In Cell觸控顯示面板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種InCell觸控顯示面板。
【背景技術】
[0002]隨著顯示技術的飛速發(fā)展，觸控顯示面板已經(jīng)廣泛地被人們所接受及使用，如智能手機、平板電腦等均使用了觸控顯示面板。觸控顯示面板采用嵌入式觸控技術將觸控面板和液晶顯示面板結合為一體，并將觸控面板功能嵌入到液晶顯示面板內，使得液晶顯示面板同時具備顯示和感知觸控輸入的功能。觸控顯示面板根據(jù)結構不同可劃分為觸控電極覆蓋于液晶盒上式(On Cell)、觸控電極內嵌在液晶盒內式(In Cell )、以及外掛式。其中，In Cell式具有成本低、超薄、和窄邊框的優(yōu)點，主要應用在高端觸控產(chǎn)品中，已演化為未來觸控技術的主要發(fā)展方向。
[0003]液晶顯示面板通常是由一彩膜基板(Color Filter Substrate，CF Substrate)、一薄膜晶體管陣列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT ArraySubstrate)以及一配置于兩基板間的液晶層(Liquid Crystal Layer)所構成，其工作原理是通過在兩片玻璃基板上施加驅動電壓來控制液晶層的液晶分子的旋轉，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。
[0004]低溫多晶娃(LowTemperature Poly_silicon，LTPS)技術是新一代TFT基板的制造技術，與傳統(tǒng)非晶硅(a-Si)技術的最大差異在于，低溫多晶硅顯示器反應速度較快，且有高亮度、高解析度與低耗電量等優(yōu)點。由于LTPS具有高迀移率的優(yōu)點，那么在進行像素設計時TFT基板開關的W/L (溝道寬度W與溝道長度L之比)就可以設計的很小，這樣以來像素對應的開口率相對就比較高，具有極大的市場競爭優(yōu)勢。
[0005]請參閱圖1，為一種現(xiàn)有In Cell觸控顯示面板的剖面示意圖，所述In Cell觸控顯示面板包括TFT基板100、與所述TFT基板100相對設置的CF基板200、及位于所述TFT基板100與CF基板200之間的液晶層300。
[0006]所述TFT基板100包括第一基板110、設于所述第一基板110上的遮光層120、設于所述第一基板110與遮光層120上的第一絕緣層130、設于所述第一絕緣層130上的多晶硅層410、設于所述第一絕緣層130與多晶硅層410上的第二絕緣層420、設于所述第二絕緣層420上的柵極430、設于所述第二絕緣層420與柵極430上的第三絕緣層440、設于所述第三絕緣層440上的源/漏極450、設于所述第三絕緣層440與源/漏極450上的第一平坦層140、設于所述第一平坦層140上的公共電極150、設于所述公共電極150上的第一鈍化層160、設于所述第一鈍化層160上的觸控感應電極層170、設于所述第一鈍化層160與觸控感應電極層170上的第二鈍化層180、及設于所述第二鈍化層180上的像素電極190。
[0007]如圖2所述，所述TFT基板100還包括設于所述第三絕緣層440上的數(shù)據(jù)線510。所述遮光層120在水平方向上完全遮蓋所述多晶硅層410、柵極430、源/漏極450，并部分遮蓋所述數(shù)據(jù)線510。
[0008]如圖3所示，所述第一平坦層140、第一鈍化層160、第二鈍化層180上分別設有相互貫通的第一過孔141、第二過孔161、及第三過孔181，所述像素電極190經(jīng)由所述第一過孔141、第二過孔161、及第三過孔181與所述源/漏極450相接觸。
[0009]為使像素電極190與源/漏極450連接在一起，需要在沉積像素電極190前，依次在所述第一平坦層140、第一鈍化層160、及第二鈍化層180上進行三道挖孔制程，這就使得設計時必須考慮各層孔之間的線寬(CD)變化及相互交疊(overlay)產(chǎn)生的影響，從而限制了開口率的提升，而且挖孔在制程中工藝最復雜，這大大提高了生產(chǎn)難度，影響產(chǎn)品良率。

【發(fā)明內容】

[0010]本發(fā)明的目的在于提供一種InCell觸控顯示面板，TFT基板的像素電極與源/漏極之間只有一層平坦層，且像素電極僅經(jīng)由該平坦層上的一個過孔與源/漏極相接觸，結構簡單，具有較高的像素開口率。
