專利名稱：標(biāo)記晶圓的方法、標(biāo)記劣品晶粒的方法、晶圓對(duì)位的方法、以及晶圓測(cè)試機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種標(biāo)記晶圓的方法，且特別有關(guān)于一種利用激光標(biāo) 記劣品晶粒的方法。
背景技術(shù)：
一般集成電路制程可依序區(qū)分為晶圓制造階段、晶粒測(cè)試階段以 及晶粒封裝階段，而隨著目前電子產(chǎn)品講究輕薄短小，因此現(xiàn)階段的 封裝技術(shù)為了降低封裝體積并改善集成電路效能，已逐漸趨向于覆晶 封裝、多晶粒模塊等高階封裝技術(shù)，然而這些高階封裝方式的成本高 昂，因此最好能夠在封裝前即針對(duì)晶粒進(jìn)行測(cè)試，以在后段封裝制程 前將這些劣品晶粒剔除，節(jié)省不必要的封裝成本。
一種晶圓無(wú)墨點(diǎn)測(cè)試方法可于晶圓測(cè)試后產(chǎn)生一晶圓圖像
(MAP)，以作為各晶粒的封裝依據(jù)，然而由于晶粒的尺寸漸趨微小，因 此此種無(wú)劣品晶粒標(biāo)記的方法容易在后續(xù)撿選晶粒的過(guò)程中造成失 誤，進(jìn)而增加出錯(cuò)的風(fēng)險(xiǎn)與不必要的成本支出。有鑒于此，目前在晶 圓測(cè)試后，為了可清楚分辨良品與劣品的晶粒，通常利用油墨在劣品 晶粒處作標(biāo)記，而根據(jù)晶粒的功能測(cè)試與其不良品標(biāo)記的步驟差異， 其可大致劃分為實(shí)時(shí)(online)和非實(shí)時(shí)(offline)等兩種標(biāo)記制程。所謂劣 品晶粒的實(shí)時(shí)標(biāo)記制程指當(dāng)測(cè)試機(jī)臺(tái)測(cè)試晶圓上的晶粒的功能后，隨 即根據(jù)測(cè)試機(jī)臺(tái)所輸出的測(cè)試結(jié)果而針對(duì)所檢測(cè)出的劣品晶粒打上墨 點(diǎn)，亦即其測(cè)試晶圓以及打墨點(diǎn)于劣品晶粒上的動(dòng)作于一個(gè)步驟完成。
然而，由于測(cè)試機(jī)臺(tái)較為昂貴，因此需有效利用其產(chǎn)能，而上述劣品 晶粒的實(shí)時(shí)油墨標(biāo)記制程不僅容易對(duì)測(cè)試機(jī)臺(tái)造成污染，且會(huì)影響其 產(chǎn)能，故目前業(yè)者多半采用劣品晶粒的非實(shí)時(shí)標(biāo)記制程，亦即當(dāng)測(cè)試 機(jī)臺(tái)檢測(cè)完晶圓上的各晶粒的功能后，先根據(jù)晶圓上各晶粒的測(cè)試結(jié) 果而產(chǎn)生一晶圓圖像，之后再將晶圓移至另一打墨機(jī)臺(tái)，并根據(jù)上述 測(cè)試結(jié)果所產(chǎn)生的晶圓圖像而于晶圓的劣品晶粒處打上墨點(diǎn)，以方便 后續(xù)的晶粒撿選。
參照?qǐng)D1，其繪示一晶圓非實(shí)時(shí)油墨標(biāo)記制程的簡(jiǎn)單示意圖。首
先，利用測(cè)試機(jī)臺(tái)檢測(cè)晶圓100上各晶粒102的功能后，根據(jù)晶圓100 上各晶粒102的分布排列以及測(cè)試結(jié)果而產(chǎn)生一晶圓圖像104，而晶圓 圖像104紀(jì)錄有對(duì)應(yīng)于晶圓100的劣品晶粒106的相關(guān)位置106'，以 及于晶圓100上等距重復(fù)出現(xiàn)的圖案，其通常為位于晶粒102間的切 割道的特定標(biāo)記。之后，將晶圓100移至一打墨機(jī)臺(tái)108中，并放置 于打墨機(jī)臺(tái)108的晶圓支撐架110上，以接著執(zhí)行一晶圓100對(duì)位的 步驟?，F(xiàn)有半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，例如打墨機(jī)臺(tái)108通常通過(guò)一 X-Y平移臺(tái)114 以移動(dòng)晶圓支撐架110及放置于其上的晶圓100，并僅利用一攝影機(jī) 112依序偵測(cè)晶圓IOO上指定位置的特定標(biāo)記，而為了節(jié)省晶圓對(duì)位所 需花費(fèi)的時(shí)間，其通常根據(jù)晶圓100的尺寸而僅選擇數(shù)個(gè)指定位置作 對(duì)位，之后再根據(jù)晶圓圖像104所紀(jì)錄劣品晶粒的相關(guān)位置106',利 用一打墨裝置116于其晶圓100上的對(duì)應(yīng)位置處進(jìn)行油墨標(biāo)記。當(dāng)進(jìn) 行上述油墨標(biāo)記制程時(shí)，X-Y平移臺(tái)114常載動(dòng)晶圓100，使晶圓IOO 的各個(gè)劣品晶粒106依序?qū)?yīng)于打墨裝置116的打墨位置，以進(jìn)行劣 品晶粒106的標(biāo)記制程。
