br>[0292] (f)如下方法：其中將預先通過聚合反應(yīng)（其可為加成聚合、開環(huán)聚合、聚加成、加 成縮合、縮聚等中的任何聚合反應(yīng)方法）制造的樹脂溶解在溶劑中以制備樹脂溶液和向所 述樹脂溶液添加溶劑，或者預先將所述樹脂在溶劑在加熱溶解以制備樹脂溶液和將所述樹 脂溶液冷卻，以沉積樹脂細粒子；接著，除去溶劑以獲得樹脂細粒子；然后，將所述粒子在 合適分散劑的存在下分散在水中。
[0293] (g)如下方法：其中將預先通過聚合反應(yīng)（其可為加成聚合、開環(huán)聚合、聚加成、加 成縮合、縮聚等中的任何聚合反應(yīng)方法）制造的樹脂溶解在溶劑中以制備樹脂溶液；將所 述樹脂溶液在合適分散劑的存在下分散在基于水的介質(zhì)中；通過加熱所獲得的溶液、減壓 等而除去溶劑。
[0294] (h)如下方法：其中將預先通過聚合反應(yīng)（其可為加成聚合、開環(huán)聚合、聚加成、加 成縮合、縮聚等中的任何聚合反應(yīng)方法）制造的樹脂溶解在溶劑中以制備樹脂溶液；將合 適的乳化劑溶解在所述樹脂溶液中，和添加水以進行相反轉(zhuǎn)乳化。
[0295] -有機溶劑-
[0296] 有機溶劑沒有特別限制，并且其實例包括甲苯、二甲苯、苯、四氯化碳、二氯甲烷、 1，2-二氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、三氯乙烯、氯仿、單氯苯、偏二氯乙烯、乙酸甲酯、乙酸乙 酯、甲基乙基酮、和甲基異丁基酮。這些可以兩種或更多種的組合使用。在這些之中，酯例 如乙酸甲酯和乙酸乙酯；芳族化合物例如甲苯和二甲苯；和鹵代烴例如二氯甲烷、1，2-二 氯乙烷、氯仿和四氯化碳是優(yōu)選的。
[0297] 有機溶劑優(yōu)選地具有100 °C或更低的沸點。在有機溶劑的沸點高于100 °C時，有機 溶劑可難以除去。
[0298] 第一溶液中固體內(nèi)容物的濃度通常為40質(zhì)量％-80質(zhì)量％。在第一溶液中的固 體內(nèi)容物的濃度小于40質(zhì)量％時，產(chǎn)生的調(diào)色劑的量可降低。在濃度大于80質(zhì)量％時，調(diào) 色劑組合物可難以溶解或分散在有機溶劑中，或者粘度可增加。
[0299] 在第一溶液的制備中，可將調(diào)色劑組合物中包含的組分或者其母料溶解或分散在 有機溶劑中，并且混合。
[0300] -水性介質(zhì)-
[0301] 水性介質(zhì)的實例包括水、或者水和與水混溶的溶劑的混合溶劑。
[0302] 與水混溶的溶劑沒有特別限制，并且其實例包括醇例如甲醇、異丙醇、和乙二醇； 溶纖劑類例如甲基溶纖劑；酮例如丙酮和甲基乙基酮；和二甲基甲酰胺，和四氫呋喃。
[0303] 水性介質(zhì)對調(diào)色劑組合物的質(zhì)量比通常為0. 50-20、和優(yōu)選1-10。在水性介質(zhì)對 調(diào)色劑組合物的質(zhì)量比小于0. 50時，調(diào)色劑組合物的分散性可降低。在質(zhì)量比大于20時， 其是不經(jīng)濟的。
[0304] 優(yōu)選地，無機分散劑或樹脂細粒子可預先分散在水性介質(zhì)中，從而導致尖銳的粒 度分布和良好的分散穩(wěn)定性。
[0305] 無機分散劑沒有特別限制，并且其實例包括磷酸三鈣、碳酸鈣、氧化鈦、膠態(tài)二氧 化硅、和羥基磷灰石。
