一種led芯片光刻方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體照明技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)，是涉及一種LED芯片光刻方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 發(fā)光二極管（Light-EmittingDiode，簡(jiǎn)稱LED)是一種能將電能轉(zhuǎn)化為光能的半 導(dǎo)體電子元件。這種電子元件早在1962年出現(xiàn)，早期只能發(fā)出低光度的紅光，之后發(fā)展出 其他單色光的版本，時(shí)至今日能發(fā)出的光已遍及可見(jiàn)光、紅外線及紫外線，光度也提高到相 當(dāng)?shù)墓舛?。而用途也由初時(shí)作為指示燈、顯示板等；隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，發(fā)光二極管已被 廣泛的應(yīng)用于顯示器、電視機(jī)采光裝飾和照明。
[0003] LED的核心部分是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成的晶片，在P型半導(dǎo)體和N型半 導(dǎo)體之間有一個(gè)P-N結(jié)構(gòu)的過(guò)渡層。
[0004] 光刻是半導(dǎo)體制造中最為重要的工藝步驟之一，光刻的成本約為整個(gè)半導(dǎo)體制造 工藝的1/3,耗費(fèi)時(shí)間約占整個(gè)半導(dǎo)體制造工藝的40% - 60%。光刻的本質(zhì)是把制作在掩 膜版上的圖形復(fù)制到待刻蝕的晶圓上，其原理與照相相似，不同的是半導(dǎo)體晶圓與光刻膠 代替了照相底片與感光涂層。
[0005] 目前LED光刻的制作工序主要有烘烤、勻膠、軟烤、曝光、硬烤、顯影等六個(gè)步驟。 光刻膠包含有光敏材料，通過(guò)掩模曝光產(chǎn)生于掩模相同的圖形，有兩類通用的光刻膠：正膠 和負(fù)膠。
[0006] 光刻膠是一種有機(jī)化合物，受紫外曝光后，在顯影液中的溶解度會(huì)發(fā)生變化。制造 中所用的光刻膠通常以液態(tài)涂在半導(dǎo)體晶片表面，進(jìn)而干燥成膠膜。其中，負(fù)性光刻膠在曝 光硬化后不能溶解；正性光刻膠曝光后軟化變得可溶。
[0007] 現(xiàn)有技術(shù)的LED光刻步驟如下：
[0008] 步驟101，烘烤
[0009] 烘箱烘烤，溫度為95度烘烤5分鐘。
[0010] 步驟102,勻膠
[0011] 以1000~1500轉(zhuǎn)/分鐘的速度轉(zhuǎn)動(dòng)所述LED芯片3~5秒；
[0012] 調(diào)整轉(zhuǎn)速，以10~12轉(zhuǎn)/分鐘的速度轉(zhuǎn)動(dòng)芯片1~2秒；
[0013] 添加光刻膠的量V= 10~20毫升，芯片轉(zhuǎn)速為R= 2000~4500轉(zhuǎn)/分鐘，以轉(zhuǎn) 速為R轉(zhuǎn)動(dòng)T= 40~70秒；
[0014] 以4000~4500轉(zhuǎn)/分鐘的速度轉(zhuǎn)動(dòng)所述芯片1~2秒；
[0015] 調(diào)整轉(zhuǎn)速，以10~12轉(zhuǎn)/分鐘的速度轉(zhuǎn)動(dòng)芯片1~2秒。
[0016] 步驟103,軟烤
[0017] 在溫度95度~105度下進(jìn)行熱板軟烤60秒~120秒。
[0018] 步驟104,曝光。
[0019] 在曝光能量為80~120mj/cm2下曝光。
[0020] 步驟105,軟烤
[0021] 使用熱板105°C~110°C軟烤80秒~100秒。
[0022] 步驟106,顯影。
[0023] 用化學(xué)顯影液顯影50秒~70秒。
[0024] 用化學(xué)顯影液將曝光造成光刻膠的可溶解區(qū)域溶解，主要目的是把掩膜版的圖形 準(zhǔn)確復(fù)制到光刻膠中。
[0025] 常見(jiàn)的顯影液有NaOH(Shipley351)，KOH(Shipley606)，TMAH(ShipleyCD-26， MF-321，OCG945)等。
[0026] 現(xiàn)有技術(shù)中，光刻勻膠采用一次性勻膠，而采用一次性勻膠，會(huì)造成光刻膠在芯片 表面覆蓋不均勻，導(dǎo)致芯片表面各處光刻膠厚度相差較大，也就會(huì)對(duì)后續(xù)的光刻曝光及顯 影產(chǎn)生影響，導(dǎo)致最終的光刻圖形異常，最終造成制備的LED不合格率較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0027] 為了解決在上述現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供LED芯片光刻方 法。
