專利名稱：光器件晶片的加工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及如下所述的光器件晶片的加工方法在基板表面上層疊光器件層，在由在規(guī)定的方向延伸的多個(gè)第I分割預(yù)定線和在與該第I分割預(yù)定線交叉的方向上形成的多個(gè)第2分割預(yù)定線來劃分的多個(gè)區(qū)域上形成光器件，在基板的背面被覆有金屬膜。
背景技術(shù)：
在光器件制造步驟中，在大致圓板形狀的藍(lán)寶石基板或碳化硅基板等基板的表面上被覆由氮化鎵類化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的光器件層，在由在規(guī)定的方向延伸的多個(gè)第I分割預(yù)定線和在與該第I分割預(yù)定線交叉的方向上形成的多個(gè)第2分割預(yù)定線來劃分的多個(gè)區(qū)域上形成發(fā)光二極管、激光二極管等光器件，從而構(gòu)成光器件晶片。并且，通過沿著第I分割預(yù)定線及第2分割預(yù)定線切斷光器件晶片，分割形成有光器件的區(qū)域來制造各個(gè)光器件。
作為上述沿著第I分割預(yù)定線及第2分割預(yù)定線分割光器件晶片的分割方法，公開有如下所述的方法沿著第I分割預(yù)定線及第2分割預(yù)定線照射相對(duì)于構(gòu)成光器件晶片的基板具有吸收性的波長(zhǎng)的脈沖激光光線來進(jìn)行消融加工，從而形成作為斷裂起點(diǎn)的激光加工槽，通過沿著形成有作為該斷裂起點(diǎn)的激光加工槽的第I分割預(yù)定線及第2分割預(yù)定線施加外力來進(jìn)行割斷(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。另外，作為沿著第I分割預(yù)定線及第2分割預(yù)定線分割光器件晶片的方法，公開有如下所述的方法針對(duì)相對(duì)于構(gòu)成光器件晶片的基板具有透過性的波長(zhǎng)的脈沖激光光線，將聚光點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)到內(nèi)部而沿著第I分割預(yù)定線及第2分割預(yù)定線進(jìn)行照射，在基板的內(nèi)部沿著第I分割預(yù)定線及第2分割預(yù)定線連續(xù)地形成作為斷裂起點(diǎn)的改質(zhì)層，沿著形成有作為該斷裂起點(diǎn)的改質(zhì)層的第I分割預(yù)定線及第2分割預(yù)定線施加外力，從而分割晶片(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。近年來，為了提高光器件的亮度，實(shí)用化了在構(gòu)成光器件晶片的基板的背面以Iym左右的厚度被覆了鋁或金等金屬的光器件晶片。如上所述，為了沿著第I分割預(yù)定線及第2分割預(yù)定線分割在基板的背面被覆了金屬膜的光器件晶片，首先從被覆在基板背面上的金屬膜側(cè)向與第I分割預(yù)定線及第2分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域照射激光光線，對(duì)應(yīng)于第I分割預(yù)定線及第2分割預(yù)定線來去除金屬膜。專利文獻(xiàn)I日本特開平10-305420號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本專利第3408805號(hào)公報(bào)但是，存在如下所述的問題在從被覆在基板背面的金屬膜側(cè)對(duì)與第I分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域照射激光光線而對(duì)應(yīng)于第I分割預(yù)定線來去除了金屬膜之后，在對(duì)與第2分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域照射激光光線時(shí)，由于在與第I分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的交叉區(qū)域中已經(jīng)去除了金屬膜，因此激光光線透過基板而照射到形成在基板表面的光器件層上，在光器件層上出現(xiàn)損傷、降低光器件的品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其主要目的在于，提供光器件晶片的加工方法，可在不對(duì)光器件層產(chǎn)生損傷的情況下去除被覆在基板背面的金屬膜中的與分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域。