金屬層110的第二部分112于底板100的法線方向(z軸)上重疊，形成一存儲(chǔ)電容Cst (圖2A及圖2B的區(qū)域B，通道層130與第一導(dǎo)電層110的第二部分112重疊的位置)，提升薄膜晶體管基板10的穩(wěn)定性。通道層130對(duì)應(yīng)柵極層150，且通道層130、柵極層150及第二絕緣層140構(gòu)成晶體管元件。
[0051]如圖2A及圖2B所示，在本實(shí)施例的薄膜晶體管基板10中，柵極層150之上還可設(shè)置第三絕緣層160、第二金屬層170及平坦層180。第三絕緣層160設(shè)置于柵極層150之上，用以保護(hù)柵極層150，并具有第一接觸孔Vl貫通第二絕緣層140與第三絕緣層160，以暴露通道層130。第二金屬層170通過第一接觸孔Vl與通道層130電性連接。平坦層180則形成于第三絕緣層160之上，并具有第二接觸孔V2，以暴露第二金屬層170。像素電極220位于平坦層180上，并且通過第二接觸孔V2與第二金屬層170電性連接。
[0052]如圖2A及圖2B所示，第二絕緣層140設(shè)置并覆蓋整個(gè)通道層130，柵極層150則設(shè)計(jì)在第二絕緣層140之上，也就是第二絕緣層140分隔通道層130及柵極層150。柵極層150與通道層130交錯(cuò)的部分構(gòu)成一晶體管元件190(圖2B中的柵極層150、第二絕緣層140及通道層130重疊的位置)。通道層130的圖案可為L型或U型，在圖2A中通道層130的圖案以U型為例。U型通道層130在與柵極層150重疊的區(qū)域形成兩通道區(qū)130A與130B,使得晶體管元件190具有兩通道區(qū)130A與130B。「重疊」指通道層130與柵極層150在底板100的法線方向(Z軸)上重合，不須互相接觸。這樣的設(shè)計(jì)可減少漏電流，進(jìn)而提升其電性特性。
[0053]上述實(shí)施例薄膜晶體管基板，藉由在形成金屬遮光層時(shí)將其圖案化成斷開的兩個(gè)部分，不需要額外制作工藝則可在薄膜晶體管基板形成外加的存儲(chǔ)電容，增加穩(wěn)定性。此夕卜，此設(shè)計(jì)能夠應(yīng)用在通道層U形排列的像素結(jié)構(gòu)，因此可以制作高分辨率的顯示面板及顯示裝置。
[0054]圖3A至圖3C繪示本發(fā)明顯示面板的實(shí)施例。請(qǐng)參照?qǐng)D3A,其繪示FFS(FringeField Switching,邊界電場切換)型的液晶顯示面板。顯示面板3由薄膜晶體管基板10、液晶層20與具有彩色濾光層50的對(duì)向基板30所組成，且彩色濾光層50上具有一黑矩陣區(qū)51 (Black Matrix，BM)。此外，在薄膜晶體管基板10上還具有一共用電極層310、層間絕緣層330及像素電極320。共用電極層310、層間絕緣層330及像素電極320依序堆疊于平坦層180上，由共用電極層310與像素電極320產(chǎn)生一可使液晶層20轉(zhuǎn)向的水平電場。在本發(fā)明中又一實(shí)施例中，共用電極層310與像素電極320的堆疊順序亦可互換，如圖3B所
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[0055]圖3C所示的顯示面板4為IPS(In_Plane Switching,水平電場切換)型的液晶顯示面板。顯示面板4由薄膜晶體管基板10、液晶層20與具有彩色濾光層50的對(duì)向基板30所組成。此外，薄膜晶體管基板10上還具有一共用電極層410及像素電極420。共用電極層410及像素電極420依序堆疊于平坦層180上，由共用電極層410與像素電極420產(chǎn)生一可使液晶層轉(zhuǎn)向的水平電場。
[0056]值得注意的是，上述實(shí)施例的顯示面板中，第一金屬層110的第二部分112與通道層130重疊所形成的存儲(chǔ)電容Cst，形成在鄰近第一接觸孔Vl與第二接觸孔V2處，并平行于柵極層電路走線，設(shè)置于非顯示區(qū)域中。如圖3A至圖3C所示，因第一接觸孔Vl與該第二接觸孔V2處的位置本就會(huì)被對(duì)向基板的黑矩陣區(qū)51所遮蔽，因此這樣的設(shè)計(jì)不會(huì)降低組合后顯示面板的開口率。此外，形成的外加電容位于電路走線處，因此不會(huì)降低開口率，且能減少串首現(xiàn)象發(fā)生。
