專利名稱：一種高發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種蔭罩式等離子體顯示板，尤其涉及到一種高發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示板，具體地說(shuō)是一種在后基板制備立體尋址電極的 蔭罩式等離子體顯示板。
背景技術(shù)：
目前采用的蔭罩式等離子體顯示板主要包括前基板、后基板和蔭罩。 前基板從玻璃基板起，分別是掃描電極、介質(zhì)層以及在介質(zhì)層表面形成的保護(hù)層；后基板從玻璃基板起，分別是與掃描電極垂直的尋址電極，介質(zhì) 層以及在介質(zhì)層上形成的保護(hù)層；夾在前、后基板中間的蔭罩是由導(dǎo)電材 料(例如鐵或其合金)加工而成的包含網(wǎng)孔陣尋址的金屬薄網(wǎng)板。將上述 前基板、蔭罩和后基板組裝封接后充入預(yù)定的工作氣體，譬如各種惰性氣 體，即形成了蔭罩式等離子體顯示板。目前蔭罩式等離子體顯示板采用對(duì) 向》文電的工作原理，其工作原理如下首先，在尋址電才及組和掃描電纟及之間 加一高壓窄脈沖或斜坡脈沖擦除信號(hào)，擦除上次放電積累的壁電荷；然后 在掃描電極上加一高脈沖尋址電壓選中該行，同時(shí)在尋址電極上施加該4亍 的數(shù)據(jù)脈沖，該數(shù)據(jù)脈沖電壓幅度與掃描電壓之差高于掃描電極與尋址電 極之間的著火電壓，控制觸發(fā)放電，從而在該行形成與所需顯示信息對(duì)應(yīng)的壁電荷分布；在逐行完成整屏圖象初始放電之后，在掃描電極組和尋址 電極之間施加維持放電脈沖，以顯示該幀圖象。如此循環(huán)即可逐幀顯示圖 象。對(duì)彩色蔭罩式等離子體顯示板而言，蔭罩的面孔為大孔，與前基板面 對(duì)放置，內(nèi)壁涂敷三基色熒光粉，蔭罩的底孔為小孔，小孔間由通槽聯(lián)通， 底孔與后基板面對(duì)放置，每一放電單元中氣體放電產(chǎn)生的真空紫外光，激 發(fā)不同熒光材料發(fā)出相應(yīng)的三基色光。上述蔭罩式等離子體顯示板中存在 如下問(wèn)題1)蔭罩網(wǎng)板在制備工程中為保證面孔和底孔的尺寸精度，必須 采用雙面刻蝕工藝，面孔的刻蝕深度與底孔刻蝕深度比與面孔開(kāi)口與低孔 開(kāi)口比相關(guān)，除此之外，面孔的刻蝕深度還與蔭罩網(wǎng)板的強(qiáng)度要求有關(guān)， 通常面孔刻蝕深度占蔭罩厚度的1/2-2/3,這樣造成了面孔和底孔結(jié)構(gòu)的 不對(duì)稱。2)由于采用對(duì)向型放電結(jié)構(gòu)，放電空間集中在上下基板的電極之 間，即電場(chǎng)作用的距離是整個(gè)蔭罩厚度，而熒光粉只能涂覆在面孔的內(nèi)壁 表面，但作用在底孔空間的電場(chǎng)依然存在，此電場(chǎng)作用對(duì)可見(jiàn)光的產(chǎn)生幾 乎是無(wú)效的，導(dǎo)致了發(fā)光效率較低。3)底孔空間小，無(wú)法涂覆熒光粉，在 此放電空間產(chǎn)生的深紫外光幾乎無(wú)法激發(fā)面孔內(nèi)壁的熒光粉發(fā)光，使蔭罩 式等離子體顯示板亮度和發(fā)光效率較低。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是針對(duì)現(xiàn)有的蔭罩式等離子體顯示板采用對(duì)向型放電產(chǎn) 生的問(wèn)題，發(fā)明一種提高亮度和發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示板，在后 基板制備立體掃描電極，填堵底孔空間，同時(shí)降低對(duì)向電極作用距離，以 提高發(fā)光效率。