[0028] 本發(fā)明提供了一種LED芯片光刻方法，該LED光刻方法包括：
[0029] 將LED芯片在烘箱中，95度下烘烤5分鐘；
[0030] 勻速轉(zhuǎn)動(dòng)所述LED芯片3~5秒；
[0031] 降低轉(zhuǎn)速再勻速轉(zhuǎn)動(dòng)所述LED芯片1~2秒；
[0032] 在所述LED芯片上添加體積為VI的光刻膠，以轉(zhuǎn)速為R1轉(zhuǎn)動(dòng)所述LED芯片時(shí)間 T1進(jìn)行勻膠；
[0033] 在所述LED芯片上添加體積為V2的光刻膠，以轉(zhuǎn)速為R2轉(zhuǎn)動(dòng)所述LED芯片時(shí)間 T2進(jìn)行勻膠；
[0034] 在所述LED芯片上添加體積為V3的光刻膠，以轉(zhuǎn)速為R3轉(zhuǎn)動(dòng)所述LED芯片時(shí)間 T3進(jìn)行勻膠，其中，
[0035] V1>V2>V3,Rl<R2 <R3,且Tl>T2 >T3 ;
[0036] 將所述LED芯片在95度~105度下，熱板軟烤60秒~120秒；
[0037] 在曝光能量為80~120mj/cm2下曝光5-7秒；
[0038] 在105°C~110°C下硬烤80秒~100秒；
[0039] 用顯影液顯影50秒~70秒。
[0040] 進(jìn)一步地，其中，所述勻速轉(zhuǎn)動(dòng)所述LED芯片3~5秒，進(jìn)一步為：
[0041] 以1000~1500轉(zhuǎn)/分鐘的速度勻速轉(zhuǎn)動(dòng)所述LED芯片3~5秒。
[0042] 進(jìn)一步地，其中，所述降低轉(zhuǎn)速再勻速轉(zhuǎn)動(dòng)所述LED芯片1~2秒，進(jìn)一步為：
[0043] 以10~12轉(zhuǎn)/分鐘的速度轉(zhuǎn)動(dòng)所述LED芯片1~2秒。
[0044] 進(jìn)一步地，其中，所述VI、R1及T1進(jìn)一步為：
[0045] VI= 4 ~8 毫升；R1 = 2000 ~3000 轉(zhuǎn) / 分鐘；且
[0046] T1 = 20 秒~30 秒。
[0047] 進(jìn)一步地，其中，所述在所述LED芯片上添加體積為VI的光刻膠，以轉(zhuǎn)速為R1轉(zhuǎn) 動(dòng)所述LED芯片進(jìn)行勻膠，進(jìn)一步包括：
[0048] 以R1 = 2000~3000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)動(dòng)所述LED芯片T1 = 20~30秒后，以 4000~4500轉(zhuǎn)/分鐘的速度轉(zhuǎn)動(dòng)所述LED芯片1~2秒，再以10~12轉(zhuǎn)/分鐘的速度轉(zhuǎn) 動(dòng)所述LED芯片1~2秒。
[0049] 進(jìn)一步地，其中，所述在所述LED芯片上添加體積為V2的光刻膠，以轉(zhuǎn)速為R2轉(zhuǎn) 動(dòng)所述LED芯片進(jìn)行勻膠，進(jìn)一步包括：
[0050] 以轉(zhuǎn)速為R2轉(zhuǎn)動(dòng)所述LED芯片時(shí)間為T2后，以4000-4500轉(zhuǎn)/分鐘的速度轉(zhuǎn)動(dòng) 所述芯片1~2秒，再以10~12轉(zhuǎn)/分鐘的速度轉(zhuǎn)動(dòng)所述LED芯片1~2秒。
[0051] 進(jìn)一步地，其中，所述V2、R2及T2進(jìn)一步為：
[0052] V2 = 0? 7V1 ~0? 8V1、R2 = 1. 2R1 且T2 = 0? 75T1。
[0053] 進(jìn)一步地，其中，所述在所述LED芯片上添加體積為V3的光刻膠，以轉(zhuǎn)速為R3轉(zhuǎn) 動(dòng)所述LED芯片進(jìn)行勻膠，進(jìn)一步包括：
[0054] 以轉(zhuǎn)速為R3轉(zhuǎn)動(dòng)所述LED芯片時(shí)間為T3后，以4000-4500轉(zhuǎn)/分鐘的速度轉(zhuǎn)動(dòng) 所述芯片1~2秒，再以10~12轉(zhuǎn)/分鐘的速度轉(zhuǎn)動(dòng)所述LED芯片1~2秒。
[0055] 進(jìn)一步地，其中，所述V3、R3及T3進(jìn)一步為：
