專(zhuān)利名稱：氣體放電設(shè)備和等離子顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及氣體放電設(shè)備，并且更為具體的涉及適于減少放電電壓以及增加它的亮度和發(fā)光效率的氣體放電設(shè)備和等離子顯示面板。
背景技術(shù)：
通常，氣體放電設(shè)備被制造為管或面板的形狀，以用作照明光源。近來(lái)，通過(guò)使用氣體放電原理顯示畫(huà)面的等離子顯示面板(在下文中，稱為“PDP”)在市場(chǎng)上出現(xiàn)。
PDP作為大尺寸的平板顯示器引起了注意，并且通過(guò)在比如He+Xe、He+Ne+Xe或Ne+Xe的惰性混合氣體(或放電氣體)放電情況下產(chǎn)生的147nm的紫外線使得熒光材料發(fā)射光線，由此顯示包括字符和圖形的畫(huà)面。這種PDP易于被制造為薄膜和大尺寸的類(lèi)型。另外，PDP因?yàn)榻鼇?lái)的技術(shù)進(jìn)步提供了改進(jìn)很多的畫(huà)面質(zhì)量。具體地說(shuō)，三電極AC表面放電PDP具有的低電壓驅(qū)動(dòng)和長(zhǎng)壽命的優(yōu)點(diǎn)在于它在放電期間能夠使用在其表面上累計(jì)的壁電荷來(lái)降低放電需要的電壓，并且保護(hù)電極不受放電產(chǎn)生的飛濺影響。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)的三電極AC表面放電PDP的放電單元的視圖。
參考圖1，三電極AC表面放電PDP的放電單元包括在上基片10上形成的掃描電極Y和維持電極Z，以及在下基片18上形成的尋址電極X。掃描電極Y和維持電極Z的每一個(gè)包括透明電極12Y、12Z和金屬總線電極13Y、13Z，該金屬總線電極具有比透明電極更窄的行寬度，并且在透明電極的一側(cè)邊緣形成。
現(xiàn)有技術(shù)中，透明電極12Y、12Z由銦錫氧化物ITO形成在上基片10上。金屬電極13Y、13Z由比如氧化鉻(chrome)Cr的金屬形成在透明電極12Y、12Z上用于減少由高阻抗的透明電極12Y、12Z引起的電壓降。在其中掃描電極Y和維持電極Z并行形成的上基片10上沉積電介質(zhì)層14和鈍化膜16。在等離子放電情況下產(chǎn)生的壁電荷在上介質(zhì)層14上累積。鈍化膜16防止上介質(zhì)層14受到由在等離子放電情況下產(chǎn)生的離子引起的飛濺的損耗，并且增加次級(jí)電子的輻射效率?，F(xiàn)有技術(shù)中，鈍化膜16由氧化鎂MgO制成。
在其中形成尋址電極X的下基片18上形成下介質(zhì)層22，并且在阻擋條24和下介質(zhì)層22的表面上涂抹熒光材料層26。以與掃描電極Y和維持電極Z交叉的方向形成尋址電極X。將阻擋條24形成為帶或格的形狀以防止由放電產(chǎn)生的紫外線和可見(jiàn)光泄漏進(jìn)相鄰的放電單元。熒光材料層26由在等離子放電情況下產(chǎn)生的紫外線激發(fā)，以產(chǎn)生紅色、綠色和藍(lán)色可見(jiàn)光的任意一個(gè)。將惰性混合氣體注入在上/下基片10、18和阻擋條24之間設(shè)置的放電空間。
為了實(shí)現(xiàn)畫(huà)面的灰度級(jí)，通過(guò)將一幀劃分為幾個(gè)子場(chǎng)來(lái)時(shí)分驅(qū)動(dòng)地驅(qū)動(dòng)PDP，其中多個(gè)子場(chǎng)的光輻射數(shù)量彼此不同。每個(gè)子場(chǎng)能夠被劃分為初始化整個(gè)屏幕的復(fù)位周期、選擇掃描線和從所選的掃描線選擇掃描單元的尋址周期，以及根據(jù)放電的數(shù)量實(shí)現(xiàn)灰度級(jí)的維持周期。
