專利名稱：在半導體器件芯片玻璃鈍化膜上劃切的裝置及其使用方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種在半導體器件芯片玻璃鈍化膜上劃切的裝置，本發(fā)明還涉及上述裝置的使用方法。
背景技術：
半導體器件芯片劃切工藝中，目前普遍采用在芯片與芯片之間的硅材料上劃切區(qū)域內用砂輪刀片劃切的方法將待劃切的硅片貼在藍膜上，利用高速旋轉的砂輪刀片在硅片按縱向、橫向兩個方向劃切，然后將藍膜繃開使半導體器件芯片之間互相分離，便于后續(xù)成品的封裝。砂輪劃片的方法存在以下不足
1.砂輪劃片屬于接觸式劃切方法，硅片在劃切過程中容易受機械沖壓力，硅片容易變形、移位，造成半導體芯片因邊沿破碎及劃痕偏斜而造成報廢。2.砂輪刀片在劃切半導體器件芯片玻璃鈍化膜時速度很慢(一般在< 8mm/s左右)，生產(chǎn)效率極低、劃切后有較多裂紋、器件芯片表面含附著粉塵，嚴重影響產(chǎn)品特性。3.砂輪劃片需要較多消耗型輔助材料，如大量去離子水、砂輪刀片、修刀片、輔助工具等，所需維護成本、人力成本較高。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是針對上述不足，提供在半導體器件芯片玻璃鈍化膜上劃切速度快，消耗成本低，維護費用低、產(chǎn)能高、硅片面積利用率高的劃切裝置。本發(fā)明的另一個目的是提供上述劃切裝置的使用方法。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術方案是
在半導體器件芯片玻璃鈍化膜上劃切的裝置，包括能產(chǎn)生紫光激光束的激光器、供紫光激光束光路傳輸?shù)墓饴穫鬏斖ǖ?、對紫光激光光束進行發(fā)散的擴束裝置、改變紫光激光束平行方向的偏轉裝置、對發(fā)散后的紫光激光光束進行聚焦的光學聚焦裝置、將劃切過程中產(chǎn)生的粉塵吹盡的吹氣排氣裝置、保護半導體器件芯片表面的玻璃鈍化膜以及放置半導體器件芯片的操作平臺，所述激光器與光路傳輸通道相連，所述擴束裝置和偏轉裝置置于光路傳輸通道上，所述光學聚焦裝置設于紫光激光束的兩側，所述吹氣排氣裝置設于紫光激光束的一側。在半導體器件芯片玻璃鈍化膜上劃切裝置的使用方法，包括如下步驟
a、首先調節(jié)晶體溫度值每次微調0.1°C，并用功率測量器測量功率值，找到適合晶體正常工作的晶體溫度值為24_^TC,同時確保工作環(huán)境的溫濕度穩(wěn)定，保證激光器正常穩(wěn)定工作；
b、調節(jié)光路傳輸通道的水平偏光鏡，保證紫光激光束從激光器發(fā)射孔至擴束裝置入口處是水平的；
C、調節(jié)和固定擴束裝置位置，確保紫光激光束沿擴束裝置的中心軸線通過；d、調節(jié)偏轉裝置，使其與操作平臺水平面夾角成45°，確保紫光激光束經(jīng)偏轉裝置后垂直向下；
e、安裝并調節(jié)光學聚焦裝置，保證紫光激光束沿光學聚焦裝置的中心軸線經(jīng)過，并不發(fā)生激光束角度偏轉和激光束衍射；
f、調節(jié)并測試操作平臺的水平角度，保證激光束經(jīng)光學聚焦裝置后垂直照射于操作平
臺；
g、控制紫光激光束波長為355nm，在20—70KHZ范圍內調節(jié)激光器工作Q頻、在1 一 IOuS范圍內調節(jié)激光器低電平脈寬、在6—12倍范圍內調節(jié)擴束裝置發(fā)散倍數(shù)，調節(jié)聚焦裝置以滿足不同劃切對象的劃切需要，確保激光束焦點在玻璃鈍化膜表面上下50um之間；
