像素電極及液晶顯示面板的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種像素電極及液晶顯示面板。
【背景技術】
[0002] 主動式薄膜晶體管液晶顯示器（Thin Film Transistor-LCD，TFT-LCD)近年來得 到了飛速的發(fā)展和廣泛的應用。就目前主流市場上的TFT-LCD顯示面板而言，可分為三種 類型，分別是扭曲向列（Twisted Nematic，TN)型或超扭曲向列（Super Twisted Nematic， STN)型，平面轉(zhuǎn)換（In-Plane Switching，IPS)型、及垂直配向（Vertical Alignment， VA)型。其中VA型液晶顯示器相對其他種類的液晶顯示器具有極高的對比度，一般可達到 4000-8000,在大尺寸顯示，如電視等方面具有非常廣的應用。
[0003] VA型液晶顯示面板之所以具有極高的對比度是因為在不加電的暗態(tài)時，液晶分子 垂直于基板表面排列，不產(chǎn)生任何相位差，漏光極低，暗態(tài)亮度很小，根據(jù)對比度計算公式 暗態(tài)亮度越低，則對比度越高。為了使VA型液晶顯示面板中的液晶分子能夠垂直于基板表 面排列，需要對液晶分子進行垂直配向處理，現(xiàn)行最為普遍的做法是在上、下基板表面的特 定區(qū)域涂布垂直配向劑，垂直配向劑一般包含大量的化學溶劑NMP (N-甲基吡咯烷酮）以及 高分子材料聚酰亞胺（P〇lyimide，PI)等成分，然后將基板在高溫（一般200攝氏度以上） 下進行長時間烘烤，使配向劑中的溶劑被烤干，從而在基板表面形成PI配向?qū)印Ｈ鐖D1所 不，傳統(tǒng)的VA型液晶顯不面板包括：上基板100、與上基板100相對設置的下基板200、夾于 上基板100和下基板200之間的液晶層400,形成于上基板100面向下基板200 -側(cè)表面及 下基板200面向上基板100 -側(cè)表面的PI配向?qū)?00。由于VA型液晶顯示面板采用垂直 轉(zhuǎn)動的液晶，液晶分子雙折射率的差異比較大，導致大視角下的色偏（color shift)問題比 較嚴重。
[0004] 為了使VA型液晶顯示面板獲得更好的廣視角特性，改善色偏問題，通常會采取多 疇VA技術（multi-domain VA，MVA)，即將一個子像素劃分成多個區(qū)域，并使每個區(qū)域中的 液晶在施加電壓后倒伏向不同的方向，從而使各個方向看到的效果趨于平均、一致。實現(xiàn) MVA技術的方法有多種，請參閱圖2、圖3、及圖4,其中一種方法是將一側(cè)的IT0像素電極 520處理成"米字型"圖案，公共電極510為厚度均勻、連續(xù)不間斷的平面電極，由于特殊的 IT0像素電極圖案，其產(chǎn)生的傾斜電場可以誘導不同區(qū)域中的液晶分子400倒向不同的方 向。
[0005] 圖2所示為一種MVA型液晶顯示面板的下基板200 -側(cè)的平面俯視示意圖，其中 610與620分別為掃描線與數(shù)據(jù)線，一個子像素被像素電極520劃分成了四個區(qū)域。所述 IT0像素電極520包括作為主干部分的"十字形"龍骨511、及相對于水平方向自該"十字 形"龍骨511分別向45°、135°、-45°、及-135°方向延伸的像素電極分支512與狹縫間 隔的圖案。圖3所示為該MVA型液晶顯示面板在對應圖2中A-A處的剖面示意圖，其中具 有狹縫的像素電極520設于平坦的下鈍化層600上，平面型的公共電極510設于平坦的上 鈍化層601上，PI配向?qū)?00覆蓋于像素電極520及公共電極510上。
[0006] 根據(jù)VA型液晶顯示面板的穿透率公式： 1 1r
[0007] r = -sin22AOsin2 - 22(1)
[0008] 其中T為穿透率，A O為液晶長軸與偏光片夾角，45°時效率最大；r為相位差， 即由液晶分子在電場驅(qū)動下偏轉(zhuǎn)對偏振光的調(diào)制效果。
[0009]r的計算公式為：
[0010] r = cos (a) *2 Jr * A n*d/入（2)
[0011] 其中，a為液晶分子長軸與基板法線的夾角，其大小受液晶分子受到的電場大小決 定，d為液晶盒盒厚，An為液晶長、短軸折射率差。