在這里，將復(fù)位周期劃分為提供上升沿波形的建立周期和提供下降沿波形的撤除周期。例如，在以256灰度級(jí)顯示畫(huà)面的情況中，將對(duì)應(yīng)于1/60秒的幀周期(16.67ms)劃分為8個(gè)子場(chǎng)(SF1到SF8)，如圖2所示。如上所述，將8個(gè)子場(chǎng)(SF1到SF8)的每一個(gè)劃分為復(fù)位周期、尋址周期和維持周期。每個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位周期和尋址周期對(duì)于每個(gè)子場(chǎng)相同，但是每個(gè)子場(chǎng)中，維持周期以2n(n＝0、1、2、3、4、5、6、7)的比率增加。
圖3是表示現(xiàn)有PDP的驅(qū)動(dòng)方法的波形。
參考圖3，將現(xiàn)有技術(shù)的PDP劃分為初始化整個(gè)屏幕的復(fù)位周期、選擇單元的尋址周期和保持所選單元的放電將被驅(qū)動(dòng)的維持周期。
在復(fù)位周期中，在建立周期中將上升到峰值電壓Vp的上升沿波形Ramp-up同時(shí)施加到所有掃描電極Y。上升沿波形Ramp-up引起在整個(gè)屏幕的單元中產(chǎn)生弱放電，由此在單元中產(chǎn)生壁電荷。類(lèi)似的上升沿波形Ramp-up在上升到峰值電壓Vp之后在指定的時(shí)間內(nèi)保持在峰值電壓Vp。
在撤除周期中，將從低于峰值電壓Vp的正的電壓下降到負(fù)電壓-Vr的下降沿波形Ramp-down同時(shí)加到掃描電極Y。下降沿波形Ramp-down使得在單元中將產(chǎn)生弱擦除放電，因此消除空間電荷和由建立放電產(chǎn)生的壁電荷中不需要的電荷，并且使得必要壁電荷均勻地保持在后面，其中需要必要的壁電荷用于在整個(gè)屏幕的單元中的尋址放電。
在尋址周期中，將負(fù)的掃描脈沖Scan(掃描)循序加到掃描電極Y，并且同時(shí)，將正的數(shù)據(jù)脈沖Data(數(shù)據(jù))加到尋址電極X。將掃描脈沖Scan和數(shù)據(jù)脈沖Data的電壓差添加到在復(fù)位周期期間產(chǎn)生的壁電壓，以在應(yīng)用了數(shù)據(jù)脈沖Data的單元中產(chǎn)生尋址放電。尋址放電引起在所選單元中產(chǎn)生的壁電荷，其中需要壁電荷用于維持周期的單元放電。
另一方面，在撤除周期和尋址周期中將維持電壓電平Vs的正的DC電壓提供到維持電極Z。
在維持周期中，將掃描脈沖Vs交替加到掃描電極Y和維持電極Z。之后，在由尋址放電選擇的單元中，無(wú)論何時(shí)應(yīng)用維持脈沖Vs同時(shí)在單元中的壁電壓被添加到維持脈沖Vs，以在掃描電極Y和維持電極Z之間的表面放電形式產(chǎn)生維持放電。最后，在完成維持放電之后，將具有小的脈沖寬度的擦除斜面波形Erase(擦除)提供到維持電極Z以擦除在單元中的壁電荷。
另一方面，在現(xiàn)有技術(shù)中，提出了通過(guò)增加在PDP中密封的放電氣體中Xe的混合比率到4％～6％來(lái)增加亮度的方法。為更為具體地描述，在現(xiàn)在商用的現(xiàn)有PDP的情況中，其基于PDP模塊具有大約1.0～1.2lm/W的效率。但是，在PDP中，如果Xe比率增加到4～6％，其具有的效率不大于大約1.5lm/W。因此，當(dāng)在放電氣體中包括4％～6％的Xe時(shí)，相比低密度Xe的PDP能夠顯示具有更高亮度和發(fā)光效率的圖像。
作為改進(jìn)亮度和發(fā)光效率的另一方法，提出了使得在上基片上形成的掃描電極Y和維持電極Z之間的距離的長(zhǎng)度在60-80μm級(jí)別的長(zhǎng)間隙PDP方法。
