減反膜鏡片及其制備方法與流程
本發(fā)明涉及一種減反膜鏡片及其制備方法。
背景技術(shù)：
中國專利201110434960.5公開了一種高強(qiáng)度減反膜系結(jié)構(gòu)。這種減反膜系結(jié)構(gòu)適用于s-fpl51、s-bsm81和lak10等玻璃基材，減反膜中鍍制有中折射率的mgf2和al2o3材料層。這種減反膜系結(jié)構(gòu)不適用于塑膠鏡片，而且膜層的耐刮擦性能和機(jī)械性能不夠強(qiáng)，達(dá)不到塑膠鏡片鍍制減反膜對于機(jī)械性能的要求。
p(塑膠)鏡片超硬減反膜主要應(yīng)用于可拍照手機(jī)攝像頭、電腦內(nèi)置攝像頭及車載攝像頭等數(shù)碼成像等領(lǐng)域。運(yùn)動攝像機(jī)(sdv)光學(xué)模組。
為減少光學(xué)模組中鏡片的使用數(shù)量，達(dá)到簡化結(jié)構(gòu)、節(jié)約成本的效果，采用p(塑膠)鏡片取代玻璃球面鏡片，但因p鏡片的材料特性：耐高溫性差(溫度超過120℃會軟化與變形)，采取現(xiàn)有鍍膜工藝加工的產(chǎn)品：膜層致密性差，膜層牢固度差，耐刮擦性差。膜層性能達(dá)不到使用要求，且使用壽命短。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，膜層之間牢固度高，耐刮擦性能和機(jī)械性能好的減反膜鏡片，以及這種減反膜鏡片的制備方法。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種減反膜鏡片，包括:
基材；
減反膜，鍍制在所述基材的一個(gè)表面上；
所述減反膜由從內(nèi)到外的九層材料層構(gòu)成；
所述九層材料層由交替鍍制的低折射率材料層和高折射率材料層構(gòu)成；
所述從內(nèi)到外的九層膜層分別為：第一低折射率材料層、第一高折射率材料層、第二低折射率材料層、第二高折射率材料層、第三低折射率材料層、第三高折射率材料層、第四低折射率材料層、第四高折射率材料層和第五低折射率材料層。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，所述第一低折射率材料層、所述第二高折射率材料層、所述第三低折射率材料層、所述第四高折射率材料層、所述第五低折射率材料層、所述第六高折射率材料層、所述第七低折射率材料層、所述第八高折射率材料層和所述第九低折射率材料層的厚度范圍分別為：189.93-193.75nm、7.84-8nm、26.4-26.94nm、15.34-15.65nm、19.29-19.68nm、71.73-73.17nm、10.34-10.54nm、32.88-33.54nm和97.51-99.47nm。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，所述基材的材料為光學(xué)樹脂材料。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，所述基材的材料為f52r樹脂材料,其折射率為nd＝1.535，阿貝數(shù)vd＝56.072(-/+0.8％)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，所述低射率材料層的材料為二氧化硅。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，所述高折射率材料層的材料為五氧化三鈦。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種制備減反膜鏡片的方法，包括以下步驟：
(a)采用離子源清洗工藝清洗基材；
(b)真空狀態(tài)下在基材的一個(gè)面上交替鍍制九層低折射率材料層和高折射率材料層形成減反膜；
(c)鍍膜后保持真空狀態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，鍍制減反膜的起始真空度為2.5-3.0×10-3pa，溫度為85-90℃，恒溫時(shí)間為10-15min。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，所述(a)步驟中，離子源清洗時(shí)間為0.5-1min。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，所述(a)步驟中，離子源清洗工藝的離子源參數(shù)設(shè)定為以下數(shù)值或者數(shù)值范圍，