本發(fā)明的技術(shù)方案是一種高發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示板，包括前基板、后基板、蔭 罩，其中蔭罩封裝在前基板、后基板之間，所述的前基板包括前襯底玻璃 基板、掃描電極、前基板介質(zhì)層、前基板保護(hù)層，掃描電極平行在前襯底 玻璃基板上，前基板介質(zhì)層覆蓋在掃描電極上，前基板保護(hù)層覆蓋在前基 板介質(zhì)層上；所述的后基板包括后襯底玻璃基板、立體尋址電極、后基板 介質(zhì)層和后基板保護(hù)層，立體尋址電極平行設(shè)置在后襯底玻璃基板上，后 基板介質(zhì)層覆蓋在立體尋址電極上，后基板保護(hù)層則覆蓋在后基板介質(zhì)層 上；立體尋址電極與掃描電極成空間垂直正交；蔭罩為一厚度d為0.1-1. Omm的包含面孔陣列和底孔陣列的導(dǎo)電板，面孔與底孔屬于同一個(gè)放電單 元的上下表面，前基板相對(duì)的面孔的面積是其與后基板相對(duì)的底孔面積的 10~20倍，每一個(gè)面孔的上開(kāi)口寬度為底孔下開(kāi)口寬度的2~4倍；其特征 在于每一個(gè)面孔的深度是底孔的深度的2~4倍，掃描電極與蔭罩上的面 孔的上開(kāi)口面對(duì)放置并置于中間位置，立體尋址電極與蔭罩上的底孔的下 開(kāi)口呈嵌入狀態(tài)并置于中間位置；所述掃描電極與立體尋址電極組成介質(zhì) 阻擋型交流放電型的基本單元，立體尋址電極及后基板介質(zhì)層嵌入在底孔 的空間里，使整體放電空間壓縮在面孔的空間里，掃描電極與立體尋址電 極的最短作用距離接近面孔的深度，也就是說(shuō)立體電極填堵了底孔的高度， 使兩電極間的距離變短，近似為面孔的深度，在面孔內(nèi)壁涂覆熒光粉層。比較好的是，本發(fā)明的立體尋址電極為高而窄的立體電極陣列，構(gòu)成 向底孔空間深入的立體尋址電極，覆蓋在立體尋址電極上面的后基板介質(zhì) 層的厚度與覆蓋在前基板上的前基板介質(zhì)層厚度相同。
比較好的是，本發(fā)明的立體尋址電極及后基板介質(zhì)層的高度是底孔深度的0. 3 ~ 0. 7倍，立體尋址電極及后基板介質(zhì)層的總寬度是下開(kāi)口寬度的 0. 3 ~ 0. 5倍，使立體尋址電極及介質(zhì)層構(gòu)成的陣列與底孔及連接底孔間的 通槽呈嵌入狀態(tài)。本發(fā)明的立體尋址電極及后基板介質(zhì)層為多層電極與多層介質(zhì)層相間 的結(jié)構(gòu)，第一層覆蓋在后基板襯底玻璃的立體尋址電極的寬度是底孔下開(kāi) 口寬度的0. 2 ~ 0. 4倍，厚度為4 ~ lO^im,覆蓋在上面的第一層后基板介質(zhì) 層的面積為顯示板的有效顯示面積，厚度與前基板介質(zhì)層的相同，在第一 層后基板介質(zhì)層上對(duì)應(yīng)第一層立體尋址電極的位置制備第二層立體尋址電 極陣列，寬度與第一層立體尋址電極相同，在有效顯示面積之外的電極引 出端第一層立體尋址電極與第二層立體尋址電極連通，覆蓋在第二層立體 尋址電極上面的第二層后基板介質(zhì)層的厚度與第 一層后基板介質(zhì)層的相 同，第二層后基板介質(zhì)層寬度為下開(kāi)口寬度的O. 3~0. 5倍，第二層后基板 介質(zhì)層的長(zhǎng)度小于尋址電極的長(zhǎng)度，即在電極引出端沒(méi)有覆蓋，重復(fù)上述 步驟繼續(xù)制備第三層立體尋址電極和第三層后基板介質(zhì)層，直至使立體尋 址電極及后基板介質(zhì)層的總高度為底孔深度的0. 3 ~ 0. 7倍，總寬度是底孔 下開(kāi)口寬度的0. 3~0. 5倍。本發(fā)明所述的蔭罩、覆蓋有前基板介質(zhì)層及前基板保護(hù)層的掃描電極 與覆蓋有后基板介電層及后基板保護(hù)層的立體尋址電極組成介質(zhì)阻擋型交 流放電型的基本單元，立體尋址電極及后基板介質(zhì)層嵌入在底孔的空間里， 使整體放電空間壓縮在面孔的空間里，掃描電極與立體尋址電極的最短作 用距離接近面孔的深度，在面孔內(nèi)壁涂覆熒光粉層，使面孔放電空間的產(chǎn)
