專利名稱：發(fā)光裝置以及利用該發(fā)光裝置作為光源的顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種能夠用作顯示裝置的光源的發(fā)光裝置。
技術背景液晶顯示裝置(LCD)是非自發(fā)光顯示裝置。LCD包括液晶(LC)面 板組件以及用于朝向LC面板組件發(fā)光的背光單元。LC面板組件接收從背 光單元發(fā)出的光并利用液晶層選擇性地透射或阻擋所述光。根據(jù)光源，背光單元分為不同類型，其中之一是冷陰極熒光燈(CCFL )。 CCFL是線性光源，其能夠通過諸如散射片、擴散板和/或棱鏡片的多個光 學構件向LC面板組件均勻發(fā)光。然而，由于CCFL穿過光學構件發(fā)光，所以可能存在光損失。在CCFL 型LCD中，從CCFL產生的光的僅3-5%穿過LC面板組件透射。此夕卜，由 于CCFL具有較高功耗，所以應用了 CCFL的LCD的整體功耗增大。此外， 因為CCFL由于其結構限制而難以大尺寸化，所以很難將CCFL應用于超過 30英寸的大尺寸LCD。應用了發(fā)光二極管(LED)的背光單元也是已知的。LED是與多個光 學構件結合的點光源，由此形成背光單元，所述光學構件例如是反射片、 光導板、散射片、擴散板、棱鏡片和/或類似構件。LED型背光單元具有快 的響應時間和良好的色彩再現(xiàn)性。然而，LED成本高并增大了 LCD的整體 厚度。當LCD被驅動時，驅動常規(guī)背光單元從而在整個發(fā)光表面保持預定亮 度。因此，難以將顯示質量改善到足夠的水平。例如，當LC面板組件響應于圖像信號而意欲顯示具有高亮度部分和低 亮度部分的圖像時，如果背光單元能夠對顯示高和低亮度部分的LC面板組 件的像素發(fā)出具有不同強度的光，則將可以實現(xiàn)具有更加改善的動態(tài)對比 度的圖像。然而，常規(guī)背光單元不能實現(xiàn)以上功能，因此在改善LCD顯示的圖像
的動態(tài)對比度方面存在限制。 發(fā)明內容本發(fā)明的一個方面提供一種能夠從整個發(fā)光表面均勻發(fā)光的發(fā)光裝置 以及使用該發(fā)光裝置作為背光單元的顯示裝置。本發(fā)明的另 一方面提供一種能夠獨立控制發(fā)光表面的多個分區(qū)的光強 度的發(fā)光裝置以及通過使用該發(fā)光裝置作為背光單元而能夠提高屏幕的動 態(tài)對比度的顯示裝置。本發(fā)明的又一方面提供了一種發(fā)光裝置，包括i)彼此面對并形成真 空容器的第一和第二基板；ii)設置在所述第一基板上的電子發(fā)射單元；以 及iii)設置在所述第二基板上的發(fā)光單元。所述發(fā)光單元包括i)形成在 所述第二基板上的透明陽極電極；ii)形成在所述陽極電極上的焚光層；以 及iii)接觸所述陽極電極并在所述熒光層之下與所述焚光層相交的多個第 一子電極。所述第一子電極具有比所述陽極電極的電阻更低的電阻。所述第一子電極可以形成在所迷陽極電極上并且比覆蓋所述第一子電 極的熒光層更薄。所述第一子電極可以由Mo、 Al、 Mo合金和Al合金中的 至少一種形成?？蛇x地，該第一子電極可以形成在陽極電極的表面上并且厚度與所述 熒光層基本類似或相同，其中所述熒光層可以形成在所述第一子電極之間。 所述第 一子電極可以由碳基導電材料形成。所述焚光層可以分成彼此間隔開的多個部分，所述發(fā)光裝置還可以包 括形成在所述熒光層的部分之間的第二子電極。所述第二子電極可以具有 比所述第一子電極的寬度更大的寬度。所述發(fā)光單元可以包括形成在所述熒光層的面對所述第一基板的表面 上的反射層。所述電子發(fā)射單元包括彼此絕緣且彼此交叉的第一和第二電 極，以及電連接到所述第 一和第二電極之一 的電子發(fā)射區(qū)域。本發(fā)明的另一方面提供一種顯示裝置，包括i)用于顯示圖像的顯示 面板；以及ii)構造來向所述顯示面板提供光的發(fā)光裝置。所述發(fā)光裝置包 括i)彼此面對并在其間定義間隔的第一和第二基4反；ii)發(fā)光單元，包括 形成在所述第二基板上的透明陽極電極、形成在所述陽極電極上的熒光層、 以及接觸所述陽極電極的多個第一子電極。