為了實(shí)現(xiàn)上述主要的目的，根據(jù)本發(fā)明提供一種光器件晶片的加工方法，在基板的表面上層疊光器件層，在由在規(guī)定方向上延伸的多個(gè)第I分割預(yù)定線和在與該第I分割預(yù)定線交叉的方向上形成的多個(gè)第2分割預(yù)定線劃分而成的多個(gè)區(qū)域形成光器件，在該基板的背面被覆了金屬膜，該光器件晶片的加工方法的特征在于包括第I金屬膜去除步驟，從被覆在該基板的背面上的金屬膜側(cè)對(duì)與該第I分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域照射激光光線，沿著該第I分割預(yù)定線去除該金屬膜，從而形成第I激光加工槽；以及第2金屬膜去除步驟，從被覆在該基板的背面上的金屬膜側(cè)對(duì)與該第2分割預(yù)定 線對(duì)應(yīng)的區(qū)域照射激光光線，沿著該第2分割預(yù)定線去除該金屬膜，從而形成第2激光加工槽，在該第2金屬膜去除步驟中，將與在該第I金屬膜去除步驟中形成的第I激光加工槽之間的交叉區(qū)域排除在外而照射激光光線。另外，根據(jù)本發(fā)明提供一種光器件晶片的加工方法，在基板的表面上層疊光器件層，在由在規(guī)定方向上延伸的多個(gè)第I分割預(yù)定線和在與該第I分割預(yù)定線交叉的方向上形成的多個(gè)第2分割預(yù)定線劃分而成的多個(gè)區(qū)域形成光器件，在該基板的背面被覆了金屬膜，該光器件晶片的加工方法的特征在于包括第I金屬膜去除步驟，從被覆在該基板的背面的金屬膜側(cè)對(duì)與該第I分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域照射激光光線，沿著該第I分割預(yù)定線去除該金屬膜，從而形成第I激光加工槽；以及第2金屬膜去除步驟，從被覆在該基板的背面的金屬膜側(cè)對(duì)與該第2分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域照射激光光線，沿著該第2分割預(yù)定線去除該金屬膜，從而形成第2激光加工槽，在該第I金屬膜去除步驟中，將與對(duì)應(yīng)于該第2分割預(yù)定線的區(qū)域之間的交叉區(qū)域排除在外而照射激光光線。在實(shí)施了該第2金屬膜去除步驟之后，實(shí)施改質(zhì)層形成步驟，在該改質(zhì)層形成步驟中，從基板的背面?zhèn)妊刂贗激光加工槽及第2激光加工槽照射相對(duì)于基板具有透過性的波長(zhǎng)的激光光線，在基板的內(nèi)部沿著第I激光加工槽及第2激光加工槽形成改質(zhì)層。根據(jù)本發(fā)明，在第2金屬膜去除步驟中，將與在第I金屬膜去除步驟中形成的第I激光加工槽之間的交叉區(qū)域排除在外而照射激光光線，因此在通過第I激光加工槽去除的交叉區(qū)域上不照射激光光線，從而激光光線不會(huì)照射到形成在基板表面的光器件層上，能夠防止對(duì)光器件層帶來損傷。另外，根據(jù)本發(fā)明，在第I金屬膜去除步驟中，將與對(duì)應(yīng)于第2分割預(yù)定線的區(qū)域之間的交叉區(qū)域排除在外而照射激光光線，因此之后在第2金屬膜去除步驟中在對(duì)與第2分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域照射激光光線時(shí)，與在第I金屬膜去除步驟中形成的第I激光加工槽之間的交叉區(qū)域上存在金屬膜，從而激光光線不會(huì)照射到形成在基板表面上的光器件層，能夠防止對(duì)光器件層帶來損傷。