[0012] 由以上穿透率公式可知，由于在子像素的四個區(qū)域內(nèi)，IT0像素電極520具有分別 向相對于水平方向傾斜45°、135°、-45°、及-135°方向延伸的像素電極分支512與狹縫 間隔的圖案（上、下偏光片方向分別為0°、90° )，液晶分子長軸將分別向相對于水平方向 傾斜45°、135°、-45°、及-135°方向倒伏，穿透率公式中sin22AO=l，能夠?qū)崿F(xiàn)穿透 率的最大化。
[0013] 但是如圖2所示的像素電極520的"十字形"龍骨511所對應區(qū)域上的液晶分子 400往往不能像像素電極分支512與狹縫間隔的圖案所對應區(qū)域上的液晶分子那樣向相對 于水平方向傾斜45°、135°、-45°、及-135°四個方向倒伏，而是如圖5所示，位于"十字 形"龍骨511對應區(qū)域上的液晶分子400向相對于水平方向傾斜0°、或90°方向倒伏，使 得穿透率公式中sin 22 A 0= 0,顯示為不透光態(tài)，造成液晶顯示面板的整體穿透率下降。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0014] 本發(fā)明的目的在于提供一種像素電極，可解決由于米字形像素電極的主干部分液 晶分子倒伏方向不當造成的穿透率偏低的問題，提高液晶面板的穿透率，降低液晶面板對 背光亮度的需求，降低成本與使用功耗。
[0015] 本發(fā)明的目的還在于提供一種液晶顯示面板，像素電極在一個子像素中包含兩個 區(qū)域，并且采用只有一條龍骨的設計，穿透率較高，對背光亮度的需求較低，使用功耗較低。
[0016] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種像素電極，包括一邊框電極、垂直連接于所述邊 框電極中部的一主干電極、數(shù)個相互平行且相互間隔的第一分支電極、及數(shù)個相互平行且 相互間隔的第二分支電極；
[0017] 所述主干電極將所述邊框電極一側(cè)分為第一區(qū)域與第二區(qū)域，所述數(shù)個第一分支 電極以與所述邊框電極呈135°夾角的方向設置于該第一區(qū)域內(nèi)，并分別與所述邊框電極、 或主干電極相連接，所述數(shù)個第二分支電極以與所述邊框電極呈45 °夾角的方向設置于該 第二區(qū)域內(nèi)，并分別與所述邊框電極、或主干電極相連接。
[0018] 所述主干電極呈鋸齒狀，包括數(shù)個第一電極段、及與所述數(shù)個第一電極段首尾相 接且相互垂直的數(shù)個第二電極段；所述主干電極中與所述邊框電極相連接的第一電極段或 第二電極段與所述邊框電極呈135°或45°夾角；
[0019] 所述數(shù)個第一電極段與數(shù)個第二電極段的連接處分別于所述主干電極兩側(cè)形成 數(shù)個第一彎折部、及數(shù)個第二彎折部。
[0020] 所述數(shù)個第一分支電極的一端分別與所述第一彎折部、或邊框電極相連接；所述 數(shù)個第二分支電極的一端分別與所述第二彎折部、或邊框電極相連接；所述數(shù)個第一分支 電極與所述數(shù)個第二分支電極于所述主干電極的兩側(cè)交錯設置。
[0021] 所述數(shù)個第一分支電極的一端分別與所述第一彎折部、第二電極段的中點、或邊 框電極相連接；所述數(shù)個第二分支電極的一端分別與所述第二彎折部、第一電極段的中點、 或邊框電極相連接；所述數(shù)個第一分支電極與所述數(shù)個第二分支電極于所述主干電極的兩 側(cè)交錯設置。
[0022] 所述數(shù)條第一、第二分支電極之間分別形成數(shù)個第一、第二電極縫隙；所述第一、 第二電極縫隙的寬度相同。
[0023] 所述第一、第二分支電極的寬度相同，所述第一、第二電極段的寬度相同，且所述 第一、第二分支電極的寬度與所述第一、第二電極段的寬度相同。
[0024] 本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，包括：上基板、與所述上基板相對設置的下基 板、設置于所述上基板面向所述下基板一側(cè)的公共電極、設于所述下基板面向所述上基板 一側(cè)的像素電極、及夾設于所述公共電極與像素電極之間的液晶層；
[0025] 所述下基板具有沿水平方向延伸的掃描線、沿豎直方向延伸的數(shù)據(jù)線、及TFT，所 述TFT的柵極連接掃描線，源極連接數(shù)據(jù)線，漏極連接所述像素電極；
[0026] 所述像素電極包括包括一邊框電極、垂直連接于所述邊框電極中部的一主干電 極、數(shù)個相互平行且相互間隔的第一分支電極、及數(shù)個相互平行且相互間隔的第二分支電 極；
[0027] 所述主干電極將