所述發(fā)光裝置可以包括在彼此基本交叉的第一和第二方向上布置的多 個像素，其數(shù)目小于所述顯示面板的像素數(shù)目。所述發(fā)光裝置還可以包括 電子發(fā)射單元，其位于所述第一基板上并包括沿所述第一和第二方向之一 布置的多個掃描電極以及沿另一方向布置的多個數(shù)據(jù)電^1。所述發(fā)光裝置 的像素可以具有通過所述掃描電極和數(shù)據(jù)電極控制的光強度。所述多個第一子電極的至少一個的厚度可以小于所述熒光層的厚度，所述熒光層可以覆蓋所述至少一個第一子電極?？蛇x^k^，所述第一子電極的至少一個的厚度可以與所述熒光層的厚度基本相似。所述第一子電極的 至少兩個可以寬度不同。所述熒光層可以包括彼此間隔開的多個部分，其中所述發(fā)光裝置還可 以包括形成在所述熒光層的部分之間的多個第二子電^1,其中所述多個第 二子電極中的至少一個可以具有比所述第一子電極的寬度更大的寬度。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例的發(fā)光裝置的截面圖； 圖2是圖1的發(fā)光裝置的有源區(qū)域的局部分解透視圖； 圖3是圖1的發(fā)光裝置的發(fā)光單元的局部放大頂一見圖； 圖4是圖1的發(fā)光裝置的發(fā)光單元的局部放大截面圖； 圖5是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的發(fā)光裝置的第二基板和發(fā)光單元的局 部放大截面圖；圖6是#>據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示裝置的分解透一見圖。
具體實施方式
現(xiàn)將參照附圖更充分地描述本發(fā)明的實施例。 圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例的發(fā)光裝置10的截面圖。 參照圖l,發(fā)光裝置10包括以預定間隔彼此面對的第一基板12和第二 基板14。在第一基板12和第二基板14的外圍設置密封構件16以將它們密 封在一起，由此形成密封容器。密封容器的內部保持約10-6Torr的真空度。 第一基板12和第二基板14中的每個具有構造來發(fā)射可見光的有源區(qū) 域和包圍有源區(qū)域的非有源區(qū)域。非有源區(qū)域不發(fā)光。有源區(qū)域包括位于 第一基板12上用于發(fā)射電子的電子發(fā)射單元18，以及位于第二基板14上
用于發(fā)射可見光的發(fā)光單元20,如圖l所示。在正z軸方向上發(fā)射可見光。圖2是圖1的發(fā)光裝置的有源區(qū)域的局部分解透視圖。參照圖1和圖2，電子發(fā)射單元18包括第一電才及22、第二電極26和 電子發(fā)射區(qū)域28。第一電極22和第二電極26通過絕緣層24彼此絕緣。電 子發(fā)射區(qū)域28電連接到第一電極22?？蛇x地，盡管在圖2中沒有示出，但 是電子發(fā)射區(qū)域28可以電連接到第二電極26。當在第一電極22上形成電子發(fā)射區(qū)域28時，第一電極22是將電流施 加到電子發(fā)射區(qū)域28的陰極電極，第二電極26是柵電極，通過在電子發(fā) 射區(qū)域28周圍形成對應于陰極電極和柵電極之間的電壓差的電場來誘導電 子發(fā)射。相反，當在第二電極26上形成電子發(fā)射區(qū)域28時，第二電極26 是陰極電極，第一電極22是柵電極。在第一電極22和第二電極26中，沿x軸方向布置的電極用作掃描電 極，沿y軸方向布置的電極用作數(shù)據(jù)電極。在圖l和圖2中，如果在第一電極22上形成電子發(fā)射區(qū)域28，則沿發(fā) 光裝置10的列(圖2中y軸方向)布置第一電極22，沿發(fā)光裝置10的行 (圖1和2中的x軸方向)布置第二電極26,如圖所示。然而，電子發(fā)射 區(qū)域28以及第一電極22和第二電才及26的布置不限于以上示例。分別穿過絕緣層24和第二電4及26形成開口 241和261，以部分暴露第 一電極22的表面，如圖1和2所示。通過絕緣層24的開口 241在第一電 極22上形成電子發(fā)射區(qū)域28。電子發(fā)射區(qū)域28由當在真空環(huán)境下將電場施加到其上時發(fā)射電子的材 料形成，例如含碳材料或納米尺寸材料。