝕的激光參數(shù)；
d.設(shè)定激光刻蝕機針對ITO電路圖形刻蝕的運動參數(shù)；
e.將預先設(shè)計好的銀漿電路圖形并將設(shè)計好的銀漿電路圖形輸入激光刻蝕機的激光刻蝕軟件；
f.設(shè)定激光刻蝕機針對銀漿電路圖形刻蝕的激光參數(shù)；
g.設(shè)定激光刻蝕機針對銀漿電路圖形刻蝕的運動參數(shù)；
h.啟動激光刻蝕機，對待加工電子產(chǎn)品的ITO電路圖形和銀漿電路圖形進行激光刻蝕。
[0007]其中，所述步驟a之后、步驟b之前還包括步驟al:調(diào)整激光刻蝕機的激光刻頭的高度，使得所述激光刻頭的激光焦點落在ITO薄膜與銀漿薄膜的平面的靶標上。
[0008]其中，所述靶標為圓形、十字形、方框形或者轉(zhuǎn)角形。[0009]其中，所述步驟b、e中，ITO電路圖形、銀漿電路圖形均采用AUTO CAD、CORELDRAW或者CAM等軟件繪制。
[0010]其中，所述步驟b、e中，輸入激光刻蝕機的ITO電路圖形、銀漿電路圖形均為后綴為DXF、PLT、CAM或者GBX的文檔。
[0011]其中，所述步驟c中的激光參數(shù)為:激光功率為6W?10W，激光脈沖頻率為260kHz ?300 kHz，脈寬為 8ns。
[0012]其中，所述步驟d中的運動參數(shù)為:激光刻蝕線速度為2800mm/s?3000mm/s，刻蝕重復次數(shù)為I次。
[0013]其中，所述步驟f中的激光參數(shù)為:激光功率為8W?14W，激光脈沖頻率為210kHz? 300 kHz，脈寬為 8ns。
[0014]其中，所述步驟g中的運動參數(shù)為:激光刻蝕線速度為2100mm/s?3000mm/s，刻蝕重復次數(shù)為2?3次。
[0015]其中，所述激光刻蝕機的激光波長為1064nm，F(xiàn)- Θ透鏡組的焦距范圍為200?255mm，激光器的額定輸出頻率為25?IOOOkHz。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
(1)本發(fā)明的ITO薄膜、銀漿薄膜激光刻蝕加工工藝能夠一次性完成ITO薄膜和銀漿薄膜的激光刻蝕，減少刻蝕過程中的定位誤差，大大提高了刻蝕產(chǎn)品的良率，產(chǎn)品良率可以達到98%，印刷烘干后產(chǎn)品的最小線束寬達到25um，大大提高了產(chǎn)品的精度；
(2)本發(fā)明的ITO薄膜、銀漿薄膜激光刻蝕加工工藝，簡化了刻蝕加工工藝，大大提高了刻蝕加工效率，有利于降低生產(chǎn)成本；
(3)本發(fā)明的ITO薄膜、銀漿薄膜激光刻蝕加工工藝，能夠在一個制程中同時完成對ITO薄膜和銀漿薄膜的激光刻蝕，減少了激光刻蝕設(shè)備的應用，節(jié)省設(shè)備投入成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1為本發(fā)明的ITO薄膜、銀漿薄膜激光刻蝕加工工藝的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0018]以下結(jié)合【具體實施方式】對本發(fā)明進行詳細的描述。
[0019]實施例1。
[0020]如圖1所示，一種ITO薄膜、銀漿薄膜激光刻蝕加工工藝，包括以下工藝步驟:
a.將待加工的電子產(chǎn)品放置在激光刻蝕機的工作平臺上，所述電子產(chǎn)品的具有ITO薄膜與銀漿薄膜的一面朝向激光刻蝕機的激光刻頭，并對電子產(chǎn)品進行定位；
b.預先設(shè)計將要刻蝕的ITO電路圖形并將設(shè)計好的ITO電路圖形輸入激光刻蝕機的激光刻蝕軟件；
c.設(shè)定激光刻蝕機針對ITO電路圖形刻蝕的激光參數(shù)，激光功率為6W，激光脈沖頻率為260kHz，脈寬為8ns ；
d.設(shè)定激光刻蝕機針對ITO電路圖形刻蝕的運動參數(shù)，激光刻蝕線速度為2800mm/s，刻蝕重復次數(shù)為I次；