h、根據(jù)玻璃鈍化膜的不同特性、半導體器件芯片的不同厚度、劃切線寬度、裂片難易程度，在20-35A間選擇合適大小的電流、在30-100mm/S范圍內選擇合適的劃切速度、在 30%-90%之間選擇合適的激光功率；
i、激光系統(tǒng)調整后或更換晶片批次時應對劃出的產(chǎn)品實施首檢，用高倍顯微鏡檢驗劃痕的表面情況，劃痕呈現(xiàn)平直，劃痕兩側無玻璃裂紋為合格，用高倍顯微鏡檢查劃切深度， 劃切深度是在硅表面以下O-IOOum為合格，若上述兩項檢驗項中有一項不合格，則需要重新調整激光系統(tǒng)參數(shù)，直至符合上述兩項要求為止；
j、檢驗合格后，將已劃切硅片的未劃切面貼在藍膜上，同時用刮板在藍膜上方對準硅片刮過，使硅片粘于藍膜上面，將蠟光紙有蠟的一面朝上放置到橡皮裂片臺上，再將已貼藍膜的硅片藍膜向上放置到臘光紙上；選用直徑與硅片大小相適配的軟橡膠輥，用合適的力度沿芯片的正方向即垂直于硅片主參考面的方向拿膠輥碾壓硅片，壓完一個方向后，將硅片和膠輥上的膠皮旋轉90度，再碾壓硅片的另一個方向即平行于硅片主參考面的方向，以所有芯片都已解體的最小力道為度；裂片后，顯微鏡下檢驗裂片情況芯片與芯片之間完全分離，芯片邊沿平直、芯片邊沿無碎裂為合格。本發(fā)明的優(yōu)點是
1.紫光激光束通過專用光學系統(tǒng)聚焦后成為一個非常小的光斑能量密度極高，劃切玻璃鈍化膜較為容易，且熱影響極小。2.由于激光劃切是非接觸式劃切，對半導體器件芯片本身無機械沖壓力且劃切精度極高，保證產(chǎn)品性能參數(shù)的同時提高產(chǎn)品成品率。3.激光劃切速度是砂輪劃切的5-8倍，且在劃切過程中不需要大量的去離子水， 在顯著提高生產(chǎn)效率、降低人力成本的同時又避免大量廢氣廢水的排放，符合綠色環(huán)保、科學可持續(xù)發(fā)展的觀念。


下面結合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細敘述。圖1為本發(fā)明實施例1和2結構示意圖。圖2為本發(fā)明實施例3和4結構示意圖。其中1、激光器，2、光路傳輸通道，3、擴束裝置、4、偏轉裝置，5、光學聚焦裝置，6、 吹氣排氣裝置、7、玻璃鈍化膜，8、半導體器件芯片，9、操作平臺，10、紫光激光束。
具體實施例方式實施例1
如圖1所示，本發(fā)明在半導體器件芯片玻璃鈍化膜上劃切的裝置，包括能產(chǎn)生紫光激光束10的激光器1、供紫光激光束10光路傳輸?shù)墓饴穫鬏斖ǖ?、對紫光激光束10進行發(fā)散的擴束裝置3、改變紫光激光束10平行方向的偏轉裝置4、對發(fā)散后的紫光激光束10進行聚焦的光學聚焦裝置5、將劃切過程中產(chǎn)生的粉塵吹盡的吹氣排氣裝置6、保護單臺面半導體器件芯片表面的玻璃鈍化膜7以及放置單臺面半導體器件芯片8的操作平臺9，所述激光器1與光路傳輸通道2相連，所述擴束裝置3和偏轉裝置4置于光路傳輸通道2上，所述光學聚焦裝置5設于紫光激光束10的兩側，所述吹氣排氣裝置6設于紫光激光束10的一側。上述劃切裝置在厚度為200um的單臺面半導體器件芯片上進行劃切，其使用方法，包括如下步驟
a、首先調節(jié)晶體溫度值每次微調0.1°C，并用功率測量器測量功率值，找到適合晶體正常工作的晶體溫度值為M°C，同時確保工作環(huán)境的溫濕度穩(wěn)定，保證激光器1正常穩(wěn)定工作；
b、調節(jié)光路傳輸通道2的水平偏光鏡，保證紫光激光束10從激光器1發(fā)射孔至擴束裝置3入口處是水平的；
C、調節(jié)和固定擴束裝置3的位置，確保紫光激光束10沿擴束裝置3的中心軸線通過；
