專利名稱：無透明電極結(jié)構(gòu)的等離子顯示屏及其上基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于氣體》丈電領(lǐng)域，具體地涉及一種無透明電極結(jié)構(gòu)的 等離子顯示屏及其上基板的制作方法。
背景技術(shù)：
目前，通用的交流氣體放電等離子顯示屏均采用表面放電型結(jié) 構(gòu)，它包括一個(gè)上基板及與之封4妄在一起的下基板，上基板上配置
有透明電極ITO和匯流電極，透明電極和匯流電極構(gòu)成放電電極， 放電電極包括維持放電電極X和掃描放電電極Y。在放電電極的表 面覆蓋有一層介質(zhì)層，介質(zhì)層上覆蓋有氧化鎂保護(hù)層。下基板配置 有與放電電極相互垂直的尋址電極，尋址電極上覆蓋一層介質(zhì)層， 介質(zhì)層上配置有與其尋址電極平行的條狀壁障，且在條狀壁障的底 部覆蓋有熒光粉層，上下基板用低熔點(diǎn)玻璃粉封接在一起，并且充 有放電氣體。
如圖1至圖3所示，圖1示出了現(xiàn)有等離子顯示屏的立體結(jié)構(gòu)， 圖2示出了現(xiàn)有等離子顯示屏的剖^L結(jié)構(gòu)，圖3示出了現(xiàn)有等離子 顯示屏的上基板的放電電極。結(jié)合參照?qǐng)D1至圖3,三電極表面放 電結(jié)構(gòu)的PDP力文電單元結(jié)構(gòu)如下形成于上基纟反10上的掃描電^L 11以及維持電才及12通常由透明電才及l(fā)la、 12a和金屬電才及l(fā)lb、 12b 兩部分纟且成。透明電才及l(fā)la、 12a通常采用氧化銦錫(Indium-Tin-Oxide, ITO ) 作為材質(zhì)，形成于上基板10上。金屬電極通常以鉻(Cr)、銀(Ag) 等為主要材料，形成于透明電極lla、 12a上，以減少工作中的透明 電極的電壓降。掃描電極11和維持電極12平行的形成在上基板上， 并在其上面覆蓋一層前介質(zhì)層13。介質(zhì)層保i正掃描電才及11與維持 電才及12之間的電阻率。同時(shí)，在等離子方文電時(shí)在前介質(zhì)上能蓄積一 定的壁電荷。在前介質(zhì)層13的上表面沉淀一層保護(hù)膜14。保護(hù)膜 14可以防止等離子放電對(duì)前介質(zhì)產(chǎn)生石皮壞。而且，還能提高二次放 電系數(shù)。保護(hù)膜一般使用的材料為氧化鎂(MgO)。
尋址電極(A) 21^f亍成于下基才反20上。在尋址電才及21的上面 覆蓋一層后介質(zhì)23,對(duì)尋址電極21間形成絕緣，同時(shí)對(duì)尋址電極 形成保護(hù)。在后介質(zhì)23上制作障壁24。障壁24—般為條形的或柵 格形狀。每條或每個(gè)柵才各形成顯示單元。然后，在障壁單元才各內(nèi)注 入對(duì)應(yīng)的熒光體漿料25。
尋址電極21與上基板IO上掃描電極ll以及維持電極12在空 間上垂直對(duì)應(yīng)。同時(shí)，要求各個(gè)電極與障壁24的溝槽對(duì)應(yīng)。也就是 與放光單元格對(duì)應(yīng)。將上基板IO、下基板20以及障壁24構(gòu)成密閉 的》文電空間。向密閉的空間內(nèi)充入定量的有助于氣體》文電的惰性混 合氣體，工作中，電極間放電產(chǎn)生等離子激活熒光體，從而顯示各 種圖形。
交流氣體放電等離子顯示屏在大批量生產(chǎn)中，除了提高產(chǎn)品質(zhì) 量之外，最重要的是降低成本，其中，透明電極ITO的制作在成本 中占據(jù)了很大的比重。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，若減少該透明電極則有助于降 低整體制作成本，然而，減少透明電極層帶來的不利影響是，如果 匯流電極即銀電極直接與上基板玻璃接觸，將會(huì)導(dǎo)致玻璃發(fā)黃，這 樣會(huì)影響視覺效果。另夕卜，在減少透明電才及的時(shí)候，如何i殳計(jì)相應(yīng)的4艮電才及也成為 設(shè)計(jì)難點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種無透明電極結(jié)構(gòu)的等離子顯示屏及 其上基板的制作方法，以在降低等離子顯示屏的制作成本的同時(shí)， 避免由此帶來的上基板玻璃發(fā)黃的問題。
