本發(fā)明涉及液晶顯示的技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板和液晶顯示裝置及驅(qū)動(dòng)方法。

背景技術(shù)：

液晶顯示裝置(liquidcrystaldisplay，lcd)具有畫質(zhì)好、體積小、重量輕、低驅(qū)動(dòng)電壓、低功耗、無輻射和制造成本相對(duì)較低的優(yōu)點(diǎn)，在平板顯示領(lǐng)域占主導(dǎo)地位。

隨著液晶顯示技術(shù)的不斷進(jìn)步，顯示器的可視角度已經(jīng)由原來的120°左右拓寬到160°以上，人們?cè)谙硎艽笠暯菐硪曈X體驗(yàn)的同時(shí)，也希望有效保護(hù)商業(yè)機(jī)密和個(gè)人隱私，以避免屏幕信息外泄而造成的商業(yè)損失或?qū)擂巍Ｒ虼顺藢捯暯侵?，還需要顯示裝置可以切換至窄視角。

目前的寬視角與窄視角的切換，一般是通過百葉窗的遮擋功能來實(shí)現(xiàn)的，這就需要在顯示器件外，額外準(zhǔn)備一個(gè)遮擋膜，使用起來很不方便。

近來，業(yè)界也開始提出利用彩色濾光片基板(cf)一側(cè)的視角控制電極給液晶分子施加一個(gè)垂直電場(chǎng)，來實(shí)現(xiàn)寬窄視角切換。請(qǐng)參圖1與圖2，該液晶顯示裝置包括上基板11、下基板12和位于上基板11與下基板12之間的液晶層13，上基板11上設(shè)有視角控制電極111。如圖1所示，在寬視角顯示時(shí)，上基板11上的視角控制電極111不給電壓，液晶顯示裝置實(shí)現(xiàn)寬視角顯示。如圖2所示，當(dāng)需要窄視角顯示時(shí)，上基板11上的視角控制電極111給電壓，液晶層13中的液晶分子會(huì)因?yàn)榇怪狈较螂妶?chǎng)e(如圖中箭頭所示)而翹起，液晶顯示裝置因?yàn)槁┕舛鴮?duì)比度降低，最終實(shí)現(xiàn)窄視角。

為了防止液晶分子出現(xiàn)極化，在窄視角顯示時(shí)，視角控制電極上所加的電壓一般為交流電壓。液晶顯示裝置在顯示一幀畫面時(shí)，沿著從上到下的方向進(jìn)行逐行掃描，由于視角控制電極為整面的平面電極，當(dāng)?shù)谝恍袙呙杈€g1打開時(shí)，視角控制電極已經(jīng)被賦予交流電壓，當(dāng)下面的g2-gn打開時(shí)，掃描線的電壓由vgh變化至vgl，由于掃描線與視角控制電極之間的電容耦合影響，每當(dāng)下一行掃描線打開時(shí)，視角控制電極上的信號(hào)均被耦合一次，導(dǎo)致面板內(nèi)不同位置的像素受到信號(hào)的耦合影響不一致，導(dǎo)致造成畫面閃爍，在波形電壓跳變點(diǎn)出現(xiàn)明顯的亮暗條紋，在液晶顯示裝置靠近下端的位置出現(xiàn)區(qū)域性帶狀顯示不均(bandmura)的問題。

為了解決該問題，現(xiàn)有技術(shù)通過對(duì)施加在視角控制電極上的交流電壓的驅(qū)動(dòng)波形和驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行優(yōu)化來降低所造成的顯示不均的影響，但是無法完全消除；或者通過將液晶顯示裝置的幀頻提高到120hz，來減輕畫面的閃爍，但是這樣每條掃描線打開的時(shí)間減半，會(huì)降低像素的充電時(shí)間，對(duì)像素的充電效果造成影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板和液晶顯示裝置及驅(qū)動(dòng)方法，可實(shí)現(xiàn)不同場(chǎng)合的寬窄視角切換，并改善畫質(zhì)顯示不均的問題。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，該陣列基板上設(shè)有多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個(gè)像素電極和多個(gè)第一薄膜晶體管，該多條掃描線與該多條數(shù)據(jù)線絕緣交叉限定形成多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元由兩條掃描線和兩條數(shù)據(jù)線限定形成，每個(gè)像素單元內(nèi)設(shè)有一個(gè)第一薄膜晶體管和一個(gè)像素電極，每個(gè)像素單元內(nèi)的像素電極通過第一薄膜晶體管與臨近該第一薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線連接，該陣列基板上還設(shè)有多條公共線、多個(gè)公共電極塊和多個(gè)第二薄膜晶體管，該多條公共線與該多條數(shù)據(jù)線沿相同方向延伸且上下重疊設(shè)置，每個(gè)像素單元內(nèi)還設(shè)有一個(gè)第二薄膜晶體管和一個(gè)公共電極塊，每個(gè)像素單元內(nèi)的公共電極塊通過第二薄膜晶體管與臨近該第二薄膜晶體管的公共線連接。