圖I是通過本發(fā)明的光器件晶片的加工方法加工的光器件晶片的立體圖及放大示出主要部分的剖視圖。圖2是示出本發(fā)明的光器件晶片的加工方法中的保護(hù)部件貼附步驟的說明圖。圖3是用于實(shí)施本發(fā)明的光器件晶片的加工方法中的第I金屬膜去除步驟及第2金屬膜去除步驟的激光加工裝置的主要部分立體圖。圖4是示出本發(fā)明的光器件晶片的加工方法中的第I實(shí)施方式的第I金屬膜去除步驟的說明圖。圖5是示出本發(fā)明的光器件晶片的加工方法中的第I實(shí)施方式的第2金屬膜去除步驟的說明圖?！D6是示出本發(fā)明的光器件晶片的加工方法中的第2實(shí)施方式的第I金屬膜去除步驟的說明圖。圖7是示出本發(fā)明的光器件晶片的加工方法中的第2實(shí)施方式的第2金屬膜去除步驟的說明圖。圖8是用于實(shí)施本發(fā)明的光器件晶片的加工方法中的改質(zhì)層形成步驟的激光加工裝置的主要部分立體圖。圖9是示出本發(fā)明的光器件晶片的加工方法中的改質(zhì)層形成步驟的說明圖。符號(hào)說明2:光器件晶片20 :藍(lán)寶石基板21 :光器件層221 :第I分割預(yù)定線222 :第2分割預(yù)定線23 :光器件24 :金屬膜3 :激光加工裝置30 :激光加工裝置31 :卡盤臺(tái)32:激光光線照射單元322 :聚光器33 :攝像單元T :保護(hù)帶
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的晶片的加工方法的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。在圖I的(a)及(b)中示出作為晶片的光器件晶片的立體圖及放大示出主要部分的剖視圖。在圖I的(a)及(b)所示的光器件晶片2中，例如在厚度為100 μ m的藍(lán)寶石基板20的表面20a上以例如10 μ m的厚度層疊了由η型氮化物半導(dǎo)體層211及ρ型氮化物半導(dǎo)體層212構(gòu)成的光器件層(外延層)21。并且，在光器件層(外延層)21中，在由在規(guī)定方向延伸的多個(gè)第I分割預(yù)定線221和在與該第I分割預(yù)定線221交叉的方向上形成的多個(gè)第2分割預(yù)定線222劃分而成的多個(gè)區(qū)域形成有發(fā)光二極管、激光二極管等光器件23。另外，在藍(lán)寶石基板20的背面20b上通過金屬蒸鍍而被覆形成有鋁、金等金屬膜24。該金屬膜24的厚度，在圖示的實(shí)施方式中被設(shè)定為I μ m。另外，在構(gòu)成光器件晶片2的藍(lán)寶石基板20的外周上形成有表示晶體取向的凹槽201。以下，對(duì)沿著第I分割預(yù)定線221及第2分割預(yù)定線222加工該光器件晶片2的方法進(jìn)行說明。首先，為了保護(hù)形成在構(gòu)成光器件晶片2的藍(lán)寶石基板20的表面20a上的光器件23，實(shí)施在光器件晶片2的表面2a上貼附保護(hù)部件的保護(hù)部件貼附步驟。即、如圖2所示，在光器件晶片2的表面2a上貼附由聚氯乙烯(PVC)等片材構(gòu)成的作為保護(hù)部件的保護(hù)帶T。在實(shí)施了上述的保護(hù)部件貼附步驟之后，實(shí)施通過從被覆在藍(lán)寶石基板20的背面20b上的金屬膜24側(cè)向與第I分割預(yù)定線221對(duì)應(yīng)的區(qū)域照射激光光線，沿著第I分割
預(yù)定線221去除金屬膜24，從而形成第I激光加工槽的第I金屬膜去除步驟；以及通過從被覆在藍(lán)寶石基板20的背面20b上的金屬膜24側(cè)向與第2分割預(yù)定線222對(duì)應(yīng)的區(qū)域照射激光光線，沿著第2分割預(yù)定線222去除金屬膜24，從而形成第2激光加工槽的第2金屬膜去除步驟。該第I金屬膜去除步驟及第2金屬膜去除步驟是使用圖3所示的激光加工裝置3來實(shí)施的。圖3所示的激光加工裝置3具有保持被加工物的卡盤臺(tái)31 ;對(duì)保持在該卡盤臺(tái)31上的被加工物照射激光光線的激光光線照射單元32 ;以及對(duì)保持在卡盤臺(tái)31上的被加工物進(jìn)行攝像的攝像單元33?？ūP臺(tái)31以吸引保持被加工物的方式構(gòu)成，在通過未圖示的加工進(jìn)給單元在圖3中箭頭X所示的加工進(jìn)給方向移動(dòng)的同時(shí)，通過未圖示的分度進(jìn)給單元在圖3中箭頭Y所示的分度進(jìn)給方向移動(dòng)。上述激光光線照射單元32包括實(shí)質(zhì)上水平配置的圓筒形狀的殼體321。在殼體321內(nèi)配設(shè)有脈沖激光光線振蕩單元，該脈沖激光光線振蕩單元具有未圖示的脈沖激光光線振蕩器和重復(fù)頻率設(shè)定單元。在上述殼體321的前端部安裝有用于對(duì)從脈沖激光光線振蕩單元振蕩出的脈沖激光光線進(jìn)行會(huì)聚的聚光器322。