為此， 一方面，根據(jù)本發(fā)明的無透明電極結(jié)構(gòu)的等離子顯示屏， 包括上基板及與之封接的下基板，其中，上基板上具有第一氧化鎂 層，位于上基板玻璃的表面；銀電極X和銀電極Y，位于氧化鎂層 的表面；介質(zhì)層，位于銀電極X和銀電極Y的表面；以及第二氧化 鎂層，位于介質(zhì)層的表面。
其中，上述銀電極X和銀電極Y分別具有放電部，4艮電才及X 的方丈電部半包圍4艮電才及Y的方文電部。
其中，上述銀電極X的放電部為具有敞口端的矩形框，銀電極 Y的》欠電部自敞口端伸入矩形框。
其中，上述介質(zhì)層中含有氧化鉛納米材料。
其中，上述氧化鉛納米材料占介質(zhì)層總重量的2% ~ 7%。
其中，上述氧化4美層的厚度為1500埃~ 2000埃。
另一方面，根據(jù)本發(fā)明的無透明電極結(jié)構(gòu)的等離子顯示屏的制 作方法，該方法包括以下步驟a)將上基板玻璃燒結(jié)后，送入氧化 鎂電子束蒸發(fā)設(shè)備的蒸發(fā)腔體中，進(jìn)行蒸鍍以形成氧化鎂層；b)在 已鍍氧化鎂層的表面用光刻法，制作銀電極X和銀電極Y; c)在銀電極X和銀電極Y上印刷介質(zhì)層；以及d )對(duì)介質(zhì)層進(jìn)行干燥并 燒結(jié)。
其中，上述介質(zhì)層中含有2% ~ 3%重量4分的氧化鉛納米材料。
本發(fā)明還提供了一種無透明電極結(jié)構(gòu)的等離子顯示屏的上基板 的制作方法，該方法包括以下步驟a)將前玻璃基4反燒結(jié)后，送入 磁控賊射設(shè)備的蒸發(fā)腔體中，進(jìn)行鍍膜以形成氧化鎂層；c)在已鍍 氧化鎂層的上基板上，用光刻法制作銀電極X和銀電極Y; d)在 銀電極X和銀電極Y上印刷介質(zhì)層；f)對(duì)介質(zhì)層進(jìn)行干燥并燒結(jié)。
其中，介質(zhì)層中含有5% ~ 7%重量<分的氧化鉛納米材料。
根據(jù)本發(fā)明的無透明電極結(jié)構(gòu)的等離子顯示屏，用電子束蒸發(fā) 法或萬茲控'減散法在等離子顯示屏上基一反玻璃表面上，形成一氧化4美 層，該氧化鎂層為絕緣層，結(jié)構(gòu)細(xì)密，能夠很好地阻隔銀電極與玻 璃的4妻觸，防止上基纟反玻璃變黃。氧化4美層的透光率為98%，與透 明電才及的透光率相當(dāng)，故不影響已有的透光效果。
而且，氧化鎂層能產(chǎn)生二次電子，對(duì)上基板而言最底層和最上 層有兩層氧化4美層，可增加二次電子，從而進(jìn)一步降^氐著火電壓。 另外，在形成介質(zhì)層的漿料中添加一定比例的氧化鉛納米材料，其 熔點(diǎn)會(huì)隨超細(xì)4分末的直徑的減小而大大降〗氐，乂人而介質(zhì)層的燒結(jié)溫 度在低于原來溫度下，燒結(jié)的介質(zhì)層的透光率與原來較高溫度下燒 結(jié)的介質(zhì)層的透光率相當(dāng)，這樣可以避免銀離子在高溫下穿透氧化 鎂層的可能性，因而進(jìn)一 步減小了上基板玻璃變黃的可能性。
進(jìn)一步地，本發(fā)明等離子顯示屏的上基板中，4艮電才及X的放電 部將銀電極Y包含在中間，使電極兩邊同時(shí)發(fā)光，這樣，可以減少 電才及的》文電間隙，增力口亮度。應(yīng)該指出，以上說明和以下詳細(xì)說明都是例示性的，旨在對(duì)所 要求的本發(fā)明提供進(jìn)一 步的說明。
除了上面所描述的目的、特4正和優(yōu)點(diǎn)之外，本發(fā)明還有其它的 目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。下面將參照?qǐng)D，對(duì)本發(fā)明的其它的目的、特征 和效果作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。


構(gòu)成本說明書的一部分、用于進(jìn)一步理解本發(fā)明的圖示出了多
個(gè)優(yōu)選實(shí)施例并與說明 一起用來說明本發(fā)明的原理。圖中 圖1示出了現(xiàn)有等離子顯示屏的立體結(jié)構(gòu)； 圖2示出了現(xiàn)有等離子顯示屏的剖視結(jié)構(gòu)； 圖3示出了現(xiàn)有等離子顯示屏的上基板的放電電極； 圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示屏的上基板的放電電極；
以及
