一種電極基板及其制程方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種電極基板及其制程方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件是一種利用有機(jī)發(fā)光材料制成的、用電源驅(qū)動(dòng)的薄膜發(fā)光器件。有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:在基板襯底上，以ITO導(dǎo)電層為陽(yáng)極，在陽(yáng)極和陰極之間形成發(fā)光薄膜，通過(guò)在陽(yáng)極和陰極間加驅(qū)動(dòng)電壓，向發(fā)光層中注入載流子，以激發(fā)薄膜中發(fā)光分子而產(chǎn)生發(fā)光。
[0003]在有機(jī)電致發(fā)光器件的電極結(jié)構(gòu)中，為降低發(fā)光器件的電阻以提高發(fā)光器件的發(fā)光亮度，會(huì)在作為陽(yáng)極的ITO導(dǎo)電層上加輔助電極；同時(shí)，為避免輔助電極在制程中被氧化或被刻蝕液腐蝕而破壞，會(huì)在輔助電極層上加保護(hù)層，一般選擇化學(xué)性質(zhì)較穩(wěn)定的惰性金屬作為保護(hù)層。目前，行業(yè)內(nèi)大部分采用鋁作為輔助電極，以金屬鉬作為保護(hù)層。
[0004]但是，以鋁為輔助電極、以鉬為保護(hù)層的有機(jī)電致發(fā)光器件的表面電阻依然較大，導(dǎo)致器件的功率消耗依然較大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種電極基板，應(yīng)用于有機(jī)電致發(fā)光器件，具有較低的表面電阻，在一定程度上克服了現(xiàn)有的有機(jī)電致發(fā)光器件所采用的電極基板的電阻較大導(dǎo)致器件功率消耗大的缺點(diǎn)。本發(fā)明還提供一種上述電極基板的制程方法。
[0006]本發(fā)明所提供的一種電極基板，包括:
[0007]基板；
[0008]形成于所述基板之上的電極層；
[0009]形成于所述電極層之上的、作為輔助電極層的金屬Cu層；
[0010]形成于所述輔助電極層之上的、作為保護(hù)層的金屬Cr層。
[0011]可選地，所述基板為玻璃基板。
[0012]可選地，所述電極層為氧化銦錫導(dǎo)電層。
[0013]可選地，所述氧化銦錫導(dǎo)電層的厚度為1500±100埃。
[0014]可選地，所述銅層的厚度范圍為3000-3500埃。
[0015]可選地，所述鉻層的厚度范圍為300-500埃。
[0016]本發(fā)明所提供的一種電極基板，應(yīng)用于有機(jī)電致發(fā)光器件，包括:基板；形成于所述基板之上的電極層；形成于所述電極層之上的、作為輔助電極層的金屬Cu層；形成于所述輔助電極層之上的、作為保護(hù)層的金屬Cr層。金屬Cu的電阻率低，具有較好的導(dǎo)電性，所以以金屬Cu作為輔助電極可降低電極基板的表面電阻，從而降低發(fā)光器件的功率消耗。以金屬Cr層作為保護(hù)層，金屬Cr為惰性金屬，具有抗氧化性和耐腐蝕性，并且與金屬Cu的附著性較好，能夠較好地保護(hù)Cu層，有效避免Cu層在制程中受到刻蝕液腐蝕而損壞。
[0017]本發(fā)明還提供一種電極基板的制程方法，包括:
[0018]將經(jīng)過(guò)制程圖樣化處理的電極基板置于第一刻蝕液中刻蝕保護(hù)層Cr層；
[0019]置于第二刻蝕液中刻蝕輔助電極層Cu層；
[0020]對(duì)電極層制程。
[0021]可選地，所述第一刻蝕液中包含強(qiáng)氧化性化合物和堿性化合物。
[0022]可選地，所述第一刻蝕液的成份包括:H20、NaOH和ΚΜη04。
[0023]可選地，在所述第一刻蝕液中刻蝕時(shí)間為75s_85s。
[0024]可選地，所述第二刻蝕液中包含酸性化合物。
[0025]可選地，所述第二刻蝕液的成份包括:H20、CH3COOH和H2O2。
