中，當(dāng)在已拋光的基板上制造時，電致變色裝置表現(xiàn)得更好。此類拋光可涉及例如用含有氧 化鋁或其它電子絕緣材料的拋光化合物拋光Ti02的上表面。參見題為"OPTICALDEVICE FABRICATION"并在2012年9月27日提交的PCT專利申請?zhí)朠CT/US2012/057606,其全文 通過引用并入本文。盡管不希望受理論的約束，但拋光中使用的氧化鋁或其它絕緣材料可 在第一透明（傳導(dǎo)？）層的表面上形成絕緣層或氧化鋁粒子可填充基板中提供的氧化錫或 其它絕緣材料中的空隙。在后一種情況下，絕緣層含有兩種不同的材料，一種按原樣在基板 上形成而另一種填充第一材料中的空隙。在其它實施方案中，在操作535中形成的第一絕 緣層通過常規(guī)沉積方法（諸如物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積）沉積。所得的層可具有如本 文在別處描述的絕緣層的組成。
[0327] 在形成第一絕緣層后，方法可基本上如參考圖5B和/或圖5C所述而繼續(xù)。在操 作537中沉積第一電致變色層，接著進行任選的鋰化操作539。隨后，任選地原位沉積或形 成離子傳導(dǎo)層，接著沉積第二電致變色層。參見操作541。然后如操作543中所指示將到此 時所制造的裝置鋰化。在操作545中形成第二絕緣層。用于形成該第二絕緣層的材料可與 操作535中用于形成第一絕緣層的材料相同或不同。如果第一絕緣層由方法所接收的基板 提供或在拋光期間提供，則通常第二絕緣層將具有與第一絕緣層不同的組成，或至少不同 的形態(tài)。
[0328] 在形成第二絕緣層后，該方法沉積第二透明傳導(dǎo)層。參見操作547。隨后如上所述 進行任選的后處理。參見操作549。
[0329] 圖5E給出另一種形成低缺陷率電致變色裝置的方法。該方法如圖所示以方框551 開始，其中接收其上預(yù)先形成有多種層的基板。這些層可包括一個或多個擴散阻擋層（諸 如氧化錫和氧化硅層）、第一透明傳導(dǎo)層（諸如氟化的氧化錫層）和第一缺陷緩解絕緣層。 如所指示，缺陷緩解絕緣層可包含或為氧化鈦、氧化錫、氧化硅、氧化硅鋁、氧化鉭、氧化鎳 鎢、各種氮化物、碳化物、氧碳化物、氧氮化物和任何這些材料的變體等。
[0330] 在接收基板時，可對其進行洗滌和以其它方式進行準(zhǔn)備以用于裝置制造，如方框 553中所指示。如上所提及，準(zhǔn)備可包括切割、清潔、鋼化等。隨后，如方框555處所指示，任 選地將基板表面拋光。拋光可用例如在形成拋光漿料或其它適當(dāng)拋光配方的適當(dāng)載體中的 氧化鋁、氧化鈰或其它適當(dāng)?shù)膾伖獠牧线M行。拋光可用于多種目的，如上文所說明。這些目 的包括例如降低表面的粗糙度和將絕緣材料并入絕緣表面層中，否則該絕緣表面層將含有 凹點、缺陷、間斷點和其它潛在電短路來源。拋光化合物中的拋光材料（例如氧化鋁或氧化 鈰）本身為絕緣材料，其填充基板上所提供的連續(xù)絕緣層中的間隙。
[0331] 在任選的拋光之后，如上所述和如圖5E的方框557和561中所指不沉積第一電致 變色層和第二電致變色層。隨后，如方框563處所指示進行粒子移除步驟，諸如鋰化。接 著，在第二電致變色層上方形成第二缺陷緩解絕緣層。參見方框565。在圖5E中所描繪的 方法的特定實現(xiàn)方式中，第二缺陷緩解絕緣層是氧化鎳鎢的低電致變色形式。在該實現(xiàn)方 式中，第二電致變色層是氧化鎳鎢的電致變色形式。第一電致變色層可以是沉積在一個或 多個層中的氧化鎢。如上文所指示，在一些實現(xiàn)方式中，在第一氧化鎢層頂部形成的第二氧 化鎢層可具有氧超過化學(xué)計量的組成。