[0306] 形成樹脂細粒子的樹脂沒有特別限制，只要所述樹脂可分散在水性介質(zhì)中。所述 樹脂的實例包括乙烯基樹脂、聚氨酯、環(huán)氧樹脂、聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺、硅樹脂、酚醛樹 月旨、三聚氰胺樹脂、脲樹脂、苯胺樹脂、離聚物樹脂、和聚碳酸酯。這些可以兩種或更多種的 組合使用。在這些之中，乙烯基樹脂、聚氨酯、環(huán)氧樹脂和聚酯是優(yōu)選的。
[0307] -表面活性劑-
[0308] 表面活性劑沒有特別限制，并且其實例包括陰離子型表面活性劑例如烷基苯磺酸 鹽、α -烯烴磺酸鹽、和磷酸酯；胺鹽陽離子型表面活性劑例如烷基胺鹽、氨基醇脂肪酸衍 生物、多元胺脂肪酸衍生物、和咪唑啉；烷基三甲基銨鹽、二烷基二甲基銨鹽，季銨鹽陽離子 型表面活性劑例如烷基二甲基芐基銨鹽、吡啶鎊鹽、烷基異喹啉鎮(zhèn)鹽、和芐索氯銨；非離子 型表面活性劑例如脂肪酸酰胺的衍生物和多羥基醇的衍生物；和兩性表面活性劑例如丙氨 酸、十二烷基二（氨基乙基）甘氨酸、二（辛基氨基乙基）甘氨酸、和N-烷基-N, N-二甲基 銨甜菜堿。在這些之中，具有氟烷基的表面活性劑是優(yōu)選的。
[0309] 具有氟烷基的表面活性劑的實例包括具有氟烷基的陰離子型表面活性劑和具有 氟烷基的陽離子型表面活性劑。
[0310] 具有氟烷基的陰離子型表面活性劑的實例包括具有2-10個碳原子的氟烷基羧酸 及其金屬鹽、全氟辛燒橫?；劝彼岫c、3 -[ω-氟烷基（C6-C11)氧基]-1-烷基（C3-C4) 磺酸鈉、3-[ω-氟烷?；–6-C8)-N-乙基氨基]-1-丙烷磺酸鈉、氟烷基（C11-C20)羧酸及 其金屬鹽、全氟烷基羧酸（C7-C13)及其金屬鹽、全氟烷基（C4-C12)磺酸及其金屬鹽、全氟 辛烷磺酸二乙醇酰胺。N-丙基-N-(2-羥基乙基）全氟辛烷砜酰胺、全氟烷基（C6-C10)磺酰 胺丙基三甲基銨鹽、全氟烷基（Ce-ClO)-N-乙基磺?；拾彼猁}、和單全氟烷基（C6-C16) 乙基磷酸酯。
[0311] 具有氟烷基的陽離子型表面活性劑的實例包括具有氟烷基的脂族伯、仲或叔胺 酸、脂族季銨鹽例如全氟烷基（C6-C10)磺酰胺丙基三甲基銨鹽、芐烷銨鹽、芐索氯銨、吡啶 輸鹽、和咪唑啉錫鹽。
[0312] -聚合物保護膠體_
[0313] 基于聚合物的保護膠體沒有特別限制，并且其實例包括羧酸例如丙烯酸、甲基丙 烯酸、α -氰基丙烯酸、α -氰基甲基丙烯酸、衣康酸、巴豆酸、富馬酸、馬來酸、和馬來酸酐； 包含羥基的（甲基）丙烯酸類單體例如丙烯酸羥基乙酯、甲基丙烯酸羥基乙酯、丙 烯酸β-羥基丙酯、甲基丙烯酸β-羥基丙酯、丙烯酸γ-羥基丙酯、甲基丙烯酸γ-羥基 丙酯、丙烯酸3-氯-2-羥基丙酯、甲基丙烯酸3-氯-2-羥基丙酯、一縮二乙二醇單丙烯酸 酯、一縮二乙二醇單甲基丙烯酸酯、甘油單丙烯酸酯、甘油單甲基丙烯酸酯、N-羥甲基丙烯 酰胺、和N-羥甲基甲基丙烯酰胺；與乙烯（基）醇的醚例如乙烯基甲基醚、乙烯基乙基醚 和乙烯基丙基醚；乙烯（基）醇與羧酸的酯例如乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、和丁酸乙烯酯； 酰胺和酰胺的羥甲基化合物例如丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、和二丙酮丙烯酰胺；酰氯例如丙 烯酰氯和甲基丙烯酰氯；具有氮原子或者含氮雜環(huán)的化合物（例如乙烯基吡啶、乙烯基吡 咯烷酮，乙烯基咪唑、和乙烯亞胺）的均聚物或共聚物；聚氧乙烯類例如聚氧乙烯、聚氧丙 烯、聚氧乙烯烷基胺、聚氧丙烯烷基胺、聚氧乙烯烷基酰胺、聚氧丙烯烷基酰胺、聚氧乙烯壬 基苯基醚、聚氧乙烯月桂基苯基醚、聚氧乙烯硬脂基苯基酯、聚氧乙烯壬基苯基酯；和纖維 素類例如甲基纖維素、羥乙基纖維素和羥丙基纖維素。
[0314] -分散方法-
