專利名稱：平面抗蝕結(jié)構(gòu)、尤其是用于電子元件的封裝及用于制造的熱機械方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平面抗蝕結(jié)構(gòu)、尤其是用于電子元件的封裝部分及用于使施加在部分升高的支承面上的結(jié)構(gòu)層平面化的熱機械方法。
通過國際公開號為WO95/30276的PCT申請已公知了一種用于電子元件-尤其是用表面聲波工作的元件(OFW元件)的、被申請人稱為PROTEC的封裝，這種元件在元件結(jié)構(gòu)區(qū)域、即例如在中間數(shù)字轉(zhuǎn)換器(Interdigital-wandler)區(qū)域中及必要時通常在絲網(wǎng)印刷技術(shù)中必需施加的聲波衰減體區(qū)域中具有接收它的槽。為此，所述該PCT申請在其一個實施例中設(shè)有施加在元件襯底、譬如壓電襯底上的框形載體及必要時的支承，在其上設(shè)置覆蓋層。在此情況下，該載體、支承及覆蓋層可由一個薄膜構(gòu)成，它在元件襯底側(cè)上包括過應力的凹陷，并通過譬如粘接、焊接或?qū)盈B被施加在元件襯底上。
根據(jù)該PCT申請的另一公知建議，對于該載體及必要時的支承可使用一種通過照相技術(shù)構(gòu)成的材料、例如所謂干抗蝕膜。這譬如可以是一種光致抗蝕劑或一種可通過UV(紫外)光形成結(jié)構(gòu)的材料，它被這樣地曝光，即在其顯影后僅露出有源元件、尤其是濾波結(jié)構(gòu)、聲波衰減體及為該元件電接觸設(shè)置的面。然后在這樣制得的載體及(如果有的話)支承上施加第二層，即一個覆蓋層，它也是由一個干抗蝕膜、即上述類型的通過照相技術(shù)構(gòu)成的材料，在涂層后它同樣被曝光及顯影。最后在由載體及必要時的支承組成的第一層和該材料一起形成的足夠厚度情況下該材料構(gòu)成凹陷。
這種也被稱為PROTEC的封裝，即最后由兩層彼此疊放并各通過照相技術(shù)相應處理的干抗蝕膜涂層組成的封裝-考慮第一層的盒形或框形結(jié)構(gòu)-對于在其中干抗蝕膜需直接放置在聲波衰減體上的所有情況是不適用的。
被施加的第一層或第一干抗蝕膜及由此第二層或第二干抗蝕膜在常規(guī)涂層時將跟隨聲波衰減體的不平坦的高度輪廓。然而在已不平坦施加的第一干抗蝕膜上不平坦地施加第二干抗蝕膜是不能接受的，因為在第二層技術(shù)上合理的涂層條件下所產(chǎn)生的封裝、例如用于OFW元件的芯片的覆蓋將是全然不密封的。
本發(fā)明的任務(wù)在于，給出一種具有抗蝕結(jié)構(gòu)的元件及其制造方法，它們能保證第二層或干抗蝕膜的可靠施加及由此保證電子元件芯片、尤其是OFW元件的氣密封裝。
該任務(wù)將借助根據(jù)權(quán)利要求1的一種元件來解決。用于制造該元件的方法及本發(fā)明的有利構(gòu)型可從其它的權(quán)利要求中得到。
首先根據(jù)本發(fā)明的平面抗蝕結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)另一層的均勻施加，以致能與抗蝕結(jié)構(gòu)很好地結(jié)合，可靠地附著其上及結(jié)果可產(chǎn)生密封的封裝。
如果與一個感光層相組合構(gòu)成干抗蝕膜的保護膜是一個耐溫的、即在高溫下不會被破壞的膜，由此作為解決方案，根據(jù)本發(fā)明的方法設(shè)置了干抗蝕膜用其感光層放置在載體面上；干抗蝕膜在壓力及熱量下被這樣處理，即其感光層被形成平面；及使感光層曝光，接著除去保護膜及使感光層顯影。
如果使用一種非耐溫的保護膜，則本發(fā)明設(shè)置了在施加干抗蝕膜后從感光層上除去保護膜及由一個耐溫隔膜來取代它，該耐溫隔膜在朝著感光層的表面上帶有一個不粘層；隔膜及感光層在壓力及熱量下被這樣處理，即它的感光層被形成平面；將隔膜除去及接著使感光層曝光和顯影。
