專利名稱：分布式高壓led模組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，更具體地涉及一種分布式高壓LED模組。
背景技術(shù)：
目前，LED發(fā)光二極管由于具有耗電量低、環(huán)保節(jié)能等優(yōu)點而得到社會各界的廣泛關(guān)注和認可，眾多相關(guān)的生產(chǎn)廠商積極響應(yīng)國家提出的節(jié)能減排政策，在LED的研發(fā)和推廣上做出了極大投入。單個LED發(fā)光二極管功率小、發(fā)光量少，為了解決這個問題，市面上出現(xiàn)了由多個LED芯片組成的LED模組以獲得照明所需功率和光通量。然而，現(xiàn)有的LED模組均為集成式，其出光面通常只有一個，不僅具有熱量集中、光效低等缺陷，而且在利用其制作燈具或者光源的時候不好配光，不能很好滿足市場需求。因此，有必要提供一種分布式高壓LED模組以解決上述缺陷。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種分布式高壓LED模組以滿足市場需求。為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案為提供一種分布式高壓LED模組，其包括基板、線路層及多個LED小模組，所述線路層固定在所述基板上，所述多個LED小模組間隔地排布在所述基板或所述線路層上，每個所述LED小模組包括多個LED芯片，該多個LED芯片之間進行串聯(lián)和/或并聯(lián)連接后與所述線路層進行電性連接，所述多個LED小模組之間進行串聯(lián)和/或并聯(lián)連接。其進一步技術(shù)方案為所述基板為金屬基板，所述線路層上形成有多個用于排布所述LED小模組的鏤空區(qū)，所述LED芯片固定在所述鏤空區(qū)內(nèi)的基板表面上。其進一步技術(shù)方案為所述鏤空區(qū)內(nèi)的基板表面覆蓋有一反射層。其進一步技術(shù)方案為所述反射層為銀層。其進一步技術(shù)方案為所述LED小模組還包括一圍壩裝置，所述圍壩裝置設(shè)置在所述線路層上且位于所述鏤空區(qū)的邊緣，所述圍壩裝置內(nèi)填充有封裝膠。在本實用新型的另一實施例中，所述基板為金屬基板，所述線路層完全覆蓋所述基板的上表面，所述LED芯片固定在所述線路層上。其進一步技術(shù)方案為所述LED小模組還包括一圍壩裝置，所述圍壩裝置設(shè)置在所述線路層上，其內(nèi)填充有封裝膠。在本實用新型的再一實施例中，所述基板為陶瓷基板，所述LED芯片固定在所述陶瓷基板上，所述線路層為制作于所述陶瓷基板上的導(dǎo)電線路。其進一步技術(shù)方案為每個所述LED小模組還包括一圍壩裝置，所述圍壩裝置設(shè)置在所述陶瓷基板上，其內(nèi)填充有封裝膠。其進一步技術(shù)方案為所述多個LED芯片之間以及LED芯片與線路層之間均用金屬導(dǎo)線進行連接。[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型提供的分布式高壓LED模組將LED芯片封裝成多個LED小模組，而后間隔地排布在基板或線路層上并進行串并聯(lián)連接，基于該設(shè)計，本實用新型具有以下優(yōu)點熱量分散，提高LED使用壽命；發(fā)光面分散，方便燈具配光；減小芯片與芯片之間的影響，光效高。通過以下的描述并結(jié)合附圖，本實用新型將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本實用新型的實施例。

圖I為本實用新型分布式高壓LED模組第一實施例的剖面示意圖。圖2為圖I所示分布式高壓LED模組中A部分的放大圖。
圖3為圖I所示分布式高壓LED模組的俯視圖。圖4為本實用新型分布式高壓LED模組第二實施例的剖面示意圖。圖5至圖7展示了為本實用新型分布式高壓LED模組的多種電路連接方式。圖8本實用新型分布式高壓LED模組第三實施例的部分放大圖。圖中各附圖標記說明如下第一實施例分布式高壓LED模組 10基板11線路層12LED小模13圍壩裝置131封裝膠132金屬導(dǎo)線133LED芯片134第二實施例分布式高壓LED模組 20基板21線路層22LED小模組23第三實施例分布式高壓LED模組 30基板31導(dǎo)電線路32LED小模組3具體實施方式