d、調節(jié)偏轉裝置4，使其與操作平臺水平面夾角成45°，確保紫光激光束10經(jīng)偏轉裝置4后垂直向下；
e、安裝并調節(jié)光學聚焦裝置5，保證激光束沿光學聚焦裝置5的中心軸線經(jīng)過，并不發(fā)生紫光激光束10角度偏轉和衍射；
f、調節(jié)并測試操作平臺9的水平角度，保證紫光激光束10經(jīng)光學聚焦裝置5后垂直照射于操作平臺9 ；
g、控制紫光激光束10波長為355nm，調節(jié)激光器工作Q頻20KHZ、調節(jié)激光器低電平脈寬為MS、調節(jié)擴束裝置的發(fā)散倍數(shù)為8倍，調節(jié)聚焦裝置5，確保紫光激光束10焦點在玻璃鈍化膜表面上下50um之間；
h、選擇劃切線寬度為60um，選擇激光器的電流為20A，選擇劃切速度為30mm/S、激光功率為40% ；
i、激光系統(tǒng)調整后或更換晶片批次時應對劃出的產(chǎn)品實施首檢，用高倍顯微鏡檢驗劃痕的表面情況，劃痕呈現(xiàn)平直、劃痕兩側無玻璃裂紋為合格，用高倍顯微鏡檢查劃切深度， 劃切深度是在硅表面以下O-IOOum為合格，若上述兩項檢驗項中有一項不合格，則需要重新調整激光系統(tǒng)參數(shù)，直至符合上述兩項要求為止；
j、檢驗合格后，將已劃切硅片的未劃切面貼在藍膜上，同時用刮板在藍膜上方對準硅片刮過，使硅片粘于藍膜上面，將蠟光紙有蠟的一面朝上放置到橡皮裂片臺上，再將已貼藍膜的硅片藍膜向上放置到臘光紙上；選用直徑與硅片大小相適配的軟橡膠輥，用合適的力度沿芯片的正方向即垂直于硅片主參考面的方向拿膠輥碾壓硅片，壓完一個方向后，將硅片和膠輥上的膠皮旋轉90度，再碾壓硅片的另一個方向即平行于硅片主參考面的方向，以所有芯片都已解體的最小力道為度；裂片后，顯微鏡下檢驗裂片情況芯片與芯片之間完全分離，芯片邊沿平直、芯片邊沿無碎裂為合格。實施例2
如圖1所示，本發(fā)明在半導體器件芯片玻璃鈍化膜上劃切的裝置其結構同實施例1。上述劃切裝置在厚度為300um的單臺面半導體器件芯片上進行劃切，其使用方法，包括如下步驟
a、首先調節(jié)晶體溫度值每次微調0.1°C，并用功率測量器測量功率值，找到適合晶體正常工作的晶體溫度值為25°C，同時確保工作環(huán)境的溫濕度穩(wěn)定，保證激光器1正常穩(wěn)定工作；
b、調節(jié)光路傳輸通道2的水平偏光鏡，保證紫光激光束10從激光器發(fā)射孔至擴束裝置3入口處是水平的；
C、調節(jié)和固定擴束裝置3位置，確保紫光激光束10沿擴束裝置3的中心軸線通過；
d、調節(jié)偏轉裝置4，使其與操作平臺水平面夾角成45°，確保紫光激光束10經(jīng)偏轉裝置4后垂直向下；
e、安裝并調節(jié)光學聚焦裝置5，保證紫光激光束10沿光學聚焦裝置5的中心軸線經(jīng)過， 并不發(fā)生紫光激光束10角度偏轉和激光束衍射；
f、調節(jié)并測試操作平臺9的水平角度，保證紫光激光束10經(jīng)光學聚焦裝置5后垂直照射于操作平臺9 ；
g、控制紫光激光束10波長為355nm，調節(jié)激光器工作Q頻50KHZ、調節(jié)激光器低電平脈寬為6uS、調節(jié)擴束裝置發(fā)散倍數(shù)為10倍，調節(jié)聚焦裝置，確保激光束焦點在玻璃鈍化膜表面上下50um之間；
h、選擇劃切線寬度為90um，選擇激光器的電流為28A,選擇劃切速度為60mm/S、激光功率為70% ；