對于第一層的干抗蝕膜的施加或涂層是根據(jù)常規(guī)標準方法進行的并產(chǎn)生了一個無氣泡的層，它跟隨了譬如用絲網(wǎng)印刷技術(shù)施加的衰減體的幾何輪廓。只是通過平面化、即其中在耐溫保護膜的情況下將干抗蝕膜及載體放置在熱板之間并壓緊及在非耐溫保護膜的情況下將涂以感光層的載體及隔膜放置在熱板之間并壓緊，由于溫度的升高使第一層的感光材料的粘度減小到這樣的程度，即通過在軸向上作用于載體的壓力使該層的材料從位于絲網(wǎng)印刷上的區(qū)域流動到無衰減體的區(qū)域。
因此，第一層的感光層被整平到這樣的程度，即在接著的抗蝕結(jié)構(gòu)形成后第二層干抗蝕膜可用本身公知的方式涂層及所產(chǎn)生的封裝、如電子元件的芯片可被氣密地密封。
材料在熱板上的粘連將通過保護膜、例如聚酯薄膜固有的足夠耐溫性能來避免。
本發(fā)明的進一步構(gòu)型是從屬權(quán)利要求的主題。
以下將借助在附圖中表示的實施例來詳細地解釋本發(fā)明。附圖為

圖1至3是根據(jù)本發(fā)明主題的第一實施例的主要方法步驟的概要截面圖；圖4至7是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的主要方法步驟的類似于圖1至3的示圖。
在附圖中相同的部分用相同的標號表示。
在所述第一實施例中表示出一個OFW元件的制造(見圖1至3)，在一個由壓電材料作的載體1的表面6上、即通常大規(guī)模制造中，在其中各個OFW元件的區(qū)域中具有用譬如絲網(wǎng)印刷技術(shù)施加的聲波衰減體5的一個晶片上用常規(guī)的方式施加一層干抗蝕膜2。該干抗蝕膜2本身由一個耐溫保護膜3、如聚酯薄膜及一個感光層4的組合構(gòu)成(見圖1)。
在另一步驟中(見圖2)，將這樣涂層的晶片放置在一個壓力裝置的熱板7,8之間并使干抗蝕膜2在壓力(見箭頭F)及熱量下形成平面(見圖3)，其中從箭頭方向A看該感光材料部分地流到無衰減體的區(qū)域中。
接著，使感光層4曝光，除去保護膜3及使曝光的感光層4顯影，由此完成了第一PROTEC層的制造步驟。
作為形成完整的封裝的成品所需的第二PROTEC層也使用上述特性的干抗蝕膜，它連同其感光層以公知的方式被施加在已顯影的平面層4上，然后使其感光層曝光，除去其保護膜及使曝光的感光層顯影。
作為替換例，可取代上述用于具有其耐溫保護膜的第二PROTEC層的干抗蝕膜，在已顯影的層4上施加一個具有不耐溫保護膜、如聚烯烴薄膜的于抗蝕膜。在該情況下可能由于對所使用的波長沒有足夠的透射率，要在除去保護膜后才進行感光層的曝光。
對于最后的封裝，在第二感光層施加及顯影后使該已顯影的層借助譬如紫外(UV)射線和/或加熱進行固化。
在根據(jù)圖4至7的實施例的方法中，對于第一PROTEC層使用了一種干抗蝕膜12，它由一個非耐溫保護膜13、如聚烯烴薄膜及一個感光層14的組合構(gòu)成(見圖4)。由于它沒有足夠的耐熱性能該保護膜必需在剛才所述的平面化以前被除去(見圖5)，并由耐溫隔膜15、例如聚酯薄膜來取代。該隔膜在它朝著載體1的表面上具有一個譬如硅層或聚四氟乙烯層(PTFE層)17，在接著的平面化時(見圖6)可避免感光層14粘在熱板7上，及隨后可以從感光層14上除去隔膜15。
在完成平面化后(如剛才對于第一實施例所描述的)將除去隔膜15及接著使感光層14曝光和顯影，由此形成封裝的第一PROTEC層。
對于第二PROTEC層將根據(jù)所使用的薄膜以第一實施例中所述的方式之一來制作，因此不需要再重新描述這些制作步驟。
權(quán)利要求
1．電子元件，-具有施加在一個襯底(1)上的升高結(jié)構(gòu)(5)，尤其是具有金屬化或?qū)w條的結(jié)構(gòu)，-具有一個施加在升高結(jié)構(gòu)上的抗蝕結(jié)構(gòu)(4)，-其中抗蝕結(jié)構(gòu)被密封地置于襯底及升高結(jié)構(gòu)上，及-其中抗蝕結(jié)構(gòu)具有這樣變化的層厚度，即抗蝕結(jié)構(gòu)的表面近似地位于一個平面內(nèi)。
