一種顯示基板的制作方法、顯示基板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示基板的制作方法、顯示基板和顯示
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器件IXD以及有機(jī)電致發(fā)光器件OLED等顯示器件已經(jīng)成為人們生活中的必需品并悄悄的改變著人們的生活，人們對(duì)顯示器件的分辨率、色域、亮度等品質(zhì)的要求也越來(lái)越高，最近已有公司開(kāi)發(fā)出500像素密度(PPI)甚至600PPI的產(chǎn)品。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)的LCD顯示器件是通過(guò)將陣列基板和濾光片基板進(jìn)行成盒工藝粘貼在一起，在成盒時(shí)陣列基板和濾光片基板對(duì)應(yīng)的圖案之間會(huì)存在一定的偏差，該偏差會(huì)導(dǎo)致IXD顯示器件開(kāi)口率降低、漏光等問(wèn)題。另外，IXD器件PPI越高，開(kāi)口率的降低越嚴(yán)重，與此同時(shí)產(chǎn)品的亮度、色域等都會(huì)有所降低，能耗會(huì)有所增加。
[0004]為了消除陣列基板和濾光片基板之間的偏差，提高開(kāi)口率、降低成本，面板廠商開(kāi)發(fā)了一種濾光片以及黑矩陣位于陣列基板的技術(shù)，也就是COA技術(shù)。COA技術(shù)通過(guò)將黑矩陣設(shè)置于陣列基板上數(shù)據(jù)線、柵線、薄膜晶體管上方，能夠減小成盒時(shí)陣列基板與濾光片基板對(duì)應(yīng)的圖案之間的偏差，能夠提高開(kāi)口率，降低成本，提高產(chǎn)品顯示品質(zhì)。
[0005]現(xiàn)有COA技術(shù)的結(jié)構(gòu)如圖1-3所示，其中，黑矩陣多是由包覆碳黑顆粒的有機(jī)樹(shù)脂組成，另外為了提高開(kāi)口率，降低寄生電容，黑矩陣也可以采用金屬材料來(lái)制作。當(dāng)采用金屬材料來(lái)制作黑矩陣時(shí)，由于金屬材料具有一定的反射率，因此顯示面板中的金屬黑矩陣會(huì)反光，造成顯示對(duì)比度的下降，影響畫(huà)面質(zhì)量，以10.1寸顯示面板為例，如圖4所示，當(dāng)采用金屬材料來(lái)制作黑矩陣時(shí)，顯示面板的反射率相對(duì)于采用碳黑顆粒的黑矩陣大幅增加，并且顯示面板的反射率與金屬黑矩陣的面積大小相關(guān)，面積越大，反射率越大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的是提供一種顯示基板的制作方法、顯示基板和顯示裝置，形成具有粗糙表面的金屬黑矩陣，降低金屬材料的反射率，進(jìn)一步地，降低顯示面板對(duì)外界環(huán)境光線的反射率，提高了顯示對(duì)比度，改善畫(huà)面質(zhì)量。
[0007]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示基板的制作方法，其中，所述制作方法包括形成黑矩陣的步驟，所述形成黑矩陣的步驟具體包括:
[0008]形成用于制作所述黑矩陣的金屬圖形，所述金屬圖形采用兩性金屬或兩性金屬合金;
[0009]采用堿性溶液對(duì)所述金屬圖形進(jìn)行處理，形成具有粗糙表面的所述黑矩陣。
[0010]上述的制作方法，其中，所述兩性金屬為鋁、鋅或鈹。
[0011]上述的制作方法，其中，所述堿性溶液為四甲基氫氧化錢(qián)TMAH或氫氧化鉀KOH溶液，其濃度為0.01% -5%o
[0012]上述的制作方法，其中，所述堿性溶液為濃度是0.04%的KOH溶液。
[0013]上述的制作方法，其中，在形成用于制作所述黑矩陣的金屬圖形之后，所述方法還包括:
[0014]在未剝離第一光刻膠的所述金屬圖形上形成第一膜層；
[0015]剝離所述第一光刻膠，以剝離在所述第一光刻膠上方區(qū)域的所述第一膜層；
[0016]在所述第一膜層余下的部分上涂覆第二光刻膠，并對(duì)所述第二光刻膠進(jìn)行曝光；
[0017]所述采用堿性溶液對(duì)所述金屬圖形進(jìn)行處理，形成具有粗糙表面的所述黑矩陣具體為:
[0018]利用對(duì)曝光后的所述第二光刻膠進(jìn)行顯影的堿性顯影液對(duì)所述金屬圖形進(jìn)行處理，形成具有粗糙表面的所述黑矩陣。
[0019]上述的制作方法，其中，所述顯示基板為COA基板。
[0020]上述的制作方法，其中，所述第一膜層為用于形成像素電極或公共電極的透明導(dǎo)電層。
[0021]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種采用上述任一項(xiàng)所述制作方法制作的顯示基板，其中，所述顯示基板上形成有具有粗糙表面的金屬黑矩陣。
[0022]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，其中，所述顯示裝置包括上述所述的顯示基板。
[0023]在本發(fā)明實(shí)施例中，提供了一種顯示基板，該顯示基板采用兩性金屬或兩性金屬合金材料來(lái)制作黑矩陣，并采用堿性溶液對(duì)金屬黑矩陣表面進(jìn)行處理，由于兩性金屬會(huì)與堿性溶液發(fā)生反應(yīng)，使金屬表面出現(xiàn)腐蝕現(xiàn)象，因此原本平整且反射率高的金屬表面會(huì)變得粗糙不平，從而降低了金屬材料的反射率，進(jìn)一步地，降低了顯示面板對(duì)外界環(huán)境光線的反射率，提高顯示對(duì)比度，改善了畫(huà)面質(zhì)量。