[0332] 在方框565處形成第二缺陷緩解絕緣層后，如方框567所指示沉積第二透明傳導(dǎo) 層。隨后，如上所述進行后處理，諸如熱調(diào)節(jié)或熱化學(xué)調(diào)節(jié)。參見方框569。出于該說明的 目的，該方法因而完成。
[0333] 缺陷緩解絕緣層可通過多種技術(shù)沉積。物理和化學(xué)氣相沉積是典型的。在一些情 況下，沉積為保形的；即，該方法沉積絕緣層，該絕緣層能夠遵循因粒子射出而產(chǎn)生的凹點 和其它形貌變化的輪廓。沉積方法的保形性應(yīng)使層可以遵循微米或納米（例如數(shù)十或數(shù)百 納米）級的輪廓。可實現(xiàn)這一點的沉積方法的類別的實例為化學(xué)氣相沉積技術(shù)和原子層沉 積（ALD)技術(shù)。在鋪設(shè)絕緣層后進行的裝置層的沉積可同樣地通過尤其是保形方法來沉 積。
[0334] 盡管已在大部分實施方案中將鋰化作為促進粒子移除的操作而提供，但多種其它 技術(shù)可同樣地起到促進粒子移除的作用。其中一種為"接觸清潔"，這是一種涉及使部分制 造的電致變色裝置的層與接觸滾輪、條帶或刷子接觸的方法，該接觸滾輪、條帶或刷子粘住 或吸引粒子接著將粒子從裝置移除。通常，接觸清潔使用靜電引力和/或粘附來吸引移除 粒子。一些接觸清潔產(chǎn)品可商購獲得，其面向接觸薄片清潔和網(wǎng)狀物清潔行業(yè)銷售。在多 種實施方案中，使用滾輪機構(gòu)。在一些情況下，使用兩個滾輪：第一個用于接觸裝置表面并 從裝置表面移除粒子，而第二個用于接觸第一滾輪以移除由第一滾輪在其最近一次旋轉(zhuǎn)中 拾取的粒子。為清潔裸露玻璃而銷售的接觸清潔產(chǎn)品的實例由Renfrewshire,Scotland,UK 的Teknek?和Technica制造。
[0335] 在一些實現(xiàn)方式中，將接觸清潔器與電致變色裝置制造系統(tǒng)整合在一起。通常但 盡管不總是如此，將接觸清潔器部署在用于沉積電致變色裝置的層的系統(tǒng)的真空環(huán)境之 外。在"切割和涂布"制造方法流程中，可使用單一尺寸的接觸清潔器。在其它制造流程中， 采用不同尺寸的接觸清潔器以用于清除在不同尺寸的玻璃上制造的裝置。
[0336] 另一類粒子移除技術(shù)依賴于粒子和粒子所嵌入的基板層的熱膨脹差。當(dāng)粒子體積 相對于周圍的層膨脹或收縮時，粒子可射出，特別是當(dāng)相對體積變化較快時。在一些實施方 案中，驅(qū)動體積變化的機制是在由粒子而非圍繞層選擇性吸收的波長下照射基板，或反之 亦然。在一些實施方案中，驅(qū)動相對體積變化的機制是粒子和圍繞層的不同熱膨脹系數(shù)。
[0337] 熱能可以多種方式傳遞。例如，如所提及，粒子和/或基板層可通過照射加熱。照 射可在紅外至紫外范圍的波長或波譜下提供。照射可由一個或多個燈、激光器等提供。在 一種方法中，使準(zhǔn)直激光束在部分制造的電致變色裝置的表面上方經(jīng)過。例如，光束在裝置 的寬度上掠向裝置的表面。光束可沿垂直于或基本上垂直于承載電致變色裝置的基板的行 進方向的方向傳播。在另一種方法中，將激光束集中在裝置上并在表面上以光柵掃描方式 移動。