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，所述(b)步驟中，各低折射率材料層的鍍膜速率為
各高折射率材料層的鍍膜速率為
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，所述(b)步驟中，采用離子源輔助的真空鍍膜方法鍍膜，離子源參數(shù)設(shè)定為以下數(shù)值或者數(shù)值范圍，
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，所述(c)步驟中，鍍膜完成后需保持真空狀態(tài)5min以上。
根據(jù)本發(fā)明的減反膜鏡片，由于用塑膠鏡片代替現(xiàn)有技術(shù)中的玻璃鏡片，并且在塑膠鏡片的一個(gè)表面上沿著遠(yuǎn)離塑膠鏡片的方向，依次鍍制有不同厚度的第一低折射率材料層、第一高折射率材料層、第二低折射率材料層、第二高折射率材料層、第三低折射率材料層、第三高折射率材料層、第四低折射率材料層、第四高折射率材料層和第五低折射率材料層，相較于現(xiàn)有技術(shù)，大大提高了減反膜鏡片的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、耐刮擦性和機(jī)械性能以及膜層的牢固程度。
根據(jù)本發(fā)明的制備減反膜鏡片方法步驟(a)，采用離子源清洗工藝清洗基材，保證基材的潔凈無污，便于后續(xù)步驟在基材表面上鍍制減反膜。
根據(jù)本發(fā)明制備減反膜鏡片方法步驟(b)，在恒溫85-90°的真空中鍍膜，避免鍍膜時(shí)外界污染物對膜層造成污染，鍍制低折射率材料層和高折射率材料層時(shí)采用不同的鍍膜速率和鍍膜壓力，提高鍍制效率的同時(shí)，增加了膜層之間的牢固性，也提高了膜層的強(qiáng)度和耐刮擦性。
根據(jù)本發(fā)明的鍍制減反膜的方法，通過在基材上交替鍍制共9層厚度不同的低、高折射率材料層，并且首先鍍制低折射率的材料層，使得鍍制膜層的強(qiáng)度和膜層之間牢固性大大增強(qiáng)，大幅度的提升了膜層的耐刮擦性。此外，鍍膜過程中，采用上述參數(shù)的離子源輔助鍍膜并充入不同流量的氧氣和氬氣，提高了鍍膜的效率，也進(jìn)一步提升了膜層的牢固程度和耐刮擦性。
附圖說明
圖1是示意性表示根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式的減反膜鏡片的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2是示意性表示根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式的f52r樹脂鏡片減反膜的光譜特性圖；
圖3是示意性表示根據(jù)本發(fā)明的另一種實(shí)施方式的f52r樹脂鏡片減反膜的光譜特性圖；
圖4是示意性表示根據(jù)本發(fā)明的第三種實(shí)施方式的f52r樹脂鏡片減反膜的光譜特性圖。
具體實(shí)施方式
為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施方式中所需要使用的附圖作簡單地介紹。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
在針對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行描述時(shí)，術(shù)語“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內(nèi)”、“外”所表達(dá)的方位或位置關(guān)系是基于相關(guān)附圖所示的方位或位置關(guān)系，其僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此上述術(shù)語不能理解為對本發(fā)明的限制。
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本發(fā)明作詳細(xì)地描述，實(shí)施方式不能在此一一贅述，但本發(fā)明的實(shí)施方式并不因此限定于以下實(shí)施方式。