[0315] 在第一溶液在水性介質(zhì)中的乳化或分散中使用的分散機沒有特別限制，并且其實 例包括低速剪切分散機、高速剪切分散機、摩擦分散機、高壓射流分散機、和超聲分散機。在 這些之中，高速剪切分散機是優(yōu)選的。
[0316] 當使用高速剪切分散機時，轉(zhuǎn)數(shù)通常為1，000rpm-30, OOOrpm、和優(yōu)選 5,OOOrpm-20, 000rpm〇
[0317] 在第一溶液在水性介質(zhì)中的乳化或分散中的溫度通常為(TC _150°C (在提高的壓 力下）、和優(yōu)選2〇°C _8〇°C。
[0318] 在其中在調(diào)色劑的制造過程中，使在末端中具有能夠與活性氫基團反應(yīng)的基團的 結(jié)晶性預聚物與具有活性氫基團的化合物反應(yīng)以合成經(jīng)改性的結(jié)晶性樹脂的情況下，具有 活性氫基團的化合物可包含在調(diào)色劑組合物中，或者可在將第一溶液在水性介質(zhì)中乳化或 分散時混入水性介質(zhì)中。
[0319] 用于從第二溶液除去乙酸乙酯的方法沒有特別限制，并且其實例包括在常壓或者 減壓下將整個體系的溫度逐漸升高的方法，和將第二溶液以霧的形式噴射的方法。
[0320] 通過從第二溶液除去有機溶劑，可制造母體粒子。優(yōu)選地，將母體粒子洗滌和干 燥。
[0321] 在洗滌母體粒子時，使用離心機、壓濾機等進行固液分離，將固體內(nèi)容物在常 溫-約40°C再次分散在水中，并且必要時，用酸或堿調(diào)節(jié)pH。然而，再次進行固液分離。該 操作優(yōu)選地重復數(shù)次。由此，可除去雜質(zhì)、表面活性劑等。
[0322] 此時，可通過離心等將母體粒子的細粒子組分除去，或者可將母體粒子干燥，并且 必要時，使用已知的分級器分級。
[0323] 在干燥母體粒子時使用的干燥器沒有特別限制，并且其實例包括空氣流干燥器、 循環(huán)干燥器、減壓干燥器、和振動流化床干燥器。
[0324] 可將母體粒子與不同粒子例如電荷控制劑和流動性改進劑混合。此時，必要時可 施加機械沖擊。由此，可將所述不同粒子固定到母體粒子的表面上。
[0325] 用于施加機械沖擊的方法沒有特別限制，并且其實例包括通過高速旋轉(zhuǎn)的槳葉向 粒子施加沖擊的方法；和將粒子加入到空速空氣流中，并且使速度加快以使粒子彼此碰撞 或者使復合粒子撞向碰撞板的方法。
[0326] 施加機械沖擊的設(shè)備沒有特別限制，并且其實例包括Angmi 11 (由Hosokawa Micron Corporation制造）、其中將粉碎空氣壓力降低的經(jīng)改造的I型磨機（由Nippon Pneumatic Mfg. Co. , Ltd.制造 ）、hybridization 系統(tǒng)（由 Nara Machinery Co. , Ltd.制 造）、KRYPTR0N系統(tǒng)（由 Kawasaki Heavy Industries，Ltd.制造）、和自動研鉢。
[0327] (顯影劑）
[0328] 接下來，將描述根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的顯影劑。
[0329] 所述顯影劑包含根據(jù)所述實施方式的調(diào)色劑，并且可進一步包含載體。
[0330] 載體優(yōu)選地具有芯材，所述芯材的表面包覆有包覆層。
[0331] 形成芯材的材料沒有特別限制，并且其實例包括具有100emu/g或更大的質(zhì)量磁 化率的鐵粉，具有75emu/g-120emu/g的質(zhì)量磁化率的高磁化材料例如磁鐵礦，具有30emu/ g-80emu/g的質(zhì)量磁化率的弱磁化材料例如銅-鋅（Cu-Zn)材料，具有50emu/g-90emu/g的 質(zhì)量磁化率的錳-鍶（Mn-Sr)材料，和錳-鎂（Mn-Mg)材料。這些可以兩種或更多種的組 合使用。
