光刻裝置是將期望圖案施加到襯底上(通常施加到襯底的目標(biāo)部分上)的機器。光刻裝置可以用于例如制造集成電路(ic)。在這種情況下，圖案形成裝置(或可替代地被稱為掩?；蜓谀０?可以被用來生成要在ic的個別層上形成的電路圖案。該圖案可以轉(zhuǎn)印到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括管芯的一部分、一個管芯或若干個管芯)上。通常經(jīng)由成像到設(shè)置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進行圖案的轉(zhuǎn)印。一般而言，單個襯底將包含依次被圖案化的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。在光刻過程中，經(jīng)常期望對所產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)進行測量，例如，用于過程控制和驗證。用于進行這種測量的各種工具是已知的，包括常常被用來測量臨界尺寸(cd)的掃描電子顯微鏡以及用于測量套刻(器件中的兩個層的對準(zhǔn)準(zhǔn)確性)的專用工具。近年來，已經(jīng)開發(fā)出了用于光刻領(lǐng)域的各種形式的散射計。這些設(shè)備將輻射束引導(dǎo)到目標(biāo)上并且測量經(jīng)散射輻射的一個或多個屬性：例如，依據(jù)波長而變化的單個反射角度下的強度；依據(jù)反射角度而變化的一個或多個波長下的強度；或依據(jù)反射角度而變化的偏振，以獲得衍射“光譜”，其中根據(jù)該衍射“光譜”可以確定目標(biāo)的感興趣屬性。已知散射計的示例包括us2006033921a1和us2010201963a1中所描述的類型的角度分辨散射計。這種散射計所使用的目標(biāo)是相對較大(例如，40μm×40μm)的光柵，并且測量束生成小于光柵的斑點(即，光柵填充不足)?？梢栽趪H專利申請us20100328655a1和us2011069292a1中找到暗場成像量測的示例，這些文獻在此通過引用整體并入本文。在所公開的專利出版物us20110027704a、us20110043791a、us2011102753a1、us20120044470a、us20120123581a、us20130258310a、us20130271740a和wo2013178422a1中描述了該技術(shù)的進一步發(fā)展。這些目標(biāo)可以小于照射斑點，并且可以被晶片上的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)包圍?？梢允褂脧?fù)合光柵目標(biāo)在一個圖像中測量多個光柵。所有這些申請的內(nèi)容也通過引入并入本文?？梢员槐O(jiān)測的重要感興趣參數(shù)是套刻，其是不同層中的圖案之間的未對準(zhǔn)的量度(例如，零套刻指示完美對準(zhǔn))。通過測量被設(shè)計為具有套刻相關(guān)不對稱性的套刻目標(biāo)，可以監(jiān)測套刻；這種不對稱性可以通過量測工具測量并且推斷套刻。量測目標(biāo)可以包括一對周期性結(jié)構(gòu)或光柵，每個相關(guān)層一個光柵。當(dāng)量測工具測量結(jié)構(gòu)不對稱性時，任何非套刻相關(guān)不對稱性(諸如個別光柵中的不對稱性之類)將表現(xiàn)為套刻測量誤差。子分段目標(biāo)(其中目標(biāo)光柵的個別特征或空間本身被分段)所固有的一種類型的光柵不對稱性被稱為cd不平衡，其中每個目標(biāo)特征的第一一個或多個特征的cd小于標(biāo)稱特征cd，并且每個目標(biāo)特征的最后一個或多個特征的cd大于標(biāo)稱特征cd。期望能夠校正這種cd不平衡。

背景技術(shù)：

1、本發(fā)明涉及一種可用于例如通過光刻技術(shù)在制造器件時執(zhí)行量測的量測裝置和方法。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、在第一方面中，本發(fā)明包括襯底，該襯底包括至少一個目標(biāo)，該目標(biāo)包括多個子目標(biāo)，多個子目標(biāo)至少包括第一子目標(biāo)和第二子目標(biāo)，多個子目標(biāo)中的每一者包括具有重復(fù)的第一區(qū)域和第二區(qū)域的至少一個子分段周期性結(jié)構(gòu)，其中第一區(qū)域或第二區(qū)域中的至少一者包括由周期性子特征形成的子分段區(qū)域；其中所述第一子目標(biāo)包括其子分段區(qū)域的第一子分段特性，所述第二子目標(biāo)包括其子分段區(qū)域的第二子分段特性，第一子分段特性和第二子分段特性在至少一個子分段參數(shù)方面不同。