上述X-Y平移臺(tái)114通常利用馬達(dá)所驅(qū)動(dòng)，然而由于機(jī)械的運(yùn)動(dòng) 會(huì)有其等比誤差的極限，因此當(dāng)晶粒102的尺寸愈小，其對(duì)晶圓100 偏移的容忍度也愈小。而晶圓100的移動(dòng)次數(shù)愈高，則攝影機(jī)112誤 抓與指定位置的特定標(biāo)記相同圖案的鄰近標(biāo)記的可能性大增，使晶圓 圖像104與實(shí)際晶圓100上的晶粒102位置易有偏差，進(jìn)而也增加了 誤標(biāo)的機(jī)會(huì)。
由于油墨管的內(nèi)徑以及油墨本身的粘滯性或其它因素，使得油墨
標(biāo)記有其極限的應(yīng)用尺寸，當(dāng)晶粒小于一定尺寸時(shí)，則油墨容易滲漏 而污染其它晶粒，故常需要依靠操作人員來(lái)目視檢查打完墨點(diǎn)的晶圓， 這樣的做法不僅增加了人力需求，且打墨作業(yè)時(shí)間長(zhǎng)，又常需多出另 一道烘烤制程以干燥油墨，影響生產(chǎn)效率甚鉅。再者，由于晶圓上的 墨點(diǎn)經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后容易產(chǎn)生變質(zhì)或脫落的現(xiàn)象，因此其測(cè)試資料無(wú) 法保存長(zhǎng)久以作為事后追蹤的參考依據(jù)，且晶圓需利用化學(xué)藥劑清洗 以重新進(jìn)行油墨標(biāo)記制程，其不僅浪費(fèi)時(shí)間，更增加了清洗機(jī)臺(tái)、化 學(xué)藥劑、以及重新標(biāo)記的油墨等成本。又，由于現(xiàn)有半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)及打 墨機(jī)臺(tái)的晶圓對(duì)位方式容易造成對(duì)位時(shí)間過(guò)長(zhǎng)或?qū)ξ徊粶?zhǔn)確等問(wèn)題， 因此業(yè)者需要一種新的晶圓對(duì)位方法，其不僅可有效縮減定位所需的 時(shí)間，并可用以解決對(duì)位不準(zhǔn)確的問(wèn)題，更可適用于現(xiàn)今半導(dǎo)體制程 和其它例如晶圓標(biāo)記或劣品晶粒標(biāo)記等制程的進(jìn)行。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的一目的為解決現(xiàn)有油墨標(biāo)記制程的墨 點(diǎn)尺寸不易控制、容易污染晶圓、以及作業(yè)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)等問(wèn)題，而由于 作業(yè)時(shí)間的縮短，因此所需的機(jī)臺(tái)數(shù)亦隨之減少，可有效節(jié)省廠房空 間。
本發(fā)明的再一目的為提出一種可易于控制劣品晶粒標(biāo)記的大小的 方法，以適應(yīng)應(yīng)各種不同尺寸的晶粒的需求。
本發(fā)明的又一目的為提出一種可永久標(biāo)記晶圓或劣品晶粒的方 法，以有效解決現(xiàn)有油墨標(biāo)記容易因環(huán)境或時(shí)間等因素所導(dǎo)致模糊或 難以辨識(shí)，使晶圓必須加以沖洗過(guò)后而重新進(jìn)行標(biāo)記制程的問(wèn)題。
本發(fā)明的另一目的為節(jié)省現(xiàn)有油墨標(biāo)記制程所需搭配的烘烤設(shè) 備、油墨清洗機(jī)臺(tái)及化學(xué)藥劑等成本。
本發(fā)明的再又一目的為提出一種標(biāo)記劣品晶粒的方法，其可易于
利用現(xiàn)今的測(cè)試機(jī)臺(tái)或打墨機(jī)臺(tái)而加以結(jié)合或改造，以節(jié)省機(jī)臺(tái)的成 本。
本發(fā)明的再另一目的為提出一種晶圓對(duì)位的方法，其不僅可有效 縮減晶圓對(duì)位的時(shí)間，更可用以解決晶圓對(duì)位不準(zhǔn)確的問(wèn)題，以利于 半導(dǎo)體制程和其它如打墨標(biāo)記等制程的進(jìn)行。