生的深紫外光激發(fā)內(nèi)壁的熒光粉，發(fā)出可見(jiàn)光。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下的有益效果1 、本發(fā)明的蔭罩式等離子體顯示板在后基板制備立體尋址電極及立體 介質(zhì)層，填堵了蔭罩底孔，使有效的放電空間壓縮到涂覆有熒光粉的面孔 空間，并使放電電極距離縮短，減低了功耗，提高了深紫外光的利用率， 從而提高了蔭罩式等離子體顯示板的發(fā)光效率和亮度。2、本發(fā)明制備立體尋址電極及介質(zhì)層采用目前等離子體顯示板常用工 藝，適合蔭罩式等離子體顯示板的量產(chǎn)要求。


圖1為本發(fā)明的顯示4反的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明實(shí)施例一中的立體尋址電極、后基板介質(zhì)層與蔭罩的位 置關(guān)系示意圖。圖3為本發(fā)明的立體尋址電極、后;I41介質(zhì)層實(shí)施例一制備方法的步驟。圖4本發(fā)明的顯示板的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為本發(fā)明實(shí)施例二中的立體尋址電極、后基板介質(zhì)層與蔭罩的位 置關(guān)系示意圖。圖6為本發(fā)明的立體尋址電極、后J^反介質(zhì)層實(shí)施例二制備方法的步驟。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。實(shí)施例一如圖1所示， 一種高發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示板，包括前基板1、 后基板2、蔭罩3,其中蔭罩3封裝在前基板1、后_14反2之間，所述的前 基板l包括前襯底玻璃基板4、掃描電極5、前基板介質(zhì)層6、前基板保護(hù) 層7，掃描電極5平行在前襯底玻璃基板4上，前基板介質(zhì)層6覆蓋在掃描 電極5上，前基板保護(hù)層7覆蓋在前基板介質(zhì)層6上；所述的后基板2包 括后襯底玻璃基板8、立體尋址電極9、后基板介質(zhì)層10和后基^反保護(hù)層 11，立體尋址電極9平行設(shè)置在后村底玻璃基板8上，后基板介質(zhì)層10覆 蓋在立體尋址電極(9上，后基板保護(hù)層11則覆蓋在后基板介質(zhì)層10上； 立體尋址電極9與掃描電極5成空間垂直正交；蔭罩3為一厚度d為0. 1~ 1. 0mm的包含面孔12陣列和底孔13陣列的導(dǎo)電板，面孔12與底孔13屬于 同一個(gè)》文電單元的上下表面，前基板1相對(duì)的面孔12的面積是其與后141 2相對(duì)的底孔13面積的10 ~ 20倍，每一個(gè)面孔12的上開(kāi)口 14寬度為底孔 13下開(kāi)口 15寬度的2 ~ 4倍；其特征在于每一個(gè)面孔12的深度16是底 孔13的深度17的2~4倍，掃描電才及5與蔭罩3上的面孔12的上開(kāi)口 14 面對(duì)放置并置于中間位置，立體尋址電極9與蔭罩3上的底孔13的下開(kāi)口 15呈嵌入狀態(tài)并置于中間位置；所述掃描電極5與立體尋址電極9組成介 質(zhì)阻擋型交流放電型的基本單元，立體尋址電極9及后基板介質(zhì)層10嵌入 在底孔13的空間里，使整體》文電空間壓縮在面孔12的空間里，掃描電極5 與立體尋址電極9的最短作用距離接近面孔12的深度16，在面孔12內(nèi)壁 涂覆熒光粉層。
