技術(shù)編號:3010151
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種標(biāo)記晶圓的方法,且特別有關(guān)于一種利用激光標(biāo) 記劣品晶粒的方法。背景技術(shù)一般集成電路制程可依序區(qū)分為晶圓制造階段、晶粒測試階段以 及晶粒封裝階段,而隨著目前電子產(chǎn)品講究輕薄短小,因此現(xiàn)階段的 封裝技術(shù)為了降低封裝體積并改善集成電路效能,已逐漸趨向于覆晶 封裝、多晶粒模塊等高階封裝技術(shù),然而這些高階封裝方式的成本高 昂,因此最好能夠在封裝前即針對晶粒進(jìn)行測試,以在后段封裝制程 前將這些劣品晶粒剔除,節(jié)省不必要的封裝成本。一種晶圓無墨點測試方法可于...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。