圖1是示意性表示根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式的減反膜鏡片的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的減反膜鏡片包括基材1和減反膜2。減反膜2鍍制在基材1的一個(gè)表面上，根據(jù)本發(fā)明的減反膜鏡片，基材1的材料選用光學(xué)樹脂材料制成。在本實(shí)施方式中，基材1的材料為f52r樹脂材料，其折射率為nd＝1.535，阿貝數(shù)vd＝56.072(-/+0.8％)。減反膜2鍍制在基材1的上表面上。根據(jù)本發(fā)明的減反膜2由9層材料層組成，9層材料層分為低折射率材料層和高折射率材料層兩種，并且9層材料層是由低折射率材料層和高折射率材料層交替排列組成的，9層材料層沿著遠(yuǎn)離基材1的方向分別為第一低折射率材料層201、第一高折射率材料層202、第二低折射率材料層203、第二高折射率材料層204、第三低折射率材料層205、第三高折射率材料層206、第四低折射率材料層207、第四高折射率材料層208和第五低折射率材料層209，換言之，減反膜2按照第一低折射率材料層201、第一高折射率材料層202、第二低折射率材料層203、第二高折射率材料層204、第三低折射率材料層205、第三高折射率材料層206、第四低折射率材料層207、第四高折射率材料層208和第五低折射率材料層209的順序依次鍍制在基材1的上表面上。
根據(jù)本發(fā)明的減反膜2，分為低折射率材料層和高折射率材料層，其中所有低折射率材料層的材料均為二氧化硅，所有高折射率的材料層的材料均為五氧化三鈦。在本實(shí)施方式中，根據(jù)本發(fā)明的第一低折射率材料層201、第一高折射率材料層202、第二低折射率材料層203、第二高折射率材料層204、第三低折射率材料層205、第三高折射率材料層206、第四低折射率材料層207、第四高折射率材料層208和第五低折射率材料層209的厚度范圍分別為189.93-193.75nm、7.84-8nm、26.4-26.94nm、15.34-15.65nm、19.29-19.68nm、71.73-73.17nm、10.34-10.54nm、32.88-33.54nm和97.51-99.47nm。
根據(jù)本發(fā)明的減反膜鏡片，用f52r樹脂材料的基材1代替現(xiàn)有技術(shù)中的玻璃鏡片，這種f52r樹脂鏡片相比玻璃鏡片較軟，機(jī)械強(qiáng)度不夠，表面的耐刮擦性能較差，且不耐高溫。在這種材料作為鏡片基材的情況下，根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式，在基材1的一個(gè)表面上沿著遠(yuǎn)離基材1的方向，依次鍍制有不同厚度的第一低折射率材料層201、第一高折射率材料層202、第二低折射率材料層203、第二高折射率材料層204、第三低折射率材料層205、第三高折射率材料層206、第四低折射率材料層207、第四高折射率材料層208和第五低折射率材料層209，就大大地提高了減反膜鏡片的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、耐刮擦性和機(jī)械性能以及膜層間的牢固程度，相應(yīng)的鏡片所能承受的溫度也有所提高，表面的硬度更高。
根據(jù)本發(fā)明，還提供了制備上述減反膜鏡片的方法，包括以下步驟：
(a)采用離子源清洗工藝清洗基材1；
(b)真空狀態(tài)下在基材1的一個(gè)面上交替鍍制九層低折射率材料層和高折射率材料層形成減反膜；
(c)持續(xù)真空狀態(tài)后，完成鍍膜。。
根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式，在上述(a)步驟中，離子源清洗工藝的離子源參數(shù)設(shè)定為以下表1中的數(shù)值或者數(shù)值范圍，
表1
表1是步驟(a)中清洗基材1的離子源參數(shù)設(shè)定數(shù)據(jù)。根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式，首先將基材1放置于真空環(huán)境，將反應(yīng)離子束能量與離子束分布密度的離子源各項(xiàng)參數(shù)設(shè)置為電壓450v、電流450ma、高壓480v、比率150％，再向真空環(huán)境中同時(shí)充入氣體1、氣體2和氣體3，氣體1為60sccm氧氣，氣體2為10sccm氬氣，氣體3為8sccm氬氣。采用離子源清洗工藝對基材1進(jìn)行時(shí)長為0.5-1min的清洗，使得真空環(huán)境中的基材1潔凈無污，便于后續(xù)步驟減反膜2的鍍制，保證基材1的潔凈度，能達(dá)到增加第一低折射率材料層與基材1附著性的效果。