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明等離子顯示屏上基板的無ITO的電極的 平面示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下結(jié)合附圖和各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行描述，其中，在各實(shí)施 例中，相同部件的附圖標(biāo)記各不相同。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明等離子顯示屏上基板的無ITO的電極的 平面示意圖。如圖所示，在上基才反10上具有第一層氧化4美層15、 位于氧化4美層的表面的4艮電才及11 ( 4艮電極X )和4艮電才及12 ( 4艮電才及Y )、形成于4艮電才及11和4艮電才及12表面的介質(zhì)層13、以及位于該介 質(zhì)層13表面的第二層氧化鎂層14。其中，第一層氧化鎂層的厚度 為1500埃~ 2000埃。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明等離子顯示屏上基板的無ITO的電極的 平面示意圖。如圖5所示，銀電極11將銀電極12包含在中間。其 中，黑條16位于兩放電電極的非發(fā)光區(qū)域。優(yōu)選地，銀電極ll的 放電部為具有敞口端的矩形框，銀電極12的放電部自敞口端伸入矩形框。
下面對(duì)根據(jù)本發(fā)明的無透明電極結(jié)構(gòu)的等離子顯示屏的上基板 的兩種制作方法進(jìn)行描述。
第一種制作方法包括以下步驟1 )無ITO上基板玻璃585。C燒 結(jié)后，送入氧化鎂電子束蒸發(fā)設(shè)備的蒸發(fā)腔體中；2)在腔體中預(yù)先 抽真空到2.0xl(T4 Pa，同時(shí)溫度上升到270度；3 )加氧氣使真空度 降到3.0xl(T2 Pa; 4 )蒸鍍時(shí)基板運(yùn)動(dòng)速度800 900mm/秒；5 )氧化 鎂膜厚2000埃；6 )鍍膜后的上基板，在已鍍氧化鎂的表面用光刻 法，制作新結(jié)構(gòu)銀電極；7 )電極上印刷介質(zhì)，該介質(zhì)漿料含有2%~3% 氧化鉛納米材料；8)干燥溫度130。C; 9)燒結(jié)溫度560。C,介質(zhì)層 保持96%以上的透明度。
優(yōu)選地，介質(zhì)層13中含有2%-3%氧化鉛納米材泮+。
第二種制作方法包^:以下步^驟1 )無ITO上基4反3皮璃585°C 燒結(jié)后，送入^茲控濺射設(shè)備的蒸發(fā)腔體中；2 )在腔體中預(yù)先抽真空 到3.6x10-4 Pa,同時(shí)溫度上升到390度；3)加氧氣使真空度降到 2.0xlCr3 Pa,同時(shí)力口氬氣4吏真空度降到8.1x10-2 Pa; 4)蒸鍍時(shí)基才反 運(yùn)動(dòng)速度1000mm~1200 mm /秒；5 )氧化鎂膜厚1500埃；6 )鍍膜 后的上基板，在已鍍氧化鎂的表面用光刻法，制作新結(jié)構(gòu)銀電極；7)電極上印刷介質(zhì)，該介質(zhì)漿料含5%~7%氧化鉛納米材料。8)干燥 溫度120。C; 9):曉結(jié)溫度555。C。
由于本發(fā)明采用無ITO的新型電極結(jié)構(gòu)，X電極把y電極包含 在其中間，使電極兩邊同時(shí)發(fā)光，減少電極放電間隙，增加了亮度。 另夕卜，在電極表面形成的介質(zhì)層，在其漿料中添加一定比例的氧化 鉛納米材料后，熔點(diǎn)會(huì)隨超細(xì)粉末的直徑的減小而大大降低，從而 產(chǎn)生的效果是介質(zhì)層的燒結(jié)溫度，在低于原來溫度下，燒結(jié)的介 質(zhì)層的透過率與原來較高溫度下，燒結(jié)的介質(zhì)層的透過率相當(dāng)。從 而減少電極中的銀離子在高溫下，穿透氧化鎂隔離層的可能性，進(jìn) 一步減少了由于沒有ITO層致使上基板玻璃發(fā)黃的可能性。
以上〗又為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì) 于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本 發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均 應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種無透明電極結(jié)構(gòu)的等離子顯示屏，包括上基板及與之封接的下基板，其特征在于，所述上基板上具有第一氧化鎂層，位于上基板玻璃的表面；銀電極X和銀電極Y，位于氧化鎂層的表面；介質(zhì)層，位于所述銀電極X和銀電極Y的表面；以及第二氧化鎂層，位于所述介質(zhì)層的表面。