e.預先設(shè)計將要刻蝕的銀漿電路圖形并將設(shè)計好的銀漿電路圖形輸入激光刻蝕機的激光刻蝕軟件；
f.設(shè)定激光刻蝕機針對銀漿電路圖形刻蝕的激光參數(shù)，激光功率為8W，激光脈沖頻率為210kHz，脈寬為8ns ；
g.設(shè)定激光刻蝕機針對銀漿電路圖形刻蝕的運動參數(shù)，激光刻蝕線速度為2100mm/s，刻蝕重復次數(shù)為2次；
h.啟動激光刻蝕機，對待加工電子產(chǎn)品的ITO電路圖形和銀漿電路圖形進行激光刻蝕。
[0021]其中，所述激光刻蝕機的激光波長為1064nm，F(xiàn)- Θ透鏡組的焦距范圍為200mm，激光器的額定輸出頻率為25?IOOOkHz。
[0022]實施例2。
[0023]一種ITO薄膜、銀漿薄膜激光刻蝕加工工藝，包括以下工藝步驟:
a.將待加工的電子產(chǎn)品放置在激光刻蝕機的工作平臺上，所述電子產(chǎn)品的具有ITO薄膜與銀漿薄膜的一面朝向激光刻蝕機的激光刻頭，并對電子產(chǎn)品進行定位；
al.調(diào)整激光刻蝕機的激光刻頭的高度，使得所述激光刻頭的激光焦點落在ITO薄膜與銀漿薄膜的平面的圓形靶標上。
[0024]b.預先設(shè)計將要刻蝕的ITO電路圖形并將設(shè)計好的ITO電路圖形輸入激光刻蝕機的激光刻蝕軟件；
c.設(shè)定激光刻蝕機針對ITO電路圖形刻蝕的激光參數(shù)，激光功率為7W，激光脈沖頻率為270kHz，脈寬為8ns ；
d.設(shè)定激光刻蝕機針對ITO電路圖形刻蝕的運動參數(shù)，激光刻蝕線速度為2850mm/s，刻蝕重復次數(shù)為I次；
e.預先設(shè)計將要刻蝕的銀漿電路圖形并將設(shè)計好的銀漿電路圖形輸入激光刻蝕機的激光刻蝕軟件；
f.設(shè)定激光刻蝕機針對銀漿電路圖形刻蝕的激光參數(shù)，激光功率為10W，激光脈沖頻率為230kHz，脈寬為8ns ；
g.設(shè)定激光刻蝕機針對銀漿電路圖形刻蝕的運動參數(shù)，激光刻蝕線速度為2300mm/s，刻蝕重復次數(shù)為3次；
h.啟動激光刻蝕機，對待加工電子產(chǎn)品的ITO電路圖形和銀漿電路圖形進行激光刻蝕。
[0025]其中，所述激光刻蝕機的激光波長為1064nm，F(xiàn)- Θ透鏡組的焦距范圍為255mm，激光器的額定輸出頻率為25?IOOOkHz。
[0026]實施例3。
[0027]一種ITO薄膜、銀漿薄膜激光刻蝕加工工藝，包括以下工藝步驟:
a.將待加工的電子產(chǎn)品放置在激光刻蝕機的工作平臺上，所述電子產(chǎn)品的具有ITO薄膜與銀漿薄膜的一面朝向激光刻蝕機的激光刻頭，并對電子產(chǎn)品進行定位；
al.調(diào)整激光刻蝕機的激光刻頭的高度，使得所述激光刻頭的激光焦點落在ITO薄膜與銀漿薄膜的平面的十字形靶標上。
[0028]b.預先設(shè)計將要刻蝕的ITO電路圖形并將設(shè)計好的ITO電路圖形輸入激光刻蝕機的激光刻蝕軟件； C.設(shè)定激光刻蝕機針對ITO電路圖形刻蝕的激光參數(shù)，激光功率為8W，激光脈沖頻率為280kHz，脈寬為8ns ；
d.設(shè)定激光刻蝕機針對ITO電路圖形刻蝕的運動參數(shù)，激光刻蝕線速度為2900mm/s，刻蝕重復次數(shù)為I次；
e.預先設(shè)計將要刻蝕的銀漿電路圖形并將設(shè)計好的銀漿電路圖形輸入激光刻蝕機的激光刻蝕軟件；
f.設(shè)定激光刻蝕機針對銀漿電路圖形刻蝕的激光參數(shù)，激光功率為12W，激光脈沖頻率為250kHz，脈寬為8ns ；
g.設(shè)定激光刻蝕機針對銀漿電路圖形刻蝕的運動參數(shù)，激光刻蝕線速度為2500mm/s，刻蝕重復次數(shù)為2次；
h.啟動激光刻蝕機，對待加工電子產(chǎn)品的ITO電路圖形和銀漿電路圖形進行激光刻蝕。
[0029]其中，所述激光刻蝕機的激光波長為1064nm，F(xiàn)- Θ透鏡組的焦距范圍為200mm，激光器的額定輸出頻率為25?IOOOkHz。
