陣列基板及其制造方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前液晶顯示器的顯示模式主要包括FFS(FringeField Switching，邊緣場(chǎng)開(kāi)關(guān)技術(shù))、HADS(High Aperture rat1 Advanced-Super Dimens1nal Switching，高開(kāi)□率高級(jí)超維場(chǎng)開(kāi)關(guān)技術(shù))、IPS(In_P lane Sw itching，平面轉(zhuǎn)換技術(shù))、VA(VerticalAlignment，垂直配向技術(shù))等。其中，F(xiàn)FS模式的弊端在于，由于像素電極采用如圖1所示的狹縫電極10，會(huì)在像素邊緣產(chǎn)生如圖2所示的暗區(qū)，影響像素透過(guò)率;HADS模式中，公共電極采用狹縫電極，并將狹縫電極的拐角位置由像素長(zhǎng)邊位置調(diào)整到像素短邊位置，其漏光模擬圖如圖3所示，可以看出暗區(qū)問(wèn)題得到改善，但改善效果有限。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，可解決現(xiàn)有像素邊緣暗區(qū)面積過(guò)大的問(wèn)題，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)透過(guò)率提升，提升液晶光效。
[0004]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供的陣列基板，包括:狹縫電極，所述狹縫電極的狹縫一端開(kāi)口。
[0005]作為本發(fā)明所述陣列基板的一種改進(jìn)，所述狹縫電極呈現(xiàn)如下結(jié)構(gòu):在像素區(qū)域內(nèi)的之字形走線(xiàn)。
[0006]可選地，所述狹縫電極為像素電極，或者，所述狹縫電極為公共電極。
[0007]可選地，如果像素為雙籌像素，在所述像素的第一區(qū)域內(nèi)，所述狹縫電極的狹縫沿第一方向延伸;在所述像素的第二區(qū)域內(nèi)，所述狹縫電極的狹縫沿第二方向延伸，且所述第一方向與所述第二方向不平行。
[0008]可選地，所述之字形走線(xiàn)的拐角分別位于像素的兩個(gè)長(zhǎng)邊邊緣。
[0009]可選地，所述之字形走線(xiàn)的拐角分別位于像素的兩個(gè)短邊邊緣。
[0010]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述任一項(xiàng)所述的陣列基板。
[0011]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板的制造方法，包括:形成狹縫電極的工序，所述形成狹縫電極工序，包括:沉積電極材料層;利用掩膜工藝，形成狹縫電極，其中，掩膜工藝使用的掩膜板上，與所述狹縫電極的狹縫對(duì)應(yīng)的部分延伸至像素邊緣，以使形成的所述狹縫電極的狹縫一端開(kāi)口。
[0012]作為本發(fā)明所述制造方法的一種改進(jìn)，所述形成狹縫電極工序之前，還包括:對(duì)所述狹縫電極進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，優(yōu)化標(biāo)準(zhǔn)為使所述像素邊緣的暗區(qū)面積最小。
[0013]本發(fā)明對(duì)狹縫電極進(jìn)行改進(jìn)，將狹縫的一端開(kāi)口，可以降低像素邊緣的遮擋，解決現(xiàn)有像素邊緣產(chǎn)生的暗區(qū)面積過(guò)大的問(wèn)題，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)透過(guò)率以及液晶光效的提升。
【附圖說(shuō)明】
[0014]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0015]圖1為現(xiàn)有FFS模式陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2為現(xiàn)有FFS模式漏光模擬圖；
[0017]圖3為現(xiàn)有HADS模式漏光模擬圖；
[0018]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的FFS模式陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的FFS模式顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的HADS模式陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021 ]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的HADS模式顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的FFS模式的雙疇像素示意圖；
[0023]圖9為現(xiàn)有具有拐角設(shè)計(jì)的HADS的狹縫電極示意圖；
[0024]圖10為本發(fā)明提供的具有拐角設(shè)計(jì)的HADS模式像素的示意圖；
[0025]圖11為本發(fā)明提供的FFS模式雙疇像素的示意圖；
[0026]圖12為本發(fā)明實(shí)施例中狹縫拐角設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)示意圖。
[0027]附圖標(biāo)記
[0028]I O-狹縫電極，111-狹縫，11-數(shù)據(jù)線(xiàn)，12_柵線(xiàn)，
[0029]20-陣列基板，30-彩膜基板，40-液晶，31-基板，32-彩膜層，21-基板，
[0030]22-公共電極，23-柵絕緣層，24-源漏金屬層，25-絕緣層，26-像素電極。
【具體實(shí)施方式】
[0031]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0032]實(shí)施例
[0033]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，參照?qǐng)D4所示，該陣列基板包括狹縫電極10，該狹縫電極1的狹縫111 一端開(kāi)口打開(kāi)。圖4中的11為數(shù)據(jù)線(xiàn)，12為柵線(xiàn)。
[0034]現(xiàn)有技術(shù)中的狹縫電極如圖1所示，狹縫111的兩端是封閉結(jié)構(gòu)，為了改善產(chǎn)品顯示品質(zhì)，避免Tracing Mura問(wèn)題(手指按下會(huì)出現(xiàn)顯示扭曲的問(wèn)題)，位于像素邊緣的狹縫111閉合位置設(shè)計(jì)改進(jìn)為具有一定拐角結(jié)構(gòu)，如圖9，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)實(shí)際測(cè)試時(shí)像素邊緣會(huì)產(chǎn)生暗區(qū)，如圖2和圖3所示。本發(fā)明實(shí)施例中將狹縫電極10中的狹縫111的一端打開(kāi)，即采用開(kāi)放式結(jié)構(gòu)，在像素邊緣可采用沿著狹縫走向打開(kāi)或保留原有像素邊緣有拐角形貌的設(shè)計(jì)，沿著狹縫末端的拐角走向打開(kāi);另一端保留封閉結(jié)構(gòu)，封閉結(jié)構(gòu)仍采用像素邊緣有拐角形貌的設(shè)計(jì)，以使狹縫電極10的各個(gè)部分仍然能夠電連接在一起，同時(shí)避免Tracing Mura問(wèn)題。
[0035]可以理解的是，狹縫電極10包括多個(gè)狹縫111，本實(shí)施例對(duì)具體哪些狹縫的哪一端部采用開(kāi)放式結(jié)構(gòu)不做限定，只要保證狹縫電極10的各個(gè)部分能夠電連接在一起即可。一種狹縫電極1的優(yōu)選結(jié)構(gòu)如下:在像素區(qū)域內(nèi)的之字形走線(xiàn)，之字形走線(xiàn)的拐角可以如圖4所示，分別位于像素的兩個(gè)長(zhǎng)邊邊緣;也可以如圖10所示，分別位于像素的兩個(gè)短邊邊緣。
[0036]在像素區(qū)域內(nèi)的之字形走線(xiàn)，可以是奇數(shù)行狹縫111的起始端封閉末尾端打開(kāi)，偶數(shù)行狹縫111的起始端打開(kāi)末尾端封閉，當(dāng)然，也可以是奇數(shù)行狹縫111的起始端打開(kāi)末尾端封閉，偶數(shù)行狹縫111的起始端封閉末尾端打開(kāi)。
[0037]本發(fā)明提供的陣列基板，對(duì)狹縫電極進(jìn)行了改進(jìn)，將狹縫的一端開(kāi)口，以降低像素邊緣的遮擋，解決現(xiàn)有像素邊緣產(chǎn)生的暗區(qū)面積過(guò)大的問(wèn)題，