本發(fā)明的立體尋址電極9是利用目前PDP中形成障壁的工藝制備成高 而窄的立體電極陣列，構(gòu)成向底孔13空間深入的立體尋址電才及9，覆蓋在 立體尋址電極9上面的后_|^反介質(zhì)層10的厚度與前基板1上的介質(zhì)層6厚 度相同，立體尋址電極9及后基板介質(zhì)層10的高度18是底孔深度17的 0. 3~0. 7倍，小于底孔13間通槽19的深度20,立體尋址電極9及介質(zhì)層 10的總寬度小于底孔下開(kāi)口寬度15,是下開(kāi)口寬度15的0.3~0.5倍，使的通槽19呈嵌入狀態(tài)。立體尋址電極9與后基板介質(zhì)層10與蔭罩3的關(guān) 系如圖2所示，立體尋址電極9與后基板介質(zhì)層10的制備步驟如圖3所示。本發(fā)明將前基板l、蔭罩3、后基板2的四周用低熔點(diǎn)玻璃制作的封接 框24進(jìn)行氣密封接，在顯示區(qū)域外、封接框24內(nèi)設(shè)置排氣管25,通過(guò)該 排氣管與真空系統(tǒng)相連，可以對(duì)上述器件進(jìn)行真空除氣，并充以一定氣壓 的所需工作氣體后與真空系統(tǒng)封離，這就形成了本發(fā)明所提供的等離子體 顯示板，封接解構(gòu)如圖4所示。本發(fā)明所述的蔭罩3、覆蓋有前基板介質(zhì)層6及前基板保護(hù)層7的掃描 電極5與覆蓋有后基板介質(zhì)層10及后基板保護(hù)層11的立體尋址電極9組 成介質(zhì)阻擋型交-ui文電型的基本單元，立體尋址電極9及后基板介質(zhì)層10 嵌入在底孔13的空間里，使整體放電空間壓縮在面孔12的空間里，掃描 電極5與立體尋址電極9的最短作用距離接近面孔12的深度16,在面孔 12內(nèi)壁涂覆熒光粉層，使面孔12放電空間的產(chǎn)生的深紫外光激發(fā)內(nèi)壁的熒 光粉，發(fā)出可見(jiàn)光。本發(fā)明的等離子體顯示板的工作原理如下在立體尋址電極9和掃描電
極5之間加一高壓窄脈沖或斜坡脈沖擦除信號(hào)，擦除上次放電積累的壁電 荷；然后在掃描電極5上加一高脈沖選中該行，同時(shí)在立體尋址電極9上 施加該行的數(shù)據(jù)脈沖，該數(shù)據(jù)脈沖電壓幅度與掃描電壓之差高于掃描電極 與尋址電極之間的著火電壓，控制觸發(fā)放電，從而在該行形成與所需顯示 信息對(duì)應(yīng)的壁電荷分布；在逐行完成整屏圖象初始放電之后，在掃描電極5 組和立體尋址電極9之間施加維持》文電脈沖，使壁電壓與維持電壓之和高 于被尋址像素的著火電壓，產(chǎn)生放電，放電產(chǎn)生的深紫外光激發(fā)面孔12內(nèi) 壁涂覆的熒光粉發(fā)出可見(jiàn)光，這樣就實(shí)現(xiàn)了該幀圖象的顯示，如此循環(huán)即 可逐幀顯示圖象。本發(fā)明的等離子體顯示板可采用尋址與顯示分離(ADS)的子場(chǎng)驅(qū)動(dòng)法， 也可采用表面交替發(fā)光(ALIS)驅(qū)動(dòng)法。實(shí)施例二在上述實(shí)施例一中，立體尋址電極9及后基板介質(zhì)層10還可由通常的 光敏^L漿光刻法和絲網(wǎng)印刷工藝制成多層電極與多層介質(zhì)層相間的立體尋 址電極9和后基板介質(zhì)層10,第一層覆蓋在后基板襯底玻璃的尋址電極9a 的寬度20是底孔13下開(kāi)口寬度15的0. 2 ~ 0. 4倍，厚度由選取銀漿材料 特性決定，通常在4~10|am，覆蓋在上面的第一層后1^反介質(zhì)層10a的面 積為顯示板的有效顯示面積，厚度與前基板介質(zhì)層6的相同，在第一層后 基板介質(zhì)層10a上面對(duì)應(yīng)第一層立體尋址電極9a的位置制備第二層立體尋 址電極9b陣列，寬度與第一層立體尋址電極9a相同，在有效顯示面積之 外的電極引出端第一層立體尋址電極9a與第二層立體尋址電極9b連通，