[0332] 芯材的重均粒度（D50)通常為10 μ m-200 μ m、和優(yōu)選40 μ m-100 μ m。在芯材的重 均粒度（D50)小于10 μ m時，載體可飛散。在重均粒度（D50)大于200 μ m時，調(diào)色劑可飛 散。
[0333] 包覆層包含樹脂。
[0334] 所述樹脂沒有特別限制，并且其實例包括氨基樹脂，乙烯基樹脂，聚苯乙烯，鹵代 烯烴樹脂，聚酯，聚碳酸酯，聚乙烯，聚氟乙烯，聚偏氟乙烯，聚三氟乙烯，聚六氟丙烯，偏氟 乙烯和丙烯酸類單體的共聚物，偏氟乙烯和氟乙烯的共聚物，含氟三元共聚物例如四氟乙 烯、偏氟乙烯、和無氟單體的三元共聚，和有機硅樹脂。這些可以兩種或更多種的組合使用。 在這些之中，有機硅樹脂是優(yōu)選的。
[0335] 有機硅樹脂的實例包括純（straight)有機硅樹脂；和用醇酸樹脂、聚酯、環(huán)氧樹 月旨、丙烯酸類樹脂、氨基甲酸酯樹脂等改性的經(jīng)改性的有機硅樹脂。
[0336] 純有機硅樹脂的市售產(chǎn)品的實例包括KR271、KR255和KR152(其全部由Shin-Etsu Chemical Co.，Ltd.制造）；和 SR2400、SR2406、和 SR2410(其全部由 Dow Corning Toray Silicone Co. ,Ltd.制造）。
[0337] 經(jīng)改性的有機硅樹脂的市售產(chǎn)品的實例包括KR206 (經(jīng)醇酸改性的）、KR5208 (經(jīng) 丙烯酸類改性的）、ES1001N(經(jīng)環(huán)氧改性的）、和KR305 (經(jīng)氨基甲酸酯改性的）（其全部由 Shin-Etsu Chemical Co.，Ltd.制造）；和SR2115 (經(jīng)環(huán)氧改性的）和SR2110 (經(jīng)醇酸改性 的）（兩者均由 Dow Corning Toray Silicone Co. ,Ltd.制造）。
[0338] 包覆層可進一步包含導電粒子。
[0339] 導電粒子沒有特別限制，并且其實例包括金屬粒子、炭黑、氧化鈦粒子、氧化錫粒 子、和氧化鋅粒子。在這些之中，炭黑是優(yōu)選的。
[0340] 導電粒子的平均粒度通常為1 μπι或更小。在導電粒子的平均粒度大于1 μπι時， 可難以控制包覆層的電阻。
[0341] 包覆層可通過如下形成：將包含樹脂和有機溶劑的用于包覆層的包覆溶液施加到 芯材的表面上，將包覆溶液干燥，和對干燥的包覆溶液進行烘烤。
[0342] 有機溶劑沒有特別限制，并且其實例包括甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、甲基異丁基 酮、溶纖劑、和乙酸丁酯。
[0343] 用于施加用于包覆層的包覆溶液的方法沒有特別限制，并且其實例包括浸漬方 法、噴射方法、和刷涂方法、
[0344] 用于烘烤的加熱設(shè)備可為外部加熱型或者內(nèi)部加熱型。
[0345] 加熱設(shè)備沒有特別限制，并且其實例包括固定式電爐、流化床式電爐、旋轉(zhuǎn)電爐、 燃燒器爐、和微波加熱設(shè)備。
[0346] 載體中包覆層的含量通常為0. 01質(zhì)量％ -5. 0質(zhì)量％。
[0347] 調(diào)色劑對載體的質(zhì)量比通常為1質(zhì)量％ -10質(zhì)量％。
[0348] (圖像形成設(shè)備）