2、在第二方面中，本發(fā)明包括一種感興趣參數(shù)測量方法，包括：從目標(biāo)的至少第一子目標(biāo)獲得第一測量數(shù)據(jù)，該至少第一子目標(biāo)包括第一子分段特性；從所述第一測量數(shù)據(jù)確定第一感興趣參數(shù)值；從目標(biāo)的至少第二子目標(biāo)獲得第二測量數(shù)據(jù)，該至少第二子目標(biāo)包括第二子分段特性，該第一子分段特性和第二子分段特性在至少一個子分段參數(shù)方面不同；從所述第二測量數(shù)據(jù)確定第二感興趣參數(shù)值；以及從所述第一感興趣參數(shù)值和所述第二感興趣參數(shù)值確定經(jīng)校正感興趣參數(shù)值。

3、下文參考附圖對本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點以及本發(fā)明的各種實施例的結(jié)構(gòu)和操作進行詳細描述。注意，本發(fā)明不限于本文中所描述的特定實施例。本文中所提出的這些實施例僅用于說明的目的?；诒疚闹兴慕虒?dǎo)，對于相關(guān)領(lǐng)域(一個或多個)的技術(shù)人員而言，其他實施例將是顯而易見的。

技術(shù)特征：

1.一種襯底，包括至少一個目標(biāo)，所述目標(biāo)包括多個子目標(biāo)，所述多個子目標(biāo)至少包括第一子目標(biāo)和第二子目標(biāo)，所述多個子目標(biāo)中的每一者包括具有重復(fù)的第一區(qū)域和第二區(qū)域的至少一個子分段周期性結(jié)構(gòu)，其中所述第一區(qū)域或第二區(qū)域中的至少一者包括由周期性子特征形成的子分段區(qū)域；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底，其中所述至少一個子分段參數(shù)包括以下各項中的一項或兩項：所述子特征的預(yù)期子特征寬度和每個子分段區(qū)域的子特征的數(shù)目。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的襯底，其中所述多個子目標(biāo)至少包括針對所述襯底的襯底平面中的每個測量方向的重復(fù)的所述第一子目標(biāo)和所述第二子目標(biāo)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的襯底，其中所述子目標(biāo)各自包括周期性結(jié)構(gòu)對，所述周期性結(jié)構(gòu)對在兩個層的每個層中具有相應(yīng)周期性結(jié)構(gòu)，每個周期性結(jié)構(gòu)對包括所述至少一個子分段周期性結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的襯底，其中所述至少一個子分段周期性結(jié)構(gòu)包括每個子目標(biāo)中的底部周期性結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的襯底，其中所述多個目標(biāo)包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的襯底，其中每個子目標(biāo)中的所述周期性結(jié)構(gòu)對具有相同的節(jié)距；以及

8.一種測量感興趣參數(shù)的方法，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述至少一個子分段參數(shù)包括以下各項中的一項或兩項：所述子特征的預(yù)期子特征寬度和每個子分段區(qū)域的子特征的數(shù)目。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法，其中所述感興趣參數(shù)是套刻。

11.根據(jù)權(quán)利要求8、9或10所述的方法，其中所述目標(biāo)包括根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的襯底的所述至少一個目標(biāo)。

12.一種處理裝置，包括處理器，并且被配置為執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求8至11中任一項所述的方法。

13.一種量測裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求12所述的處理器。

14.一種計算機程序，包括程序指令，所述程序指令當(dāng)在合適裝置上運行時，能夠操作以執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求8至11中任一項所述的方法。

15.一種非暫態(tài)計算機程序載體，包括根據(jù)權(quán)利要求14所述的計算機程序。

技術(shù)總結(jié)
公開了一種襯底，包括至少一個目標(biāo)。該目標(biāo)包括多個子目標(biāo)，該多個子目標(biāo)至少包括第一子目標(biāo)和第二子目標(biāo)，該多個子目標(biāo)中的每一者包括具有重復(fù)的第一區(qū)域和第二區(qū)域的至少一個子分段周期性結(jié)構(gòu)，其中第一區(qū)域或第二區(qū)域中的至少一者包括由周期性子特征形成的子分段區(qū)域。第一子目標(biāo)包括其子分段區(qū)域的第一子分段特性，并且第二子目標(biāo)包括其子分段區(qū)域的第二子分段特性，該第一子分段特性和第二子分段特性在至少一個子分段參數(shù)方面不同。

技術(shù)研發(fā)人員：M·范德沙爾,S·G·J·馬斯杰森,A·J·登博夫,V·G·扎卡,P·沃納爾
受保護的技術(shù)使用者：ASML荷蘭有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9