2．根據(jù)權(quán)利要求1的元件，其中抗蝕結(jié)構(gòu)(4)被另一個均勻?qū)雍穸鹊目刮g層覆蓋。
3．根據(jù)權(quán)利要求1或2的元件，-其中第一抗蝕結(jié)構(gòu)構(gòu)成一個框，-其中另一抗蝕層構(gòu)成適合該框的蓋，-其中框和蓋一起形成一個帽狀的蓋，及在襯底、框及蓋之間包圍著一個空心的空間。
4．根據(jù)權(quán)利要求1至3中一項的元件，其中抗蝕結(jié)構(gòu)及另一抗蝕層由干抗蝕膜構(gòu)成。
5．用于在一個部分升高的載體表面制造平面抗蝕結(jié)構(gòu)(4)的熱機械方法，尤其用于電子元件的封裝，其中由耐熱保護膜(3)及感光層(4)的組合構(gòu)成的一個干抗蝕膜(2)用其感光層(4)放置在載體面(6)上，其中干抗蝕膜(2)在壓力及熱量下被這樣處理，即它的感光層被平面化，及其中使感光層(4)曝光，接著除去保護膜(3)及使感光層(4)顯影由此得到抗蝕結(jié)構(gòu)。
6．根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中使用具有不耐溫的保護膜(13)的干抗蝕膜(12)，在施加干抗蝕膜(12)后從感光層(14)上除去保護膜(12)及由一個耐溫隔膜(15)來取代它，該耐溫隔膜在朝著感光層(14)的表面上帶有一個不粘層(17)；隔膜(15)及感光層(14)在壓力及熱量下被這樣處理，即它的感光層被平面化；將隔膜(15)除去及接著使感光層(14)曝光和顯影。
7．根據(jù)權(quán)利要求5及6的方法，其中在已顯影的感光層(4)或(14)上施加由保護膜及感光層的組合構(gòu)成的第二干抗蝕膜，用本身公知的方式以其感光層(4)施加在已顯影的層(4)或(14)上，接著使感光層曝光，然后除去保護膜及使感光層顯影。
8．根據(jù)權(quán)利要求5及6的方法，其中在已顯影的感光層(4)或(14)上施加由保護膜及感光層的組合構(gòu)成的第二干抗蝕膜，用本身公知的方式以其感光層放置在已顯影的層上，接著除去保護膜，然后進行曝光及顯影。
9．根據(jù)權(quán)利要求5至8的方法，其中在第二感光層施加及顯影后使該已顯影的層固化。
10．根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中使干抗蝕膜(2)及載體(1)放置在熱板(7,8)之間并壓緊。
11．根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中使與感光層(14)疊放的載體(1)及隔膜(15)放置在熱板(18,19)之間并壓緊。
12．根據(jù)權(quán)利要求5至11中一項的方法，其中使用一種聚酯薄膜作耐熱保護層及隔膜(2)或(15)。
13．根據(jù)權(quán)利要求6至12中一項的方法，其中使用一聚烯烴薄膜作不耐溫的保護膜(12)。
14．根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中使用一隔膜(15)，在它朝著感光層(14)的表面上設(shè)有抗粘作用的層，例如設(shè)有硅層或PTFE層(17)。
15．根據(jù)權(quán)利要求5至14的方法的應用，用于使用作為載體的晶片制造表面波元件。
全文摘要
在用于使一個部分升高的載體表面上施加的抗蝕層平面化的熱機械方法中將得到一個抗蝕結(jié)構(gòu),尤其是用于電子元件的封裝。其中由耐熱保護膜(3)及感光層(4)的組合構(gòu)成的一個干抗蝕膜(2)用其感光層(4)放置在載體面(6)上,及干抗蝕膜(2d)在壓力及熱量下被平面化,然后使感光層曝光,接著除去保護膜(3)及使感光層顯影。
文檔編號G03F7/38GK1306692SQ99807714
公開日2001年8月1日 申請日期1999年5月5日 優(yōu)先權(quán)日1998年5月5日
發(fā)明者B·弗巴徹爾 申請人:埃普科斯股份有限公司