[0057]綜上所述，雖然結(jié)合以上實(shí)施例公開了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種薄膜晶體管基板，包括: 底板； 第一金屬層，設(shè)置于該底板之上，該第一金屬層包括互相分開的第一部分及第二部分； 第一絕緣層,設(shè)置于該第一金屬層之上； 通道層，設(shè)置于該第一絕緣層之上； 第二絕緣層，設(shè)置于該通道層之上；以及 柵極層，設(shè)置于該第二絕緣層之上， 其中，該第一金屬層的該第一部分及該第二部分分別與該通道層部分重疊。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中該柵極層、該第二絕緣層及該通道層構(gòu)成一晶體管元件。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中該第一金屬層的第二部分、該通道層與該第二部分重疊的區(qū)域、以及該第一絕緣層構(gòu)成一存儲(chǔ)電容。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中該通道層與該第一部分及第二部分分別部分重疊的區(qū)域?yàn)檫B續(xù)。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其還包括: 第三絕緣層，位于該柵極層之上，其中該第三絕緣層具有第一接觸孔，貫通該第二絕緣層與該第三絕緣層；以及 第二金屬層，位于該第三絕緣層上，并通過該第一接觸孔與該通道層電性連接。
6.如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管基板，其還包括: 平坦層，位于該第三絕緣層與第二金屬層之上，該平坦層具有第二接觸孔；以及 像素電極，位于該平坦層上，該像素電極通過該第二接觸孔與該第二金屬層電性連接。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中該通道層與該柵極層有兩區(qū)域重疊，形成兩通道區(qū)。
8.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管基板，其中該通道層的形狀為U型。
9.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中該通道層的材質(zhì)為氧化銦鎵鋅(IGZO)或多晶娃。
10.一種顯不面板,包括: 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板； 對(duì)向基板，相對(duì)于該薄膜晶體管基板設(shè)置；以及 液晶層，位于該薄膜晶體管基板及該對(duì)向基板之間。
11.如權(quán)利要求10所述的顯示面板，還包含: 彩色濾光層，位于該對(duì)向基板上。
12.如權(quán)利要求11所述的顯示面板，其中該彩色濾光層包括黑矩陣層(blackmatrix)，該黑矩陣層的位置與該第一金屬層的該第二部分對(duì)應(yīng)。
13.如權(quán)利要求10所述的顯示面板，其中該顯示面板為水平電場切換型(In-PlaneSwitching)或邊界電場切換型(Fringe Field Switching)液晶顯示面板。
14.一種顯示裝置，包括: 如權(quán)利要求10所述的顯示面板；以及 背光模塊，設(shè)置于該顯示面板鄰近該薄膜晶體管基板的一側(cè)。
15.如權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中該第一金屬層的該第一部分用以阻擋該背光模塊發(fā)出的光照射到該晶體管元件。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種薄膜晶體管基板，包括底板、第一金屬層、第一絕緣層、通道層、第二絕緣層及柵極層。第一金屬層設(shè)置于底板上，且包括互相斷開的第一部分及第二部分。第一絕緣層設(shè)置于第一金屬層上。通道層設(shè)置于第一絕緣層上。第二絕緣層設(shè)置于通道層上。柵極層設(shè)置于第二絕緣層上。第一金屬層的第一部分及第二部分分別與通道層部分重疊。
【IPC分類】G02F1-1362, G02F1-1368, H01L27-12
【公開號(hào)】CN104793415
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410022349
【發(fā)明人】許紹武, 盧永信, 陳俊宇
【申請(qǐng)人】群創(chuàng)光電股份有限公司
【公開日】2015年7月22日
【申請(qǐng)日】2014年1月17日