在本實(shí)施方式中，經(jīng)過離子源清洗工藝清洗基材1后，再利用鍍膜機(jī)在基材1的一個(gè)表面上鍍制減反膜2。機(jī)臺溫度設(shè)置為85-90°并需持續(xù)10-15min，當(dāng)鍍膜真空室的真空度到達(dá)2.5×10-3pa時(shí)，開始鍍膜。鍍膜時(shí)，各低折射率材料層的鍍膜速率為
在本實(shí)施方式中，步驟(b)在基材1的一個(gè)表面上鍍制減反膜2的具體步驟如下：
1)鍍制第一低折射率材料層201，鍍膜速率為
2)鍍制第一高折射率材料層202，鍍膜速率為
3)鍍制第二低折射率材料層203，鍍膜速率為
4)鍍制第二高折射率材料層204，鍍膜速率為
5)鍍制第三低折射率材料層205，鍍膜速率為
6)鍍制第三高折射率材料層206，鍍膜速率為
7)鍍制第四低折射率材料層207，鍍膜速率為
8)鍍制第四高折射率材料層208，鍍膜速率為
9)鍍制第五低折射率材料層209，鍍膜速率為
此外，在本實(shí)施方式中，鍍膜工藝中還使用了離子源轟擊輔助鍍膜。離子源參數(shù)設(shè)定為以下表2中的數(shù)值或者數(shù)值范圍，
表2
表2是高能離子源轟擊輔助鍍膜的參數(shù)設(shè)定數(shù)據(jù)。當(dāng)鍍膜真空室的真空度達(dá)到2.5×10-3pa開始鍍膜后，高能離子源開始輔助鍍膜。鍍制第一低折射率材料層201、第二低折射率材料層203、第三低折射率材料層205、第四低折射率材料層207、第五低折射率材料層209時(shí)，高能離子源的各項(xiàng)參數(shù)設(shè)定為電壓600v、電流600ma、高壓580v、比率150％。鍍制第一高折射率材料層202、第二高折射率材料層204、第三高折射率材料層206、第四高折射率材料層208時(shí)，高能離子源的各項(xiàng)參數(shù)設(shè)定為電壓850v、電流700ma、高壓620v、比率150％。由表2可知，鍍制低折射率材料層和鍍制高折射率材料層時(shí)的高能離子源的各項(xiàng)參數(shù)是不同的，在上述設(shè)定參數(shù)范圍內(nèi)鍍膜，有利于增加材料層之間的致密性，也可以使得減反膜2的硬度得到提高。此外，由表2可知，在利用高能離子源輔助鍍膜時(shí)，會向鍍膜真空室中同時(shí)充入氣體1、氣體2和氣體3，充入氣體1、充入氣體2和充入氣體3分別為氧氣、氬氣和氬氣。在鍍制低折射率材料層時(shí)，同時(shí)充入60sccm氧氣和8sccm氬氣，在鍍制高折射率材料層時(shí)，同時(shí)充氣75sccm氧氣、10sccm氬氣和8sccm氬氣。同時(shí)充入氧氣和氬氣可以保證離子源正常啟動，而充入氣體的流量不同，有助于保證鍍制膜層的機(jī)械性能。
根據(jù)本發(fā)明的鍍制減反膜2的方法，通過在基材1上交替鍍制共9層厚度不同的低、高折射率材料層，并且首先鍍制低折射率的材料層，使得鍍制膜層的強(qiáng)度和牢固性大大增強(qiáng)，大幅度的提升了膜層的耐刮擦性。此外，鍍膜過程中，采用上述參數(shù)的離子源輔助鍍膜并充入不同流量的氧氣和氬氣，提高了鍍膜的效率，也進(jìn)一步提升了膜層的牢固程度和耐刮擦性。
在本實(shí)施方式中，在基材1一個(gè)表面上完成鍍制減反膜2后，至少需要保持真空狀態(tài)5min，5min后往機(jī)臺中充氣，此時(shí)充入的氣體為空氣，使得真空環(huán)境的壓力變?yōu)?個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓，方便取出鍍膜完成的鏡片。
圖2是示意性表示根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式的f52r樹脂鏡片減反膜的光譜特性圖。圖中橫軸表示波長(nm),縱軸表示反射率(r％),由圖2可知,波長420-680nm的反射率范圍為0-0.4％，小于根據(jù)本發(fā)明的減反膜鏡片的符合要求的0.6％的反射率，即根據(jù)本實(shí)施方式鍍制的減反膜2的減反效果符合規(guī)格。
根據(jù)本發(fā)明的另一種實(shí)施方式，基材采用離子源清洗工藝清洗時(shí)的離子源參數(shù)設(shè)定數(shù)據(jù)如表3所示。
表3
表3是步驟(a)中清洗基材1的離子源參數(shù)設(shè)定數(shù)據(jù)。在本實(shí)施方式中，首先將基材1放置于真空環(huán)境，將反應(yīng)離子束能量與離子束分布密度的離子源各項(xiàng)參數(shù)設(shè)置為電壓550v、電流550ma、高壓520v、比率160％，再向真空環(huán)境中同時(shí)充入氧氣65sccm、氬氣8sccm和氬氣6sccm，采用離子源清洗工藝對基材1進(jìn)行0.5-1min的清洗，使得真空環(huán)境中的基材1潔凈無污，便于后續(xù)步驟減反膜2的鍍制。保證基材1的潔凈度，能達(dá)到增加第一低折射率材料層與基材1附著性的效果。