為達(dá)上述各目的，本發(fā)明一實(shí)施例提供一種標(biāo)記晶圓的方法，其 包括提供一具有至少兩個(gè)參考標(biāo)記的晶圓，此晶圓的一表面包含有多 個(gè)晶粒，同時(shí)檢測(cè)晶圓的上述參考標(biāo)記以執(zhí)行一晶圓對(duì)位的步驟，并 且利用一激光光對(duì)上述晶圓作標(biāo)記。
本發(fā)明另一實(shí)施例則提供了一種標(biāo)記劣品晶粒的方法，其包括提 供一具有至少兩個(gè)參考標(biāo)記的晶圓，此晶圓的一表面上包含有多個(gè)晶 粒與至少一劣品晶粒，同時(shí)檢測(cè)晶圓的上述參考標(biāo)記，以執(zhí)行一晶圓 對(duì)位的步驟，以及固定此晶圓的位置，并通過(guò)改變一激光光的路徑以 針對(duì)晶圓的上述劣品晶粒處作不良品標(biāo)記。
本發(fā)明又另一實(shí)施例則提供了一種標(biāo)記劣品晶粒的方法，其包括 提供一具有至少兩個(gè)參考標(biāo)記的晶圓，此晶圓的一表面上包含有多個(gè)
晶粒與至少一劣品晶粒，同時(shí)檢測(cè)晶圓的上述參考標(biāo)記，以執(zhí)行一晶 圓對(duì)位的步驟，接著固定此晶圓的位置，并且提供一設(shè)有至少一個(gè)符 號(hào)的遮蔽罩，使一激光光通過(guò)此遮蔽罩的上述符號(hào)，而于晶圓的上述 劣品晶粒處形成具有與上述符號(hào)相同態(tài)樣的不良品標(biāo)記。
本發(fā)明的再又一實(shí)施例提供了一種晶圓對(duì)位的方法，其包括提供 一晶圓，此晶圓具有至少兩個(gè)參考標(biāo)記，并提供一偵測(cè)系統(tǒng)裝置，以 同時(shí)檢測(cè)晶圓的上述參考標(biāo)記，其中此偵測(cè)系統(tǒng)裝置紀(jì)錄有上述參考 標(biāo)記的參考位置和圖案。
本發(fā)明的再另一實(shí)施例則提供了一種晶圓測(cè)試機(jī)，其包含一承載 臺(tái)用以承載一包含有至少一劣品晶粒的晶圓， 一可產(chǎn)生一激光光用以 標(biāo)記各劣品晶粒的激光裝置，以及一控制裝置可用于讀取一劣品晶粒 位置檔案，進(jìn)而控制此激光裝置的標(biāo)記動(dòng)作。另，此晶圓測(cè)試機(jī)可更 包含一檢測(cè)裝置用以檢測(cè)一晶圓的多個(gè)晶粒，進(jìn)而產(chǎn)生上述劣品晶粒 位置檔案。
為讓本發(fā)明的上述目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉 出較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1顯示一現(xiàn)有晶圓非實(shí)時(shí)油墨標(biāo)記制程的簡(jiǎn)單示意圖2A為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的標(biāo)記晶圓的方法的簡(jiǎn)單示意圖2B為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的標(biāo)記劣品晶粒的方法的簡(jiǎn)單示意圖2C為根據(jù)本發(fā)明又另一實(shí)施例的標(biāo)記劣品晶粒的方法的剖面 示意圖2D為根據(jù)本發(fā)明又另一實(shí)施例所提供的液晶遮蔽罩的俯視圖； 圖3為根據(jù)本發(fā)明再另一實(shí)施例所提供的晶圓測(cè)試機(jī)的簡(jiǎn)單示意圖。
圖中符號(hào)說(shuō)明 100 晶圓 102 晶粒 104 晶圓圖像 106 劣品晶粒
106' 晶圓圖像對(duì)應(yīng)晶圓的劣品晶粒的相關(guān)位置 108 打墨機(jī)臺(tái) 110 晶圓支撐架 112 攝影機(jī)
114X-Y平移臺(tái)
116打墨裝置
200晶圓
202晶粒
204參考標(biāo)記
206偵測(cè)系統(tǒng)裝置
208視覺(jué)機(jī)構(gòu)
210激光裝置
212光學(xué)模塊
220晶圓圖像
222晶圓圖像所記錄的劣
222，不良品標(biāo)記
230光均化器
240遮蔽罩
240，液晶遮蔽罩
242符號(hào)
244驅(qū)動(dòng)控制單元
250光結(jié)像組
300晶圓測(cè)試機(jī)
302承載臺(tái)
310檢測(cè)裝置
315控制裝置
320激光裝置