電子發(fā)射區(qū)域28可以由碳納米管、 石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C6q、硅納米線或其組合形成。 可以通過絲網(wǎng)印刷工藝、直接生長、化學氣相沉積或'踐射工藝來形成電子 發(fā)射區(qū)域28?？蛇x地，可以以Mo基或Si基材料形成的尖結構來形成電子發(fā)射區(qū)域。 第一電極22和第二電極26的一個交叉區(qū)域(圖2所示的四個電子發(fā) 射組之一)可以對應于發(fā)光裝置10的一個像素區(qū)域。可選地，第一電極22 和第二電極26的兩個或更多交叉區(qū)域可以對應于發(fā)光裝置10的一個像素 區(qū)域。在這種情況下，位于一個像素區(qū)域中的兩個或更多第一電極22和/ 或兩個或更多第二電極26彼此電連接以接收公共驅動電壓。
在一個實施例中，發(fā)光單元20包括形成在第二基一反14上的透明陽極 電極30、形成在陽極電極30上的焚光層32、接觸陽極電極30并被熒光層 32覆蓋的多個第一子電極34、以及形成在熒光層32上的反射層36。在一 個實施例中，第一子電極34以預定圖案布置且具有與陽極電極30的電阻 相比相對更低的電阻。陽極電極30由諸如氧化銦錫(ITO)層的透明導電層形成以傳輸從熒 光層32發(fā)出的可見光。陽極電極30的一部分延伸到密封構件16之外以形 成用于施加電壓的陽極引線38 (見圖1)。熒光層32可以是白色熒光層，其形成在第二基澤反14的整個有源區(qū)域 上，或者劃分成以預定圖案布置且彼此間隔開的多個部分。在這兩種情況 下，第一子電極34都可以被熒光層32覆蓋并以線圖案或格狀圖案形成(見 圖3)。在一個實施例中，第一子電極34由具有比陽極電才及30的電阻更低的 電阻的材料形成。例如，第一子電極34可以由Mo、 Al、 Mo合金和Al合 金中的至少一種形成?？梢栽谛纬蔁晒鈱?2之前在陽極電極30上形成第 一子電極34。這里，第一子電極34的厚度約為數(shù)千埃。熒光層32的厚度 可以為數(shù)lim。熒光層32形成在陽極電極30上同時覆蓋第一子電極34。在一個實施例中，調節(jié)第一子電極34的寬度尺寸，使得第一子電極34 從第二基板14的外表面是不可見的且不會顯著阻擋從熒光層32發(fā)出的可 見光的路徑。在一個實施例中，第一子電極34的寬度基本等于或小于約 20pm。如果第一子電極34的寬度過短，則第一子電極34的線電阻增大且 難以進行用于第一子電極34的構圖工藝。在另一實施例中，第一子電極34 的寬度基本等于或大于約5pm。在一個實施例中，第一子電極34在陽極電壓通過陽極引線38施加到 陽極電極30時減小了陽極電極30的線電阻，由此使陽極電極30的靠近陽 極引線38的部分與陽極電極30的遠離陽極引線38的部分之間的電壓差最 小化。在另一實施例中，第一子電極34在陽極電極30的整個表面上提供 基本均勻的電壓分布。在沒有子電極的常規(guī)發(fā)光裝置中，由于ITO制成的陽極電極具有較高 電阻，所以在靠近陽極引線的部分與遠離陽極引線的部分之間存在電壓差。 發(fā)光裝置的亮度與陽極電壓成比例。因此，發(fā)光裝置的亮度由于該電壓差 而在其整個發(fā)光表面上不均勻。反射層36由諸如Al的金屬形成，從而通過將從熒光層32向第一基板 12發(fā)出的可見光反射朝向第二基板14而提高屏幕亮度。為了抵抗外力均勻地保持第一基板12與第二基板14之間的間隙，在 第一基板12與第二基板14之間設置間隔物(未示出)。如圖3所示，當將焚光層32分成多個部分時， 一個或更多部分可以對 應于一個像素區(qū)域?？蛇x地， 一個部分可以對應于兩個或更多像素區(qū)域。 在至少一個實施例中，可以以矩形形狀形成熒光層32的每個部分，如圖3 所示?？梢栽谳枪鈱?2的部分之間以格狀圖案形成第二子電極40。在一個實施例中，第二子電極40由具有比陽極電才及30的電阻更低的 電阻的材料形成。第二子電極40的寬度大于第一子電極34的寬度。第二 子電極40可以由與第一子電極34基本相同的導電材料或者不同的導電材 料形成。在前一情況下，第二子電極40可以利用單個掩^^莫圖案與第一子電 極一起形成。在圖4中，第二子電極40由與第一子電極34相同的材料形成，并與 第 一子電極34 —起被同時構圖。