專利名稱：陽極面板以及具有該陽極面板的場發(fā)射裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及陽極面板以及具有該陽極面板的場發(fā)射裝置,更具體地涉及 可以確保亮度均勻性的陽極面板和具有該陽極面板的場發(fā)射裝置。
背景技術(shù)：
場發(fā)射裝置(FED)是通過從陰極電極上形成的發(fā)射體發(fā)射的電子與在 陽極電極上形成的萸光體材料碰撞而產(chǎn)生光的設(shè)備。由金屬例如Mo形成的 微小尖端通常用做場發(fā)射裝置的發(fā)射體。然而，最近具有高電子發(fā)射特性的 碳納米管(CNT)主要用作發(fā)射體。由于場發(fā)射裝置能耗低、反應(yīng)快、視角寬、分辨率高等，場發(fā)射裝置可 以用于汽車導(dǎo)航裝置、個人計算機(jī)、醫(yī)療設(shè)備、高清電視(HDTV)領(lǐng)域的 顯示器。場發(fā)射裝置還可以用作液晶顯示器(LCD)的背光單元。圖l是傳統(tǒng)的場發(fā)射裝置的示意性截面圖。圖2是圖1中陽極面板的部 分底視圖，而圖3是圖1中陽極面板的放大的截面圖。參考圖1,場發(fā)射裝置包括陰極面板10和陽極面板20,其中陰極面板 與陽極面板相隔預(yù)定距離設(shè)置且彼此面對。陰極面板10包括下襯底11、形 成在下襯底1上的陰極電極13、形成在下襯底11上以覆蓋陰極電極13的 絕緣層15以及形成在絕緣層15的上表面上的柵電極17。絕緣層15包括多 個暴露陰極電極13的發(fā)射器孔18。作為電子發(fā)射源的發(fā)射體19分別形成在 發(fā)射器孔18中。形成每個發(fā)射器孔18以對應(yīng)像素30R、 30G和30B中的一 個(參考圖2)。陽極面板20包括上襯底21、形成在上襯底21的下表面上的陽極電極 23、形成在陽極電極23的下表面上且包括暴露陽極電極23的多個開口 25a 的黑矩陣25、具有預(yù)定顏色例如紅色R、綠色G和藍(lán)色B且形成為填充開 口 25a的焚光體層27R、 27G和27B、以及覆蓋熒光體層(phosphor layer)27R、 27G和27B的反射層29。陽極電極23可以由透明導(dǎo)體材料例如氧化銦錫 (ITO)形成。黑矩陣25形成在像素30R、 30G和30B之間以增加對比度，
其可以由Cr或鉻氧化物形成。如圖2所示，在黑矩陣25中，對應(yīng)一個像素 30a形成一個開口 25a。反射層29可以由具有高光反射率的金屬例如鋁形成。在具有如圖3所示的上述結(jié)構(gòu)的場發(fā)射裝置中，由發(fā)射體19發(fā)射的電 子與形成在陽極面板20上的熒光體層27R、 27G和27B中的熒光體顆粒27， 碰撞。由此，可見光從熒光體顆粒27，產(chǎn)生?？梢姽獯┻^上襯底21向上方發(fā) 射。射向下襯底11的可見光由反射層29反射并且射向上襯底21。但是，在具有上述結(jié)構(gòu)的場發(fā)射裝置中，如果從發(fā)射體19的電子發(fā)射 是不均勻的，則從熒光體層27R、 27G和27B發(fā)出的可見光就是不均勻的。 結(jié)果，形成圖像的每種顏色的像素30R、 30G和30B的亮度均勻性減弱。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種可以增強(qiáng)像素亮度均勻性的陽極面板以及具有該陽極 面板的場發(fā)射裝置。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種用于場發(fā)射裝置的陽極面板，其包括 襯底；形成在襯底下表面上的陽極電極；形成在陽極電極下表面上并具有相 對于一個像素的多個開口的黑矩陣；覆蓋與每個像素對應(yīng)的開口及開口之間 的黑矩陣的具有預(yù)定顏色的熒光體層；及形成在焚光體層下表面上的反射 層。從熒光體層發(fā)射出的部分可見光可以在黑矩陣和反射層之間被多次反 射，然后，可見光可以經(jīng)過開口穿過陽極電極和襯底后被發(fā)射到外部。陽極電極可以由透明導(dǎo)電材料例如氧化銦錫(ITO)形成。黑矩陣可以 由Cr或4各氧化物形成。反射層可以由鋁形成。根據(jù)本發(fā)明的另 一方面，提供一種具有相互間設(shè)置有預(yù)定距離且彼此面 對的陽極面板和陰極面板的場發(fā)射裝置，陽極面板包括上襯底；形成在上 襯底下表面上的陽極電極；形成在陽極電極下表面上并具有對應(yīng)一個像素的 多個開口的黑矩陣；覆蓋對應(yīng)每個像素的開口以及開口間的黑矩陣的具有預(yù) 定顏色的焚光體層；以及形成在熒光體層下表面上的反射層。陰極面板可包括下襯底；形成在下襯底上表面上的陰極電極；形成在 下襯底上以覆蓋陰極電極且具有暴露陰極電極的多個發(fā)射器孔的絕緣層；形 成在絕緣層上表面上的柵電極；和形成在每個發(fā)射器孔中的發(fā)射體。根據(jù)本發(fā)明的另 一方面，提供一種用于場發(fā)射裝置的陽極面板，其包括
