電極時(shí)，各第一電極的夾角相同。
[0027] 可選的，如圖3所示，圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的第二種TFT陣列基板示意 圖，TFT陣列基板100包括多個(gè)像素單元，所述像素單元包括數(shù)據(jù)線114、掃描線113以及 TFT開(kāi)關(guān)112,其中掃描線113與TFT開(kāi)關(guān)112中柵極電連接，數(shù)據(jù)線114與TFT開(kāi)關(guān)112 中源極電連接，像素單元還包括第一電極111，第一電極111為V字形電極，具有夾角，TFT 陣列基板100中多個(gè)像素單元包括第一像素單元110、第二像素單元120和第三像素單元 130,第二像素單元120位于所述第一像素單元110和所述第三像素單元130之間，第三像 素單元130中V字形電極的夾角Y與第一像素單元中V字形電極的夾角a的度數(shù)相等， 第三像素單元130中V字形電極的夾角Y與第一像素單元中V字形電極的夾角a的度數(shù) 均小于所述第二像素單元中V字形電極的夾角0的度數(shù)。需要說(shuō)明的是，所述第三像素 單元中V字形電極的夾角在本實(shí)施方式中等于第一像素單元中V字形電極的夾角，在其他 實(shí)施方式中，第三像素單元中V字形電極的夾角也可以不等于第三像素單元中V字形電極 的夾角，僅需要小于所述第二像素單元中V字形電極的夾角即可。由于第二像素單元120 位于所述第一像素單元110和所述第三像素單元130之間，當(dāng)從第一像素單元110 -側(cè)或 者從第三像素單元130 -側(cè)較大視角觀察顯示裝置時(shí)，均有較好的顯示效果。
[0028] 可選的，如圖4所示，圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的第三種TFT陣列基板示意 圖，TFT陣列基板100包括多個(gè)像素單元，所述像素單元包括數(shù)據(jù)線114、掃描線113以及 TFT開(kāi)關(guān)112,其中掃描線113與TFT開(kāi)關(guān)112中柵極電連接，數(shù)據(jù)線114與TFT開(kāi)關(guān)112 中源極電連接，像素單元還包括第一電極111，第一電極111為V字形電極，具有夾角，TFT 陣列基板100中多個(gè)像素單元包括第一像素單元110和第二像素單元120,其中，第一像素 單元110比第二像素單元120靠近TFT陣列基板100的邊緣，在本實(shí)施方式中，所述TFT陣 列基板100的邊緣為T(mén)FT陣列基板100的左側(cè)邊緣，在其他實(shí)施方式中，所述TFT陣列基板 100的邊緣還可為T(mén)FT陣列基板100的任意一側(cè)邊緣，其中，第一像素單元中V字形電極的 夾角a的度數(shù)小于所述第二像素單元中V字形電極的夾角0的度數(shù)。所述TFT陣列基板 100還包括位于第一像素單元110和第二像素單元120之間的多個(gè)像素單元，如像素單元 140a，像素單元140b，從所述第一像素單元110中V字形電極的夾角a到所述位于所述第 一像素單元110和第二像素單元120之間的多個(gè)像素單元，像素單元140a中V字形電極的 夾角(pi，到像素單元140b中V字形電極的夾角q>2,再到所述第二像素單元中V字形電極 的夾角0角度逐漸增大，即a<cpl<cp2<|3。本實(shí)施方式僅以第一像素單元110和第二像 素單元120之間具有像素單元140a，像素單元140b為例，但不局限于第一像素單元110和 第二像素單元120之間僅有像素單元140a，像素單元140b。本實(shí)施例中，在第一像素單元 110和第二像素單元120之間設(shè)置多個(gè)像素單元，且V字形電極的夾角逐漸變化，可以使顯 示裝置的觀測(cè)效果逐漸過(guò)渡，更好的提高顯示效果。