另外，激光光線照射單元32具有聚光點(diǎn)位置調(diào)整單元(未圖示)，該聚光點(diǎn)位置調(diào)整單元用于調(diào)整通過聚光器322會(huì)聚的脈沖激光光線的聚光點(diǎn)位置。在構(gòu)成上述激光光線照射單元32的殼體321的前端部上安裝的攝像單元33，除了在圖示的實(shí)施方式中通過可見光線進(jìn)行攝像的通常的攝像元件(CXD)以外，還由對(duì)被加工物照射紅外線的紅外線照明單元、捕捉通過該紅外線照明單元照射的紅外線的光學(xué)系統(tǒng)、輸出與通過該光學(xué)系統(tǒng)捕捉的紅外線對(duì)應(yīng)的電信號(hào)的攝像元件(紅外線CCD)等構(gòu)成，將所攝像的圖像信號(hào)送到未圖示的控制單元。另外，在未圖示的控制單元的存儲(chǔ)器中，以凹槽201為基準(zhǔn)存儲(chǔ)有設(shè)置在光器件層(外延層)21上的多個(gè)第I分割預(yù)定線221及多個(gè)第2分割預(yù)定線222的坐標(biāo)值(設(shè)計(jì)值)，其中，該光器件層(外延層)21形成在構(gòu)成上述圖I所示的光器件晶片2的藍(lán)寶石基板20的表面20a上。在使用上述的激光加工裝置3來實(shí)施上述第I金屬膜去除步驟及第2金屬膜去除步驟時(shí)，如圖3所示，在卡盤臺(tái)31上載置保護(hù)帶T側(cè)，該保護(hù)帶T貼附在構(gòu)成光器件晶片2的藍(lán)寶石基板20的表面20a上。并且，通過使未圖示的吸引單元工作，使光器件晶片2通過保護(hù)帶T保持在卡盤臺(tái)31上(晶片保持步驟)。因此，在保持在卡盤臺(tái)31上的光器件晶片2中，被覆在藍(lán)寶石基板20的背面20b上的金屬膜24成為上側(cè)。在實(shí)施了上述的晶片保持步驟之后，吸引保持了光器件晶片2的卡盤臺(tái)31通過未圖示的加工進(jìn)給單元而定位在攝像單元33的正下方。當(dāng)卡盤臺(tái)31定位在攝像單元33的正下方時(shí)，通過攝像單元33及未圖示的控制單元執(zhí)行光器件晶片2是否被定位在規(guī)定的坐標(biāo)值上的對(duì)準(zhǔn)作業(yè)。即、攝像單元33對(duì)形成在構(gòu)成光器件晶片2的藍(lán)寶石基板20的外周上的凹槽201進(jìn)行攝像，將該圖像信號(hào)送到未圖示的控制單元。并且，未圖示的控制單元根據(jù)從攝像單元33送來的圖像信號(hào)來判斷凹槽201是否位于規(guī)定的坐標(biāo)值處，在凹槽201不位于規(guī)定的坐標(biāo)值處時(shí)，轉(zhuǎn)動(dòng)卡盤臺(tái)31將凹槽201調(diào)整到定位在規(guī)定的坐標(biāo)值處，根據(jù)設(shè)計(jì)值檢測(cè)第I分割預(yù)定線221、第2分割預(yù)定線222 (對(duì)準(zhǔn)步驟)。當(dāng)如上所述實(shí)施了對(duì)準(zhǔn)步驟時(shí)，實(shí)施上述第I金屬膜去除步驟及第2金屬膜去除 步驟。參照?qǐng)D4及圖5對(duì)該第I金屬膜去除步驟及第2金屬膜去除步驟的第I實(shí)施方式進(jìn)行說明。S卩、如圖4的(a)所示，將卡盤臺(tái)31移動(dòng)到激光光線照射單元32的聚光器322所在的激光光線照射區(qū)域上，將與第I分割預(yù)定線221的規(guī)定的一端(在圖4的(a)中左端)對(duì)應(yīng)的坐標(biāo)值定位在激光光線照射單元32的聚光器322的正下方。接著，在從激光光線照射單元32的聚光器322照射激光光線的同時(shí)，使卡盤臺(tái)31以規(guī)定的加工進(jìn)給速度在圖4的
(a)中的箭頭XI所示的方向移動(dòng)。并且，如圖4的(b)所示，當(dāng)?shù)贗分割預(yù)定線221的另一端(在圖4的(b)中右端)到達(dá)聚光器322的正下方位置，在停止脈沖激光光線的照射的同時(shí)停止卡盤臺(tái)31的移動(dòng)。在該第I金屬膜去除步驟中，如圖4的(a)所示，將脈沖激光光線的聚光點(diǎn)P對(duì)齊到被覆在構(gòu)成光器件晶片2的藍(lán)寶石基板20的背面20b上的金屬膜24的上表面附近。其結(jié)果，如圖4的(b)所示，被覆在構(gòu)成光器件晶片2的藍(lán)寶石基板20的背面20b上的金屬膜24，被去除與第I分割預(yù)定線221對(duì)應(yīng)的區(qū)域而形成第I激光加工槽241 (第I金屬膜去除步驟)。