襯底；形成在襯底下表面上的陽極電極；形成在陽極電極下表面上且相對于 一個像素具有多個第一開口的黑矩陣；覆蓋每個第一開口且具有預(yù)定顏色的 熒光體層；形成在熒光體層下表面上的第一反射層；以及形成在襯底上表面 上且具有對應(yīng) 一個像素的多個第二開口的第二反射層。 相對于一個像素可以形成一個第一開口 。從熒光體層發(fā)射的可見光的一些部分可在第一反射層和第二反射層之 間多次反射，然后可見光穿過陽極電極和襯底后經(jīng)過第二開口發(fā)射到外部。第一反射層可以由鋁形成。第二反射層可以由與黑矩陣相同的材料或鋁 形成。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種具有相互間設(shè)置有預(yù)定距離且彼此面 對的陽極面板和陰極面板的場發(fā)射裝置，其中陽極面板包括上襯底；形成 在上襯底下表面上的陽極電極；形成在陽極電極下表面上且包括多個第一開 口的黑矩陣；覆蓋第一開口且具有預(yù)定顏色的熒光體層；形成在焚光體層下 表面上的第一反射層；和形成在襯底上表面上且具有與一個像素對應(yīng)的多個 第二開口的第二反射層。


通過參考附圖詳細(xì)描述其示例實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其它特征及優(yōu)點(diǎn) 將會更加清楚，附圖中圖l是說明傳統(tǒng)場發(fā)射裝置的示意性截面圖；圖2是圖1的陽極面板的部分底視圖；圖3是圖1的陽極面板的放大的截面圖；圖4是說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的場發(fā)射裝置的示意性截面圖；圖5是圖4的陽極面板的部分底視圖；圖6是圖4的陽極面板的放大的截面圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例可用于場發(fā)射裝置的陽極面板底視圖的變型； 圖8A和8B分別是圖4的場發(fā)射裝置和傳統(tǒng)的場發(fā)射裝置的照片圖像； 圖9是說明根據(jù)本發(fā)明另 一 實(shí)施例的場發(fā)射裝置的示意性截面圖； 圖IO是圖9的陽極面板的部分底視圖；及 圖11是圖9的陽極面板的放大的截面圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將參考其中示出了本發(fā)明示例實(shí)施例的附圖更充分地描述本發(fā)明。 在附圖中，為了清楚放大了層和區(qū)的厚度，并且相同的附圖標(biāo)記表示相同的 元件。根據(jù)下文中所描述的本發(fā)明的場發(fā)射裝置能夠用作多個領(lǐng)域中的顯示 器，并且也能夠用作液晶顯示器的背光單元。圖4是說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的場發(fā)射裝置的示意性截面圖。圖5是圖 4的陽極面板的部分底視圖，圖6是圖4的陽極面板的放大的截面圖。參考圖4到6,根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的場發(fā)射裝置包括相互間設(shè)置有預(yù)定 距離且彼此面對的陰極面板110和的陽極面板120?？梢栽陉帢O面板110和 陽極面板120之間設(shè)置隔離物(未示出)以在它們之間保持預(yù)定距離。陰極面板110包括下襯底111、依次形成在下襯底111上的陰極電極113、 絕緣層115和柵電極117。下襯底111可以是傳統(tǒng)的透明玻璃襯底或可以是 塑料襯底。形成陰極電極113可以以預(yù)定形狀例如條紋狀形成在下襯底111 的上表面上，或可以由透明導(dǎo)電材料例如氧化銦錫(ITO)形成。