但是，高密度Xe的PDP或長(zhǎng)間隙的PDP具有的缺點(diǎn)在于相比低密度Xe或短間隙PDP放電啟動(dòng)電壓或放電電壓變得更高。換句話說(shuō)，如果將高密度的Xe注入PDP或使在上部板電極之間的間隙更寬，那么通過(guò)Xe成分或在電極之間的間隙放電產(chǎn)生概率變低。因此，為了穩(wěn)定地產(chǎn)生放電，必須應(yīng)用具有高電壓值的放電電壓。另外，在高密度Xe的PDP或長(zhǎng)間隙的PDP中，其中開(kāi)始放電的放電電壓變得更高，因此存在功耗高的問(wèn)題。因?yàn)轭?lèi)似地需要高功耗，為了平滑地驅(qū)動(dòng)高密度Xe的PDP或長(zhǎng)間隙的PDP，需要使用昂貴的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)備，因此存在制造成本增加并且因?yàn)楦吖亩娍剐怨β试黾拥膯?wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供適于減少放電啟動(dòng)電壓的氣體放電設(shè)備和等離子顯示面板。
本發(fā)明的另一目的是提供適于在長(zhǎng)間隙PDP或高密度Xe的PDP中減少放電電壓并且增加其亮度和發(fā)光效率的氣體放電設(shè)備和等離子顯示面板。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的這些和其它目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方案的氣體放電設(shè)備包括混合比率0.01％～2.0％的氫族同位素氣體。
在氣體放電設(shè)備中，氫族同位素氣體包括H2、D2和T2氣體的至少一個(gè)氫族同位素氣體。
在氣體放電設(shè)備中，放電氣體包括H2、D2和T2的至少兩個(gè)氫族同位素氣體。
根據(jù)本發(fā)明另一方案的氣體放電設(shè)備包括H2和T2的至少一個(gè)氫族同位素氣體。
在氣體放電設(shè)備中，氫族同位素氣體被包括在混合比率0.01％～2.0％的放電氣體中。
根據(jù)本發(fā)明再一方面的等離子顯示面板，其包括第一基片，其具有至少一個(gè)電極；第二基片，其具有至少一個(gè)電極；以及在第一和第二基片之間的放電空間中充電的放電氣體，并且其中該放電氣體包括混合比率0.01％～2.0％的氫族同位素氣體。
在等離子顯示面板中，氫族同位素氣體包括H2、D2和T2的至少一個(gè)氫族同位素氣體。
根據(jù)本發(fā)明再一方面的等離子顯示面板，其包括第一基片，其具有至少一個(gè)電極；第二基片，其具有至少一個(gè)電極；以及在第一和第二基片之間的放電空間中充電的放電氣體，并且其中該放電氣體包括H2和T2的至少一個(gè)氫族同位素氣體。
在等離子顯示面板中，氫族同位素氣體被包括在混合比率0.01％～2.0％的放電氣體中。
根據(jù)本發(fā)明再一方面的等離子顯示面板，其包括第一基片，其具有至少一個(gè)電極；第二基片，其具有至少一個(gè)電極；以及在第一和第二基片之間的放電空間中充電的放電氣體，并且其中該放電氣體包括混合比率0.01％～2.0％的氫族同位素氣體，并且在形成在第一基片上的電極之間的間隙在80μm和500μm之間。
在等離子顯示面板中，用在80μm和500μm之間的間隙隔開(kāi)的電極是掃描電極和維持電極。
在等離子顯示面板中，氫族同位素氣體包括H2、D2和T2的至少一個(gè)氫族同位素氣體。
在等離子顯示面板中，在掃描電極和維持電極之間的間隙是在100μm和200μm之間。
根據(jù)本發(fā)明再一方面的等離子顯示面板，其包括第一基片，其具有至少一個(gè)電極；第二基片，其具有至少一個(gè)電極；以及在第一和第二基片之間的放電空間中充電的放電氣體，并且其中該放電氣體包括混合比率0.01％～2.0％的氫族同位素氣體和混合比率6％～30％的Xe。