覆蓋在第二層立體尋址電極9b上面的第二層后基板介質(zhì)層10b的厚度與第 一層后^i^反介質(zhì)層10a的相同，但寬度比第二層立體尋址電極9b的寬，比 底孔13下開(kāi)口寬度15窄，為下開(kāi)口寬度15的0.3-0.5倍，第二層后基 板介質(zhì)層10b的長(zhǎng)度小于第二層立體尋址電極9b的長(zhǎng)度，即在電極引出端 沒(méi)有覆蓋，采取相同的步驟繼續(xù)制備第三層立體尋址電極9c和第三層后基 板介質(zhì)層10c等等，直至使立體尋址電極9b、 9c……及介質(zhì)層10b、 10c…… 的總高度是底孔深度17的0. 3 ~ 0. 7倍，總寬度是底孔下開(kāi)口寬度15的 0. 3~0. 5倍，使由立體尋址電極9a、 9b、 9c......組成立體尋址電極9及由后基板介質(zhì)層10a、 10b、 10c……組成的后^i^反介質(zhì)層IO構(gòu)成的陣列與底 孔13及連接底孔13間的通槽19呈嵌入狀態(tài)。立體尋址電極9與介質(zhì)10 與蔭罩3的關(guān)系如圖5所示，立體尋址電極9與介質(zhì)10的制備步驟如圖6 所示。本實(shí)施例構(gòu)成的蔭罩式等離子體顯示板的工作原理如實(shí)施例一。本實(shí)施例僅給出了部分具體的應(yīng)用例子，但對(duì)于從事平板顯示器的專 利人員而言，還可根據(jù)以上啟示設(shè)計(jì)出多種變形產(chǎn)品，這仍被認(rèn)為涵蓋于 本發(fā)明之中。
權(quán)利要求
1、一種高發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示板，包括前基板(1)、后基板(2)、蔭罩(3)，其中蔭罩(3)封裝在前基板(1)、后基板(2)之間，所述的前基板(1)包括前襯底玻璃基板(4)、掃描電極(5)、前基板介質(zhì)層(6)、前基板保護(hù)層(7)，掃描電極(5)平行在前襯底玻璃基板(4)上，前基板介質(zhì)層(6)覆蓋在掃描電極(5)上，前基板保護(hù)層(7)覆蓋在前基板介質(zhì)層(6)上；所述的后基板(2)包括后襯底玻璃基板(8)、立體尋址電極(9)、后基板介質(zhì)層(10)和后基板保護(hù)層(11)，立體尋址電極(9)平行設(shè)置在后襯底玻璃基板(8)上，后基板介質(zhì)層(10)覆蓋在立體尋址電極(9)上，后基板保護(hù)層(11)則覆蓋在后基板介質(zhì)層(10)上；立體尋址電極(9)與掃描電極(5)成空間垂直正交；蔭罩(3)為一厚度d為0.1～1.0mm的包含面孔(12)陣列和底孔(13)陣列的導(dǎo)電板，面孔(12)與底孔(13)屬于同一個(gè)放電單元的上下表面，前基板(1)相對(duì)的面孔(12)的面積是其與后基板(2)相對(duì)的底孔(13)面積的10～20倍，每一個(gè)面孔(12)的上開(kāi)口(14)寬度為底孔(13)下開(kāi)口(15)寬度的2～4倍；其特征在于每一個(gè)面孔(12)的深度(16)是底孔(13)的深度(17)的2～4倍，掃描電極(5)與蔭罩(3)上的面孔(12)的上開(kāi)口(14)面對(duì)放置并置于中間位置，立體尋址電極(9)與蔭罩(3)上的底孔(13)的下開(kāi)口(15)呈嵌入狀態(tài)并置于中間位置；所述掃描電極(5)與立體尋址電極(9)組成介質(zhì)阻擋型交流放電型的基本單元，立體尋址電極(9)及后基板介質(zhì)層(10)嵌入在底孔(13)的空間里，使整體放電空間壓縮在面孔(12)的空間里，掃描電極(5)與立體尋址電極(9)的最短作用距離接近面孔(12)的深度(16)，在面孔(12)內(nèi)壁涂覆熒光粉層。