覆蓋陰極電極113的絕緣層115形成在下襯底111上。絕緣層115具有 多個暴露陰極電極113的發(fā)射器孔118。作為電子發(fā)射源的發(fā)射體119分別 形成在發(fā)射器孔118中。多個發(fā)射器孔118的每一個可以形成為與像素130R、 130G和130B的其中之一對應(yīng)。發(fā)射體119可以由具有高電子發(fā)射特性的碳 納米管(CNT)形成，但是本發(fā)明并不局限于CNT。即，發(fā)射體119可以由各 種材料形成。在絕緣層115的上表面上形成用于引出電子的柵電極117。可以形成柵 電極117為與陰極電極113交叉。柵電極117可以由導(dǎo)電金屬或透明導(dǎo)電材 料例如ITO形成。雖然未示出，可以在陰極電極113的上或下表面上進(jìn)一步 形成電阻層以使從發(fā)射體119發(fā)射的電流均勻。陽極面板120包括以預(yù)定距離與下襯底111分開設(shè)置的上襯底121、和 依次在上襯底121上形成的陽極電極123、黑矩陣125、萸光體層127R、 127G 和127B以及反射層129。上襯底121可以是透明玻璃村底或透明塑料襯底。 陽極電極123形成在上村底121的下表面上。陽極電極123可以形成為覆蓋 上襯底121的整個下表面。陽極電極123可以由透明導(dǎo)電材料形成，例如ITO， 使得從焚光體層127R、 127G和127B發(fā)射的可見光能夠從其穿過。黑矩陣125形成在陽極電極123的下表面上。黑矩陣125具有暴露陽極 電極123的多個開口 125a。在現(xiàn)有^支術(shù)中，形成一個開口以對應(yīng)于一個像素， 但在本實(shí)施例中，形成多個開口 125a以對應(yīng)像素130R、 130G和130B的其 中一個。具有多個開口的黑矩陣125可以增加對比度并且能夠通過反射從熒 光體層127R、 127G和127B產(chǎn)生的可見光增加在每個^^素130R、 130G和 130B中亮度的均勻性，如下面所描迷的。黑矩陣125可以由例如Cr或鉻氧 化物形成。在圖5中，黑矩陣125中的開口 125a形成為圓形形狀，但是開 口 125a可以形成為各種形狀，例如圖7所示，開口 125a可以形成為橢圓形。在黑矩陣125的下側(cè)形成預(yù)定顏色例如紅色R、綠色G和藍(lán)色B的焚 光體層127R、 127G和127B。構(gòu)成一個像素130R、 130G和130B的焚光體 層127R、 127G和127B的每一個形成為覆蓋對應(yīng)像素130R、 130G和130B 的每一個的開口 125a和開口 125a之間的黑矩陣125。由于與從形成在陰極 面板110上的發(fā)射體119發(fā)射的電子的碰撞，像素130R、 130G和130B中 的熒光體層127R、 127G和127B產(chǎn)生具有預(yù)定顏色的可見光。在焚光體層 127R、 127G和127B的下表面上形成反射層129。反射層129把從焚光體層 127R、 127G和127B產(chǎn)生的可見光向上襯底121反射。反射層129可以由 具有高反射率的材料例如鋁形成。在具有上述結(jié)構(gòu)的場發(fā)射裝置中，當(dāng)對陰極電極113、柵電極117和陽 極電極123的每一個施加預(yù)定電壓時，由于在陰極電極113和柵電極117之 間形成的電場，電子從發(fā)射體119發(fā)射并射向陽極電極123。如圖6中所示， 射向陽極電極123的電子穿過反射層129與焚光體層127R、 127G和127B 碰撞。結(jié)果，從熒光體顆粒127，發(fā)射具有預(yù)定顏色的可見光。在圖6中， 為了清楚放大了焚光體顆粒127，。從熒光體層127R、 127G和127B產(chǎn)生的一部分可見光通過開口 125a穿 過陽極電極123和上襯底121后直接發(fā)射到外部，或者在被反射層129反射 一次后通過開口 125a穿過陽極電極123和上襯底121后發(fā)射到外部。如圖 6中所示，可見光的其它部分在黑矩陣125和反射層129之間多次反射，然 后通過形成在黑矩陣125中的開口 125a穿過陽極電極123和上襯底121后 發(fā)射到外部。因此，當(dāng)從熒光體層127R、 127G和127B產(chǎn)生的可見光在黑 矩陣125和反射層129之間被多次反射后發(fā)射到外部時，與現(xiàn)有技術(shù)相比可 以改善像素130R、 130G和130B的每一個的亮度均勻性。