進(jìn)一步地，每個(gè)像素單元內(nèi)的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管連接至同一條掃描線。

進(jìn)一步地，每個(gè)像素單元內(nèi)的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管呈對(duì)角布置且分別連接至位于該像素單元上下兩側(cè)的不同掃描線上。

進(jìn)一步地，該多條公共線位于該多條數(shù)據(jù)線的正上方且該多條公共線與該多條數(shù)據(jù)線之間設(shè)有至少一絕緣層。

進(jìn)一步地，該多條公共線位于該多條數(shù)據(jù)線的正下方且該多條公共線與該多條數(shù)據(jù)線之間設(shè)有至少一絕緣層。

進(jìn)一步地，該多條公共線與該多條數(shù)據(jù)線之間設(shè)有兩層由無機(jī)材料制成的鈍化層，且該兩層鈍化層之間還設(shè)有一層由有機(jī)材料制成的平坦層。

進(jìn)一步地，該多條公共線在陣列基板的外圍相互連接在一起。

進(jìn)一步地，每個(gè)公共電極塊為平面結(jié)構(gòu)，每個(gè)像素電極為狹縫結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種液晶顯示裝置，包括陣列基板、與該陣列基板相對(duì)設(shè)置的彩膜基板以及位于該陣列基板與該彩膜基板之間的液晶層，該陣列基板為上述的陣列基板，該彩膜基板設(shè)有整面的上電極。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種用于驅(qū)動(dòng)上述的液晶顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，包括：在第一種視角模式下，向該彩膜基板的上電極施加第一電壓，向該陣列基板的各個(gè)公共電極塊施加第二電壓，使各個(gè)公共電極塊與該上電極之間的電壓差小于一預(yù)設(shè)值；在第二種視角模式下，向該彩膜基板的上電極施加第三電壓，向該陣列基板的各個(gè)公共電極塊施加第四電壓，使各個(gè)公共電極塊與該上電極之間的電壓差大于該預(yù)設(shè)值。