在等離子顯示面板中，氫族同位素氣體包括H2、D2和T2的至少一個(gè)氫族同位素氣體。
在等離子顯示面板中，Xe相對(duì)于放電氣體的混合比率在6％和14％之間。
在等離子顯示面板中，形成在第一基片上的掃描電極和維持電極之間的間隙在80μm和500μm之間。
根據(jù)本發(fā)明再一方面的等離子顯示面板，其包括第一基片，其具有至少一個(gè)電極；第二基片，其具有至少一個(gè)電極；以及在第一和第二基片之間的放電空間中充電的放電氣體，并且其中該放電氣體包括混合比率0.01％～2.0％的氫族同位素氣體，并且厚度30μm-100μm的介質(zhì)層形成在第一基片中。
在等離子顯示面板中，氫族同位素氣體包括H2、D2和T2的至少一個(gè)氫族同位素氣體。
在等離子顯示面板中，Xe相對(duì)于放電氣體的混合比率在6％和30％之間。
在等離子顯示面板中，Xe相對(duì)于放電氣體的混合比率在6％和14％之間。
在等離子顯示面板中，形成在第一基片上的掃描電極和維持電極之間的間隙在80μm和500μm之間。
根據(jù)本發(fā)明再一方面的等離子顯示面板，其包括第一基片，其具有至少一個(gè)電極；第二基片，其具有至少一個(gè)電極；以及在第一和第二基片之間的放電空間中充電的放電氣體，并且其中該放電氣體包括混合比率0.01％～2.0％的氫族同位素氣體和混合比率6％～30％的Xe，并且在形成在第一基片上的電極之間的間隙在80μm和500μm之間。
在等離子顯示面板中，用在80μm和500μm之間的間隙隔開(kāi)的電極是掃描電極和維持電極。
在等離子顯示面板中，氫族同位素氣體包括H2、D2和T2的至少一個(gè)氫族同位素氣體。
在等離子顯示面板中，Xe相對(duì)于放電氣體的混合比率在6％和14％之間。


通過(guò)下面結(jié)合附圖的本發(fā)明的實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明，本發(fā)明的這些和其它目的將更為清楚，在附圖中圖1是現(xiàn)有技術(shù)的PDP的放電單元結(jié)構(gòu)的透視圖；圖2是表示現(xiàn)有技術(shù)PDP的一幀的視圖；圖3是表示現(xiàn)有技術(shù)PDP的驅(qū)動(dòng)方法的波形圖；圖4是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP的截面圖；圖5是表示當(dāng)在放電氣體中混合氫族同位素氣體時(shí)，放電電壓根據(jù)氫族同位素氣體的含量比率改變的視圖；圖6是表示當(dāng)在放電氣體中混合氫族同位素氣體時(shí)，效率根據(jù)氫族同位素氣體的含量比率改變的視圖；圖7是表示放電電壓根據(jù)Xe的含量比率而改變的視圖；圖8是表示效率根據(jù)Xe的含量比率而改變的視圖；圖9是表示放電電壓根據(jù)在掃描電極和維持電極之間的間隙改變的視圖；
圖10是表示效率根據(jù)在掃描電極和維持電極之間的間隙改變的視圖。
具體實(shí)施例方式
下面將詳細(xì)參考本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，在附圖中示出了其實(shí)例。
在下文中，將參考圖4到10來(lái)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
圖4是表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的PDP的放電單元的截面圖。在圖4中，為了清楚地示出所有電極的結(jié)構(gòu)，相對(duì)于PDP的上基片將PDP的下基片轉(zhuǎn)動(dòng)90度。