圖8A和8B分別是圖4的場發(fā)射裝置和傳統(tǒng)場發(fā)射裝置的照片圖像。 圖8A是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例其中在黑矩陣中形成每個像素兩個開口的場發(fā)射 裝置的像。圖8B是其中在黑矩陣中形成每個像素一個開口的傳統(tǒng)場發(fā) 射裝置的圖像。參考圖8A和8B,與傳統(tǒng)場發(fā)射裝置的亮度相比，在根據(jù)本 發(fā)明實(shí)施例的場發(fā)射裝置中的每個像素的亮度均勻性得到了改善。圖9是說明根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的場發(fā)射裝置的示意性截面圖。圖10 是圖9的陽極電極的部分底視圖，圖11是圖9的陽極電極的放大的截面圖。 在本實(shí)施例中，將主要描述與前述實(shí)施例的差別。參考圖9至ll,根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的場發(fā)射裝置包括以預(yù)定距離彼 此分開設(shè)置且彼此面對的陰極面板210和陽極面板220。陰極面板210包括 下襯底211和依次形成在下襯底211上的陰極電極213、絕緣層215和柵電 極217。陰極電極213以預(yù)定形狀在下襯底211的上表面上形成。形成覆蓋陰極 電極213的絕緣層215。在絕緣層215中形成暴露陰極電極213的多個發(fā)射 器孔218。作為電子發(fā)射源的發(fā)射體219分別形成在發(fā)射體孔218中?？梢?形成多個發(fā)射體219以對應(yīng)于一個像素230R、 230G和230B。發(fā)射體219 可以由具有高電子發(fā)射特性的CNT形成。然而，形成發(fā)射體219的材料并 不局限于CNT,即，發(fā)射體219也可以由除了 CNT的各種材料形成。用于 引出電子的柵電極217以預(yù)定形狀形成在絕緣層215的上表面上。雖然未示 出，可以在陰極電極213的上表面上進(jìn)一步形成電阻層以得到從發(fā)射體219 產(chǎn)生的均勻電流。陽極面板220包括上襯底221、陽極電極223、黑矩陣225、熒光體層 227R、 227G和227B、第一反射層229和第二反射層226。上襯底221與下 襯底221以預(yù)定距離分開設(shè)置并面向下襯底211。上襯底221可以是透明玻 璃襯底或透明塑料襯底。陽極電極223形成在上襯底221的下表面上。陽極 電極223可以形成為覆蓋上襯底221的整個下表面。陽極電極223可以由透 明導(dǎo)電材料例如ITO形成。黑矩陣225形成在陽極電極223的下表面上以增加對比度。黑矩陣225 具有暴露陽極電極223的多個第一開口 225a。每個第一開口 225a對應(yīng)每個 像素230R、 230G和230B。黑矩陣225可以由例如4各或鉻氧化物的材料形 成。紅色R、綠色G和藍(lán)色B的熒光體層227R、 227G和227B順序填充到
黑矩陣225的第 一開口 225a中。第 一反射層229形成在熒光體層227R、227G 和227B的下表面上。第一反射層229反射焚光體層227R、 227G和227B產(chǎn) 生的可見光使得可見光射向上襯底221。第一反射層229可以由具有高反射 率的材料形成，例如鋁。第二反射層226形成在上襯底221的上表面上。第二反射層226具有暴 露上襯底221的多個第二開口 226a。在本實(shí)施例中，多個第二開口 226a對 應(yīng)一個像素230R、 230G和230B。第二反射層226可以由與形成黑矩陣225 的材料相同的材料形成。更具體地，第二反射層可以由例如鉻或鉻氧化物形 成。另外，第二反射層226可以如第一反射層229那樣由鋁形成。具有多個 第二開口 226a的第二反射層226通過反射熒光體層227R、 227G和227B 產(chǎn)生的可見光增加像素230R、 230G和230B中的亮度均勻性，如下面將描 述的。在圖10中，第二開口 226a形成為圓形形狀，但本發(fā)明并不局限于此。