進(jìn)一步地，該第一電壓和該第三電壓為相同的電壓。

進(jìn)一步地，該第一電壓與該第三電壓均為0v。

進(jìn)一步地，該第四電壓為相對(duì)該第三電壓為中心波動(dòng)的周期性交流電壓。

進(jìn)一步地，該液晶層采用正性液晶分子，該第一種視角模式為寬視角模式，該第二種視角模式為窄視角模式。

進(jìn)一步地，該液晶層采用負(fù)性液晶分子，該第一種視角模式為窄視角模式，該第二種視角模式為寬視角模式。

進(jìn)一步地，該液晶顯示裝置設(shè)有視角切換按鍵，用于切換該液晶顯示裝置的不同視角模式。

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板和液晶顯示裝置及驅(qū)動(dòng)方法，通過將操控寬窄視角切換的電壓從彩膜基板側(cè)的視角控制電極轉(zhuǎn)到陣列基板側(cè)公共電極塊來實(shí)現(xiàn)，并且額外增加一條公共線和一個(gè)薄膜晶體管(即第二薄膜晶體管)連接每個(gè)公共電極塊進(jìn)行電壓切換控制。當(dāng)每一條掃描線打開時(shí)，與該掃描線連接的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管打開，分別通過數(shù)據(jù)線和公共線對(duì)像素單元內(nèi)的像素電極和公共電極塊進(jìn)行充電，使每個(gè)已經(jīng)充電好的像素單元與待充電的像素單元之間不受電壓耦合影響，可以有效降低信號(hào)耦合，從而解決面板內(nèi)不同位置的像素由于受到信號(hào)的耦合影響不一致產(chǎn)生的畫面顯示不均(mura)問題，提高了顯示畫質(zhì)。進(jìn)一步地，可解決現(xiàn)有彩膜基板側(cè)視角控制電極在窄視角操作下以交流信號(hào)驅(qū)動(dòng)所造成的屏幕閃爍及提升窄視角的對(duì)比度，因此可將液晶顯示裝置的幀頻由120hz降低至60hz，可用60hz實(shí)現(xiàn)原有120hz窄視角驅(qū)動(dòng)效果，增大了像素的充電時(shí)間，改善了充電效果。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有一種液晶顯示裝置在寬視角下的局部截面示意圖。

圖2為圖1中液晶顯示裝置在窄視角下的局部截面示意圖。

圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例中陣列基板的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為圖3中陣列基板的單個(gè)像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5為圖4中沿著a-a線的截面示意圖。

圖6為本發(fā)明第二實(shí)施例中陣列基板的單個(gè)像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7為圖6中沿著b-b線的截面示意圖。

圖8為本發(fā)明第三實(shí)施例中陣列基板的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

圖9為本發(fā)明第四實(shí)施例中液晶顯示裝置的局部截面示意圖。

圖10為圖9中液晶顯示裝置在寬視角時(shí)的視角模擬示意圖。

圖11為圖9中液晶顯示裝置在窄視角時(shí)的示意圖。

圖12為圖9中液晶顯示裝置在窄視角時(shí)的視角模擬示意圖。

圖13a與圖13b為圖9中液晶顯示裝置的平面示意框圖。

圖14為本發(fā)明第五實(shí)施例中液晶顯示裝置的局部截面示意圖。

圖15為圖14中液晶顯示裝置在寬視角時(shí)的示意圖。

圖16為本發(fā)明一實(shí)施例中第四電壓的一種波形示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)方式及功效，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。

[第一實(shí)施例]

請(qǐng)參圖3至圖5，本發(fā)明第一實(shí)施例提供一種陣列基板20，該陣列基板20上設(shè)有多條掃描線21、多條數(shù)據(jù)線22、多個(gè)像素電極23、多條公共線24、多個(gè)公共電極塊25、多個(gè)第一薄膜晶體管26和多個(gè)第二薄膜晶體管27。

該多條掃描線21與該多條數(shù)據(jù)線22絕緣交叉限定形成呈陣列排布的多個(gè)像素單元p，每個(gè)像素單元p由兩條掃描線21和兩條數(shù)據(jù)線22限定形成。

該多條公共線24與該多條數(shù)據(jù)線22沿相同方向延伸且上下重疊設(shè)置，例如公共線24和數(shù)據(jù)線22均沿著豎直方向延伸，每條公共線24和對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線22之間可以是完全重疊，也可以是大部分重疊，即兩者之間可以一定的小幅錯(cuò)位。

本實(shí)施例中，該多條公共線24位于該多條數(shù)據(jù)線22的正上方，圖4中為了便于繪圖，將上方的公共線24繪制的比下方的數(shù)據(jù)線22寬度更窄，但這不應(yīng)看作是對(duì)本發(fā)明的限制。

為了絕緣需要，該多條公共線24與該多條數(shù)據(jù)線22之間設(shè)有至少一絕緣層28。具體地，該多條公共線24與該多條數(shù)據(jù)線22之間設(shè)有兩層由無機(jī)材料制成的鈍化層281，且該兩層鈍化層281之間還設(shè)有一層由有機(jī)材料制成的平坦層282，以降低公共線24與數(shù)據(jù)線22之間耦合。其中，平坦層282的介電系數(shù)高，降低耦合效果好，但是平坦層282的附著性較差，與金屬的接觸不好，所以在平坦層282的上下兩側(cè)設(shè)置鈍化層281，提高與公共線24或數(shù)據(jù)線22的接觸效果。