【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中COA陣列基板的俯視圖；
[0025]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中COA陣列基板沿A-A ’的截面圖；
[0026]圖3為現(xiàn)有技術(shù)中COA陣列基板沿B-B ’的截面圖；
[0027]圖4為具備不同黑矩陣的顯示面板的反射率示意圖；
[0028]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的形成黑矩陣的流程示意圖；
[0029]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種COA陣列基板沿A-A’的截面圖；
[0030]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種COA陣列基板沿B-B’的截面圖；
[0031]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種COA陣列基板沿A-A’的截面圖；
[0032]圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的再一種COA陣列基板沿A-A’的截面圖；
[0033]圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種制備具有粗糙表面的金屬黑矩陣的示意圖；
[0034]其中，主要組件符號(hào)說(shuō)明:
[0035]100:基板、1:柵線、2:柵絕緣層、3:有源層、4:數(shù)據(jù)線以及源漏極、5:第一鈍化層、6:R/G/B彩色濾光片、7:有機(jī)膜、8:公共電極、9:第二鈍化層、10:像素電極、11:金屬黑矩陣、12:反射光線、13:第一光刻膠、14:第二光刻膠。
【具體實(shí)施方式】
[0036]為使本發(fā)明實(shí)施例要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0037]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示基板的制作方法，其中，所述制作方法包括形成黑矩陣的步驟，所述形成黑矩陣的步驟如圖5所示，具體包括:
[0038]步驟51，形成用于制作所述黑矩陣的金屬圖形，所述金屬圖形采用兩性金屬或兩性金屬合金；
[0039]步驟52，采用堿性溶液對(duì)所述金屬圖形進(jìn)行處理，形成具有粗糙表面的所述黑矩陣。
[0040]在本發(fā)明實(shí)施例中，采用兩性金屬或兩性金屬合金材料來(lái)制作黑矩陣，并采用堿性溶液對(duì)金屬黑矩陣表面進(jìn)行處理，由于兩性金屬或兩性金屬合金材料會(huì)與堿性溶液發(fā)生反應(yīng)，使金屬表面出現(xiàn)腐蝕現(xiàn)象，因此原本平整且反射率高的金屬表面會(huì)變得粗糙不平，從而降低了金屬材料的反射率，進(jìn)一步地，降低了顯示面板對(duì)外界環(huán)境光線的反射率，提高了顯示對(duì)比度，改善了畫(huà)面質(zhì)量。
[0041]其中優(yōu)選地，所述兩性金屬為鋁、鋅、鈹?shù)冉饘?，兩性金屬合金為鋁、鋅、鈹?shù)鹊慕饘俸辖稹Ｋ鰤A性溶液為四甲基氫氧化銨TMAH或氫氧化鉀KOH等顯示基板制備工藝中常用的堿性溶液，其濃度為0.01 % -5%。進(jìn)一步地，所述堿性溶液為濃度是0.04%的KOH溶液。
[0042]由于鋁、鋅或鈹?shù)葍尚越饘贂?huì)與堿性溶液中的OH-發(fā)生反應(yīng)，因此使得金屬表面出現(xiàn)腐蝕現(xiàn)象。以金屬鋁為例，其與堿性溶液中的OH-反應(yīng)的方程式如下:
[0043]2Α1+20Η>6Η20 = 2A1 (OH) 4>3H2
[0044]2Α1+20Η>2Η20 = 2A102>3H2
[0045]2Α1+60Η>6Η20 = 2A1 (OH)廣+3?
[0046]在本發(fā)明實(shí)施例中，所述顯示基板優(yōu)選地為COA基板。
[0047]下面介紹一下采用本發(fā)明實(shí)施例提供的制作黑矩陣的方法來(lái)制作所述COA基板的過(guò)程，其中COA基板A-A’截面圖以及B-B’截面圖分別如圖6和7所示。具體步驟包括:
[0048]步驟61，形成包括柵極和柵線I的柵金屬層的圖形；
[0049]具體的，可以采用磁控濺射的方法，在基板100例如玻璃基板或石英基板上沉積一層厚度在1000埃至4000埃的金屬薄膜，該金屬薄膜通常可以采用鉬、鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料的組合結(jié)構(gòu)。然后，在金屬薄膜上涂覆光刻膠，利用掩模板進(jìn)行曝光后，通過(guò)顯影、刻蝕、剝離光刻膠等構(gòu)圖工藝處理，在基板100上形成柵金屬層的圖形。
[0050]步驟62，在柵金屬層上形成一層?xùn)沤^緣層2 ；
[0051]具體的，可以利用化學(xué)氣相沉積法或者磁控濺射的方法在基板100上沉積厚度為1000埃至6000埃的柵絕緣層薄膜，該柵絕緣層薄膜的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