在具有上述結(jié)構(gòu)的場發(fā)射裝置中，當(dāng)預(yù)定電壓施加在每個陰極電極213、 柵電極217和陽極電極223上時，由于陰極電極213和4冊電極217之間形成 的電場，電子從發(fā)射體219發(fā)射出來并射向陽極電極223。如圖ll所示，射 向陽極電極223的電子穿過第一反射層229并與焚光體層227R、 227G和 227B碰撞。結(jié)果，具有預(yù)定顏色的可見光從焚光體顆粒227，發(fā)射出來。在 圖11中，為清楚起見熒光體顆粒227，被放大。由熒光體層227R、 227G和227產(chǎn)生的部分可見光穿過陽極電極223 和上襯底221之后通過第二開口 226a直接發(fā)射到外部，或者被第一反射層 229反射一次并穿過陽極電極223和上襯底221之后通過第二開口 226a發(fā)射 到外部?？梢姽獾钠渌糠?，如圖11所示，在第一反射層229和第二反射 層226之間多次反射，然后通過形成在第二反射層226中的第二開口 226a 發(fā)射到外部。因此，當(dāng)熒光體層227R、 227G和227B產(chǎn)生的可見光在第二 反射層226和第一反射層229之間被多次反射之后發(fā)射到外部時，每個像素 230R、 230G和230B中的亮度均勻性可以較現(xiàn)有技術(shù)有所改進(jìn)。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，雖然從發(fā)射體的電子發(fā)射不均勻，但通過多次 反射從熒光體層發(fā)射的可見光可大大增加場發(fā)射裝置像素中的亮度均勻性。雖然已經(jīng)參考示例實(shí)施例具體示出和描述了本發(fā)明，但是對于本領(lǐng)域技 術(shù)人員應(yīng)該理解在不脫離下述權(quán)利要求的精神和范圍的情況下，對本發(fā)明可 以作出形式和細(xì)節(jié)上的多種修改。
權(quán)利要求
1.一種用于場發(fā)射裝置的陽極面板，包括襯底；陽極電極，形成在所述襯底下表面上；黑矩陣，形成在所述陽極電極下表面上并且相對于一個像素具有多個開口；具有預(yù)定顏色的熒光體層，其覆蓋對應(yīng)于每個像素的所述開口和開口之間的黑矩陣；以及反射層，形成在所述熒光體層的下表面上。
2. 如權(quán)利要求1所述的陽極面板，其中所述陽極電極通過所述開口暴膝。
3. 如權(quán)利要求1所述的陽極面板，其中從所述熒光體層發(fā)射的一些部分 可見光在所述黑矩陣和所述反射層之間多次反射，然后所迷可見光通過所述 開口穿過所述陽極電極和所述襯底后發(fā)射到外部。
4. 如權(quán)利要求1所述的陽極面板，其中所述襯底是透明玻璃襯底或塑料 襯底。
5. 如權(quán)利要求1所述的陽極面板，其中所述陽極電極由透明導(dǎo)電材料形成。
6. 如權(quán)利要求5所述的陽極面板，其中所迷透明導(dǎo)電材料是氧化銦錫。
7. 如權(quán)利要求1所述陽極面板，其中所述黑矩陣由Cr或鉻氧化物形成。
8. 如權(quán)利要求1所述陽極面板，其中所述反射層由鋁形成。
9. 一種場發(fā)射裝置，具有彼此以預(yù)定距離分開設(shè)置且彼此面對的陽極 面板和陰極面板，其中所述陽極面板包括上一十底；形成在所述上襯底的下表面上的陽極電極；黑矩陣，其形成在所述陽極電極的下表面上且對應(yīng)于一個像素包括多個 開口 ；具有預(yù)定顏色的熒光體層，其覆蓋對應(yīng)于每個像素的開口和所迷開口之 間的黑矩陣；及形成在所述焚光體層的下表面上的反射層。
10.如權(quán)利要求9的場發(fā)射裝置，其中所述上襯底是透明玻璃襯底或塑料襯底。
11 .如權(quán)利要求9的場發(fā)射裝置，其中陽極電極由透明導(dǎo)電材料形成。
12. 如權(quán)利要求9的場發(fā)射裝置，其中所述黑矩陣由Cr或鉻氧化物形成。
13. 如權(quán)利要求9的場發(fā)射裝置，其中所述反射層由鋁形成。
14. 如權(quán)利要求9的場發(fā)射裝置，其中所述陰極面板包括 下襯底；形成在所述下村底的上表面上的陰極電極；絕緣層，形成在下襯底上從而覆蓋所述陰極電極且具有暴露所述陰極電 極的多個發(fā)射器孔；形成在所述絕緣層的上表面上的柵電極；及形成在每個發(fā)射器孔中的發(fā)射體。
15. 如權(quán)利要求14的場發(fā)射裝置，其中所述發(fā)射體由碳納米管形成。