每個(gè)像素單元p內(nèi)設(shè)有一個(gè)第一薄膜晶體管26、一個(gè)像素電極23、一個(gè)第二薄膜晶體管27和一個(gè)公共電極塊25，每個(gè)像素單元p內(nèi)的像素電極23通過第一薄膜晶體管26與臨近該第一薄膜晶體管26的數(shù)據(jù)線22連接，每個(gè)像素單元p內(nèi)的公共電極塊25通過第二薄膜晶體管27與臨近該第二薄膜晶體管27的公共線24連接。本實(shí)施例中，每個(gè)像素單元p內(nèi)的第一薄膜晶體管26和第二薄膜晶體管27連接至同一條掃描線21。

具體地，第一薄膜晶體管26包括柵極261、有源層262、源極263及漏極264，其中柵極261電連接對(duì)應(yīng)的掃描線21，柵極261可以獨(dú)立設(shè)置或者也可以為掃描線21的一部分，源極263電連接對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線22，漏極264電連接對(duì)應(yīng)的像素電極23。

具體地，第二薄膜晶體管27包括柵極271、有源層272、源極273及漏極274，其中柵極271電連接對(duì)應(yīng)的掃描線21，柵極271可以獨(dú)立設(shè)置或者也可以為掃描線21的一部分，源極273電連接對(duì)應(yīng)的公共線24，漏極274電連接對(duì)應(yīng)的公共電極塊25。

本實(shí)施例中，該多個(gè)像素電極23和該多個(gè)公共電極塊25位于不同層且兩者之間夾設(shè)有絕緣層29，使采用該陣列基板20的液晶顯示裝置可以形成為邊緣電場(chǎng)切換型(fringefieldswitching，ffs)。該液晶顯示裝置在正常顯示時(shí)，公共電極塊25和像素電極23之間會(huì)產(chǎn)生邊緣電場(chǎng)，使液晶分子在與基板大致平行的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)以獲得較廣的視角。

本實(shí)施例中，像素電極23位于公共電極塊25上方，每個(gè)公共電極塊25為平面結(jié)構(gòu)，每個(gè)像素電極23為狹縫結(jié)構(gòu)，這樣利于公共電極塊25和像素電極23之間產(chǎn)生的電場(chǎng)從像素電極23的狹縫(圖未標(biāo))中傳遞出，不會(huì)被屏蔽而導(dǎo)致對(duì)液晶分子的作用減弱。

如圖3所示，該多條公共線24在陣列基板20的外圍通過電壓輸入線205相互連接在一起，從而可以通過該電壓輸入線205向該多條公共線24施加公共電壓(以vcom表示)。

如圖4與圖5所示，該陣列基板20上還設(shè)有將像素電極23導(dǎo)通至第一薄膜晶體管26的漏極的第一導(dǎo)通孔201、將公共電極塊25導(dǎo)通至第二薄膜晶體管27的漏極的第二導(dǎo)通孔202以及將公共線24導(dǎo)通至第二薄膜晶體管27的源極的第三導(dǎo)通孔203。

本實(shí)施例提供的陣列基板20，每個(gè)像素單元p內(nèi)的像素電極23和公共電極塊25都分別通過薄膜晶體管進(jìn)行充電，像素電極23施加灰階電壓，公共電極塊25施加公共電壓，控制液晶分子進(jìn)行顯示。

本實(shí)施例中，當(dāng)每一條掃描線21打開時(shí)，與該掃描線21連接的第一薄膜晶體管26和第二薄膜晶體管27打開，分別通過數(shù)據(jù)線22和公共線24對(duì)像素單元p內(nèi)的像素電極23和公共電極塊25進(jìn)行充電，而且每個(gè)像素單元p內(nèi)的像素電極23和公共電極塊25是同時(shí)進(jìn)行充電，每個(gè)已經(jīng)充電好的像素單元p與待充電的像素單元p之間不受電壓耦合影響，可以有效降低信號(hào)耦合，從而解決面板內(nèi)不同位置的像素由于受到信號(hào)的耦合影響不一致產(chǎn)生的畫面顯示不均(mura)問題，提高了顯示畫質(zhì)。

[第二實(shí)施例]