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明列舉一些實(shí)施例詳述如下，其中相關(guān)的圖標(biāo)并未依據(jù)實(shí)際 樣式或比例繪制，其作用僅在于方便表達(dá)本發(fā)明的特征，而為求內(nèi)容 的簡(jiǎn)潔，說(shuō)明書中相同標(biāo)示的符號(hào)說(shuō)明表示具有相同功能的構(gòu)件。另， 以下所提供的實(shí)施例僅為方便說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)特征，本發(fā)明的范圍 不受所提供的實(shí)施例限定，而以本發(fā)明所提出的權(quán)利要求書為準(zhǔn)。 首先，本發(fā)明一實(shí)施例提供一種晶圓標(biāo)記制程，其利用激光進(jìn)行 晶圓標(biāo)記，并搭配本發(fā)明另所提供的晶圓對(duì)位的方法，以節(jié)省晶圓對(duì) 位的時(shí)間，并提高晶圓對(duì)位的準(zhǔn)確性，更而方便進(jìn)行后續(xù)晶圓標(biāo)記的 制程。
參照?qǐng)D2A，首先提供一晶圓200，其晶圓200的一表面包含有多 個(gè)晶粒202，且晶圓200具有至少兩個(gè)參考標(biāo)記204。在此實(shí)施例中， 晶圓200具有4個(gè)參考標(biāo)記204，其利用激光光所作的標(biāo)示，并可位于 晶圓200的不同晶粒202上，且較佳選擇相對(duì)距離較遠(yuǎn)的晶粒202，以 將位置偏離的誤差一并考量進(jìn)來(lái)。由于激光光可易于經(jīng)程序化而控制 其所標(biāo)示的參考標(biāo)記204的尺寸及形狀，因此有利于業(yè)者根據(jù)不同考 量，例如選擇較容易辨識(shí)且較不同于晶粒圖形的圖案，如此可避免后 續(xù)在晶圓200對(duì)位的過(guò)程中造成誤判而使得晶圓200對(duì)位不準(zhǔn)確。由 于在整個(gè)半導(dǎo)體制程中，位于晶圓200較外圍處的晶粒通常較容易因 膜厚或制程溫度等影響，使得位于晶圓200較外圍處的晶粒相較于晶 圓中央的晶粒有較差的條件而影響其性能，且由于晶圓200本身為圓 形，因此位于晶圓200較外圍處的晶粒常為不完全的晶粒，適于作為 本實(shí)施例形成參考標(biāo)記處。然而本領(lǐng)域技術(shù)人員亦可根據(jù)不同需求而 選擇不同數(shù)量、位置、形式或大小的參考標(biāo)記204，例如根據(jù)晶圓200 尺寸和對(duì)位準(zhǔn)確性的考量可選擇兩個(gè)或兩個(gè)以上的參考標(biāo)記204以進(jìn) 行對(duì)位的偵測(cè)，亦或參考標(biāo)記204可標(biāo)示于晶圓200的晶粒202間的 切割道處或晶圓200不包含晶粒202的另一表面上，并可包含經(jīng)由光 罩而于晶圓200表面所形成的圖案，本發(fā)明并非受限于此。
接著，同時(shí)檢測(cè)晶圓200上的參考標(biāo)記204,以執(zhí)行一晶圓200 對(duì)位的步驟。在此實(shí)施例中，提供一紀(jì)錄有參考標(biāo)記204的參考位置 和圖案的偵測(cè)系統(tǒng)裝置206，而其所紀(jì)錄的參考標(biāo)記204的參考位置和 圖案可根據(jù)同產(chǎn)品之一或多片晶圓200所提供的參考標(biāo)記的位置和圖 案等數(shù)據(jù)所建立的晶圓圖像220，而為了管理和制程上的方便考量，同
產(chǎn)品晶圓200的參考標(biāo)記204較佳具有相同的位置。上述偵測(cè)系統(tǒng)裝 置206可包含至少一視覺(jué)機(jī)構(gòu)208,以用于比對(duì)偵測(cè)系統(tǒng)裝置206紀(jì)錄 有上述參考標(biāo)記204的參考位置和圖案與晶圓200的參考標(biāo)記204的 實(shí)際位置和圖案，并可檢査及紀(jì)錄晶圓200的圖形或顏色等條件的差 異或變化，以作為制程條件是否變動(dòng)的參考基準(zhǔn)。上述視覺(jué)機(jī)構(gòu)208 的數(shù)量可根據(jù)其可視范圍或他種考量而變化。當(dāng)晶圓200的參考標(biāo)記 204的實(shí)際位置和圖案與偵測(cè)系統(tǒng)裝置206所紀(jì)錄的參考標(biāo)記的參考位 置和圖案相符時(shí)，即完成晶圓200對(duì)位的步驟。在此實(shí)施例中，偵測(cè) 系統(tǒng)裝置206的視覺(jué)機(jī)構(gòu)208可包含攝影機(jī)，然而本領(lǐng)域技術(shù)人員亦 可依其不同考量而選擇其它偵測(cè)方式，例如提供與偵測(cè)系統(tǒng)裝置206
