液晶顯示面板及液晶顯示面板的制造方法
【專利說明】
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及液晶顯示領域，特別涉及一種液晶顯示面板及液晶顯示面板的制造方法。
【【背景技術】】
[0002]傳統(tǒng)的液晶顯示面板包括彩色濾光片(CF, Color filter)基板、陣列基板以及液晶。該彩膜基板包括第一玻璃基板、黑矩陣(BM，Black Matrix)層、著色圖案層和保護層(OC，Over Coat)層，該第一玻璃基板、黑矩陣層、著色圖案層和保護層依次層疊設置為一體；陣列基板包括第二玻璃基板、柵極線層、絕緣層、半導體層、金屬層和鈍化層，該第二玻璃基板、柵極線層、絕緣層、半導體層、金屬層和鈍化層依次層疊設置為一體。
[0003]傳統(tǒng)的液晶顯示面板的彩膜基板和陣列基板之間是用間隔子(Spacer)來支撐的。彩膜基板和陣列基板疊加組合在一起，并且由于間隔子置于之間而存在固定距離的間隙，液晶置于該間隙內。一般在低溫多晶娃(LTPS, Low Temperature Poly-silicon)薄膜晶體管液晶顯示器(即LTPS-TFT LCD)中，間隔子是采用感光型間隔子(Photo Spacer, PS)來達成。對于中小尺寸的產品中，感光型間隔子是形成在彩膜基板上，具體彩色濾光片制程為黑矩陣層、著色圖案層和保護層完成后，通過使用光掩膜(Photomask)的光刻工藝將感光型間隔子形成在保護層上的特定區(qū)域。
[0004]然而，制作感光型間隔子形成于彩膜基板相較于制作傳統(tǒng)彩膜基板的制程需要多一次高成本的光刻工藝，不利于成本的降低。
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【發(fā)明內容】
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[0005]本發(fā)明的一個目的在于提供一種液晶顯示面板，其對陣列基板中的平坦層形成一柱狀凸起作為間隔子，從而節(jié)省在彩膜基板上的感光型間隔子制程。
[0006]本發(fā)明的另一個目的在于提供一種液晶顯示面板的制造方法，其可透過半色調光刻工藝經一次曝光即可制作成平坦層及作為間隔子的柱狀凸起，從而節(jié)省在彩膜基板上的感光型間隔子制程。
[0007]為解決上述問題，本發(fā)明的優(yōu)選實施例提供了一種液晶顯示面板，其包括包括陣列基板及彩膜基板，所述陣列基板包括數據線、掃描線及薄膜晶體管，所述數據線及所述掃描線定義出開口區(qū)。所述陣列基板還包括圖案化平坦層，其形成于所述數據線、所述掃描線及所述薄膜晶體管上，并暴露出所述開口區(qū)，其中位于所述掃描線上的所述圖案化平坦層形成一柱狀凸起，所述柱狀凸起支撐于所述陣列基板及所述彩膜基板之間。
[0008]在本發(fā)明優(yōu)選實施例中，形成所述柱狀凸起的所述圖案化平坦層具有一第一厚度，位于所述數據線上的所述圖案化平坦層具有一第二厚度，且所述第一厚度大于所述第二厚度。優(yōu)選地，所述第一厚度介于2.8至3.2微米之間，所述第二厚度介于2.1至2.6微米之間。另外，所述陣列基板及所述彩膜基板之間具有一液晶盒厚度，所述第一厚度等于所述液晶盒厚度。
[0009]在本發(fā)明優(yōu)選實施例中，所述薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管，且所述液晶顯示面板為邊緣場開關模式顯示面板。優(yōu)選地，所述陣列基板包括襯底基板、并在所述掃描線位置上依次形成在所述襯底基板上的緩沖層、半導體層、柵極絕緣層、柵金屬層、層間介電層、所述圖案化平坦層、公共電極層、鈍化層及像素電極層。
[0010]同樣地，為解決上述問題，本發(fā)明的另一優(yōu)選實施例提供了一種液晶顯示面板的制造方法，其包括:提供包括數據線、掃描線及薄膜晶體管的陣列基板，所述數據線及所述掃描線定義出開口區(qū)；涂布平坦層于所述陣列基板上；采用半色調光刻工藝圖案化所述平坦層，以形成位于所述數據線、所述掃描線及所述薄膜晶體管上并暴露出所述開口區(qū)的圖案化平坦層，其中位于所述掃描線上的所述圖案化平坦層形成一柱狀凸起；以及結合所述陣列基板及彩膜基板，使得所述柱狀凸起支撐于所述陣列基板及所述彩膜基板之間。