[0030]實施例4。
[0031]一種ITO薄膜、銀漿薄膜激光刻蝕加工工藝，包括以下工藝步驟:
a.將待加工的電子產(chǎn)品放置在激光刻蝕機的工作平臺上，所述電子產(chǎn)品的具有ITO薄膜與銀漿薄膜的一面朝向激光刻蝕機的激光刻頭，并對電子產(chǎn)品進行定位；
al.調(diào)整激光刻蝕機的激光刻頭的高度，使得所述激光刻頭的激光焦點落在ITO薄膜與銀漿薄膜的平面的方框形靶標上。
[0032]b.預先設(shè)計將要刻蝕的ITO電路圖形并將設(shè)計好的ITO電路圖形輸入激光刻蝕機的激光刻蝕軟件；
c.設(shè)定激光刻蝕機針對ITO電路圖形刻蝕的激光參數(shù)，激光功率為9W，激光脈沖頻率為290kHz，脈寬為8ns ；
d.設(shè)定激光刻蝕機針對ITO電路圖形刻蝕的運動參數(shù)，激光刻蝕線速度為2950mm/s，刻蝕重復次數(shù)為I次；
e.預先設(shè)計將要刻蝕的銀漿電路圖形并將設(shè)計好的銀漿電路圖形輸入激光刻蝕機的激光刻蝕軟件；
f.設(shè)定激光刻蝕機針對銀漿電路圖形刻蝕的激光參數(shù)，激光功率為9W，激光脈沖頻率為270kHz，脈寬為8ns ；
g.設(shè)定激光刻蝕機針對銀漿電路圖形刻蝕的運動參數(shù)，激光刻蝕線速度為2700mm/s，刻蝕重復次數(shù)為3次；
h.啟動激光刻蝕機，對待加工電子產(chǎn)品的ITO電路圖形和銀漿電路圖形進行激光刻蝕。
[0033]其中，所述激光刻蝕機的激光波長為1064nm，F(xiàn)- Θ透鏡組的焦距范圍為200mm，激光器的額定輸出頻率為25?IOOOkHz。
[0034]實施例5。
[0035]一種ITO薄膜、銀漿薄膜激光刻蝕加工工藝，包括以下工藝步驟:
a.將待加工的電子產(chǎn)品放置在激光刻蝕機的工作平臺上，所述電子產(chǎn)品的具有ITO薄膜與銀漿薄膜的一面朝向激光刻蝕機的激光刻頭，并對電子產(chǎn)品進行定位；
al.調(diào)整激光刻蝕機的激光刻頭的高度，使得所述激光刻頭的激光焦點落在ITO薄膜與銀漿薄膜的平面的轉(zhuǎn)角形靶標上。
[0036]b.預先設(shè)計將要刻蝕的ITO電路圖形并將設(shè)計好的ITO電路圖形輸入激光刻蝕機的激光刻蝕軟件；
C.設(shè)定激光刻蝕機針對ITO電路圖形刻蝕的激光參數(shù)，激光功率為10W，激光脈沖頻率為300kHz，脈寬為8ns ；
d.設(shè)定激光刻蝕機針對ITO電路圖形刻蝕的運動參數(shù)，激光刻蝕線速度為3000mm/s，刻蝕重復次數(shù)為I次；
e.預先設(shè)計將要刻蝕的銀漿電路圖形并將設(shè)計好的銀漿電路圖形輸入激光刻蝕機的激光刻蝕軟件；
f.設(shè)定激光刻蝕機針對銀漿電路圖形刻蝕的激光參數(shù)，激光功率為14W，激光脈沖頻率為300kHz，脈寬為8ns ；
g.設(shè)定激光刻蝕機針對銀漿電路圖形刻蝕的運動參數(shù)，激光刻蝕線速度為3000mm/s，刻蝕重復次數(shù)為2次；
h.啟動激光刻蝕機，對待加工電子產(chǎn)品的ITO電路圖形和銀漿電路圖形進行激光刻蝕。
[0037]其中，所述激光刻蝕機的激光波長為1064nm，F(xiàn)- Θ透鏡組的焦距范圍為255mm，激光器的額定輸出頻率為25?IOOOkHz。
[0038]應當說明的是，以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對本發(fā)明保護范圍的限制，盡管參照較佳實施例對本發(fā)明作了詳細地說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應當理解，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的實質(zhì)和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種ITO薄膜、銀漿薄膜激光刻蝕加工工藝，其特征在于，包括以下工藝步驟: a.