下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，附圖中類似的組件標號代表類似的組件。顯然，以下將描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。首先請參照圖I至圖3，其展示了本實用新型分布式高壓LED模組的第一實施例。本較佳實施例中，所述分布式高壓LED模組10包括基板11、線路層12及多個LED小模組13，其中，所述基板11為金屬基板，所述線路層12通過貼合的方式固定在基板11上，所述線路層12上形成有多個圓柱狀的鏤空區(qū)。本實施例中，每個LED小模組13包括圍壩裝置131、封裝膠132、金屬導(dǎo)線133及多個LED芯片134，本實施例中，每個LED小模組13包括多于18顆的藍光芯片。所述LED芯片134通過固晶膠固定在鏤空區(qū)內(nèi)的基板11上，LED芯片134固定在金屬基板的設(shè)計可為LED芯片134帶來更好的散熱效果，優(yōu)選地，位于鏤空區(qū)內(nèi)的基板11表面還鍍有一反射層(未標示)以增強反射效果，本實施例選用具有高反射率的銀層來作為反射層。參照圖2，本實施例的多個LED芯片134之間以及末端LED芯片134與線路層12之間均用金屬導(dǎo)線133進行連接，線路層12上設(shè)置有中空圓柱狀的圍壩裝置131，該圍壩裝置131固定在所述線路層12上且位于所述鏤空區(qū)的邊緣，其內(nèi)填充有封裝膠132，本實施例的封裝膠132選用由硅膠和熒光粉混合而成的霧狀膠體，從而可大大增加LED器件的可視角度。參照圖3，本實施例的多個LED小模組13以一定的排列方式排布在基板11上，例如可設(shè)計為圖3所示的矩陣式，也可根據(jù)具體實際需要設(shè)計為放射式等其它排布方式)，相應(yīng)地，線路層12上的鏤空區(qū)是根據(jù)LED小模組13所需排布方式而進行相應(yīng)的設(shè)計。 參照圖5至圖7，對于LED小模組13內(nèi)LED芯片134之間及LED小模組13之間的電路連接可通過以下方式來實現(xiàn)，但并不限于以下方式(每個虛線框內(nèi)的所有器件組成一個LED小模組13)方式一如圖5所示，每個LED小模組13里面的LED芯片134全部進行串聯(lián)，每兩個LED小模組13再串聯(lián)在一起，多組串聯(lián)而成的模組再相互并聯(lián)，采用此連接方式時，整個模組的電壓可以達到IlOV以上。方式二 如圖6所示，每個LED小模組13里面的LED芯片134先串聯(lián)成三串再將其并聯(lián)在一起，每兩個LED小模組13相互串聯(lián)在一起，多組串聯(lián)而成的模組再相互并聯(lián)，采用此連接方式時，整個模組的電壓可以達到IlOV以上。方式三如圖7所示，每個LED小模組13里面的LED芯片134全部進行串聯(lián)，每四個LED小模組13再串聯(lián)在一起，多組串聯(lián)而成的模組再相互并聯(lián)，采用此連接方式時，整個模組的電壓可以達到220V以上。以此類推，本實用新型的分布式高壓LED模組可采用多種不同的連接方式來實現(xiàn)不同的高壓以滿足用戶或客戶的不同需求。圖4展示了本實用新型分布式高壓LED模組的第二實施例。參照圖4，本實施例分布式高壓LED模組20與第一實施例的區(qū)別點在于所述線路層22完全覆蓋在所述金屬基板21的上表面，每個LED小模組23是設(shè)置在線路層22上，即每個LED小模組23內(nèi)的LED芯片是固定在線路層22上的，采用該結(jié)構(gòu)設(shè)計相比第一實施例可方便電路連接，但散熱效果不如第一實施例。圖8展示了本實用新型分布式高壓LED模組的第三實施例。參照圖8，本實施例分布式高壓LED模組30與第一和第二實施例的區(qū)別點在于所述基板31為陶瓷基板，陶瓷基板31的上表面通過蒸鍍、印刷或者濺射等方式制作有導(dǎo)電線路32。在本實施例中，LED小模組33內(nèi)的LED芯片是固定在陶瓷基板上31，每個小模組內(nèi)上下均設(shè)置有導(dǎo)電線路，由多個LED芯片連接而成的LED串的兩端用金屬導(dǎo)線與導(dǎo)電線路連接。