所連接的一或一條以上的光纖，并根據(jù)偵測(cè)系統(tǒng)裝置206所紀(jì)錄的參 考標(biāo)記204的參考位置調(diào)整光纖所對(duì)應(yīng)的位置，以同時(shí)偵測(cè)并比對(duì)晶 圓200上的參考標(biāo)記204的實(shí)際位置和圖案。而當(dāng)偵測(cè)系統(tǒng)裝置206 紀(jì)錄有參考標(biāo)記204的參考位置和圖案與晶圓200的參考標(biāo)記的實(shí)際 位置和圖案比對(duì)不相符時(shí)，則可利用人工或其它方式再次進(jìn)行確認(rèn)。
由于現(xiàn)有的半導(dǎo)體制程或劣品晶粒標(biāo)記打墨制程的對(duì)位步驟通常 僅具有一個(gè)攝影機(jī)用以偵測(cè)晶圓上的圖案，且需利用馬達(dá)載動(dòng)晶圓以
依序檢測(cè)晶圓上指定位置的特定標(biāo)記，如此一來(lái)，當(dāng)晶圓尺寸越大、 或者晶粒的尺寸愈小以及其所需對(duì)位的準(zhǔn)確性要求提高時(shí)，則必然面 對(duì)晶圓對(duì)位步驟的時(shí)間拉長(zhǎng)或準(zhǔn)確性下降的問(wèn)題。本發(fā)明一實(shí)施例利 用偵測(cè)系統(tǒng)裝置206，其可包含至少一視覺(jué)機(jī)構(gòu)208，以同時(shí)檢測(cè)晶圓 200的參考標(biāo)記204，如此一來(lái)不僅可縮短晶圓的對(duì)位時(shí)間，且由于在 晶圓200的對(duì)位過(guò)程中不需利用馬達(dá)來(lái)載動(dòng)晶圓200，因此更可避免機(jī) 械移動(dòng)的極限而影響晶圓200對(duì)位的準(zhǔn)確性。
在執(zhí)行完晶圓200的對(duì)位步驟后，可利用一激光裝置210產(chǎn)生一 激光光以對(duì)晶圓200作標(biāo)記，而使用激光光標(biāo)記晶圓200具有速度極 快，且永久標(biāo)記的特性，亦即不會(huì)因制程的環(huán)境或種種因素而移除等 優(yōu)點(diǎn)。在此實(shí)施例中，為了避免移動(dòng)晶圓200而造成偏移，使得所欲
標(biāo)記的晶圓位置有所偏差，因此當(dāng)進(jìn)行此晶圓200標(biāo)記的步驟時(shí)，其
晶圓200的位置較佳為固定不動(dòng)。然而，根據(jù)激光光的聚焦深度，可 稍加上下調(diào)整晶圓200的位置，以形成較佳的激光標(biāo)記圖形。
再者，為了避免激光光標(biāo)記晶圓200時(shí)產(chǎn)生粉塵，進(jìn)而污染到晶 圓200的表面，其可采用波長(zhǎng)范圍介于355~655納米的激光。此實(shí)施 例使用波長(zhǎng)約532納米的釹雅鉻激光為例，在此波長(zhǎng)范圍下于晶圓200 上所形成的標(biāo)志為黑色，其與晶粒間有較強(qiáng)烈的對(duì)比，容易為視覺(jué)機(jī) 構(gòu)208所判別，不易造成誤挑，更有粉塵少等優(yōu)點(diǎn)。除了選擇激光光 的波長(zhǎng)范圍外，為了避免激光標(biāo)記晶圓200的過(guò)程中產(chǎn)生粉塵而污染 晶圓200表面，亦可于進(jìn)行激光光標(biāo)記晶圓200的步驟同時(shí)，執(zhí)行一 除塵步驟，例如通過(guò)抽氣法而將標(biāo)記過(guò)程中所形成的粉塵移除，亦或 者將晶圓200具有晶粒202的表面朝向一重力方向，使粉塵因重力作 用而直接落下，避免對(duì)晶圓表面造成污染，又或者將晶圓200具有晶 粒202的表面朝向一重力方向，并同時(shí)執(zhí)行一除塵的抽氣步驟。
根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例所提供的晶圓對(duì)位方法以及標(biāo)記晶圓的方 法，由于其有效提高了晶圓對(duì)位的準(zhǔn)確性，且利用激光標(biāo)記晶圓具有 容易控制其標(biāo)記形狀和大小的特性，因此可適用于晶圓上更小單位例 如晶粒的標(biāo)記制程。
本發(fā)明另一實(shí)施例參照上述實(shí)施例而提供一種標(biāo)記劣品晶粒的方 法，如圖2B所示，然而本發(fā)明并非以標(biāo)記劣品晶粒為限，亦可適用于 一般晶圓或晶粒的標(biāo)記制程。在此實(shí)施例中，根據(jù)晶圓測(cè)試結(jié)果產(chǎn)生 的晶圓圖像220所記錄的劣品晶粒222處，通過(guò)改變上述激光光的路 徑，以于晶圓200對(duì)應(yīng)晶圓圖像220所記錄的劣品晶粒222處作一不 良品標(biāo)記222'。在此實(shí)施例中，激光裝置210所提供的激光光可經(jīng)由 一光學(xué)模塊212而改變其激光光的X軸向及Y軸向，使得激光光在晶 圓200所欲的位置上進(jìn)行標(biāo)記，例如劣品晶粒222'所示處。在此實(shí)施 例中，光學(xué)模塊212可例如包含至少一個(gè)反射鏡，通過(guò)改變反射鏡的