第 一子電極34和第二子電極40可以具有相同的厚度。如下那樣在反射層36與菱光層32之間形成間隙。首先，在熒光層32 上形成由可以在高溫下分解的聚合物材料形成的間層(interlayer)(未示 出)。接著，在該間層上沉積用于形成反射層36的材料。然后，通過熱處 理去除間層，由此形成細微間隙。由于突光層32和反射層36通過間隔物 (未示出)被支承，所以能夠雉持該細微間隙。因此，反射層36不受熒光 層32的表面粗糙度影響，而是基本平坦的。通過將驅動電壓施加到第一電極22和第二電極26且將例如數(shù)千伏的 正DC電壓施加到陽極電極30,上述發(fā)光裝置10被驅動。圖l中的附圖標 記42表示從第二電極26延伸的第二電極引線。然后，在第一電極22和第二電極26之間的電壓差高于閾值的像素區(qū) 域在電子發(fā)射區(qū)域28周圍形成電場，由此從電子發(fā)射區(qū)域28發(fā)射電子。 所發(fā)射的電子被施加到陽極電極30的高電壓加速從而與熒光層32的相應 部分碰撞，由此激發(fā)焚光層32的相應部分。在每個i象素處熒光層32的發(fā) 光強度對應于相應像素的電子發(fā)射量。
在上述驅動過程中，由于第一子電極34和第二子電極40降低了陽極 電極30的線電阻，所以發(fā)光單元20的靠近陽極引線38的部分的電壓變得 與發(fā)光單元20的遠離陽極引線38的部分的電壓基本相同。這里，由于熒 光層32的發(fā)光強度與陽極電壓成比例，所以本實施例的發(fā)光裝置10能夠 遍及發(fā)光單元20的整個有源區(qū)域均勻地發(fā)光。圖5是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的發(fā)光裝置的第二基板和發(fā)光單元的局 部放大截面圖。參照圖5，本實施例的發(fā)光單元20，與前述實施例的發(fā)光單元相同，除 了第一子電極34，的厚度與形成在第一子電極34，之間的熒光層32，的厚度相 似或相同。也就是說，在本實施例中，第一子電極34，由諸如石墨的碳基材料通過 諸如絲網(wǎng)印刷工藝的厚成膜(thick filming)工藝形成，以具有上述高度。 第一子電極34，的寬度設計成與在前面的實施例中描述的第一子電極34的 寬度基本相同。此外，當將熒光層32，分成以預定圖案布置且彼此間隔開的多個部分 時，可以在焚光層32，的部分之間形成第二子電極40'。第二子電極40，由與 第一子電極34，的材料相同的材料形成。第一子電極34，和第二子電極40， 的高度可以彼此類似或相同。在上述至少一個實施例中，第一基板12和第二基板14之間的間隙可 以是例如約5mm至約20mm。陽4及電極30可以通過陽才及引線38接收高電 壓，例如大于約10kV,或者約10-15kV。因此，在一個實施例中，發(fā)光裝 置IO在有源區(qū)域的中心部分實現(xiàn)了 10000cd/n^以上的亮度。圖6是根據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示裝置的分解透4見圖。圖6的顯示裝 置僅是示例性的，不限制本發(fā)明。參照圖6,本實施例的顯示裝置100包括發(fā)光裝置IO和設置在發(fā)光裝 置10前面的顯示面板50。可以在顯示面板50與發(fā)光裝置IO之間設置散射 體60,其用于將發(fā)光裝置IO發(fā)出的光朝向顯示面板50均勻地散射。散射 體60可以與發(fā)光裝置10間隔開預定距離。在顯示面板50的前面設置頂架 62，在發(fā)光裝置10的后面設置底架64。顯示面板50可以是液晶顯示面板或任何其他非自發(fā)光顯示面板。在以 下描述中，以液晶顯示面板為示例。