如上所述，本實用新型提供的分布式高壓LED模組將LED芯片封裝成多個LED小模組，而后排布在基板或線路層上并進行串并聯(lián)連接，基于該設(shè)計，本實用新型具有以下優(yōu)點熱量分散，提高LED使用壽命；發(fā)光面分散，方便燈具配光；可達到110 V以上高壓，方便驅(qū)動設(shè)計；減小芯片與芯片之間的影響，光效高；減少硅膠和熒光粉的使用量，降低成本。需要說明的是，在本實用新型分布式高壓LED模組中，金屬基板可選用銅基板、鋁基板等金屬基板；線路層除了貼合方式外，還可通過印刷、蒸鍍或濺射等方式來制作在基板上；對于封裝膠，也可單獨選用透明的環(huán)氧樹脂膠或硅膠來實現(xiàn)。以上結(jié)合最佳實施例對本實用新型進行了描述，但本實用新型并不局限于以上揭
示的實施例，而應(yīng)當(dāng)涵蓋各種根據(jù)本實用新型的本質(zhì)進行的修改、等效組合。
權(quán)利要求1.一種分布式高壓LED模組，其特征在于包括基板、線路層及多個LED小模組，所述線路層固定在所述基板上，所述多個LED小模組間隔地排布在所述基板或所述線路層上，每個所述LED小模組包括多個LED芯片，該多個LED芯片之間進行串聯(lián)和/或并聯(lián)連接后與所述線路層進行電性連接，所述多個LED小模組之間進行串聯(lián)和/或并聯(lián)連接。
2.如權(quán)利要求I所述的分布式高壓LED模組，其特征在于所述基板為金屬基板，所述線路層上形成有多個用于排布所述LED小模組的鏤空區(qū)，所述LED芯片固定在所述鏤空區(qū)內(nèi)的基板表面上。
3.如權(quán)利要求2所述的分布式高壓LED模組，其特征在于所述鏤空區(qū)內(nèi)的基板表面覆蓋有一反射層。
4.如權(quán)利要求3所述的分布式高壓LED模組，其特征在于所述反射層為銀層。
5.如權(quán)利要求2所述的分布式高壓LED模組，其特征在于所述LED小模組還包括一圍壩裝置，所述圍壩裝置設(shè)置在所述線路層上且位于所述鏤空區(qū)的邊緣，所述圍壩裝置內(nèi)填充有封裝膠。
6.如權(quán)利要求I所述的分布式高壓LED模組，其特征在于所述基板為金屬基板，所述線路層完全覆蓋所述金屬基板的上表面，所述LED芯片固定在所述線路層上。
7.如權(quán)利要求6所述的分布式高壓LED模組，其特征在于所述LED小模組還包括一圍壩裝置，所述圍壩裝置設(shè)置在所述線路層上，其內(nèi)填充有封裝膠。
8.如權(quán)利要求I所述的分布式高壓LED模組，其特征在于所述基板為陶瓷基板，所述LED芯片固定在所述陶瓷基板上，所述線路層為制作于所述陶瓷基板上的導(dǎo)電線路，
9.如權(quán)利要求8所述的分布式高壓LED模組，其特征在于所述LED小模組還包括一圍壩裝置，所述圍壩裝置設(shè)置在所述陶瓷基板上，其內(nèi)填充有封裝膠。
10.如權(quán)利要求1-9任一項所述的分布式高壓LED模組，其特征在于所述多個LED芯片之間以及LED芯片與線路層之間均用金屬導(dǎo)線進行連接。
專利摘要本實用新型公開了一種分布式高壓LED模組，其包括基板、線路層及多個LED小模組，所述線路層固定在所述基板上，所述多個LED小模組間隔地排布在所述基板或所述線路層上，每個所述LED小模組包括多個LED芯片，該多個LED芯片之間進行串聯(lián)和/或并聯(lián)連接后與所述線路層進行電性連接，所述多個LED小模組之間進行串聯(lián)和/或并聯(lián)連接。本實用新型分布式高壓LED模組將LED芯片封裝成多個LED小模組，而后排布在基板或線路層上并進行串并聯(lián)連接，基于該設(shè)計，本實用新型具有以下優(yōu)點熱量分散，提高LED使用壽命；發(fā)光面分散，方便燈具配光；可達到110Ｖ以上高壓，方便驅(qū)動設(shè)計；減小芯片與芯片之間的影響，光效高。
文檔編號F21Y101/02GK202633304SQ20122029133
公開日2012年12月26日 申請日期2012年6月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月20日
發(fā)明者夏鼎智, 郭倫春, 何海生, 龔靖, 張鐵鐘, 朱慶山, 鐘雄, 何剛 申請人:深圳市九洲光電科技有限公司