在本實(shí)施方式中，經(jīng)過離子源清洗工藝清洗基材1后，再利用鍍膜機(jī)在基材1的一個(gè)表面上鍍制減反膜2。機(jī)臺溫度設(shè)置為85-90°并需持續(xù)10-15min，當(dāng)鍍膜真空室的真空度到達(dá)2.5-3.0×10-3pa時(shí)，開始鍍膜。鍍膜時(shí)，各低折射率材料層的鍍膜速率為
在本實(shí)施方式中，步驟(b)在基材1的一個(gè)表面上鍍制減反膜2的具體步驟如下：
1)鍍制第一低折射率材料層201，鍍膜速率為
2)鍍制第一高折射率材料層202，鍍膜速率為
3)鍍制第二低折射率材料層203，鍍膜速率為
4)鍍制第二高折射率材料層204，鍍膜速率為
5)鍍制第三低折射率材料層205，鍍膜速率為
6)鍍制第三高折射率材料層206，鍍膜速率為
7)鍍制第四低折射率材料層207，鍍膜速率為
8)鍍制第四高折射率材料層208，鍍膜速率為
9)鍍制第五低折射率材料層209，鍍膜速率為
此外，在本實(shí)施實(shí)施方式中，鍍膜工藝中還使用了離子源轟擊輔助鍍膜。離子源參數(shù)設(shè)定為以下表4中的數(shù)值或者數(shù)值范圍，
表4
表4是高能離子源轟擊輔助鍍膜的參數(shù)設(shè)定數(shù)據(jù)。當(dāng)鍍膜真空室的真空度達(dá)到2.5×10-3pa開始鍍膜后，高能離子源開始輔助鍍膜。鍍制第一低折射率材料層201、第二低折射率材料層203、第三低折射率材料層205、第四低折射率材料層207、第五低折射率材料層209時(shí)，高能離子源的各項(xiàng)參數(shù)設(shè)定為電壓700v、電流700ma、高壓620v、比率160％。鍍制第一高折射率材料層202、第二高折射率材料層204、第三高折射率材料層206、第四高折射率材料層208時(shí)，高能離子源的各項(xiàng)參數(shù)設(shè)定為電壓950v、電流750ma、高壓670v、比率160％。此外，由表4可知，在鍍制低折射率材料層時(shí)，會同時(shí)向真空鍍膜室充入60sccm氧氣和8sccm氬氣，在鍍制高折射率材料層時(shí)，同時(shí)充入75sccm氧氣、10sccm氬氣和8sccm氬氣。同時(shí)充入氧氣和氬氣可以保證離子源正常啟動，而充入氣體的流量不同，有助于保證鍍制膜層的機(jī)械性能。在基材1一個(gè)表面上完成鍍制減反膜2后，至少需要保持真空狀態(tài)5min,5min后使向機(jī)臺充入空氣，將真空壓力變?yōu)?個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓。
圖3是示意性表示根據(jù)本發(fā)明另一種實(shí)施方式的f52r鏡片減反膜的光譜特性圖。圖中縱軸表示波長(nm),橫軸表示反射率(r％),由圖3可知，波長420-680nm的反射率小于0.4％，根據(jù)本實(shí)施方式鍍制的減反膜2的減反效果符合規(guī)格。
根據(jù)本發(fā)明的第三種實(shí)施方式，基材采用離子源清洗工藝清洗時(shí)的離子源參數(shù)設(shè)定數(shù)據(jù)如表5所示。
表5
表5是步驟(a)中清洗基材1的離子源參數(shù)設(shè)定數(shù)據(jù)。在本實(shí)施方式中，首先將基材1放置于真空環(huán)境，將反應(yīng)離子束能量與離子束分布密度的離子源各項(xiàng)參數(shù)設(shè)置為電壓500v、電流500ma、高壓500v、比率155％，再向真空環(huán)境中同時(shí)充入氧氣62sccm、氬氣9sccm和氬氣7sccm，采用離子源清洗工藝對基材1進(jìn)行0.5-1min的清洗，保證基材1的潔凈度，能達(dá)到增加第一低折射率材料層與基材1附著性的效果。
在本實(shí)施方式中，經(jīng)過離子源清洗工藝清洗基材1后，再利用鍍膜機(jī)在基材1的一個(gè)表面上鍍制減反膜2。機(jī)臺溫度設(shè)置為85-90°并需持續(xù)10-15min，當(dāng)鍍膜真空室的真空度到達(dá)2.5-3.0×10-3pa時(shí)，開始鍍膜。鍍膜時(shí)，各低折射率材料層的鍍膜速率為
在本實(shí)施方式中，步驟(b)在基材1的一個(gè)表面上鍍制減反膜2的具體步驟如下：