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的高發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示板，其特 征在于立體尋址電極(9)為高而窄的立體電極陣列，構(gòu)成向底孔(13) 空間深入的立體尋址電極(9 )，覆蓋在立體尋址電極(9 )上面的后基板介 質(zhì)層(10)的厚度與覆蓋在前基板(1)上的前基板介質(zhì)層(6 )厚度相同。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的高發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示板，其特 征在于立體尋址電極(9 )及后基板介質(zhì)層(10 )的高度是底孔深度(17 ) 的0. 3 ~ 0. 7倍，立體尋址電極(9 )及后基板介質(zhì)層(10 )的總寬度是下 開(kāi)口寬度(15)的0.3-0. 5倍，使立體尋址電極(9)及介質(zhì)層(10)構(gòu) 成的陣列與底孔(13)及連接底孔(13)間的通槽(19)呈嵌入狀態(tài)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的高發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示板，其特 征在于立體尋址電極(9 )及后基板介質(zhì)層(10)為多層電極與多層介質(zhì) 層相間的結(jié)構(gòu)，第一層覆蓋在后基板襯底玻璃的立體尋址電極(9a)的寬 度是底孔(13)下開(kāi)口寬度(15)的0. 2~0. 4倍，厚度為4 10^im，覆蓋在上 面的第一層后基板介質(zhì)層(10a)的面積為顯示板的有效顯示面積，厚度與前 基板介質(zhì)層(6)的相同，在第一層后基板介質(zhì)層(10a)上對(duì)應(yīng)第一層立體尋 址電極(9a)的位置制備第二層立體尋址電極(9b)陣列，寬度與第一層立體 尋址電極(9a)相同，在有效顯示面積之外的電極引出端第一層立體尋址電 極(9a)與第二層立體尋址電極(9b)連通，覆蓋在第二層立體尋址電極(9b) 上面的第二層后基板介質(zhì)層(10b)的厚度與第一層后基板介質(zhì)層(10a)的相 同，第二層后^i^反介質(zhì)層(10b)寬度為下開(kāi)口寬度(15)的0.3~0.5倍，第 二層后基板介質(zhì)層(10b)的長(zhǎng)度小于尋址電極(9b)的長(zhǎng)度，即在電極引出端沒(méi)有覆蓋，重復(fù)上述步驟繼續(xù)制備第三層立體尋址電極(9c)和第三層后 基板介質(zhì)層(10c)，直至使立體尋址電極(9)及后基板介質(zhì)層(10)的總高度 為底孔深度(17)的0. 3 ~ 0. 7倍，總寬度是底孔下開(kāi)口寬度(15)的0. 3 ~ 0. 5倍。
全文摘要
一種高發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示板，涉及在后基板制備立體尋址電極的蔭罩式等離子體顯示板。它主要包括前、后基板及夾在前、后基板中用于支撐前、后基板的包含網(wǎng)格孔陣尋址的導(dǎo)電蔭罩，蔭罩為包含面孔陣列和底孔陣列的導(dǎo)電板，面孔與底孔屬于同一個(gè)放電單元的上下表面，在后基板制備立體掃描電極，填堵了底孔空間，同時(shí)降低對(duì)向電極作用距離，以提高發(fā)光效率。
文檔編號(hào)H01J17/04GK101399142SQ20081015618
公開(kāi)日2009年4月1日 申請(qǐng)日期2008年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月24日
發(fā)明者杰 劉, 彥 屠, 張子南, 青 李, 楊蘭蘭, 王保平 申請(qǐng)人:東南大學(xué)