16. —種用于場發(fā)射裝置的陽極面板，包括 襯底；形成在所述襯底的下表面上的陽極電極；黑矩陣，形成在所述陽極電極的下表面上且相對于一個像素具有多個第一開口；具有預(yù)定顏色的焚光體層，其覆蓋每個所述第一開口； 第一反射層，形成在所述焚光體層的下表面上；第二反射層，形成在所述襯底的上表面上且具有與一像素對應(yīng)的多個第 二開口。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16的陽極面板，其中相對于一個像素形成一個第一開口 。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16的陽極面板，其中所述陽極電極通過所迷第一開口 暴露并且所述襯底通過所述第二開口暴露。
19. 根據(jù)權(quán)利要求16的陽極面板，其中從所述焚光體層發(fā)射的可見光的 一部分在所述第一反射層和所述第二反射層之間多次反射，然后所述可見光 在穿過所述陽極電極和襯底之后通過所述第二開口發(fā)射到外部。
20. 根據(jù)權(quán)利要求16的陽極面板，其中所述襯底是透明玻璃襯底或塑料 襯底。
21. 根據(jù)權(quán)利要求16的陽極面板，其中所述陽極電極由透明導(dǎo)電材料形成。
22. 根據(jù)權(quán)利要求16的陽極面板，其中所述透明導(dǎo)電材料是氧化銦錫。
23. 根據(jù)權(quán)利要求16的陽極面板，其中所述黑矩陣由Cr或鉻氧化物形成。
24. 根據(jù)權(quán)利要求16的陽極面板，其中所述第一反射層由鋁形成。
25. 根據(jù)權(quán)利要求16的陽極面板，其中所述第二反射層由與所述黑矩陣 相同的材料形成。
26. 根據(jù)權(quán)利要求16的陽極面板，其中所述第二反射層由鋁形成。
27. —種場發(fā)射裝置，具有相互隔開預(yù)定距離設(shè)置且彼此面對的陽極面 板和陰極面4反，其中所述陽極面板包括 上襯底；形成在所述上襯底下表面上的陽極電極；形成在所述陽極電極下表面上且包括多個第一開口的黑矩陣； 覆蓋所述第 一開口的具有預(yù)定顏色的焚光體層； 形成在所述焚光體層下表面上的第一反射層；以及 第二反射層，形成在所述襯底上表面上并具有對應(yīng) 一像素的多個第二開c 。
28. 如權(quán)利要求27所述的場發(fā)射裝置，其中 一個第一開口相對于一個像 素形成。
29. 如權(quán)利要求27所述的場發(fā)射裝置，其中所述上襯底是透明玻璃襯 底或塑料襯底。
30. 如權(quán)利要求27所述的場發(fā)射裝置，其中所述陽極電極由透明導(dǎo)電 材料形成。
31. 如權(quán)利要求27所述的場發(fā)射裝置，其中所述黑矩陣由鉻或鉻氧化 物形成。
32. 如權(quán)利要求27的場發(fā)射裝置，其中第 一反射層由鋁形成。
33. 如權(quán)利要求27的場發(fā)射裝置，其中第二反射層由與黑矩陣相同的材料形成。
34. 如權(quán)利要求27的場發(fā)射裝置，其中第二反射層由鋁形成。
35. 如權(quán)利要求27的場發(fā)射裝置，其中所述陰極面板包括下襯底；形成在所述下襯底的上表面上的陰極電極；絕緣層，形成在所述下襯底上從而覆蓋所述陰極電極且具有暴露所述陰極電極的多個發(fā)射器孔；形成在所述絕緣層的上表面上的^f冊電極；及 形成在每個發(fā)射器孔中的發(fā)射體。
36.如權(quán)利要求35的場發(fā)射裝置，其中所述發(fā)射體由碳納米管形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種場發(fā)射裝置的陽極面板。該陽極面板包括襯底、形成在襯底下表面上的陽極電極、形成在陽極電極下表面上并且相對于一個像素具有多個開口的黑矩陣、覆蓋對應(yīng)每個像素的開口和開口之間的黑矩陣的具有預(yù)定顏色的熒光體層、以及形成在熒光體層下表面上的反射層。
文檔編號H01J31/12GK101162678SQ200710091800
公開日2008年4月16日 申請日期2007年4月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月10日
發(fā)明者姜昊錫, 安德烈·朱爾卡尼夫, 宋炳權(quán), 崔濬熙, 樸相鉉, 白瓚郁, 鄭得錫, 金善一 申請人:三星Sdi株式會社