1)鍍制第一低折射率材料層201，鍍膜速率為
2)鍍制第一高折射率材料層202，鍍膜速率為
3)鍍制第二低折射率材料層203，鍍膜速率為
4)鍍制第二高折射率材料層204，鍍膜速率為
5)鍍制第三低折射率材料層205，鍍膜速率為
6)鍍制第三高折射率材料層206，鍍膜速率為
7)鍍制第四低折射率材料層207，鍍膜速率為
8)鍍制第四高折射率材料層208，鍍膜速率為
9)鍍制第五低折射率材料層209，鍍膜速率為
此外，在本實(shí)施實(shí)施方式中，鍍膜工藝中還使用了離子源轟擊輔助鍍膜。離子源參數(shù)設(shè)定為以下表6中的數(shù)值或者數(shù)值范圍，
表6
表6是高能離子源轟擊輔助鍍膜的參數(shù)設(shè)定數(shù)據(jù)。當(dāng)鍍膜真空室的真空度達(dá)到2.5×10-3pa開始鍍膜后，高能離子源開始輔助鍍膜。鍍制第一低折射率材料層201、第二低折射率材料層203、第三低折射率材料層205、第四低折射率材料層207、第五低折射率材料層209時(shí)，高能離子源的各項(xiàng)參數(shù)設(shè)定為電壓650v、電流650ma、高壓600v、比率155％。鍍制第一高折射率材料層202、第二高折射率材料層204、第三高折射率材料層206、第四高折射率材料層208時(shí)，高能離子源的各項(xiàng)參數(shù)設(shè)定為電壓900v、電流730ma、高壓650v、比率155％。此外，由表6可知，在鍍制低折射率材料層時(shí)，會同時(shí)向真空鍍膜室充入62sccm氧氣和7sccm氬氣，在鍍制高折射率材料層時(shí)，同時(shí)充入72sccm氧氣、9sccm氬氣和7sccm氬氣。在基材1一個(gè)表面上完成鍍制減反膜2后，至少需要保持真空狀態(tài)5min,5min后向機(jī)臺充入空氣。
圖4是示意性表示根據(jù)本發(fā)明第三種實(shí)施方式的f52r鏡片減反膜的光譜特性圖。圖中縱軸表示波長(nm),橫軸表示反射率(r％),由圖3可知，波長420-680nm的反射率小于0.4％，根據(jù)本實(shí)施方式鍍制的減反膜2的減反效果符合規(guī)格。
根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施方式，實(shí)際測定減反膜鏡片的機(jī)械性能的方法和標(biāo)準(zhǔn)如下表7所示：
表7
表7為根據(jù)本發(fā)明的減反膜鏡片的機(jī)械性能測試評定表。如表7所示，根據(jù)本發(fā)明的制備減反膜鏡片的方法，上述三種實(shí)施方式，雖然在離子源參數(shù)設(shè)定、鍍膜工藝參數(shù)設(shè)定上和充氣參數(shù)設(shè)定方面存在差異，但通過表7中膠帶法、擦拭法和鉛筆硬度測試法測試后，根據(jù)發(fā)明三種實(shí)施方式的的減反膜鏡片均未出現(xiàn)掉膜和表面刮擦現(xiàn)象，均為合格產(chǎn)品。同樣的，對根據(jù)本發(fā)明的三種實(shí)施方式的減反膜鏡片進(jìn)行分光性能測試，均符合規(guī)格。據(jù)此可以得出結(jié)論，為使減反膜2的膜層更為牢固，強(qiáng)度更高，耐刮擦性更好，在步驟(a)、(b)中離子源的參數(shù)設(shè)定應(yīng)為以下數(shù)值范圍：
鍍膜工藝中鍍制第一低折射率材料層201、第一高折射率材料層202、第二低折射率材料層203、第二高折射率材料層204、第三低折射率材料層205、第三高折射率材料層206、第四低折射率材料層207、第四高折射率材料層208和第五低折射率材料層209的厚度范圍分別為189.93-193.75nm、7.84-8nm、26.4-26.94nm、15.34-15.65nm、19.29-19.68nm、71.73-73.17nm、10.34-10.54nm、32.88-33.54nm和97.51-99.47nm。
上述內(nèi)容僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式的例舉，對于其中未詳盡描述的設(shè)備和結(jié)構(gòu)，應(yīng)當(dāng)理解為采取本領(lǐng)域已有的通用設(shè)備及通用方法來予以實(shí)施。
以上所述僅為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
- 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點(diǎn)贊！