i、激光系統(tǒng)調整后或更換晶片批次時應對劃出的產(chǎn)品實施首檢，用高倍顯微鏡檢驗劃痕的表面情況，劃痕呈現(xiàn)平直、劃痕兩側無玻璃裂紋為合格，用高倍顯微鏡檢查劃切深度， 劃切深度是在硅表面以下O-IOOum為合格，若上述兩項檢驗項中有一項不合格，則需要重新調整激光系統(tǒng)參數(shù)，直至符合上述兩項要求為止。j、檢驗合格后，將已劃切硅片的未劃切面貼在藍膜上，同時用刮板在藍膜上方對準硅片刮過，使硅片粘于藍膜上面，將蠟光紙有蠟的一面朝上放置到橡皮裂片臺上，再將已貼藍膜的硅片藍膜向上放置到臘光紙上；選用直徑與硅片大小相適配的軟橡膠輥，用合適的力度沿芯片的正方向即垂直于硅片主參考面的方向拿膠輥碾壓硅片，壓完一個方向后， 將硅片和膠輥上的膠皮旋轉90度，再碾壓硅片的另一個方向即平行于硅片主參考面的方向，以所有芯片都已解體的最小力道為度；裂片后，顯微鏡下檢驗裂片情況芯片與芯片之間完全分離，芯片邊沿平直、芯片邊沿無碎裂為合格。實施例3
如圖2所示，本發(fā)明在半導體器件芯片玻璃鈍化膜上劃切的裝置包括能產(chǎn)生紫光激光束10的激光器1、供紫光激光束光路傳輸?shù)墓饴穫鬏斖ǖ?、對紫光激光束進行發(fā)散的擴束裝置3、改變紫光激光束10平行方向的偏轉裝置4、對發(fā)散后的紫光激光束進行聚焦的光學聚焦裝置5、將劃切過程中產(chǎn)生的粉塵吹盡的吹氣排氣裝置6、保護雙臺面半導體器件芯片 8表面的玻璃鈍化膜7以及放置雙臺面半導體器件芯片8的操作平臺9，所述激光器1與光路傳輸通道2相連，所述擴束裝置3和偏轉裝置4置于光路傳輸通道2上，所述光學聚焦裝置5設于紫光激光束10的兩側，所述吹氣排氣裝置6設于紫光激光束10的一側。上述劃切裝置在厚度為400um的雙臺面半導體器件芯片上進行劃切，其使用方法，包括如下步驟
a、首先調節(jié)晶體溫度值每次微調0.1°C，并用功率測量器測量功率值，找到適合晶體正常工作的晶體溫度值為^rc,同時確保工作環(huán)境的溫濕度穩(wěn)定，保證激光器1正常穩(wěn)定工作；
b、調節(jié)光路傳輸通道2的水平偏光鏡，保證紫光激光束10從激光器發(fā)射孔至擴束裝置3入口處是水平的；
C、調節(jié)和固定擴束裝置3位置，確保紫光激光束10沿擴束裝置3的中心軸線通過； d、調節(jié)偏轉裝置4，使其與操作平臺水平面夾角成45°，確保紫光激光束10經(jīng)偏轉裝置4后垂直向下；
e、安裝并調節(jié)光學聚焦裝置5，保證紫光激光束10沿光學聚焦裝置5的中心軸線經(jīng)過，并不發(fā)生激光束角度偏轉和激光束衍射；
f、調節(jié)并測試操作平臺9的水平角度，保證紫光激光束10經(jīng)光學聚焦裝置5后垂直照射于操作平臺9 ；
g、控制紫光激光束10波長為355nm，調節(jié)激光器工作Q頻70KHZ、調節(jié)激光器低電平脈寬為10uS、調節(jié)擴束裝置發(fā)散倍數(shù)為12倍，調節(jié)聚焦裝置，確保激光束焦點在玻璃鈍化膜表面上下50um之間；
h、選擇劃切線寬度為120um，選擇激光器的電流為35A，選擇劃切速度為100mm/S、激光功率為90% ；
i、激光系統(tǒng)調整后或更換晶片批次時應對劃出的產(chǎn)品實施首檢，用高倍顯微鏡檢驗劃痕的表面情況，劃痕呈現(xiàn)平直、劃痕兩側無玻璃裂紋為合格，用高倍顯微鏡檢查劃切深度， 劃切深度是在硅表面以下O-IOOum為合格，若上述兩項檢驗項中有一項不合格，則需要重新調整激光系統(tǒng)參數(shù)，直至符合上述兩項要求為止。j、檢驗合格后，將已劃切硅片的未劃切面貼在藍膜上，同時用刮板在藍膜上方對準硅片刮過，使硅片粘于藍膜上面，將蠟光紙有蠟的一面朝上放置到橡皮裂片臺上，再將已貼藍膜的硅片藍膜向上放置到臘光紙上；選用直徑與硅片大小相適配的軟橡膠輥，用合適的力度沿芯片的正方向即垂直于硅片主參考面的方向拿膠輥碾壓硅片，壓完一個方向后， 將硅片和膠輥上的膠皮旋轉90度，再碾壓硅片的另一個方向即平行于硅片主參考面的方向，以所有芯片都已解體的最小力道為度；裂片后，顯微鏡下檢驗裂片情況芯片與芯片之間完全分離，芯片邊沿平直、芯片邊沿無碎裂為合格。實施例4