參考圖4，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的PDP包括在上基片110上形成的掃描電極Y和維持電極Z，以及在下基片118上形成的尋址電極X。掃描電極Y和維持電極Z的每一個(gè)包括透明電極112Y、112Z和金屬總線電極113Y、113Z(其具有比透明電極更窄的行寬度，并且在透明電極的一側(cè)邊緣形成)。
現(xiàn)有技術(shù)中，透明電極112Y、112Z由銦錫氧化物ITO形成在上基片110上。金屬電極113Y、113Z由諸如氧化鉻(chrome)Cr的金屬形成在透明電極112Y、112Z上，以用于減少由高阻抗的透明電極112Y、112Z引起的電壓降。在其中掃描電極Y和維持電極Z并行形成的上基片110上沉積介質(zhì)層114和鈍化膜116。在等離子放電情況下產(chǎn)生的壁電荷在上介質(zhì)層114上累積。鈍化膜116防止上介質(zhì)層114受到由在等離子放電情況下產(chǎn)生的離子引起的飛濺的損耗，并且增加次級(jí)電子的發(fā)射效率。現(xiàn)有技術(shù)中，鈍化膜116由氧化鎂MgO制成。
以與掃描電極Y和維持電極Z交叉的方向形成尋址電極X。在其中形成尋址電極X的下基片118上形成下介質(zhì)層122和阻擋條124，在下介質(zhì)層122和阻擋條124的表面上形成熒光材料層126。將阻擋條124形成為帶或格(或閉合類(lèi)型)的形狀以防止由放電產(chǎn)生的紫外線和可見(jiàn)光泄漏進(jìn)相鄰的放電單元。熒光材料層126由在等離子放電情況下產(chǎn)生的紫外線激發(fā)，以產(chǎn)生紅色、綠色和藍(lán)色可見(jiàn)光的任意一個(gè)。將放電氣體注入在上/下基片110、118和阻擋條124之間提供的放電空間。
放電氣體包括大約6％或更多(按照需要6％～30％)的Xe，并且它的氣體壓力不高于700托(按照需要400托～600托)，使得PDP的放電/發(fā)光效率和亮度得到改進(jìn)。如果在放電氣體中Xe的混合比率低于6％，則放電/發(fā)光效率過(guò)度降低。如果Xe的密度不小于30％，則放電電壓過(guò)度增加，因此幾乎不能驅(qū)動(dòng)PDP。
另外，放電氣體包括氫族同位素氣體H2、D2和T2的至少一個(gè)。如果在放電氣體中包括像這樣的氫族同位素氣體，則放電開(kāi)始的放電啟動(dòng)電壓變低，并且發(fā)光效率變高，因此減少功耗和能增加效率。
當(dāng)在放電氣體中混合氫族同位素氣體時(shí)，放電電壓根據(jù)含量比率的變化如圖5所示。在圖5中，水平軸是氫族同位素氣體的含量比率(％)，而垂直軸是放電電壓(V)。從圖5中可以看到，當(dāng)氫族同位素氣體的含量比率(％)增加時(shí)，放電電壓指數(shù)地減少。從圖5可以看到，當(dāng)氫族同位素氣體的混合比率(％)不大于2％時(shí)，放電電壓快速降低，但是在另一方面，當(dāng)混合比率(％)大于等于2％時(shí)放電電壓的減少幾乎沒(méi)有變化。
當(dāng)在放電氣體中混合氫族同位素氣體時(shí)，放電/發(fā)光效率根據(jù)含量比率的變化如圖6所示。在圖6中，水平軸是氫族同位素氣體的含量比率(％)，而垂直軸是效率(h)。從圖6中可以看到，當(dāng)氫族同位素氣體的混合比率(％)不大于大約2％時(shí)效率基本相同，但是另一方面，效率從大于等于2％的點(diǎn)快速下降。
在掃描電極Y和維持電極Z之間的間隙是60μm，Xe和放電氣體的含量比率是8％并且放電氣體的壓力是500托的條件下，對(duì)于PDP的樣本執(zhí)行圖5和6的實(shí)驗(yàn)。