[0349] 接著，將描述根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的圖像形成設(shè)備。
[0350] 所述圖像形成設(shè)備包括感光體、充電設(shè)備、曝光設(shè)備、顯影設(shè)備、轉(zhuǎn)印設(shè)備、和定影 設(shè)備，并且必要時可進一步包括清潔設(shè)備、除電器、回收設(shè)備等。
[0351] 感光體的形狀沒有特別限制，并且其實例包括鼓狀、片材狀的形狀、和環(huán)形帶狀的 形狀。
[0352] 感光體可具有單層結(jié)構(gòu)、或者具有層狀結(jié)構(gòu)。
[0353] 形成感光體的材料沒有特別限制，并且其實例包括無機物質(zhì)例如非晶硅、硒、硫化 鎘、和氧化鋅；和有機無機例如聚硅烷和酞菁甲川（phthalopolymethine)。
[0354] 充電設(shè)備沒有特別限制，只要充電設(shè)備可通過向感光體的表面施加電壓而均勻地 對感光體充電。充電設(shè)備的實例包括接觸感光體以對感光體充電的的接觸型充電設(shè)備和在 不接觸感光體的情況下對感光體充電的非接觸型充電設(shè)備。
[0355] 接觸型充電設(shè)備的實例包括導電或半導電的充電輥、磁性刷、毛皮刷、膜、和橡膠 刮板。
[0356] 非接觸型充電設(shè)備的實例包括利用電暈放電的非接觸充電器，探針電極裝置、和 固體放電元件；和這樣的導電或半導電的充電輥：其中在感光體和所述輥之間插入有細小 間隙。
[0357] 曝光設(shè)備沒有特別限制，只要可將感光體的表面曝光為圖像。曝光設(shè)備的實例包 括復制光學型、棒狀透鏡陣列型、激光光學型、液晶快門型、和LED光學型的曝光單元。
[0358] 曝光設(shè)備可為將感光體從其背面曝光為圖像的背面曝光型。
[0359] 顯影設(shè)備沒有特別限制，只要顯影設(shè)備可使用根據(jù)所述實施方式的顯影將形成于 感光體表面上的靜電潛像顯影。顯影設(shè)備的實例包括這樣的顯影設(shè)備：其可容納顯影劑并 且將顯影劑以接觸或者非接觸方式供給至靜電潛像。
[0360] 顯影設(shè)備可為用于單一顏色的顯影設(shè)備，或者可為多種顏色的顯影設(shè)備。
[0361] 顯影設(shè)備優(yōu)選地包括對顯影劑進行摩擦攪拌以使顯影劑帶電的攪拌器，和可將顯 影劑承載于其表面上并且旋轉(zhuǎn)的磁體輥。
[0362] 在顯影設(shè)備中，通過將顯影劑混合和攪拌時的摩擦使調(diào)色劑帶電。然后，將顯影劑 保持拉毛（napped)在旋轉(zhuǎn)著的磁體輥的表面上以形成磁性刷。磁體輥設(shè)置在感光體附近。 由于該原因，形成形成于磁體輥表面上的磁性刷的調(diào)色劑的一部分通過靜電吸引力移動至 感光體的表面。結(jié)果，通過所述調(diào)色劑將靜電潛像顯影以在感光體的表面上形成調(diào)色劑圖 像。
[0363] 圖2為顯示本發(fā)明中使用的根據(jù)一個實施方式的顯影設(shè)備的圖。
[0364] 在顯影設(shè)備20中，顯影劑（未示出）通過螺桿21攪拌，輸送，并且供給至顯影套 筒22。此時，通過刮刀23調(diào)節(jié)供給至顯影套筒22的顯影劑的層厚。即，通過作為顯影套 筒22和刮刀23之間間隔的刮刀間隙控制待供給至顯影套筒22的顯影劑的量。過小的刮 刀間隙導致導致過小量的顯影劑被供給至顯影套筒22,從而使圖像濃度降低。同時，過大的 刮刀間隙導致過大量的顯影劑被供給至顯影套筒22,從而導致載體粘著至鼓狀感光體10。 此處，顯影套筒22的內(nèi)側(cè)包括用于形成將顯影劑保持拉毛在外周表面上的磁場的磁體（未 示出）。由此，將顯影劑以鏈狀物形式保持拉毛在顯影套筒22上以沿著由磁體在法線方向 上形成的磁場排列。因此，形成磁性刷。