[0056] V3 = 0? 7V2 ~0? 8V2、R3 = 1. 2R2 且T3 = 0? 75T2。
[0057] 進(jìn)一步地，其中，所述顯影液進(jìn)一步為：
[0058] NaOH(氫氧化鈉）、K0H(氫氧化鉀）或者TMAH(四甲基氫氧化銨）。
[0059] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請(qǐng)所述的LED芯片光刻方法，具有以下優(yōu)點(diǎn)：
[0060] (1)本發(fā)明的LED芯片光刻方法通過(guò)三步勻膠的方式，與現(xiàn)有技術(shù)的一次性勻膠 方法相比，使得光刻膠在LED芯片表面覆蓋更均勻，減少了LED芯片表面各處光刻膠厚度差 異，保證了經(jīng)過(guò)曝光、顯影后產(chǎn)生較良的光刻圖形，提高了LED芯片的品質(zhì)。
[0061] (2)本發(fā)明的LED芯片光刻方法通過(guò)三步勻膠的方式，使得光刻膠在芯片表面覆 蓋分層均勻覆蓋，后面層能彌補(bǔ)上一層的厚度差異，均勻的LED芯片表面光刻膠覆蓋也有 利于對(duì)LED芯片的軟烤。
[0062] 當(dāng)然，實(shí)施本申請(qǐng)的任一產(chǎn)品必不一定需要同時(shí)達(dá)到以上所述的所有技術(shù)效果。
【附圖說(shuō)明】
[0063] 此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本申請(qǐng)的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，本申 請(qǐng)的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本申請(qǐng)，并不構(gòu)成對(duì)本申請(qǐng)的不當(dāng)限定。在附圖中：
[0064] 圖1是現(xiàn)有技術(shù)的LED芯片光刻方法步驟示意圖。
[0065] 圖2是本發(fā)明實(shí)施例1的LED芯片光刻方法流程示意圖。
[0066] 圖3是本發(fā)明實(shí)施例2的LED芯片光刻方法流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0067] 如在說(shuō)明書及權(quán)利要求當(dāng)中使用了某些詞匯來(lái)指稱特定組件。本領(lǐng)域技術(shù)人員 應(yīng)可理解，硬件制造商可能會(huì)用不同名詞來(lái)稱呼同一個(gè)組件。本說(shuō)明書及權(quán)利要求并不以 名稱的差異來(lái)作為區(qū)分組件的方式，而是以組件在功能上的差異來(lái)作為區(qū)分的準(zhǔn)則。如在 通篇說(shuō)明書及權(quán)利要求當(dāng)中所提及的"包含"為一開(kāi)放式用語(yǔ)，故應(yīng)解釋成"包含但不限定 于"。"大致"是指在可接收的誤差范圍內(nèi)，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠在一定誤差范圍內(nèi)解決所 述技術(shù)問(wèn)題，基本達(dá)到所述技術(shù)效果。此外，"耦接"一詞在此包含任何直接及間接的電性 耦接手段。因此，若文中描述一第一裝置耦接于一第二裝置，則代表所述第一裝置可直接電 性耦接于所述第二裝置，或通過(guò)其他裝置或耦接手段間接地電性耦接至所述第二裝置。說(shuō) 明書后續(xù)描述為實(shí)施本申請(qǐng)的較佳實(shí)施方式，然所述描述乃以說(shuō)明本申請(qǐng)的一般原則為目 的，并非用以限定本申請(qǐng)的范圍。本申請(qǐng)的保護(hù)范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
[0068] 以下結(jié)合附圖對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，但不作為對(duì)本申請(qǐng)的限定。
[0069] 實(shí)施例1 :
[0070] 如圖2所示，為本發(fā)明的LED芯片光刻方法流程示意圖。本發(fā)明的LED芯片光刻 方法，包括：
[0071] 步驟201，將LED芯片在烘箱中，95度下烘烤5分鐘。
[0072] 光刻膠黏附要求要嚴(yán)格的干燥表面，通過(guò)烘烤使得LED芯片表面干燥，以便后續(xù) 涂膠。表面處理的主要作用是提高光刻膠與襯底之間的黏附力，使得光刻膠在顯影過(guò)程中 不會(huì)被顯影液滲透。
[0073]