另外，上述第I金屬膜去除步驟的加工條件是例如以如下的方式來設(shè)定的。激光光線的波長(zhǎng) 355nm重復(fù)頻率40kHz平均輸出0· 5 2W (根據(jù)金屬膜24的金屬而不同)聚光點(diǎn)直徑50μπι加工進(jìn)給速度 300mm/秒由此，如果沿著在光器件晶片2上形成的所有第I分割預(yù)定線221實(shí)施了上述第I金屬膜去除步驟，則使卡盤臺(tái)31轉(zhuǎn)動(dòng)90度。并且，實(shí)施第2金屬膜去除步驟，即，通過在與第2分割預(yù)定線222對(duì)應(yīng)的區(qū)域上照射激光光線，沿著第2分割預(yù)定線222去除金屬膜24，從而形成第2激光加工槽。在第2金屬膜去除步驟中，如圖5的(a)所示，將卡盤臺(tái)31移動(dòng)到激光光線照射單元32的聚光器322所在的激光光線照射區(qū)域上，將與第2分割預(yù)定線222的規(guī)定的一端(在圖5的(a)中左端)對(duì)應(yīng)的坐標(biāo)值定位在激光光線照射單元32的聚光器322的正下方。接著，在從激光光線照射單元32的聚光器322照射激光光線的同時(shí)使卡盤臺(tái)31以規(guī)定的加工進(jìn)給速度在圖5的(a)中的箭頭Xl所示的方向移動(dòng)。并且，當(dāng)與在上述第I金屬膜去除步驟中形成的第I激光加工槽241之間的交叉區(qū)域到達(dá)聚光器322的正下方時(shí)停止脈沖激光光線的照射，當(dāng)與第I激光加工槽241之間的交叉區(qū)域越過聚光器322的正下方時(shí)再次照射脈沖激光光線。由此，重復(fù)進(jìn)行脈沖激光光線的照射和停止，如圖5的(b)所示，當(dāng)在第2分割預(yù)定線222的另一端(在圖5的(b)中右端)到達(dá)聚光器322的正下方位置時(shí)，在停止脈沖激光光線的照射的同時(shí)停止卡盤臺(tái)31的移動(dòng)。在該第2金屬膜去除步驟中，如圖5的(a)所示，將脈沖激光光線的聚光點(diǎn)P對(duì)齊到被覆在構(gòu)成光器件晶片2的藍(lán)寶石基板20的背面20上的金屬膜24的上表面附近。其結(jié)果，如圖5的(c)所示，被覆在構(gòu)成光器件晶片2的藍(lán)寶石基板20的背面20b上的金屬膜24，將與在第I金屬膜去除步驟中形成的第I激光加工槽241之間的交叉區(qū)域排除在外而去除與第2分割預(yù)定線222對(duì)應(yīng)的區(qū)域，形成第2激光加工槽242 (第2金屬膜去除步驟)。另外，通過第2金屬膜去除步驟形成的第2激光加工槽242，可以如圖5的(d)所示與第I激光加工槽241略微重合，或者也可以如圖5的(e)所不與第I激光加工槽241略微分開。由此，沿著在光器件晶片2上形成的所有的第2分割預(yù)定線222來實(shí)施上述第2 金屬膜去除步驟。另外，第2金屬膜去除步驟的加工條件可以與上述第I金屬膜去除步驟的加工條件相同。如上所述，在第I實(shí)施方式中的第2金屬膜去除步驟中，由于將與在第I金屬膜去除步驟中形成的第I激光加工槽241之間的交叉區(qū)域排除在外而照射激光光線，因此在通過第I激光加工槽241去除的交叉區(qū)域上不照射激光光線，從而脈沖激光光線不會(huì)透過藍(lán)寶石基板20而照射到形成在表面20a上的光器件層21，能夠防止對(duì)光器件層21施加損傷。接著，對(duì)第I金屬膜去除步驟及第2金屬膜去除步驟的第2實(shí)施方式進(jìn)行說明。在該第2實(shí)施方式中，第I金屬膜去除步驟將與對(duì)應(yīng)于第2分割預(yù)定線222的區(qū)域之間的交叉區(qū)域排除在外地照射激光光線。在第2實(shí)施方式中的第I金屬膜去除步驟中，如圖6的(a)所示，將卡盤臺(tái)31移動(dòng)到激光光線照射單元32的聚光器322所在的激光光線照射區(qū)域上，將與第I分割預(yù)定線221的規(guī)定的一端(在圖6的(a)中左端)對(duì)應(yīng)的坐標(biāo)值定位在激光光線照射單元32的聚光器322的正下方。接著，在從激光光線照射單元32的聚光器322照射激光光線的同時(shí)使卡盤臺(tái)31以規(guī)定的加工進(jìn)給速度在圖6的(a)中的箭頭Xl所示的方向移動(dòng)。并且，當(dāng)與對(duì)應(yīng)于上述第2分割預(yù)定線222的區(qū)域之間的交叉區(qū)域到達(dá)聚光器322的正下方時(shí)停止脈沖激光光線的照射，當(dāng)與對(duì)應(yīng)于第2分割預(yù)定線222的區(qū)域之間的交叉區(qū)域越過聚光器322的正下方時(shí)再次照射脈沖激光光線。由此，重復(fù)進(jìn)行脈沖激光光線的照射和停止，如圖6的(b)所示，當(dāng)?shù)?分割預(yù)定線222的另一端(在圖6的