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無透明電極結(jié)構(gòu)的等離子顯示屏，其特 征在于，所述銀電極X和所述銀電極Y分別具有i文電部，所述^艮 電極X的放電部半包圍所述4艮電極Y的放電部。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的無透明電極結(jié)構(gòu)的等離子顯示屏，其特 征在于，所述銀電極X的放電部為具有敞口端的矩形框，所述4艮 電才及Y的i丈電部自所述敞口端伸入所述矩形才匡。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l至3中任一項(xiàng)所述的無透明電極結(jié)構(gòu)的等離子 顯示屏，其特征在于，所述介質(zhì)層中含有氧化鉛納米材料。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的無透明電極結(jié)構(gòu)的等離子顯示屏，其特 征在于，所述氧化鉛納米材料占所述介質(zhì)層總重量的2% ~ 7%。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的無透明電極結(jié)構(gòu)的等離子顯示屏，其特 征在于，所述第一氧化鎂層的厚度為1500埃~ 2000埃。
7. —種根據(jù)權(quán)利要求1所述的無透明電極結(jié)構(gòu)的等離子顯示屏 的上基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟a) 將所述上基板玻璃燒結(jié)后，送入氧化鎂電子束蒸發(fā)設(shè) 備的蒸發(fā)腔體中，進(jìn)行蒸鍍以形成所述第一氧化鎂層；b) 在已鍍第一氧化鎂層的表面用光刻法，制作所述銀電 才及X和4艮電才及Y;c) 在4艮電極X和銀電極Y上印刷所述介質(zhì)層；以及d) 對(duì)所述介質(zhì)層進(jìn)行干燥并燒結(jié)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的無透明電極結(jié)構(gòu)的等離子顯示屏的上 基板的制作方法，其特征在于，所述介質(zhì)層中含有2% ~ 3%重量4分的氧化鉛納米材泮+。
9. 一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的無透明電極結(jié)構(gòu)的等離子顯示屏 的上基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟a)將所述前玻璃基板燒結(jié)后，送入磁控濺射設(shè)備的蒸發(fā) 腔體中，進(jìn)行鍍膜以形成第一氧化鎂層；c) 在已鍍所述第一氧化鎂層的上基板上，用光刻法制作 所述4艮電才及X和名艮電才及Y;d) 在所述銀電極X和銀電極Y上印刷所述介質(zhì)層；e) 對(duì)所述介質(zhì)層進(jìn)行干燥并燒結(jié)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的無透明電極結(jié)構(gòu)的等離子顯示屏的上 基板的制作方法，其特征在于，所述介質(zhì)層中含有5% ~ 7%重量4分的氧化鉛納米材泮牛。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種無透明電極結(jié)構(gòu)的等離子顯示屏，包括上基板及與之封接的下基板，其中上基板上具有第一氧化鎂層，位于上基板玻璃的表面；銀電極X和銀電極Y，位于氧化鎂層的表面；介質(zhì)層，位于銀電極X和銀電極Y的表面；以及第二氧化鎂層，位于所述介質(zhì)層的表面。本發(fā)明還公開了這種無透明電極結(jié)構(gòu)的等離子顯示屏的兩種制做方法，電子束蒸發(fā)的方法和磁控濺射的方法。本發(fā)明降低了制造成本，增加了亮度。
文檔編號(hào)H01J11/40GK101685750SQ20081022347
公開日2010年3月31日 申請(qǐng)日期2008年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月28日
發(fā)明者曹瑞林 申請(qǐng)人:四川世紀(jì)雙虹顯示器件有限公司