基于圖5和6的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，為了在放電氣體中混合的氫族同位素氣體降低放電電壓并且減少效率的惡化，其應(yīng)該低于Xe含量比率，在大約0.01％～2.0％。
圖7和8表示效率(h)和放電電壓(V)根據(jù)Xe含量比率的變化。圖7和8是其中對(duì)于在掃描電極Y和維持電極Z之間的間隙是60μm，放電氣體的壓力是500托，并且將D2以0.5％添加到放電氣體的PDP的樣本，在Xe含量比率(％)增加到14％時(shí)測(cè)量放電電壓(V)和效率(h)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。在圖7和8中，水平軸是Xe的含量比率(％)，而垂直軸是放電電壓(V)和效率(h)。從圖7和8可以看出，在其中將氫族同位素氣體添加到放電氣體的PDP中，當(dāng)Xe含量比率(％)是6％～14％時(shí)放電電壓和效率最優(yōu)。從圖7可以看出，放電電壓減少效果在Xe的混合比率是16％的點(diǎn)附近下降。
當(dāng)像這樣在放電氣體中混合氫族同位素氣體時(shí)，能夠減少放電電壓，因此當(dāng)將其應(yīng)用于使得在掃描電極Y和維持電極Z之間的間隙不小于80μm以增加效率的長(zhǎng)間隙PDP時(shí)該效果變得更大。就是說(shuō)，當(dāng)在掃描電極Y和維持電極Z之間的間隙變大時(shí)，效率增加，但是缺點(diǎn)在于放電電壓增加。在長(zhǎng)間隙PDP中，本發(fā)明能夠減少放電電壓，同時(shí)通過(guò)在放電氣體中混合氫族同位素氣體來(lái)增加效率。應(yīng)用于本發(fā)明的長(zhǎng)間隙PDP在于其掃描電極Y和維持電極Z之間的間隙不小于80μm(按照需要80μm到500μm)。如果在掃描電極Y和維持電極Z之間的間隙超過(guò)大約500μm，單元的尺寸太大而不能用作顯示設(shè)備，因此不能制造PDP，并且能夠想到，在放電情況下表面放電不首先產(chǎn)生在掃描電極Y和維持電極Z之間，而是在下部板的掃描電極Y和維持電極Z的任意一個(gè)之間的相反放電(opposite discharge)之后產(chǎn)生表面放電，因此使得和穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)PDP的放電機(jī)制順序相反，從而不能驅(qū)動(dòng)PDP。在應(yīng)用于本發(fā)明的長(zhǎng)間隙PDP中，在掃描電極Y和維持電極Z之間的間隙不小于80μm(具體地說(shuō)80μm到500μm)。另外，在應(yīng)用于本發(fā)明的長(zhǎng)間隙PDP中，在掃描電極Y和維持電極Z之間的間隙按照需要是100μm到200μm。
圖9和10表示效率(h)和放電電壓(V)根據(jù)在掃描電極Y和維持電極Z之間的間隙的變化。圖9和10是其中對(duì)于放電氣體的壓力是500托，Xe含量比率是8％并且將D2以0.5％添加到放電氣體的PDP，當(dāng)在掃描電極Y和維持電極Z之間的間隙被增加到150μm時(shí)產(chǎn)生放電電壓(V)和效率(h)時(shí)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。在圖9和10中，水平軸是在掃描電極Y和維持電極Z之間的間隙(μm)，并且垂直軸是放電電壓(V)和效率(h)。從圖9和10可以看出，在其中將氫族同位素氣體添加到放電氣體的PDP中，當(dāng)在掃描電極Y和維持電極Z之間的間隙(μm)是60μm到80μm時(shí)放電電壓和效率最優(yōu)。