[0338] 在一些實施方案中，通過以非照射機制加熱基板來提供熱能，諸如使經(jīng)加熱的氣 體在基板/裝置的表面上方通過和/或使基板/裝置在經(jīng)加熱的元件（諸如滾輪）上方通 過。在一種實現(xiàn)方式中，經(jīng)加熱的元件通過電阻加熱來加熱。
[0339] 在另一種粒子移除方法中，向部分制造的電致變色裝置施加靜電力。這可通過例 如使裝置與等離子體接觸或向包括裝置的基板施加電荷來實現(xiàn)。在一個實施方案中，采用 兩階段過程。在第一階段中，通過暴露于等離子體使粒子帶電。接著，在第二階段中，具有帶 電粒子的基板接收電荷，該電荷引起帶電粒子射出。例如，形成與基板的傳導(dǎo)或部分傳導(dǎo)層 的電觸點，并通過該觸點向裝置施加電荷。在一些實現(xiàn)方式中，將基板與這樣的電荷接觸， 該電荷具有與通過接觸等離子體而施加到粒子的電荷相同的符號。
[0340] 在又一種方法中，將部分制造的電致變色裝置暴露于超臨界流體，諸如超臨界二 氧化碳。超臨界流體在逐出和移除粒子方面極其有效。流體可包含超臨界溶劑（諸如超臨 界二氧化碳）與其中所含的一種或多種添加劑，以改善流體的清潔能力或其它性質(zhì)?？墒?用多種方法中的任一種使超臨界流體與部分制造的電致變色裝置接觸。例如，可使裝置浸 沒在超臨界流體中或通過超臨界流體。流體本身可以靜止或流動狀態(tài)提供。在多種實施方 案中，將采用一定的對流。例如，超臨界流體可流經(jīng)由再循環(huán)回路中的栗驅(qū)動的基板接觸 室。在某些實施方案中，超臨界流體作為低溫氣溶膠而提供?？稍谘b置或噴嘴（或噴槍） 相對于另一個移動時將流體噴在裝置上。
[0341] 在再一種方法中，通過向部分制造的電致變色裝置施加聲能而逐出和/或 移除粒子。聲能可以多種頻率中的任一種提供，包括兆聲波（megasonic)、超高聲波 (supersonic)、超聲波（ultrasonic)等。在某些實施方案中，振動源與基板直接親合。在 某些實施方案中，振動源與接觸基板/裝置的流體直接耦合。
[0342] 另一種移除技術(shù)涉及電離空氣吹掃，任選地使用氣刀。另一種技術(shù)涉及對裝置中 含有粒子的層的回蝕?；匚g可通過等離子體（例如含氟或含氧的等離子體）、通過使用離子 研磨等實現(xiàn)。粒子可由回蝕過程移除或僅僅是逐出。在后一種情況下，可在回蝕后應(yīng)用獨 立的粒子移除操作。此類過程可包括一種或多種其它上述過程，諸如向基板施加電荷、使基 板與超臨界流體接觸或選擇性加熱粒子。
[0343] 當(dāng)采用鋰化作為粒子移除技術(shù)時，其可以多種形式實施。例如，鋰可以單劑量或以 多劑量遞送，有時遞送至裝置的不同層，諸如遞送至電致變色層和反電極層。在一些實施方 案中，裝置所需的所有鋰在單次操作中遞送。例如，可將鋰遞送到反電極層并使之?dāng)U散或迀 移到裝置的其余部分中。當(dāng)在一個操作中提供所有鋰時，該合并過程在裝置上提供最大的 體積應(yīng)力并可能提供經(jīng)由鋰化來移除粒子的最有效方式。然而，鋰化選項不限于單劑量。
[0344] 粒子移除操作可在電致變色裝置制造順序中的多種階段進行。盡管以上描述集中 于從部分制造的電致變色裝置移除，但是應(yīng)當(dāng)理解，也可在完全制造的電致變色裝置上執(zhí) 行任何移除技術(shù)。多個方法實施例在下文給出。每一個是以下基礎(chǔ)方法的變型：
[0345] 基礎(chǔ)裝置制造方法
[0346] 形成第一TC層
[0347] 形成EC層