將待加工的電子產(chǎn)品放置在激光刻蝕機的工作平臺上，所述電子產(chǎn)品的具有ITO薄膜與銀漿薄膜的一面朝向激光刻蝕機的激光刻頭，并對電子產(chǎn)品進行定位； b.預先設(shè)計將要刻蝕的ITO電路圖形并將設(shè)計好的ITO電路圖形輸入激光刻蝕機的激光刻蝕軟件； c.設(shè)定激光刻蝕機針對ITO電路圖形刻蝕的激光參數(shù)； d.設(shè)定激光刻蝕機針對ITO電路圖形刻蝕的運動參數(shù)； e.預先設(shè)計將要刻蝕的銀漿電路圖形并將設(shè)計好的銀漿電路圖形輸入激光刻蝕機的激光刻蝕軟件； f.設(shè)定激光刻蝕機針對銀漿電路圖形刻蝕的激光參數(shù)； g.設(shè)定激光刻蝕機針對銀漿電路圖形刻蝕的運動參數(shù)； h.啟動激光刻蝕機，對待加工電子產(chǎn)品的ITO電路圖形和銀漿電路圖形進行激光刻蝕。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO薄膜、銀漿薄膜激光刻蝕加工工藝，其特征在于，所述步驟a之后、步驟b之前還包括步驟al:調(diào)整激光刻蝕機的激光刻頭的高度，使得所述激光刻頭的激光焦點落在ITO薄膜與銀漿薄膜的平面的靶標上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的ITO薄膜、銀漿薄膜激光刻蝕加工工藝，其特征在于，所述靶標為圓形、十字形、方框形或者轉(zhuǎn)角形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO薄膜、銀漿薄膜激光刻蝕加工工藝，其特征在于，所述步驟b、e中，ITO電路圖形、銀漿電路圖形均采用AUTO CAD、CORELDRAW或者CAM軟件繪制。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的ITO薄膜、銀漿薄膜激光刻蝕加工工藝，其特征在于，所述步驟b、e中，輸入激光刻蝕機的ITO電路圖形、銀漿電路圖形均為后綴為DXF、PLT、CAM或者GBX的文檔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO薄膜、銀漿薄膜激光刻蝕加工工藝，其特征在于，所述步驟c中的激光參數(shù)為:激光功率為6W?10W，激光脈沖頻率為260kHz?300 kHz，脈寬為8ns。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO薄膜、銀漿薄膜激光刻蝕加工工藝，其特征在于，所述步驟d中的運動參數(shù)為:激光刻蝕線速度為2800mm/s?3000mm/s，刻蝕次數(shù)為I次。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO薄膜、銀漿薄膜激光刻蝕加工工藝，其特征在于，所述步驟f中的激光參數(shù)為:激光功率為8W?14W，激光脈沖頻率為210kHz?300 kHz，脈寬為8ns ο
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO薄膜、銀漿薄膜激光刻蝕加工工藝，其特征在于，所述步驟g中的運動參數(shù)為:激光刻蝕線速度為2100mm/s?3000mm/s，刻蝕次數(shù)為2?3次。
10.根據(jù)權(quán)利要求1?9任意一項所述的ITO薄膜、銀漿薄膜激光刻蝕加工工藝，其特征在于，所述激光刻蝕機的激光波長為1064nm，F(xiàn)- Θ透鏡組的焦距范圍為200?255mm，激光器的額定輸出頻率為25?1000kHz。
【文檔編號】B23K26/362GK103521928SQ201310447600
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】陶雄兵 申請人:東莞市盛雄激光設(shè)備有限公司