[0029] 進(jìn)一步可選的，如圖5所示，圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的第四種TFT陣列基板 示意圖，所述TFT陣列基板100還包括第三像素單元130,所述第二像素單元120位于所述 第一像素單元110和所述第三像素單元之間130,所述第三像素單元130中V字形電極的 夾角y與所述第一像素單元110中V字形電極的夾角a相同，所述TFT陣列基板100還 包括位于第二像素單元110和第三像素單元120之間的多個(gè)像素單元，如像素單元140c， 像素單元140d，從所述第二像素單元110中V字形電極的夾角0到所述位于所述第二像 素單元120和第三像素單元130之間的多個(gè)像素單元，像素單元140c中V字形電極的夾角 (p3,到像素單元140d中V字形電極的夾角(p4,再到所述第三像素單元中V字形電極的夾 角y角度逐漸減小，即P>q)3>(p4>Y，所述TFT陣列基板中，多個(gè)像素單元夾角的關(guān)系為 a<(pl<(p2< P >q)3>q)4>y。需要說(shuō)明的是，所述第三像素單元中V字形電極的夾角在本實(shí) 施方式中等于第一像素單元中V字形電極的夾角，在其他實(shí)施方式中，第三像素單元中V字 形電極的夾角也可以不等于第三像素單元中V字形電極的夾角，僅需要小于所述第二像素 單元中V字形電極的夾角即可。
[0030] 可選的，如圖6所示，圖6為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的第五種TFT陣列基板示意 圖，TFT陣列基板100包括多個(gè)像素單元，所述像素單元包括數(shù)據(jù)線114、掃描線113以及TFT開(kāi)關(guān)112,其中掃描線113與TFT開(kāi)關(guān)112中柵極電連接，數(shù)據(jù)線114與TFT開(kāi)關(guān)112 中源極電連接，像素單元還包括第一電極111，第一電極111為V字形電極，具有夾角，TFT 陣列基板100中多個(gè)像素單元包括第一像素單元110、第二像素單元120和第三像素單元 130,第二像素單元120位于所述第一像素單元110和所述第三像素單元130之間，第一像 素單元中V字形電極的夾角a的度數(shù)小于所述第二像素單元中V字形電極的夾角0的度 數(shù)，第三像素單元130中V字形電極的夾角Y大于第二像素單元120中V字形電極的夾角 0的度數(shù)，即a〈0 。
[0031] 可選的，如圖7所示，圖7為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的第六種TFT陣列基板示意 圖，TFT陣列基板100包括多個(gè)像素單元，所述像素單元包括數(shù)據(jù)線114、掃描線113以及 TFT開(kāi)關(guān)112,其中掃描線113與TFT開(kāi)關(guān)112中柵極電連接，數(shù)據(jù)線114與TFT開(kāi)關(guān)112中 源極電連接，像素單元還包括第一電極111，第一電極111為V字形電極，具有夾角，TFT陣 列基板100中多個(gè)像素單元包括第一像素單元110和第二像素單元120,其中，第一像素單 元中V字形電極的夾角a的度數(shù)小于所述第二像素單元中V字形電極的夾角0的度數(shù)。 TFT陣列基板100中多個(gè)像素單元還包括第三像素單元130,第二像素單元120位于所述第 一像素單元110和所述第三像素單元130之間，第三像素單元130中V字形電極的夾角Y 大于第二像素單元120中V字形電極的夾角0的度數(shù)。所述TFT陣列基板100還包括位 于第一像素單元110和第二像素單元120之間、第二像素單元120和第三像素單元130之 間的多個(gè)像素單元，如像素單元140e，像素單元140f，從所述第一像素單元110中V字形電 極的夾角a到像素單元140e，像素單元140e中V字形電極的夾角(|>5,再到所述第二像素 單元中V字形電極的夾角0角度，再到像素單元140f中V字形電極的夾角(p6,再到所述 第三像素單元中V字形電極的夾角Y角度逐漸增大，即a<(p5<P<(p6<Y。本實(shí)施方式僅 以第一像素單元110和第二像素單元120之間具有像素單元140e，第二像素單元120和第 三像素單元130之間具有像素單元140d為例，但不局限于第一像素單元110和第二像素單 元120之間僅有像素單元140e，像素單元140d。
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