[0365] 顯影套筒22設(shè)置成靠近感光體10并且在其間插入有恒定間隔（顯影間隙），并且 在其中顯影套筒22面對感光體10的部分中形成顯影區(qū)。顯影套筒22為由非磁性物質(zhì)例 如鋁、青銅、不銹鋼、和導電樹脂形成的圓筒，可通過旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)（未示出）而旋轉(zhuǎn)。通過 顯影套筒22的旋轉(zhuǎn)，磁性刷被輸送至顯影區(qū)。從顯影用電源（未示出）向顯影套筒22施 加顯影電壓。磁性刷上的調(diào)色劑通過形成于顯影套筒22和感光體10之間的顯影場而從載 體分離。然后，調(diào)色劑在形成于感光體10上的靜電潛像進行顯影?？稍陲@影電壓上疊加交 流電壓。
[0366] 顯影間隙優(yōu)選為顯影劑粒度的約5倍-30倍。過大的顯影間隙可使圖像濃度降低。
[0367] 同時，刮刀優(yōu)選約等于顯影間隙或者略大于顯影間隙。
[0368] 顯影套筒22的線速度對感光體10的線速度的比率選為I. 1或更大。如果顯影套 筒22的線速度對感光體10的線速度的比率過小，則圖像濃度可降低。
[0369] 可通過在感光體10中顯影之后的位置處提供傳感器和由光學反射率檢測粘著調(diào) 色劑的量而控制處理條件。
[0370] 轉(zhuǎn)印設(shè)備的實例包括將形成于感光體表面上的調(diào)色劑圖像直接轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì) 上的轉(zhuǎn)印設(shè)備，和將形成于感光體表面上的調(diào)色劑圖像一次轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印部件上，和將 該一次轉(zhuǎn)印的圖像二次轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)上的轉(zhuǎn)印設(shè)備。
[0371] 定影設(shè)備沒有特別限制，只要可使轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)上的調(diào)色劑圖像定影。定影設(shè) 備的實例包括包含定影部件和用于加熱所述定影部件的熱源的定影設(shè)備。
[0372] 定影部件沒有特別限制，只要定影部件可彼此接觸以形成夾持部。定影部件的實 例包括環(huán)形帶與輥的組合、以及輥與輥的組合。
[0373] 定影設(shè)備的實例包括：內(nèi)部加熱型定影設(shè)備，其具有輥和/或帶，并且從不與調(diào)色 劑圖像接觸的表面?zhèn)葘D(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)上的調(diào)色劑圖像進行加熱并且使調(diào)色劑圖像定影 和向其施加壓力；和外部加熱型定影設(shè)備，其具有輥和/或帶，并且從與調(diào)色劑圖像接觸的 表面?zhèn)葘D(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)上的調(diào)色劑圖像加熱并且使調(diào)色劑圖像定影和向其施加壓力。
[0374] 內(nèi)部加熱可與外部加熱組合。
[0375] 內(nèi)部加熱型定影設(shè)備的實例包括包含如下定影部件的那些：其具有在定影部件內(nèi) 側(cè)的熱源。