[0026]可選地，所述第二刻蝕液的成份包括:H20、H3PO4^P Na 2S208。。
[0027]本發(fā)明所提供的一種上述電極基板的制程方法，將經(jīng)過(guò)制程圖樣化處理的電極基板先置于第一刻蝕液中刻蝕保護(hù)層Cr層，刻蝕完成后將其置于第二刻蝕液中刻蝕輔助電極層Cu層，最后對(duì)電極基板的電極層制程。金屬Cu與金屬Cr的活潑性不同，如果采用傳統(tǒng)的對(duì)輔助電極層和保護(hù)層一步刻蝕的方法，由于Cu比Cr活潑，將電極基板置于刻蝕液中刻蝕液與Cu反應(yīng)較快，就會(huì)出現(xiàn)電極金屬脫落和側(cè)蝕的不良現(xiàn)象，導(dǎo)致無(wú)法完成制程。本發(fā)明所述的制程方法，對(duì)保護(hù)層Cr層和輔助電極Cu層采用分步刻蝕的方法，將電極基板先置于第一刻蝕液中刻蝕保護(hù)層Cr層，刻蝕完成后再將其置于第二刻蝕液中刻蝕輔助電極層Cu層，最后對(duì)電極基板的電極層制程，從而完成對(duì)所述電極基板的制程。
【附圖說(shuō)明】
[0028]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電極基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電極基板的制程方法的流程圖；
[0030]圖3為采用本發(fā)明實(shí)施例提供的一種制程方法制程后電極基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]本發(fā)明提供一種電極基板，應(yīng)用于有機(jī)電致發(fā)光器件，具有較低的表面電阻，在一定程度上克服了現(xiàn)有的有機(jī)電致發(fā)光器件所采用的電極基板的電阻較大導(dǎo)致器件功率消耗大的缺點(diǎn)。本發(fā)明還提供一種上述電極基板的制程方法。
[0032]為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
[0033]參見(jiàn)圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電極基板，具體為用于有機(jī)電致發(fā)光器件的電極基板，包括:基板10 ;形成于所述基板之上的電極層11 ;形成于所述電極層之上的、作為輔助電極層的金屬Cu層12 ;形成于所述輔助電極層之上的、作為保護(hù)層的金屬Cr層13。
[0034]金屬Cu的電阻率低，具有較好的導(dǎo)電性，所以以金屬Cu作為輔助電極可降低發(fā)光器件的電極基板的表面電阻，以降低發(fā)光器件的功率消耗，提高發(fā)光器件的發(fā)光亮度。并且，與采用具有低電阻率的銀或銀合金等作為電極輔助材料相比，金屬Cu的成本更低，使器件的生產(chǎn)成本降低。同時(shí)金屬Cu對(duì)電極的附著性較好。
[0035]以金屬Cr層作為保護(hù)層，金屬Cr為惰性金屬，化學(xué)性質(zhì)比較穩(wěn)定，具有抗氧化性和耐腐蝕性，并且對(duì)金屬Cu的附著性較好，能夠較好地保護(hù)輔助電極Cu層，有效避免Cu層受氧氣和水份的影響而被氧化，或在制程中受到刻蝕液腐蝕而損壞。
[0036]本實(shí)施例中，所述基板10為玻璃基板，可以是鈉鈣基或硅硼基玻璃。形成于所述基板上的電極層作為有機(jī)電致發(fā)光器件的陽(yáng)極，具體為氧化銦錫(ITO)導(dǎo)電層。所述氧化銦錫(Ι??)導(dǎo)電層的厚度為1500±100埃，采用磁控濺射的方法形成于所述基板上。
[0037]本實(shí)施例中，作為輔助電極層的Cu層的厚度范圍為3000-3500埃，作為保護(hù)層的Cr層的厚度范圍為300-500埃，Cu層和Cr層均采用磁控濺射的方法形成。
[0038]所述電極基板的制作過(guò)程具體為:先將玻璃基板清洗干凈，然后在清洗干凈的玻璃基板上依次濺射形成ITO