(b)中右端)到達(dá)聚光器322的正下方位置時(shí)，在停止脈沖激光光線的照射的同時(shí)停止卡盤臺(tái)31的移動(dòng)。在該第I金屬膜去除步驟中，如圖6的(a)所示，將脈沖激光光線的聚光點(diǎn)P對(duì)齊到被覆在構(gòu)成光器件晶片2的藍(lán)寶石基板20的背面20b上的金屬膜24的上表面附近。其結(jié)果，如圖6的(b)所示，被覆在構(gòu)成光器件晶片2的藍(lán)寶石基板20的背面20b上的金屬膜24，將與對(duì)應(yīng)于第2分割預(yù)定線222的區(qū)域之間的交叉區(qū)域排除在外而去除與第I分割預(yù)定線221對(duì)應(yīng)的區(qū)域，形成第I激光加工槽241 (第I金屬膜去除步驟)。由此，在沿著在光器件晶片2上形成的所有的第I分割預(yù)定線221實(shí)施了上述第I金屬膜去除步驟之后，使卡盤臺(tái)31轉(zhuǎn)動(dòng)90度。并且，實(shí)施第2金屬膜去除步驟，即，通過對(duì)與第2分割預(yù)定線222對(duì)應(yīng)的區(qū)域照射激光光線，沿著第2分割預(yù)定線222去除金屬膜24，形成第2激光加工槽。在第2實(shí)施方式中的第2金屬膜去除步驟中，如圖7的(a)所示，將卡盤臺(tái)31移動(dòng)到激光光線照射單元32的聚光器322所在的激光光線照射區(qū)域上，將與第2分割預(yù)定線222的規(guī)定的一端(在圖7的(a)中左端)對(duì)應(yīng)的坐標(biāo)值定位在激光光線照射單元32的聚光器322的正下方。接著，在從激光光線照射單元32的聚光器322照射激光光線的同時(shí)使卡盤臺(tái)31以規(guī)定的加工進(jìn)給速度在圖7的(a)中的箭頭Xl所示的方向移動(dòng)。并且，如圖7的(b)所示，當(dāng)?shù)?分割預(yù)定線222的另一端(在圖7的(b)中右端)到達(dá)聚光器322的正下方位置時(shí)，在停止脈沖激光光線的照射的同時(shí)停止卡盤臺(tái)31的移動(dòng)。在該第I金屬膜去除步驟中，如圖7的(a)所示，將脈沖激光光線的聚光點(diǎn)P對(duì)齊到被覆在構(gòu)成光器件晶片2的藍(lán)寶石基板20的背面20b上的金屬膜24的上表面附近。其結(jié)果，如圖7的(b)所示，被覆在構(gòu)成光器件晶片2的藍(lán)寶石基板20的背面20b上的金屬膜24，被去除與第2分割預(yù)定線222對(duì)應(yīng)的區(qū)域而形成第2激光加工槽242 (第2金屬膜去除步驟)。由此，沿著在光器 件晶片2上形成的所有的第2分割預(yù)定線222來實(shí)施上述第2金屬膜去除步驟。如上所述，在第2實(shí)施方式中的第I金屬膜去除步驟中，由于將與對(duì)應(yīng)于第2分割預(yù)定線222的區(qū)域之間的交叉區(qū)域排除在外地照射脈沖激光光線，因此之后在第2金屬膜去除步驟中對(duì)與第2分割預(yù)定線222對(duì)應(yīng)的區(qū)域照射脈沖激光光線時(shí)，在與在第I金屬膜去除步驟中形成的第I激光加工槽241之間的交叉區(qū)域上存在金屬膜，因此脈沖激光光線不會(huì)照射到形成在藍(lán)寶石基板20的表面20a上的光器件層21，能夠防止對(duì)光器件層21施加損傷。如上所述，在實(shí)施了第I金屬膜去除步驟及第2金屬膜去除步驟實(shí)施之后，實(shí)施改質(zhì)層形成步驟，即，從藍(lán)寶石基板20的背面20b側(cè)沿著第I激光加工槽241及第2激光加工槽242照射相對(duì)于藍(lán)寶石基板20具有透過性的波長(zhǎng)的激光光線，在藍(lán)寶石基板20的內(nèi)部沿著第I激光加工槽241及第2激光加工槽242形成改質(zhì)層。該改質(zhì)層形成步驟是使用圖8所示的激光加工裝置30來實(shí)施的。