[0376] 熱源沒有特別限制，并且其實例包括加熱器和鹵素等。
[0377] 外部加熱型定影設(shè)備的實例包括如下的那些：其中通過加熱設(shè)備加熱定影部件的 表面。
[0378] 加熱設(shè)備沒有特別限制，并且其實例包括電磁感應(yīng)加熱設(shè)備。
[0379] 電磁感應(yīng)加熱設(shè)備的實例包括包含如下的那些：靠近定影部件例如加熱輥設(shè)置的 感應(yīng)線圈，所述感應(yīng)線圈設(shè)置在其中的屏蔽層，和設(shè)置在與屏蔽層中的感應(yīng)線圈設(shè)置于其 中的側(cè)相反的側(cè)上的絕緣層。
[0380] 加熱輥沒有特別限制，并且其實例包括由磁性物質(zhì)形成的那些、和加熱管。
[0381] 感應(yīng)線圈優(yōu)選地以其中覆蓋加熱輥的圓柱部分的一部分的狀態(tài)設(shè)置在與加熱輥 和定影部件（例如加壓輥和環(huán)形帶）接觸的區(qū)域相反的側(cè)上。
[0382] 記錄介質(zhì)沒有特別限制，并且其實例包括紙。
[0383] 圖像形成設(shè)備沒有特別限制，并且其實例包括傳真機和打印機。
[0384] 接下來，將描述根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的處理卡盒。
[0385] 處理卡盒包括感光體和顯影設(shè)備，并且能可拆卸地安裝在圖像形成設(shè)備的主體 上。必要時，處理卡盒可進一步包括充電設(shè)備、曝光設(shè)備、轉(zhuǎn)印設(shè)備、清潔設(shè)備、除電器等。
[0386] 圖3為顯示根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的處理卡盒的圖。處理卡盒100將鼓狀感光 體110容納在其中，并且包括充電設(shè)備120、顯影設(shè)備130、轉(zhuǎn)印設(shè)備140、和清潔設(shè)備150。
[0387] 接著，將描述通過處理卡盒100的圖像形成方法。首先，在感光體110以箭頭方向 旋轉(zhuǎn)的同時，通過充電設(shè)備120對感光體110的表面充電。然后，通過來自曝光設(shè)備（未示 出）的曝光用光L而在感光體的表面上形成靜電潛像。接著，通過顯影設(shè)備130,使用根據(jù) 所述實施方式的顯影劑，使形成于感光體表面上的靜電潛像顯影，以形成調(diào)色劑圖像。然 后，通過轉(zhuǎn)印設(shè)備140將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)P上，并且印刷出來。進一步地，通過 清潔設(shè)備150對調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到其上的感光體的表面進行清潔。
[0388] 實施例
[0389] 下文中，將基于實施例更具體地描述本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于以下實施例。份指 的是質(zhì)量份。
[0390] 〈結(jié)晶性聚酯Al的合成〉
[0391] 將241份癸二酸、31份己二酸、164份1，4- 丁二醇、和0. 75份作為縮合催化劑的 二羥基二（三乙醇胺）鈦置于包括冷卻管、攪拌器和氮氣引入管的反應(yīng)釜中。然后，在氮氣 流下，使這些材料在180°C反應(yīng)8小時，同時將產(chǎn)生的水蒸餾掉。接著，將溫度逐漸升高至 225°C，并且在氮氣流下，進行