另外，根據(jù)本發(fā)明的PDP將不大于2.0％的氫族同位素氣體添加到放電氣體，并且使得上介質(zhì)層114的厚度不小于30μm(按照需要30μm到100μm)以進(jìn)一步減少功耗。這是因?yàn)橥ㄟ^(guò)氫族同位素氣體降低放電啟動(dòng)電壓和增加效率，并且當(dāng)上介質(zhì)層114變厚時(shí)上部板的位移電流和電抗功率減少。另一方面，如果介質(zhì)層114的厚度超過(guò)100μm，在介質(zhì)層中光損失變大，因此亮度過(guò)度減少。
本發(fā)明能夠應(yīng)用于氣體放電管以及應(yīng)用于氣體放電管和PDP。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的氣體放電管和PDP能夠通過(guò)在放電氣體中混合氫族同位素氣體降低放電啟動(dòng)電壓。另外，根據(jù)本發(fā)明的PDP在注入在掃描電極和維持電極之間的間隙是寬的長(zhǎng)間隙PDP的放電氣體中混合氫族同位素氣體，由此使得能夠降低放電電壓和增加效率。另外，根據(jù)本發(fā)明的PDP在放電氣體中混合氫族同位素氣體并且具有更厚的上部介質(zhì)層，由此使得能夠可觀的減少能耗。
雖然通過(guò)如上所述的附圖中所示的實(shí)施例解釋了本發(fā)明，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解本發(fā)明不限于該實(shí)施例，而是在不脫離本發(fā)明的精神的情況下可以做出多種修改或變更。因此，本發(fā)明的范圍應(yīng)該僅由所附的權(quán)利要求及其等效物所確定。
權(quán)利要求
1.一種氣體放電設(shè)備，其形成有電極和熒光材料層，形成其中密封氣體介質(zhì)的放電空間，在放電情況下產(chǎn)生紫外線，在熒光材料層紫外線轉(zhuǎn)換為可見(jiàn)光以發(fā)射光線，其中注入到放電空間的放電氣體包括混合比率在0.01％～2.0％的氫族同位素氣體。
2.如權(quán)利要求1所述的氣體放電設(shè)備，其中，該氫族同位素氣體包括H2、D2和T2的至少一個(gè)氫族同位素氣體。
3.如權(quán)利要求2所述的氣體放電設(shè)備，其中，該放電氣體包括H2、D2和T2的至少兩個(gè)氫族同位素氣體。
4.一種氣體放電設(shè)備，其形成有電極和熒光材料層，形成其中密封氣體介質(zhì)的放電空間，在放電情況下產(chǎn)生紫外線，在熒光材料層紫外線轉(zhuǎn)換為可見(jiàn)光以發(fā)射光線，其中注入到放電空間的放電氣體包括H2和T2的至少一個(gè)氫族同位素氣體。
5.如權(quán)利要求4所述的氣體放電設(shè)備，其中，該氫族同位素氣體被包括在混合比率為0.01％～2.0％的放電氣體中。
6.一種等離子顯示面板，其包括第一基片，其具有至少一個(gè)電極；第二基片，其具有至少一個(gè)電極；以及放電氣體，其被在第一和第二基片之間的放電空間中充電，以及其中該放電氣體包括混合比率為0.01％～2.0％的氫族同位素氣體。
7.如權(quán)利要求6所述的等離子顯示面板，其中，該氫族同位素氣體包括H2、D2和T2的至少一個(gè)氫族同位素氣體。
8.一種等離子顯示面板，其包括第一基片，其具有至少一個(gè)電極；第二基片，其具有至少一個(gè)電極；以及放電氣體，其被在第一和第二基片之間的放電空間中充電，以及其中該放電氣體包括H2和T2的至少一個(gè)氫族同位素氣體。
9.如權(quán)利要求6所述的等離子顯示面板，其中，該氫族同位素氣體被包括在混合比率為0.01％～2.0％的放電氣體中。
10.一種等離子顯示面板，其包括第一基片，其具有至少一個(gè)電極；第二基片，其具有至少一個(gè)電極；以及放電氣體，其被在第一和第二基片之間的放電空間中充電，以及其中該放電氣體包括混合比率為0.01％～2.0％的氫族同位素氣體，并且形成在第一基片上的電極之間的間隙在80μm和500μm之間。