如圖2所示，本發(fā)明在半導體器件芯片玻璃鈍化膜上劃切的裝置其結構同實施例3。上述劃切裝置在厚度為300um的雙臺面半導體器件芯片上進行劃切，其使用方法，包括如下步驟
a、首先調節(jié)晶體溫度值每次微調0. 1°C，并用功率測量器測量功率值，找到適合晶體正常工作的晶體溫度值為^rc,同時確保工作環(huán)境的溫濕度穩(wěn)定，保證激光器1正常穩(wěn)定工作；b、調節(jié)光路傳輸通道2的水平偏光鏡，保證紫光激光束10從激光器發(fā)射孔至擴束裝置3入口處是水平的；
C、調節(jié)和固定擴束裝置3位置，確保紫光激光束10沿擴束裝置3的中心軸線通過；
d、調節(jié)偏轉裝置4，使其與操作平臺水平面夾角成45°，確保激光束經(jīng)偏轉裝置4后垂直向下；
e、安裝并調節(jié)光學聚焦裝置5，保證紫光激光束10沿光學聚焦裝置5的中心軸線經(jīng)過， 并不發(fā)生激光束角度偏轉和激光束衍射；
f、調節(jié)并測試操作平臺9的水平角度，保證紫光激光束10經(jīng)光學聚焦裝置5后垂直照射于操作平臺9 ；
g、控制紫光激光束10波長為355nm，調節(jié)激光器工作Q頻60KHZ、調節(jié)激光器低電平脈寬為8uS、調節(jié)擴束裝置發(fā)散倍數(shù)為10倍，調節(jié)聚焦裝置，確保激光束焦點在玻璃鈍化膜表面上下50um之間；
h、選擇劃切線寬度為llOum，選擇激光器的電流為32A，選擇劃切速度為90mm/S、激光功率為85% ；
i、激光系統(tǒng)調整后或更換晶片批次時應對劃出的產(chǎn)品實施首檢，用高倍顯微鏡檢驗劃痕的表面情況，劃痕呈現(xiàn)平直、劃痕兩側無玻璃裂紋為合格，用高倍顯微鏡檢查劃切深度， 劃切深度是在硅表面以下O-IOOum為合格，若上述兩項檢驗項中有一項不合格，則需要重新調整激光系統(tǒng)參數(shù)，直至符合上述兩項要求為止。 j、檢驗合格后，將已劃切硅片的未劃切面貼在藍膜上，同時用刮板在藍膜上方對準硅片刮過，使硅片粘于藍膜上面，將蠟光紙有蠟的一面朝上放置到橡皮裂片臺上，再將已貼藍膜的硅片藍膜向上放置到臘光紙上；選用直徑與硅片大小相適配的軟橡膠輥，用合適的力度沿芯片的正方向即垂直于硅片主參考面的方向拿膠輥碾壓硅片，壓完一個方向后， 將硅片和膠輥上的膠皮旋轉90度，再碾壓硅片的另一個方向即平行于硅片主參考面的方向，以所有芯片都已解體的最小力道為度；裂片后，顯微鏡下檢驗裂片情況芯片與芯片之間完全分離，芯片邊沿平直、芯片邊沿無碎裂為合格。
權利要求
1.在半導體器件芯片玻璃鈍化膜上劃切的裝置，其特征是包括能產(chǎn)生紫光激光束的激光器、供紫光激光束光路傳輸?shù)墓饴穫鬏斖ǖ?、對紫光激光光束進行發(fā)散的擴束裝置、改變紫光激光束平行方向的偏轉裝置、對發(fā)散后的紫光激光光束進行聚焦的光學聚焦裝置、 將劃切過程中產(chǎn)生的粉塵吹盡的吹氣排氣裝置、保護半導體器件芯片表面的玻璃鈍化膜以及放置半導體器件芯片的操作平臺，所述激光器與光路傳輸通道相連，所述擴束裝置和偏轉裝置置于光路傳輸通道上，所述光學聚焦裝置設于紫光激光束的兩側，所述吹氣排氣裝置設于紫光激光束的一側。