顯示面板50包括具有多個薄膜晶體管(TFT)的TFT基板52，設置在 TFT基板52之上的濾色器基板54 ，以及設置在TFT基板52與濾色器基板 54之間的液晶層(未示出)。將偏振板(未示出)附著于濾色器基板54的 頂表面以及TFT基板52的底表面，從而使穿過顯示面板50的光偏振。TFT基板52是玻璃基板，其上以矩陣圖案布置有TFT。數(shù)據(jù)線連接到 一TFT的源極端，柵極線連接到TFT的柵極端。此外，在TFT的漏極端上 形成像素電極。當電信號從電路板組件56和58輸入到各^l冊極線和^:據(jù)線時，電信號 被輸入到TFT的柵極端和源極端。然后，TFT根據(jù)輸入到其中的電信號導 通或截止，并將驅動像素電極所需的電信號輸出到漏極端。在濾色器基板54上形成RGB濾色器，從而光穿過濾色器基板54時發(fā) 出預定的顏色。在濾色器基板54的整個表面上沉積公共電極。當將電源施加到TFT的柵極端和源極端以使TFT導通時，在像素電極 與公共電極之間形成電場。由于該電場，可以改變設置在TFT基板52與濾 色器基板54之間的液晶層的液晶分子的取向，由此能夠根據(jù)液晶分子的取 向改變每個像素的光透射率。顯示面板50的電^各板組件56和58分別連接到驅動IC封裝561和581 。 為了驅動顯示面板50,柵極電路板組件56傳輸柵極驅動信號，并且數(shù)據(jù)電 路板組件58傳輸數(shù)據(jù)驅動信號。發(fā)光裝置10的像素的數(shù)目小于顯示面板50的像素數(shù)目，使得發(fā)光裝 置10的一個像素對應于顯示面板50的兩個或更多像素。發(fā)光裝置10的每 個像素響應于顯示面板50的相應像素中的最高灰度值發(fā)光。發(fā)光裝置10 在每個像素能表示2-8位灰度值。為了方便起見，顯示面板50的像素將稱為第一像素，發(fā)光裝置10的 像素將稱為第二像素。此外，對應于一個第二像素的多個第一像素將稱為 第一像素組。為了驅動發(fā)光裝置10，用于控制顯示面板50的信號控制單元(未示出) 檢測第 一像素組的第 一像素中的最高灰度值，根據(jù)檢測到的灰度值計算第 二像素的發(fā)光所需的灰度值，將計算出的灰度值轉化成數(shù)字數(shù)據(jù)，并利用 該數(shù)字數(shù)據(jù)產生發(fā)光裝置10的驅動信號。發(fā)光裝置10的驅動信號包括掃 描驅動信號和數(shù)據(jù)驅動信號。
發(fā)光裝置10的電路板組件(未示出)，即掃描電路板組件和數(shù)據(jù)電路
板組件，分別連接到驅動IC封裝441和461。為了驅動發(fā)光裝置IO,掃描 電路板組件傳輸掃描驅動信號，數(shù)據(jù)電路板組件傳輸數(shù)據(jù)驅動信號。第一 和第二電極之一接收掃描驅動信號，另 一個接收數(shù)據(jù)驅動信號。
因此，當將要通過第一像素組顯示圖像時，發(fā)光裝置IO的相應的第二 像素與第一像素組同步以發(fā)出具有預定灰度值的光。發(fā)光裝置IO具有以行 和列布置的像素。每行中布置的像素數(shù)目可以是2至99個，每列中布置的 像素數(shù)目可以是2至99個。
如上所述，在發(fā)光裝置10中，發(fā)光裝置10的像素的發(fā)光強度被獨立 地控制，以向顯示面板50的每個第一像素組發(fā)出適當強度的光。因而，本 發(fā)明的顯示裝置100能夠提高動態(tài)對比度和屏幕的圖像質量。
盡管以上描述已經指出了已用于各種實施例的本發(fā)明的新穎特征，但 本領域技術人員將理解到，在不偏離本發(fā)明的范圍的前提下，可以對所示 出的裝置或工藝的形式和細節(jié)進行各種省略、替換和改變。因此，本發(fā)明 的范圍由所附權利要求而不是以上描述限定。在權利要求的等同物的含義 和范圍內的所有變化包含在權利要求的范圍內。
權利要求
1.一種發(fā)光裝置，包括彼此面對并在其間形成間隔的第一和第二基板；位于所述第一基板上的電子發(fā)射單元；以及位于所述第二基板上的發(fā)光單元，其中所述電子發(fā)射單元和所述發(fā)光單元彼此面對，其中所述發(fā)光單元包括形成在所述第二基板上的透明陽極電極；形成在所述陽極電極上的熒光層；以及位于所述陽極電極上的至少一個子電極，其中所述至少一個子電極具有比所述陽極電極的電阻更低的電阻。
2. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述至少一個子電極的厚度 小于所述熒光層的厚度。
3. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述至少一個子電極由Mo、 Al、 Mo合金和Al合金中的至少一種形成。
4. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述至少一個子電極的厚度 與所述熒光層的厚度基本相同。
5. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述至少一個子電極由碳基 導電材料形成。
6. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所迷至少一個子電極的寬度 在約5|im至約20jam的范圍。
7. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述熒光層包括彼此間隔開 的多個部分，其中所述至少一個子電極包括多個第一和第二子電極，其中 所述多個第二子電極形成在所述熒光層的所述部分之間，其中至少一個第 二子電極具有比所述第一子電極的寬度更大的寬度。
8. 根據(jù)權利要求7所述的發(fā)光裝置，其中至少一個第二子電極由與所 述第 一子電極的材料基本相同的材料形成。
9. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述發(fā)光單元還包括形成在 所述熒光層的面對所述第一基板的表面上的反射層。
10. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述發(fā)光單元構造來穿過 所述第二基板向非自發(fā)光顯示裝置發(fā)光。
11. 一種顯示裝置，包括 用于顯示圖像的顯示面板；以及 構造來向所述顯示面板提供光的發(fā)光裝置， 其中所述發(fā)光裝置包括彼此面對并在其間定義間隔的第 一 和第二基板；發(fā)光單元，包括i)形成在所述第二基板上的透明陽極電極、ii)形成在所述陽極電極上的焚光層、以及iii)接觸所述陽極電極的多個第一子電極。
12. 根據(jù)權利要求11所述的顯示裝置，其中所述發(fā)光裝置包括在彼此 基本交叉的第一和第二方向上布置的多個像素，其數(shù)目小于所述顯示面板 的像素數(shù)目。
13. 根據(jù)權利要求12所述的顯示裝置，還包括電子發(fā)射單元，其位于 所述第一基板上并包括沿所述第一和第二方向之一布置的多個掃描電極以 及沿另一方向布置的多個數(shù)據(jù)電極。
14. 根據(jù)權利要求13所述的顯示裝置，其中所述發(fā)光裝置的像素具有 通過所述掃描電極和數(shù)據(jù)電極控制的光強度。
15. 根據(jù)權利要求11所述的顯示裝置，其中所述多個第一子電極的至 少一個的厚度小于所述熒光層的厚度，且所述熒光層覆蓋所述至少一個第 一子電極。
16. 根據(jù)權利要求11所述的顯示裝置，其中所述多個第一子電極的至 少一個具有比所述陽極電極的電阻更低的電阻。
17. 根據(jù)權利要求11所述的顯示裝置，其中所述第一子電極的至少一 個的厚度與所述熒光層的厚度基本相似。
18. 根據(jù)權利要求11所述的顯示裝置，其中所述第一子電極的至少兩 個寬度不同。
19. 根據(jù)權利要求11所述的顯示裝置，其中所述熒光層包括彼此間隔 開的多個部分，其中所述發(fā)光裝置還包括形成在所述焚光層的所述部分之 間的多個第二子電極，其中所述多個第二子電極的至少 一個具有比所述第 一子電極的寬度更大的寬度。
20.根據(jù)權利要求11所述的顯示裝置，其中所述發(fā)光單元還包括形成 在所述定光層的面對所述第一基板的表面上的反射層。
全文摘要
本發(fā)明公開一種發(fā)光裝置和使用該發(fā)光裝置作為光源的顯示裝置。在一個實施例中，所述發(fā)光裝置包括i)彼此面對并形成真空容器的第一和第二基板，ii)設置在所述第一基板上的電子發(fā)射單元，以及iii)設置在所述第二基板上的發(fā)光單元。所述發(fā)光單元可包括i)形成在所述第二基板上的透明陽極電極，ii)形成在所述陽極電極上的熒光層，以及iii)接觸所述陽極電極并在所述熒光層之下與所述熒光層交叉的多個子電極。所述子電極可以具有比所述陽極電極的電阻更低的電阻。
文檔編號F21Y101/00GK101127292SQ200710091908
公開日2008年2月20日 申請日期2007年3月30日 優(yōu)先權日2006年8月14日
發(fā)明者丁奎元, 全筆句, 姜守鐘, 李相辰, 李真鎬, 柳敬善, 辛宗訓 申請人:三星Sdi株式會社