角度即能有效反射激光光并改變其路徑，且由于改變反射鏡的角度只 需微動(dòng)，因此其相較于利用馬達(dá)載動(dòng)晶圓而言有較快的速度以及較高 的精準(zhǔn)度。然而本發(fā)明并非受限于此實(shí)施例，激光裝置210亦可通過(guò) 例如一微動(dòng)馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)而改變激光光的路徑，而其移動(dòng)速度和機(jī)械的 靈敏度均較先前技術(shù)使用馬達(dá)驅(qū)動(dòng)承載晶圓的X-Y平移臺(tái)為佳。
此外，有別于上述通過(guò)改變激光光的路徑以于晶圓200的劣品晶
粒處進(jìn)行標(biāo)記的方法，本發(fā)明又另一實(shí)施例參照上述實(shí)施例而提供一
種標(biāo)記劣品晶粒的方法，如圖2C所示。
參照?qǐng)D2C，在此實(shí)施例中，激光裝置210可發(fā)射一具有特定波長(zhǎng) 范圍的激光光，接著激光光可經(jīng)由一光均化器230而將其能量分布予 以均化，之后再通過(guò)一遮蔽罩240，并通過(guò)一光結(jié)像組250使激光光聚 焦于晶圓200處，以對(duì)晶圓200進(jìn)行標(biāo)記。上述遮蔽罩240設(shè)有至少 一個(gè)符號(hào)，激光光可通過(guò)遮蔽罩240的上述符號(hào)，而于晶圓200例如 其劣品晶粒處，形成具有與遮蔽罩240所設(shè)的符號(hào)相同態(tài)樣的標(biāo)記。
為使激光光通過(guò)遮蔽罩240的上述符號(hào)，于晶圓200的不同位置 例如其劣品晶粒處形成與遮蔽罩240所設(shè)符號(hào)相同態(tài)樣的標(biāo)記，可具 有多種實(shí)施的方法。例如通過(guò)移動(dòng)遮蔽罩240，使激光光于遮蔽罩240 上所設(shè)符號(hào)對(duì)應(yīng)于晶圓200的劣品晶粒處時(shí)作標(biāo)記。又，遮蔽罩240 亦可為一液晶遮蔽罩240，，如圖2D所示。上述液晶遮蔽罩240，可為一 由上、下兩透明基板將液晶分子夾制而成的透射式液晶掩模，其設(shè)有 至少一個(gè)符號(hào)242，且符號(hào)242的形狀、大小和顯示位置均可經(jīng)由能控 制液晶分子轉(zhuǎn)向的呈矩陣排列的驅(qū)動(dòng)控制單元244而控制。上述液晶 遮蔽罩240'可根據(jù)晶圓測(cè)試結(jié)果所產(chǎn)生的晶圓圖像所記錄的劣品晶粒 的位置，同時(shí)設(shè)定其符號(hào)242的所在位置，使激光光可一并通過(guò)上述 液晶遮蔽罩240'的符號(hào)242，而同時(shí)于晶圓200處形成劣品晶粒的不良 品標(biāo)記，如此將可更為有效節(jié)省標(biāo)記制程的時(shí)間。而當(dāng)液晶遮蔽罩240' 無(wú)法涵蓋整個(gè)晶圓200有待標(biāo)記的范圍，則可將晶圓200分為數(shù)個(gè)部
分，利用液晶遮蔽罩240'分別針對(duì)晶圓的數(shù)個(gè)部分而分次進(jìn)行晶圓的 標(biāo)記制程。
本發(fā)明上述實(shí)施例可有效解決現(xiàn)有油墨標(biāo)記制程的墨點(diǎn)尺寸不易 控制、容易污染晶圓、以及作業(yè)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)等問(wèn)題，由于作業(yè)時(shí)間的縮 短，因此所需的機(jī)臺(tái)數(shù)亦隨之減少，可有效節(jié)省廠房空間。本發(fā)明利 用激光光對(duì)晶圓作標(biāo)記， 一方面可易于控制劣品晶粒標(biāo)記的大小，以 適應(yīng)各種不同尺寸的晶粒的需求，并可永久標(biāo)記劣品晶粒，以有效解 決現(xiàn)有油墨標(biāo)記容易因環(huán)境或時(shí)間等因素所導(dǎo)致模糊或難以辨識(shí)，使 晶圓必須加以沖洗過(guò)后而重新進(jìn)行標(biāo)記制程的問(wèn)題。另，本發(fā)明所提 供的劣品晶粒標(biāo)記的方法具有易于利用現(xiàn)今的油墨機(jī)臺(tái)進(jìn)行改造的特 點(diǎn)。又，上述實(shí)施例中采用了本發(fā)明再又一實(shí)施例所提供的晶圓對(duì)位 的方法，其不僅可節(jié)省晶圓對(duì)位的時(shí)間，更可提高晶圓對(duì)位的準(zhǔn)確性， 并且容易適用于其它需要晶圓對(duì)位的半導(dǎo)體制程上，例如微影與蝕刻 制程、以及掃描式電子顯微鏡等測(cè)試機(jī)臺(tái)的量測(cè)制程中。