[0011]在本發(fā)明優(yōu)選實施例中，形成所述柱狀凸起的所述圖案化平坦層具有一第一厚度，位于所述數據線上的所述圖案化平坦層具有一第二厚度，且所述第一厚度大于所述第二厚度。優(yōu)選地，所述第一厚度介于2.8至3.2微米之間，所述第二厚度介于2.1至2.6微米之間。
[0012]在本發(fā)明優(yōu)選實施例中，結合所述陣列基板及所述彩膜基板后，所述陣列基板及所述彩膜基板之間具有一液晶盒厚度，所述第一厚度等于所述液晶盒厚度。
[0013]相對于現(xiàn)有技術，本發(fā)明對陣列基板中的平坦層透過半色調光刻工藝形成柱狀凸起作為陣列基板及彩膜基板之間的間隔子，且去除掉原本在開口區(qū)的平坦層，以達到陣列基板與彩膜基板之間的足夠的液晶盒厚度，而不需額外制作間隔子，從而節(jié)省在彩膜基板上的感光型間隔子制程。
[0014]為讓本發(fā)明的上述內容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，幷配合所附圖式，作詳細說明如下:
【【附圖說明】】
[0015]圖1為本發(fā)明的液晶顯示面板的陣列基板的俯視示意圖；
[0016]圖2為圖1的液晶顯示面板在AA’線段的剖面示意圖；
[0017]圖3為圖1的液晶顯示面板在BB’線段的剖面示意圖；
[0018]圖4為本發(fā)明優(yōu)選實施例的液晶顯示面板的制造方法的流程圖；
[0019]圖5A為步驟SlO的示意圖；
[0020]圖5B為步驟S20的示意圖；
[0021 ]圖5C為步驟S30的示意圖；
[0022]圖為步驟S40的示意圖。
【【具體實施方式】】
[0023]以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施例。
[0024]參考圖1至圖3，圖1為本發(fā)明的液晶顯不面板的陣列基板的俯視不意圖，圖2為圖1的液晶顯不面板在AA’線段的尚]面不意圖，圖3為圖1的液晶顯不面板在BB’線段的剖面示意圖。如圖所示，本實施例的液晶顯示面板10包括陣列基板20及彩膜基板30以及兩者之間的液晶層(圖未示)。
[0025]如圖1所示，圖1繪示陣列基板20上的一個像素結構，陣列基板20上包括數據線210、掃描線220及薄膜晶體管230，所述數據線210及所述掃描線220定義出開口區(qū)240，其中開口區(qū)240即可透光區(qū)。
[0026]在此實施例中，薄膜晶體管230為低溫多晶娃(LTPS, Low TemperaturePoly-silicon)薄膜晶體管。具體而言，如圖2所示，陣列基板20包括襯底基板201、并在所述掃描線220位置上依次形成在所述襯底基板201上的緩沖層(Buffer層)202、半導體層203、柵極絕緣層(GI層)204、柵金屬層(GE層)205、層間介電層(ILD層)206、圖案化平坦層(PLN層)207、公共電極層208、鈍化層209及像素電極層210。彩膜基板30包括玻璃基板301、黑矩陣(BM) 302、色阻層303、及其上的保護層(OC) 304。
[0027]在此實施例中，彩膜基板30上并無設置公共電極，而陣列基板20的公共電極層208、鈍化層209及像素電極層210都在同一個基板上，因此本實施例的液晶顯示面板10為一種產生水平電場的邊緣場開關(FFS, Fringe Filed Switching)模式顯示面板。然而本發(fā)明并不限于此，AD-SDS (Advanced-Super Dimens1nal Switching，簡稱為 ADS，高級超維場開關)型、IPS (In Plane Switch，橫向電場效應)型、TN(Twist Nematic，扭曲向列)型等的液晶顯示面板都在本發(fā)明范圍中。
[0028]需注意的是，所述圖案化平坦層207形成于所述數據線210、掃描線220及薄膜晶體管230上，并暴露出所述開口區(qū)240。也就是說，本實施例的圖案化平坦層207并非全部覆蓋在層