11.如權(quán)利要求10所述的等離子顯示面板，其中，該以在80μm和500μm之間的間隙隔開(kāi)的電極是掃描電極和維持電極。
12.如權(quán)利要求10所述的等離子顯示面板，其中，該氫族同位素氣體包括H2、D2和T2的至少一個(gè)氫族同位素氣體。
13.如權(quán)利要求11所述的等離子顯示面板，其中，該在掃描電極和維持電極之間的間隙是在100μm和200μm之間。
14.一種等離子顯示面板，其包括第一基片，其具有至少一個(gè)電極；第二基片，其具有至少一個(gè)電極；以及放電氣體，其被在第一和第二基片之間的放電空間中充電，以及其中該放電氣體包括混合比率為0.01％～2.0％的氫族同位素氣體和混合比率為6％～30％的Xe。
15.如權(quán)利要求14所述的等離子顯示面板，其中，該氫族同位素氣體包括H2、D2和T2的至少一個(gè)氫族同位素氣體。
16.如權(quán)利要求14所述的等離子顯示面板，其中，該Xe相對(duì)于放電氣體的混合比率在6％和14％之間。
17.如權(quán)利要求14所述的等離子顯示面板，其中，該形成在第一基片上的掃描電極和維持電極之間的間隙在80μm和500μm之間。
18.一種等離子顯示面板，其包括第一基片，其具有至少一個(gè)電極；第二基片，其具有至少一個(gè)電極；以及放電氣體，其被在第一和第二基片之間的放電空間中充電，以及其中該放電氣體包括混合比率為0.01％～2.0％的氫族同位素氣體，并且厚度為30μm～100μm的電介質(zhì)層形成在第一基片中。
19.如權(quán)利要求18所述的等離子顯示面板，其中，該氫族同位素氣體包括H2、D2和T2的至少一個(gè)氫族同位素氣體。
20.如權(quán)利要求18所述的等離子顯示面板，其中，該Xe相對(duì)于放電氣體的混合比率在6％和30％之間。
21.如權(quán)利要求20所述的等離子顯示面板，其中，該Xe相對(duì)于放電氣體的混合比率在6％和14％之間。
22.如權(quán)利要求18所述的等離子顯示面板，其中，該形成在第一基片上的掃描電極和維持電極之間的間隙在80μm和500μm之間。
23.一種等離子顯示面板，其包括第一基片，其具有至少一個(gè)電極；第二基片，其具有至少一個(gè)電極；以及放電氣體，其被在第一和第二基片之間的放電空間中充電，以及其中該放電氣體包括混合比率0.01％～2.0％的氫族同位素氣體和混合比率6％～30％的Xe，并且形成在第一基片上的電極之間的間隙在80μm和500μm之間。
24.如權(quán)利要求23所述的等離子顯示面板，其中，該以在80μm和500μm之間的間隙隔開(kāi)的電極是掃描電極和維持電極。
25.如權(quán)利要求23所述的等離子顯示面板，其中，該氫族同位素氣體包括H2、D2和T2的至少一個(gè)氫族同位素氣體。
26.如權(quán)利要求23所述的等離子顯示面板，其中，該Xe相對(duì)于放電氣體的混合比率在6％和14％之間。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種氣體放電設(shè)備，其適于減少放電電壓以及增加它的亮度和放光效率。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的氣體放電設(shè)備中，注入放電空間的放電氣體包括混合比率為0.01％～2.0％的氫族同位素氣體。
文檔編號(hào)H01J11/50GK1767126SQ20051007812
公開(kāi)日2006年5月3日 申請(qǐng)日期2005年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月29日
發(fā)明者安成容 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社