2.在半導體器件芯片玻璃鈍化膜上劃切的裝置的使用方法，其特征是包括如下步驟a、首先調節(jié)晶體溫度值每次微調0.1°C，并用功率測量器測量功率值，找到適合晶體正常工作的晶體溫度值為24_^TC,同時確保工作環(huán)境的溫濕度穩(wěn)定，保證激光器正常穩(wěn)定工作；b、調節(jié)光路傳輸通道的水平偏光鏡，保證紫光激光束從激光器發(fā)射孔至擴束裝置入口處是水平的；C、調節(jié)和固定擴束裝置位置，確保紫光激光束沿擴束裝置的中心軸線通過；d、調節(jié)偏轉裝置，使其與操作平臺水平面夾角成45°，確保紫光激光束經(jīng)偏轉裝置后垂直向下；e、安裝并調節(jié)光學聚焦裝置，保證紫光激光束沿光學聚焦裝置的中心軸線經(jīng)過， 并不發(fā)生激光束角度偏轉和激光束衍射；f、調節(jié)并測試操作平臺的水平角度，保證激光束經(jīng)光學聚焦裝置后垂直照射于操作平臺；g、控制紫光激光束波長為355nm，在20—70KHZ范圍內調節(jié)激光器工作Q頻、在1 一 IOuS范圍內調節(jié)激光器低電平脈寬、在6—12倍范圍內調節(jié)擴束裝置發(fā)散倍數(shù)，調節(jié)聚焦裝置以滿足不同劃切對象的劃切需要，確保激光束焦點在玻璃鈍化膜表面上下50um之間；h、根據(jù)玻璃鈍化膜的不同特性、半導體器件芯片的不同厚度、劃切線寬度、裂片難易程度，在20-35A間選擇合適大小的電流、在30-100mm/S范圍內選擇合適的劃切速度、在 30%-90%之間選擇合適的激光功率；i、激光系統(tǒng)調整后或更換晶片批次時應對劃出的產(chǎn)品實施首檢，用高倍顯微鏡檢驗劃痕的表面情況，劃痕呈現(xiàn)平直，劃痕兩側無玻璃裂紋為合格，用高倍顯微鏡檢查劃切深度， 劃切深度是在硅表面以下O-IOOum為合格，若上述兩項檢驗項中有一項不合格，則需要重新調整激光系統(tǒng)參數(shù)，直至符合上述兩項要求為止；j、檢驗合格后，將已劃切硅片的未劃切面貼在藍膜上，同時用刮板在藍膜上方對準硅片刮過，使硅片粘于藍膜上面，將蠟光紙有蠟的一面朝上放置到橡皮裂片臺上，再將已貼藍膜的硅片藍膜向上放置到臘光紙上；選用直徑與硅片大小相適配的軟橡膠輥，用合適的力度沿芯片的正方向即垂直于硅片主參考面的方向拿膠輥碾壓硅片，壓完一個方向后，將硅片和膠輥上的膠皮旋轉90度，再碾壓硅片的另一個方向即平行于硅片主參考面的方向，以所有芯片都已解體的最小力道為度；裂片后，顯微鏡下檢驗裂片情況芯片與芯片之間完全分離，芯片邊沿平直、芯片邊沿無碎裂為合格。
全文摘要
本發(fā)明公開了在半導體器件芯片玻璃鈍化膜上劃切的裝置，其特征是包括激光器、光路傳輸通道、擴束裝置、偏轉裝置、光學聚焦裝置、吹氣排氣裝置、玻璃鈍化膜以及操作平臺，激光器與光路傳輸通道相連，光學聚焦裝置設于紫光激光束的兩側，吹氣排氣裝置設于紫光激光束的一側。本發(fā)明還公開了上述劃切裝置的使用方法，包括如下步驟調節(jié)晶體溫度值、調節(jié)光路傳輸通道的水平偏光鏡、調節(jié)和固定擴束裝置的位置、調節(jié)偏轉裝置、安裝并調節(jié)光學聚焦裝置、調節(jié)并測試操作平臺的水平角度、調節(jié)激光器工作Q頻和電頻脈寬、選擇合適大小的電流和劃切速度、產(chǎn)品檢驗。本發(fā)明的優(yōu)點是劃切速度快，消耗成本低，維護費用低、產(chǎn)能高、硅片面積利用率高。
文檔編號B23K26/36GK102284792SQ20111021041
公開日2011年12月21日 申請日期2011年7月26日 優(yōu)先權日2011年7月26日
發(fā)明者周榕榕, 王琳 申請人:啟東市捷捷微電子有限公司