[0348] 形成IC層（任選的）
[0349] 形成CE層
[0350] 形成第二TC層
[0351] 不在獨立步驟中沉積離子傳導(dǎo)層的方法
[0352] 選項 1
[0353] 形成第一TC層
[0354] 移除粒子
[0355] 形成絕緣層
[0356] 形成EC層
[0357] 形成CE層
[0358] 形成第二TC層
[0359] 選項 2
[0360] 形成第一TC層
[0361] 形成EC層
[0362] 移除粒子
[0363] 形成絕緣層
[0364] 形成CE層
[0365] 形成第二TC層
[0366] 選項3
[0367] 形成第一TC層
[0368] 形成EC層
[0369] 形成CE層
[0370] 移除粒子
[0371] 形成絕緣層
[0372] 形成第二TC層
[0373] 選項4
[0374] 形成第一TC層
[0375] 形成EC層
[0376] 移除粒子
[0377] 形成CE層
[0378] 移除粒子
[0379] 形成絕緣層
[0380] 形成第二TC層
[0381] 選項 5
[0382] 形成第一TC層
[0383] 移除粒子
[0384] 形成EC層
[0385] 形成CE層
[0386] 移除粒子
[0387] 形成絕緣層
[0388] 形成第二TC層
[0389] 選項 6
[0390] 形成第一TC層
[0391] 形成EC層
[0392] 形成部分CE層
[0393] 移除粒子
[0394] 形成絕緣層
[0395] 形成CE層的其余部分
[0396] 形成第二TC層
[0397] 選項7
[0398] 形成第一TC層
[0399] 移除粒子 [0400]形成EC層
[0401] 形成部分CE層
[0402] 形成絕緣層
[0403] 移除粒子
[0404] 形成CE層的其余部分
[0405] 形成第二TC層
[0406] 選項 8
[0407] 形成第一TC層
[0408] 形成EC層
[0409] 移除粒子
[0410] 形成部分CE層
[0411] 形成絕緣層
[0412] 移除粒子
[0413] 形成CE層的其余部分
[0414] 形成第二TC層
[0415] 在獨立步驟中沉積離子傳導(dǎo)層的方法
[0416] 選項 1
[0417] 形成第一TC層
[0418] 移除粒子
[0419] 形成絕緣層
[0420] 形成EC層
[0421] 形成IC層
[0422] 形成CE層
[0423] 形成第二TC層
[0424] 選項2
[0425] 形成第一TC層
[0426] 形成EC層
[0427] 移除粒子
[0428] 形成絕緣層
[0429] 形成IC層
[0430] 形成CE層
[0431] 形成第二TC層
[0432] 選項3
[0433] 形成第一TC層
[0434] 形成EC層
[0435] 形成IC層
[0436] 移除粒子
[0437] 形成絕緣層
[0438] 形成CE層
[0439] 形成第二TC層
[0440] 選項4
[0441] 形成第一TC層
[0442] 形成EC層
[0443] 形成IC層
[0444] 形成CE層
[0445] 移除粒子
[0446] 形成絕緣層
[0447] 形成第二TC層
[0448]選項5
[0449] 形成第一TC層
[0450] 形成EC層
[0451] 移除粒子
[0452] 形成IC層
[0453] 形成CE層
[0454] 移除粒子
[0455] 形成絕緣層
[0456] 形成第二TC層
[0457] 選項 6