由于圖8所示的激光加工裝置30除了照射的脈沖激光光線以外，具有與上述圖3所示的激光加工裝置3實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)，因此對(duì)相同部件附上相同符號(hào)，省略其說明。在使用上述的激光加工裝置30實(shí)施改質(zhì)層形成步驟時(shí)，首先在圖8所示的激光加工裝置30的卡盤臺(tái)31上載置貼附在藍(lán)寶石基板20的表面20a上的保護(hù)帶T側(cè)，其中，該藍(lán)寶石基板20構(gòu)成實(shí)施了上述第I金屬膜去除步驟及第2金屬膜去除步驟的光器件晶片2。并且，通過使未圖示的吸引單元工作，將光器件晶片2通過保護(hù)帶T保持在卡盤臺(tái)31上(晶片保持步驟)。因此，在保持在卡盤臺(tái)31上的光器件晶片2中，被覆在藍(lán)寶石基板20的背面20b上的金屬膜24成為上側(cè)。實(shí)施了上述的晶片保持步驟后，吸引保持了光器件晶片2的卡盤臺(tái)31通過未圖示的加工進(jìn)給單元而定位在攝像單元33的正下方。當(dāng)卡盤臺(tái)31定位在攝像單元33的正下方時(shí)，通過攝像單元33及未圖示的控制單元執(zhí)行光器件晶片2是否定位在規(guī)定的坐標(biāo)值處的對(duì)準(zhǔn)作業(yè)。即、攝像單元33及未圖示的控制單元執(zhí)行用于進(jìn)行形成在金屬膜24上的第I激光加工槽241與沿著該第I激光加工槽241照射激光光線的激光光線照射單元32的聚光器322的對(duì)齊的圖案匹配等圖像処理，依次執(zhí)行激光光線照射位置的對(duì)準(zhǔn)(對(duì)準(zhǔn)步驟)，其中，該金屬膜24通過上述第I金屬膜去除步驟而被覆在構(gòu)成光器件晶片2的藍(lán)寶石基板20的背面20b上。另外,對(duì)于形成在金屬膜24上第2激光加工槽242,也同樣進(jìn)行激光光線照射位置的對(duì)準(zhǔn)，其中，該金屬膜24通過上述第2金屬膜去除步驟而被覆在構(gòu)成光器件晶片2的藍(lán)寶石基板20的背面20b上。由此，檢測(cè)形成在金屬膜24上的第I激光加工槽241及第2激光加工槽242，其中，該金屬膜24被覆在構(gòu)成保持在卡盤臺(tái)31上的光器件晶片2的藍(lán)寶石基板20的背面20b，進(jìn)行了激光光線照射位置的對(duì)準(zhǔn)后，如圖9的(a)所示，將卡盤臺(tái)31移動(dòng)到激光光線照射單元32的聚光器322所在的激光光線照射區(qū)域上，將第I激光加工槽241的規(guī)定的一端(在圖9的(a)中左端)定位在激光光線照射單元32的聚光器322的正下方。并且，將脈沖激光光線的聚光點(diǎn)P對(duì)齊到藍(lán)寶石基板20的厚度方向中央部。接著，在從聚光器322照射相對(duì)于藍(lán)寶石基板20具有透過性的波長(zhǎng)的脈沖激光光線的同時(shí)使卡盤臺(tái)31以規(guī)定的加工進(jìn)給速度在圖9的(a)中的箭頭XI所示的方向移動(dòng)。并且，如圖9的(b)所示，當(dāng)?shù)贗激光加工槽241的另一端(在圖9的(b)中右端)到達(dá)激光光線照射單元32的聚光器322的 照射位置上時(shí)，在停止脈沖激光光線的照射的同時(shí)停止卡盤臺(tái)31的移動(dòng)。其結(jié)果，在構(gòu)成光器件晶片2的藍(lán)寶石基板20的內(nèi)部，如圖9的(b)所示，沿著第I激光加工槽241形成有改質(zhì)層243。該改質(zhì)層243形成為熔融再固化層。上述改質(zhì)層243形成步驟的加工條件例如以如下所述的方式設(shè)定。脈沖激光光線的波長(zhǎng) 1045nm重復(fù)頻率100kHz平均輸出0. 3W聚光點(diǎn)直徑ρ1 2μπι加工進(jìn)給速度400mm/秒由此，沿著形成在光器件晶片2上的所有的第I分割預(yù)定線221執(zhí)行上述改質(zhì)層形成步驟后，使卡盤臺(tái)31轉(zhuǎn)動(dòng)90度。并且，沿著形成在光器件晶片2上的所有的第2分割預(yù)定線222來執(zhí)行上述改質(zhì)層形成步驟。實(shí)施了上述的改質(zhì)層形成步驟的光器件晶片2，通過施加外力，沿著形成有作為斷裂起點(diǎn)的改質(zhì)層243的第I分割預(yù)定線221及第2分割預(yù)定線222斷裂，轉(zhuǎn)移到分割成各個(gè)光器件的晶片分割步驟中。
