一種硅基玻璃鈍化雙向觸發(fā)管芯片制造工藝的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于芯片制作領域，特別涉及一種硅基玻璃鈍化雙向觸發(fā)管芯片制造工
-H-
O
【背景技術】
[0002]目前，雙向觸發(fā)二極管在幾十年的發(fā)展過程中經歷了大致兩個過程:
[0003]—，運用硅器件的平面工藝制作該器件，存在下列弊端:
[0004]I:工藝復雜。2:漏電大，器件熱穩(wěn)定差。3:伏安特性不好。
[0005]二，利用白膠保護的臺面工藝制作該器件，存在下列弊端:
[0006]1:漏電大，器件熱穩(wěn)定差。2:生產過程環(huán)境污染嚴重。
[0007]以上兩種工藝存在的諸多弊端。特別是器件漏電大，熱溫定性差是以上兩工藝所共性。也是不可能逾越的自身工藝缺陷。
[0008]因此，現在亟需一種硅基玻璃鈍化雙向觸發(fā)管芯片制造工藝，能夠簡化生產工藝，降低漏電并提高器件的熱穩(wěn)定性和伏安特性。

【發(fā)明內容】

[0009 ]本發(fā)明提出一種硅基玻璃鈍化雙向觸發(fā)管芯片制造工藝，解決了現有技術中工藝復雜、漏電嚴重、器件熱穩(wěn)定性及伏安特性差的問題。
[0010]本發(fā)明的技術方案是這樣實現的:硅基玻璃鈍化雙向觸發(fā)芯片制造工藝，包括如下步驟，
[0011]SlOl:選擇硅片類型；
[0012]S201:對選擇后的硅片進行磷擴散處理，形成N+區(qū)；
[0013]S301:對磷擴散處理后的元件進行氧化處理；
[0014]S401:對氧化處理后的元件進行選擇性刻蝕；
[0015]S501:對選擇性刻蝕后的元件進行開槽處理；
[0016]S601:在開槽處理后的元件槽內形成保護層；
[0017]S701:在形成保護層的元件上電鍍形成電極。
[0018]作為一種優(yōu)選的實施方式，所述步驟S701后還設置有步驟S801:對電鍍后形成電極的元件進行劃片分離，劃片過程中進刀速度控制在5-6_/秒。
[0019]作為一種優(yōu)選的實施方式，所述步驟SlOl硅片類型為P型硅片，其電阻率P= 0.10-Ο.ΗΩ/CM，厚度 165±5 微米。
[0020]作為一種優(yōu)選的實施方式，所述步驟S201中的磷擴散處理包括對硅片的雙表面同時進行磷擴散處理，形成N+區(qū)，磷擴散處理的溫度控制在1250°C以上，磷擴散處理時間為20-23小時。中
[0021]作為一種優(yōu)選的實施方式，所述步驟S301中氧化處理具體包括:在磷擴散處理后的元件表面生長厚度為0.8微米到1.2微米的氧化層，氧化時溫度控制在1180°C以上，時間4-6小時，在氧化過程中先進行干氧氧化，再進行濕氧氧化，最后進行干氧氧化。
[0022]作為一種優(yōu)選的實施方式，所述步驟S401中選擇性刻蝕包括對氧化處理后元件的雙面進行勻膠并暴光，形成選擇性刻蝕區(qū)域。
[0023]作為一種優(yōu)選的實施方式，所述開槽處理利用化學腐蝕液開槽，形成臺面結構，化學腐蝕液使用前靜置48小時以上，并利用動態(tài)控制化學腐蝕液的溫度。
[0024]作為一種優(yōu)選的實施方式，所述步驟S601包括在槽內涂敷玻璃粉并燒結，形成保護層。
[0025]作為一種優(yōu)選的實施方式，所述步驟S701中形成電極具體包括一次形成鎳電極、合金處理后二次形成鎳電極。
[0026]作為一種優(yōu)選的實施方式，所述合金處理過程中使大氮氣做保護氣，流量控制為15升/分鐘，同時通入150毫升/分鐘的氫氣，防止表面氧化。
[0027]采用了上述技術方案后，本發(fā)明的有益效果是:本硅基玻璃鈍化雙向觸發(fā)管芯片制造工藝采用玻璃鈍化方式對臺面進行保護，同時利用了玻璃的良好耐熱性及良好的絕緣性，靜置沉淀的玻璃涂敷方法以及采用真空條件來燒結玻璃的方法保證了玻璃保護層的致密性明顯優(yōu)于普通方法所形成的玻璃層，從而減小了漏電，使器件的耐熱性和可靠性大幅提高，制造工藝簡單，避免了制造過程中對環(huán)境的污染，另外利用化學腐蝕液開槽處理的方法保證了超薄化腐片的效果。
【附圖說明】
[0028]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0029]圖1為本發(fā)明的工藝流程示意圖；
[0030]圖2為圖1中雙面擴磷處理及選擇性刻蝕的示意圖；
[0031]圖3為圖1中開槽處理、玻璃鈍化以及硅片分離的示意圖；
[0032]圖4為本發(fā)明工藝與常規(guī)工藝的情況對照表。
【具體實施方式】
[0033]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0034]如圖1-圖3所示，本硅基玻璃鈍化雙向觸發(fā)芯片制造工藝包括如下步驟:
[0035]SlOl:選擇硅片類型；
[0036]S201:對選擇后的硅片進行磷擴散處理，形成N+區(qū)；
[0037]S301:對磷擴散處理后的元件進行氧化處理；
[0038]S401:對氧化處理后的元件進行選擇性刻蝕；
[0039]S501:對選擇性刻蝕后的元件進行開槽處理；
[0040]S601:在開槽處理后的元件槽內形成保護層；
[0041]S701:在形成保護層的元件上電鍍形成電極。
[0042]具體的，步驟S701后還設置有步驟S801:對電鍍后形成電極的元件進行劃片分離，劃片過程中進刀速度控制在5-6mm/秒。
[0043]步驟SlOl硅片類型為P型硅片，其電阻率P = 0.10-0.14Ω/CM，厚度165±5微米。
[0044]步驟S201中的磷擴散處理包括對硅片的雙表面同時進行磷擴散處理，形成N+區(qū)，磷擴散處理的溫度控制在1250 °C以上，磷擴散處理時間為20-23小時。
[0045]步驟S301中氧化處理具體包括:在磷擴散處理后的元件表面生長厚度為0.8微米到1.2微米的氧化層，氧化時溫度控制在1180°C以上，時間4-6小時，在氧化過程中先進行干氧氧化，再進行濕氧氧化，最后進行干氧氧化。
[0046]步