[0458] 形成第一TC層
[0459] 移除粒子
[0460] 形成EC層
[0461] 形成IC層
[0462] 形成CE層
[0463] 移除粒子
[0464] 形成絕緣層
[0465] 形成第二TC層
[0466]選項7
[0467] 形成第一TC層
[0468] 形成EC層
[0469] 形成IC層
[0470] 形成部分CE層
[0471] 移除粒子
[0472] 形成絕緣層
[0473] 形成CE層的其余部分
[0474] 形成第二TC層
[0475] 選項 8
[0476] 形成第一TC層
[0477] 形成EC層
[0478] 移除粒子
[0479] 形成IC層
[0480] 形成部分CE層
[0481] 移除粒子
[0482] 形成絕緣層
[0483] 形成CE層的其余部分
[0484] 形成第二TC層
[0485] 選項 9
[0486] 形成第一TC層
[0487] 移除粒子
[0488] 形成EC層
[0489] 形成IC層
[0490] 形成部分CE層
[0491] 移除粒子
[0492] 形成絕緣層
[0493] 形成CE層的其余部分
[0494] 形成第二TC層
[0495] 盡管以上選項中的每一個均顯示在反電極層之前沉積的電致變色層，但在任何選 項中沉積順序可以顛倒。
[0496] 在多種實施方案中，粒子移除在電致變色裝置的高電阻率層內(nèi)發(fā)生。在傳統(tǒng)的五 層EC裝置（以上基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)-TC1/EC/IC/CE/TC2)中，粒子移除可在以下時間發(fā)生：（a)在已 沉積5%IC之時或之后但（b)在已沉積95%IC之前或之時，和/或（c)在已沉積5%CE 之時或之后但（d)在已沉積95%CE之前或之時。在某些實施方案中，移除粒子且在沉積 一部分電阻性構(gòu)成材料（和甚至在鋰存在下仍保持電阻性的材料）之后但在沉積其余的電 阻性材料之前沉積缺陷緩解層。在該方法的變體中，其余的電阻性材料為缺陷緩解絕緣層。 所移除的粒子將留下孔洞（可能深至TCl層），該孔洞隨后將被絕緣材料填充。在粒子移除 過程中添加的任何粒子均將已經(jīng)駐留在裝置的電阻性部件的第一部分的頂部，且因此不會 造成短路威脅。注意，氧化鎢在鋰存在下可變成傳導(dǎo)性的。因此，在采用氧化鎢作為電致變 色材料的某些實施方案中，粒子移除和絕緣層沉積在氧化鎢層以外的層中進行。
[0497] 缺陷緩解絕緣層的屬性
[0498] 在多種實施方案中，缺陷緩解絕緣層通過防止極性相反的層之間的直接電接觸而 防止短路。在多種實施方案中，缺陷緩解絕緣層封裝粒子并防止其射出。絕緣層的屬性可 包括可見區(qū)中的透明性、弱或無電致變色、與未摻雜的電極材料（電致變色和/或反電極） 相當(dāng)或更高的電子電阻以及物理和化學(xué)耐久性。
[0499] 絕緣層的性質(zhì)中的一個是其電子電阻率。一般來講，其應(yīng)具有基本上大于透明傳 導(dǎo)層的電子電阻率水平的電子電阻率水平，通常大數(shù)個數(shù)量級。在一些實施方案中，絕緣層 具有介于常規(guī)的離子傳導(dǎo)層的電子電阻率和透明傳導(dǎo)層（例如銦摻雜的氧化錫）的電子電 阻率之間的電子電阻率。因此，電子電阻率應(yīng)大于約10 4Q-CHi(氧化銦錫的大致電阻率）或 大于約10 6Q-cm。