權(quán)利要求
1.一種光器件晶片的加工方法，在基板的表面層疊光器件層，在由在規(guī)定方向上延伸的多個(gè)第I分割預(yù)定線和在與該第I分割預(yù)定線交叉的方向上形成的多個(gè)第2分割預(yù)定線劃分而成的多個(gè)區(qū)域形成光器件，在該基板的背面被覆了金屬膜，由此形成該光器件晶片，該光器件晶片的加工方法的特征在于包括 第I金屬膜去除步驟，從被覆在該基板的背面上的金屬膜側(cè)對(duì)與該第I分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域照射激光光線，沿著該第I分割預(yù)定線去除該金屬膜，從而形成第I激光加工槽；以及 第2金屬膜去除步驟，從被覆在該基板的背面上的金屬膜側(cè)對(duì)與該第2分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域照射激光光線，沿著該第2分割預(yù)定線去除該金屬膜，從而形成第2激光加工槽， 在該第2金屬膜去除步驟中，將與在該第I金屬膜去除步驟中形成的第I激光加工槽之間的交叉區(qū)域排除在外而照射激光光線。
2.一種光器件晶片的加工方法，在基板的表面層疊光器件層，在由在規(guī)定方向上延伸的多個(gè)第I分割預(yù)定線和在與該第I分割預(yù)定線交叉的方向上形成的多個(gè)第2分割預(yù)定線劃分而成的多個(gè)區(qū)域形成光器件，在該基板的背面被覆了金屬膜，由此形成該光器件晶片，該光器件晶片的加工方法的特征在于包括 第I金屬膜去除步驟，從被覆在該基板的背面的金屬膜側(cè)對(duì)與該第I分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域照射激光光線，沿著該第I分割預(yù)定線去除該金屬膜，從而形成第I激光加工槽；以及 第2金屬膜去除步驟，從被覆在該基板的背面的金屬膜側(cè)對(duì)與該第2分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域照射激光光線，沿著該第2分割預(yù)定線去除該金屬膜，從而形成第2激光加工槽， 在該第I金屬膜去除步驟中，將與對(duì)應(yīng)于該第2分割預(yù)定線的區(qū)域之間的交叉區(qū)域排除在外而照射激光光線。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的光器件晶片的加工方法，其中， 在實(shí)施了該第2金屬膜去除步驟之后，實(shí)施改質(zhì)層形成步驟，在該改質(zhì)層形成步驟中，從該基板的背面?zhèn)妊刂摰贗激光加工槽及該第2激光加工槽照射相對(duì)于該基板具有透過性的波長(zhǎng)的激光光線，在該基板的內(nèi)部沿著該第I激光加工槽及該第2激光加工槽形成改質(zhì)層。
全文摘要
本發(fā)明提供光器件晶片的加工方法，能夠不對(duì)光設(shè)備層施加損傷而去除與被覆在基板的背面上的金屬膜的分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域，該方法在基板表面上層疊光器件層，在由在規(guī)定方向延伸的多個(gè)第1分割預(yù)定線和在與第1分割預(yù)定線交叉的方向上形成的多個(gè)第2分割預(yù)定線劃分而成的多個(gè)區(qū)域形成光器件，在基板的背面上被覆金屬膜，包括從被覆在基板的背面上的金屬膜側(cè)對(duì)與第1分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域照射激光光線，通過沿著第1分割預(yù)定線去除金屬膜，形成第1激光加工槽的第1金屬膜去除步驟；以及從被覆在基板的背面上的金屬膜側(cè)對(duì)與第2分割預(yù)定線對(duì)應(yīng)的區(qū)域照射激光光線，通過沿著第2分割預(yù)定線去除金屬膜，形成第2激光加工槽的第2金屬膜去除步驟。
文檔編號(hào)B23K26/36GK102842534SQ20121019972
公開日2012年12月26日 申請(qǐng)日期2012年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月21日
發(fā)明者相川力, 遠(yuǎn)藤智裕, 星野仁志 申請(qǐng)人:株式會(huì)社迪思科