此外，現(xiàn)有的劣品晶粒實(shí)時(shí)標(biāo)記制程由于采用油墨進(jìn)行標(biāo)記，其 具有油墨干燥時(shí)間長(zhǎng)而容易降低昂貴的測(cè)試機(jī)臺(tái)的產(chǎn)能，以及容易滲 漏油墨而污染測(cè)試機(jī)臺(tái)或晶圓等缺點(diǎn)，因此現(xiàn)有的劣品晶粒油墨標(biāo)記 制程多半與晶圓的測(cè)試步驟分開(kāi)，亦即所謂劣品晶粒的非實(shí)時(shí)油墨標(biāo) 記制程。
然而，本發(fā)明利用激光取代了現(xiàn)有利用油墨對(duì)晶圓的劣品晶粒作 不良品標(biāo)記的方法，由于激光標(biāo)記的速度極快，且經(jīng)由控制其波長(zhǎng)范 圍或加設(shè)除塵設(shè)備等方式則不致對(duì)晶圓表面造成污染，因此本發(fā)明的
再另一實(shí)施例中提供了一種晶圓測(cè)試機(jī)，如圖3所示。
圖3為本發(fā)明再另一實(shí)施例所提供的晶圓測(cè)試機(jī)300的簡(jiǎn)單示意 圖，其包含一承載臺(tái)302用以承載一包含有至少一劣品晶粒的晶圓200， 一可產(chǎn)生一激光光用以標(biāo)記各劣品晶粒的激光裝置320，以及一控制裝
置315可用于讀取一劣品晶粒位置檔案，進(jìn)而控制此激光裝置的標(biāo)記動(dòng)作。另，此晶圓測(cè)試機(jī)300更可包含一檢測(cè)裝置310用以檢測(cè)一晶 圓的多個(gè)晶粒，進(jìn)而產(chǎn)生上述劣品晶粒位置檔案。當(dāng)檢測(cè)裝置310檢 測(cè)出晶圓200的晶粒中具有一劣品晶粒，則上述激光裝置320可提供 一激光光以實(shí)時(shí)針對(duì)所檢測(cè)出的劣品晶粒進(jìn)行不良品標(biāo)記。在此晶圓 測(cè)試機(jī)300中，其尚可包含一光學(xué)模塊212用以改變激光光的路徑， 且激光光的波長(zhǎng)范圍亦可較佳介于355至655納米之間，以避免產(chǎn)生 過(guò)多的粉塵。在此實(shí)施例中，其可利用現(xiàn)有的晶圓測(cè)試機(jī)臺(tái)加裝一可 接收來(lái)自晶圓測(cè)試結(jié)果的激光裝置而加以結(jié)合或改造，其不僅能減少 機(jī)臺(tái)的淘汰以節(jié)省機(jī)臺(tái)成本，更可節(jié)省廠房的空間。
雖然本發(fā)明已以數(shù)個(gè)較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本 發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在未脫離本發(fā)明所揭示的精神下所完成 的等效改變或修飾，均應(yīng)包含在權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種標(biāo)記晶圓的方法，其特征在于，包括提供一具有至少兩個(gè)參考標(biāo)記的晶圓，該晶圓的一表面包含有多個(gè)晶粒；同時(shí)檢測(cè)該晶圓的該些參考標(biāo)記，以執(zhí)行一對(duì)該晶圓對(duì)位的步驟；以及利用一激光光對(duì)該晶圓作標(biāo)記。
2. 如權(quán)利要求l所述的標(biāo)記晶圓的方法，其中，上述對(duì)該晶圓對(duì)位的步驟包括提供一偵測(cè)系統(tǒng)裝置，該偵測(cè)系統(tǒng)裝置紀(jì)錄有該些參考標(biāo)記的參考位置和圖案;以及比對(duì)該偵測(cè)系統(tǒng)裝置紀(jì)錄有該些參考標(biāo)記的參考位置和圖案與該 晶圓的該些參考標(biāo)記的位置和圖案，當(dāng)該晶圓的該些參考標(biāo)記的位置 和圖案與該偵測(cè)系統(tǒng)裝置所紀(jì)錄的該些參考標(biāo)記的參考位置和圖案相 符時(shí)，即完成對(duì)該晶圓對(duì)位的步驟。