[0011]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種InCell觸控顯示面板，包括TFT基板、與所述TFT基板相對設置的CF基板、及位于所述TFT基板與CF基板之間的液晶層；
[0012]所述TFT基板包括第一基板、設于所述第一基板上的遮光層、設于所述第一基板與遮光層上的第一絕緣層、設于所述第一絕緣層上的TFT層、設于所述TFT層上的第一平坦層、設于所述第一平坦層上的像素電極、設于所述像素電極上的第一鈍化層、設于所述第一鈍化層上的觸控感應電極層、設于所述第一鈍化層與觸控感應電極層上的第二鈍化層、及設于所述第二鈍化層上的公共電極；
[0013]所述第二鈍化層上對應所述觸控感應電極層的上方設有第一過孔，所述公共電極經(jīng)由所述第一過孔與所述觸控感應電極層相接觸;所述TFT層包括源/漏極，所述第一平坦層上對應所述源/漏極的上方設有第二過孔，所述像素電極經(jīng)由所述第二過孔與所述源/漏極相接觸。
[0014]所述TFT層包括設于所述第一絕緣層上的多晶硅層、設于所述第一絕緣層與多晶硅層上的第二絕緣層、設于所述第二絕緣層上的柵極、設于所述第二絕緣層與柵極上的第三絕緣層、及設于所述第三絕緣層上的源/漏極。
[0015]所述TFT層還包括設于所述第三絕緣層上的數(shù)據(jù)線。
[0016]所述遮光層在水平方向上完全遮蓋所述多晶硅層、柵極、源/漏極，并部分遮蓋所述數(shù)據(jù)線，所述遮光層為金屬材料。
[0017]所述第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層為氮化硅層、氧化硅層、或二者的復合層。
[0018]所述公共電極、像素電極的材料為氧化銦錫。
[0019]所述CF基板包括第二基板、設于所述第二基板上的黑色矩陣、設于所述第二基板與黑色矩陣上的色阻層、設于所述色阻層上的第二平坦層、及設于所述第二平坦層上的光阻間隔物。
[0020]所述光阻間隔物包括主光阻間隔物、及輔光阻間隔物;所述主光阻間隔物與所述第二鈍化層相接觸，所述輔光阻間隔物與所述公共電極之間有間隙。
[0021 ]所述第一基板、第二基板為玻璃基板。
[0022]所述色阻層包括紅色色阻層、綠色色阻層、及藍色色阻層。
[0023]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的InCell觸控顯示面板，TFT基板一側的第一平坦層上設有像素電極，所述第一平坦層與像素電極上設有第一鈍化層，所述第一鈍化層上設有觸控感應電極層，所述第一鈍化層與觸控感應電極層上設有第二鈍化層，所述第二鈍化層上設有公共電極;公共電極經(jīng)由第二鈍化層上的第一過孔與觸控感應電極層相接觸;像素電極與源/漏極之間只有第一平坦層，像素電極經(jīng)由第一平坦層上的第二過孔與源/漏極相接觸，和現(xiàn)有技術相比，像素電極與源/漏極之間不僅少了兩層鈍化層的厚度，更避免了第一鈍化層與第一平坦層、第二鈍化層與第一平坦層之間因各過孔相互交疊而產(chǎn)生的不良影響，設計時可以不必考慮第一平坦層與第一鈍化層和第二鈍化層之間的相對關系，并大大提高了像素的開口率；同時由于過孔的數(shù)量較少，結構較為簡單，因而降低了制程的難度，從而提尚了廣品良率。
【附圖說明】
[0024]為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術內容，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
[0025]附圖中，
[0026]圖1為一種現(xiàn)有的InCell觸控顯示面板在像素電極與源/漏極的接觸孔處的剖面示意圖；
[0027]圖2為圖1的InCell觸控顯示面板在數(shù)據(jù)線處的剖面示意圖；
[0028]圖3為圖1的InCell觸控顯示面板的TFT基板在像素電極與源/漏極的接觸孔處的剖面示意圖；
[0029]圖4為本發(fā)明的InCell觸控顯示面板在像素電極與源/漏極的接觸孔處的剖面示意圖；
[0030]圖5為本發(fā)明的InCell觸控顯示面板在數(shù)據(jù)線處的剖面示意圖；
[0031]圖6為本發(fā)明的InCell觸控顯示面板的TFT基板在像素電極與源/漏極的接觸孔處的剖面示意圖。
【具體實施方式】
[0032]為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。
[0033]請參閱圖4至圖6，本發(fā)明提供一種InCell觸控顯示面板，包括TFT基板1、與所述TFT基板1相對設置的CF基板2、及位于所述TFT基板1與CF基板2之間的液晶層3