專利名稱：自會(huì)聚內(nèi)偏轉(zhuǎn)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種顯示器件的內(nèi)偏轉(zhuǎn)裝置，尤其是用于內(nèi)偏轉(zhuǎn)顯示器件的自會(huì)聚內(nèi)偏轉(zhuǎn)裝置。
在現(xiàn)有技術(shù)中，由于采用了窄縫形結(jié)構(gòu)的行偏轉(zhuǎn)裝置，使得顯示管的偏轉(zhuǎn)角得以增大，偏轉(zhuǎn)功耗降低，但由于在其結(jié)構(gòu)中的磁極對(duì)之近電子搶一面上的曲面與磁極對(duì)等寬，從而使三基色電子束不能在熒光屏上實(shí)現(xiàn)自會(huì)聚。
本實(shí)用新型的發(fā)明目的在于提供一種能夠提高電子束會(huì)聚性能的自會(huì)聚內(nèi)偏轉(zhuǎn)裝置。
本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)其發(fā)明目的本實(shí)用新型由行偏轉(zhuǎn)裝置2與幀偏轉(zhuǎn)裝置3組成，行偏轉(zhuǎn)裝置2為窄縫磁極對(duì)5，在磁極對(duì)5之相對(duì)的表面上設(shè)有凹陷7，在磁極對(duì)5近槍面上設(shè)有突起6且突起6的寬度小于磁極對(duì)5的寬度。
與現(xiàn)技術(shù)相比較，本實(shí)用新型具有如下優(yōu)點(diǎn)由于本實(shí)用新型的行偏轉(zhuǎn)場(chǎng)在近槍端為弱的桶形場(chǎng)，而在近屏端是一強(qiáng)枕形場(chǎng)，故它可以使得從電子槍射出的紅、綠、蘭三基色電子束在熒光屏水平方向上的任意點(diǎn)都能實(shí)現(xiàn)會(huì)聚。另外，模擬實(shí)驗(yàn)表明對(duì)于21″90°彩色顯像管，當(dāng)激勵(lì)為51鞍匝數(shù)時(shí)就可使三色電子束偏至滿屏，而對(duì)于現(xiàn)有的偏轉(zhuǎn)線圈，激勵(lì)需達(dá)到109鞍匝數(shù)時(shí)才能使電子束偏至滿屏。


圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本實(shí)用新型行偏轉(zhuǎn)裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是本實(shí)用新型行偏轉(zhuǎn)裝置結(jié)構(gòu)俯示意圖。
圖4是本實(shí)用新型行偏轉(zhuǎn)裝置結(jié)構(gòu)主示意圖。
圖5是本實(shí)用新型方形突起示意圖。
圖6是本實(shí)用新型三角形突起示意圖。
圖7是本實(shí)用新型橢圓形突起示意圖。
下面參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施方案作一詳細(xì)描述本實(shí)用新型由行偏轉(zhuǎn)裝置2與幀偏轉(zhuǎn)裝置3組成，行偏轉(zhuǎn)裝置2為窄縫形磁極對(duì)5，在磁極對(duì)5之相對(duì)的表面上設(shè)有凹陷7，在磁極對(duì)5近槍面上設(shè)有突起6且突起6的寬度小于磁極對(duì)5的寬度，該突起6可以是圓弧形突起，也可以是方形突起、三角形突起、橢圓形突起、異形突起或其它形狀的突起，在本實(shí)施例中，可以從便于加工的角度考慮，突起6為圓弧形突起，圓弧形突起的曲率半徑R1為2毫米～50毫米，其寬度為2毫米～20毫米，為提高自會(huì)聚效果，圓弧形突起的曲率半徑R1為5毫米～20毫米，其寬度為8毫米～15毫米，例如，對(duì)于21″90°彩色顯象管，通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)，圓弧突起的曲率半徑R1為12.4毫米，寬度為10毫米；在磁極對(duì)5之相對(duì)的表面上的凹陷為圓弧形，圓弧凹陷的曲率半徑R2為5毫米～1000毫米，為進(jìn)一步提高自會(huì)聚效果，圓弧凹陷的曲率半徑R2為15毫米～200毫米，例如對(duì)于21″90°彩色顯象管，經(jīng)優(yōu)化設(shè)計(jì)后，圓弧凹陷的曲率半徑R2為117毫米。
權(quán)利要求1.一種用于內(nèi)偏轉(zhuǎn)顯示器件的自會(huì)聚內(nèi)偏轉(zhuǎn)裝置，由行偏轉(zhuǎn)裝置(2)與幀偏轉(zhuǎn)裝置(3)組成，行偏轉(zhuǎn)置(2)為窄縫形磁極對(duì)(5)，在磁極對(duì)(5)相對(duì)的表面上設(shè)有凹陷(7)，其特征在于在磁極對(duì)(5)近搶面上設(shè)有突起(6)，且突起(6)的寬度小于磁極(5)寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自會(huì)聚內(nèi)偏轉(zhuǎn)裝置，其特征在于突起(6)為圓弧形凸起。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的自會(huì)聚內(nèi)偏轉(zhuǎn)裝置，其特征在于圓弧形凸起的曲率半徑(R1)為2毫米～50毫米，其寬度為2毫米～20毫米。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的自會(huì)聚內(nèi)偏轉(zhuǎn)裝置，其特征在于圓弧形凸起的曲率半徑(R1)為5毫米～20毫米，其寬度8毫米～15毫米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自會(huì)聚內(nèi)偏轉(zhuǎn)裝置，其特征在于突起(6)為三角形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自會(huì)聚內(nèi)偏轉(zhuǎn)裝置，其特征在于突起(6)為方形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4或5或6或所述的自會(huì)聚內(nèi)偏轉(zhuǎn)裝置，其特征在于在磁極對(duì)(5)之相對(duì)的表面上的凹陷為圓弧凹陷。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的自會(huì)聚內(nèi)偏轉(zhuǎn)裝置，其特征在于圓弧凹陷的曲率半徑(R2)為5毫米～1000毫米。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的自會(huì)聚內(nèi)偏轉(zhuǎn)裝置，其特征在于圓弧凹陷的曲率半徑(R2)為15毫米～200毫米。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種用于內(nèi)偏轉(zhuǎn)顯示器件的自會(huì)聚內(nèi)偏轉(zhuǎn)裝置,由行偏轉(zhuǎn)裝置與幀偏轉(zhuǎn)裝置組成,行偏轉(zhuǎn)裝置為窄縫形磁極對(duì),在磁極對(duì)相對(duì)的表面上設(shè)有凹陷,在磁極對(duì)近槍面上設(shè)有突起且突起的寬度小于磁極對(duì)的寬度,在磁極對(duì)相對(duì)的表面上的凹陷為圓弧凹陷,本實(shí)用新型的行偏轉(zhuǎn)場(chǎng)在近槍端為弱的桶形場(chǎng),而在近屏端是一強(qiáng)枕形場(chǎng),使得從電子槍射出的紅、綠、藍(lán)三基色電子束在熒光屏水平方向上的任意點(diǎn)都能實(shí)現(xiàn)自會(huì)聚。
文檔編號(hào)H01J29/70GK2316722SQ9724763
公開(kāi)日1999年4月28日 申請(qǐng)日期1997年10月31日 優(yōu)先權(quán)日1997年10月31日
發(fā)明者汪琛, 湯勇明, 尹涵春, 李曉華, 薛坤興 申請(qǐng)人:東南大學(xué)