在一些情況下，其電子電阻率介于約10 4Q-cm和IO14Q-cm(電致變色裝 置的典型離子導(dǎo)體的大致電阻率）之間或介于約10 5Q-CHi和IO12Q-Cm之間。在某些實施 方案中，絕緣層中材料的電子電阻率介于約1和5xl013Q-cm之間或介于約IO2和IO12Q-Cm 之間或介于約IO6和5x10 12Q-cm之間，或介于約IO7和5x10 9Q-cm之間。在一些實施方案 中，缺陷緩解絕緣層材料將具有與反電極材料的電致變色層的電阻率相當(dāng)?shù)碾娮杪剩ɡ?在一個數(shù)量級內(nèi)）。
[0500] 材料的電阻率與絕緣層的厚度有關(guān)。該電阻率和厚度水平將共同產(chǎn)生薄層電阻 值，薄層電阻值事實上可比僅單獨的電阻率更重要。（較厚的材料將具有較低的薄層電 阻）。當(dāng)使用具有相對高的電阻率值的材料時，可將電致變色裝置設(shè)計成具有相對薄的絕緣 層，其對保持裝置的光學(xué)質(zhì)量是可取的。在某些實施方案中，絕緣層的厚度為約IOOnm或以 下或約50nm或以下。在一個實施例中，絕緣層的厚度為約5nm，在另一個實施例中，該層的 厚度為約20nm，且在另一個實施例中，該層的厚度為約40nm。在某些實施方案中，絕緣層的 電子薄層電阻為每平方介于約40和4000Q之間或每平方介于約100和1000Q之間。在 一些情況下，絕緣材料為電半導(dǎo)體的，其具有無法輕易測量的薄層電阻。
[0501] 在某些實施方案中，特別是在其中缺陷緩解絕緣層設(shè)置在基板上的那些實施方案 中，有時采用更厚的層。厚度可例如介于約5和500nm之間，或介于約5和IOOnm之間，或 介于10和IOOnm之間，或介于約15和50nm之間，或介于約20和50nm之間，或介于約20 和40nm之間。
[0502] 在某些實施方案中，構(gòu)成絕緣層的材料具有相對低的盲電荷容量。在電致變色裝 置的背景中，材料的電荷容量表示其在正常電致變色循環(huán)期間可逆地容納鋰離子的能力。 盲電荷容量是材料不可逆地容納其在制造期間或在初始循環(huán)期間遇到的鋰離子的能力。作 為盲電荷而容納的那些鋰離子不能用于后續(xù)循環(huán)進出它們所螯合的材料。如果絕緣材料具 有大電荷容量，則其可充當(dāng)非功能性鋰離子的貯存器（通常該層不表現(xiàn)出電致變色，因此 進入該層的鋰離子不驅(qū)動著色或脫色轉(zhuǎn)變）。因此，存在該額外層需要在裝置中提供僅由該 額外層吸收的額外鋰離子。這當(dāng)然是一種缺點，因為鋰在制造期間可能難以整合到裝置中。
[0503] 在某些實施方案中，缺陷緩解絕緣層的電荷容量介于約10和100毫庫/cm2*ym之 間；例如介于約30和60毫庫/cm2之間。作為對比，典型的氧化鎳鎢電致變色層的電荷容 量為大約120毫庫/cm2*ym。在某些實施方案中，缺陷緩解絕緣層的盲電荷容量介于約30 和100毫庫/cm2*ym之間；例如介于約100和110毫庫/cm2*ym之間。作為對比，典型的 氧化鎳鎢電致變色層的電荷容量通常小于約100毫庫/cm2*ym。
[0504] 在某些實施方案中，缺陷緩解絕緣層為離子傳導(dǎo)性的。當(dāng)該層在兩個電極（電致 變色和反電極）中的第二個電極之前沉積時，尤其如此。在某些實施方案中，缺陷緩解絕緣 層的離子傳導(dǎo)率介于約10 7西門子/cm和10 12西門子/cm之間，或介于約10 8西門子/cm 和10 11西門子/cm之間或介于10 9西門子/cm和10 西