3. 如權(quán)利要求l所述的標(biāo)記晶圓的方法，其中，該晶圓包含至少 一劣品晶粒，而該激光光則于該晶圓的上述劣品晶粒處作標(biāo)記。
4. 如權(quán)利要求l所述的標(biāo)記晶圓的方法，其中，當(dāng)進(jìn)行上述利用 該激光光對(duì)該晶圓作標(biāo)記的步驟時(shí)，該晶圓的位置固定不動(dòng)。
5. 如權(quán)利要求l所述的標(biāo)記晶圓的方法，其中，通過(guò)改變?cè)摷す夤獾穆窂揭詫?duì)該晶圓作標(biāo)記。
6. 如權(quán)利要求l所述的標(biāo)記晶圓的方法，其中，該激光光通過(guò)一液晶遮蔽罩以對(duì)該晶圓作標(biāo)記。
7. 如權(quán)利要求l所述的標(biāo)記晶圓的方法，其中，該激光光的波長(zhǎng)范圍介于355至655納米之間。
8. 如權(quán)利要求1所述的標(biāo)記晶圓的方法，其中，該晶圓的外圍具 有多個(gè)不完全晶粒，而該些參考標(biāo)記則標(biāo)示于該晶圓的上述不同的不 完全晶粒上。
9. 如權(quán)利要求1所述的標(biāo)記晶圓的方法，其中，該晶圓的該些參 考標(biāo)記利用激光光所標(biāo)示。
10. —種晶圓對(duì)位的方法，其特征在于，包括 提供一晶圓，該晶圓具有至少兩個(gè)參考標(biāo)記;以及 提供一偵測(cè)系統(tǒng)裝置，以同時(shí)檢測(cè)該晶圓的該些參考標(biāo)記，其中該偵測(cè)系統(tǒng)裝置紀(jì)錄有該些參考標(biāo)記的參考位置和圖案。
11. 如權(quán)利要求IO所述的晶圓對(duì)位的方法，其中，包括比對(duì)該偵 測(cè)系統(tǒng)裝置紀(jì)錄有該些參考標(biāo)記的參考位置和圖案與該晶圓的該些參 考標(biāo)記的位置和圖案，當(dāng)該晶圓的該些參考標(biāo)記的位置和圖案與該偵 測(cè)系統(tǒng)裝置所紀(jì)錄的該些參考標(biāo)記的參考位置和圖案相符時(shí)，即完成 對(duì)該晶圓對(duì)位的步驟。
12. 如權(quán)利要求IO所述的晶圓對(duì)位的方法，其中，包括比對(duì)該偵 測(cè)系統(tǒng)裝置紀(jì)錄有該些參考標(biāo)記的參考位置和圖案與該晶圓的該些參 考標(biāo)記的位置和圖案，當(dāng)該晶圓的該些參考標(biāo)記的位置和圖案與該偵 測(cè)系統(tǒng)裝置所紀(jì)錄的該些參考標(biāo)記的參考位置和圖案無(wú)法相符時(shí)，則 以人工再次確認(rèn)該偵測(cè)系統(tǒng)裝置紀(jì)錄有該些參考標(biāo)記的參考位置和圖 案與該晶圓的該些參考標(biāo)記的位置和圖案的差異。
13. —種晶圓測(cè)試機(jī)，其特征在于，包含一承載臺(tái)，用以承載一晶圓，該晶圓包含有至少一劣品晶粒； 一激光裝置，可產(chǎn)生一激光光，用以標(biāo)記各劣品晶粒；及 一控制裝置，可讀取一劣品晶粒位置檔案，用以控制該激光裝置的標(biāo)記動(dòng)作。
14.如權(quán)利要求13所述的晶圓測(cè)試機(jī)，其中，還包括一檢測(cè)裝置， 其用以檢測(cè)一晶圓的多個(gè)晶粒，而產(chǎn)生該劣品晶粒位置檔案。
全文摘要
本發(fā)明提供一種標(biāo)記晶圓的方法，其包括提供一具有至少兩個(gè)參考標(biāo)記的晶圓，此晶圓的一表面包含有多個(gè)晶粒，同時(shí)檢測(cè)晶圓的上述參考標(biāo)記以執(zhí)行一晶圓對(duì)位的步驟，并且利用一激光光對(duì)上述晶圓作標(biāo)記。另，本發(fā)明亦可適用于晶圓的晶粒例如劣品晶粒的標(biāo)記，其相較于現(xiàn)有利用油墨對(duì)劣品晶粒進(jìn)行標(biāo)記的技術(shù)而言，不僅具有可減少晶圓污染、作業(yè)時(shí)間和廠房空間、以及永久標(biāo)記等優(yōu)點(diǎn)，更具有易于利用現(xiàn)今的晶圓測(cè)試機(jī)或油墨機(jī)臺(tái)進(jìn)行改造的特點(diǎn)。
文檔編號(hào)B23K26/00GK101369516SQ20071014160
公開(kāi)日2009年2月18日 申請(qǐng)日期2007年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月17日
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