請(qǐng)參圖6至圖7，本發(fā)明第二實(shí)施例提供一種陣列基板20，本實(shí)施例與上述第一實(shí)施例的主要區(qū)別在于，本實(shí)施例的陣列基板20中，該多條公共線24位于該多條數(shù)據(jù)線22的正下方，圖6中為了便于繪圖，將上方的數(shù)據(jù)線22繪制的比下方的公共線24寬度更窄，但這不應(yīng)看作是對(duì)本發(fā)明的限制。具體地，每條公共線24和對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線22之間可以是完全重疊，也可以是大部分重疊，即兩者之間可以一定的小幅錯(cuò)位。

該陣列基板20上還設(shè)有將像素電極23導(dǎo)通至第一薄膜晶體管26的漏極的第一導(dǎo)通孔201、將公共電極塊25導(dǎo)通至第二薄膜晶體管27的漏極的第二導(dǎo)通孔202以及將數(shù)據(jù)線22導(dǎo)通至第一薄膜晶體管26的源極的第三導(dǎo)通孔203。

本實(shí)施例中，當(dāng)每一條掃描線21打開時(shí)，與該掃描線21連接的第一薄膜晶體管26和第二薄膜晶體管27打開，分別通過數(shù)據(jù)線22和公共線24對(duì)像素單元p內(nèi)的像素電極23和公共電極塊25進(jìn)行充電，而且每個(gè)像素單元p內(nèi)的像素電極23和公共電極塊25是同時(shí)進(jìn)行充電，每個(gè)已經(jīng)充電好的像素單元p與待充電的像素單元p之間不受電壓耦合影響，可以有效降低信號(hào)耦合，從而解決面板內(nèi)不同位置的像素由于受到信號(hào)的耦合影響不一致產(chǎn)生的畫面顯示不均(mura)問題，提高了顯示畫質(zhì)。

關(guān)于本實(shí)施例的其他結(jié)構(gòu)，可以參見上述第一實(shí)施例，在此不再贅述。

[第三實(shí)施例]

請(qǐng)參圖8，本發(fā)明第三實(shí)施例提供一種陣列基板20，本實(shí)施例與上述第一實(shí)施例的主要區(qū)別在于，本實(shí)施例的陣列基板20中，每個(gè)像素單元p內(nèi)的第一薄膜晶體管26和第二薄膜晶體管27呈對(duì)角布置且分別連接至位于該像素單元p上下兩側(cè)的不同掃描線21上。例如以第一行的一個(gè)像素單元p為例，該像素單元p內(nèi)的第一薄膜晶體管26連接至位于該像素單元p上側(cè)的掃描線g1上，該像素單元p內(nèi)的第二薄膜晶體管27連接至位于該像素單元p下側(cè)的掃描線g2上；或者，該像素單元p內(nèi)的第一薄膜晶體管26連接至位于該像素單元p下側(cè)的掃描線g2上，該像素單元p內(nèi)的第二薄膜晶體管27連接至位于該像素單元p上側(cè)的掃描線g1上。

本實(shí)施例中，當(dāng)每一條掃描線21打開時(shí)，與該掃描線21連接的第一薄膜晶體管26和第二薄膜晶體管27打開，分別通過數(shù)據(jù)線22和公共線24對(duì)像素單元p內(nèi)的像素電極23和公共電極塊25進(jìn)行充電，而且每個(gè)像素單元p內(nèi)的像素電極23和公共電極塊25是在短時(shí)間(即兩條掃描線的掃描時(shí)間)內(nèi)充電完成，每個(gè)已經(jīng)充電好的像素單元p與待充電的像素單元p之間不受電壓耦合影響，可以有效降低信號(hào)耦合，從而解決面板內(nèi)不同位置的像素由于受到信號(hào)的耦合影響不一致產(chǎn)生的畫面顯示不均(mura)問題，提高了顯示畫質(zhì)。

關(guān)于本實(shí)施例的其他結(jié)構(gòu)，可以參見上述第一實(shí)施例或第二實(shí)施例，在此不再贅述。

[第四實(shí)施例]

如圖9所示，本發(fā)明第四實(shí)施例提供一種液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置包括顯示面板50，該顯示面板50包括陣列基板20、與陣列基板20相對(duì)設(shè)置的彩膜基板30及位于陣列基板20與彩膜基板30之間的液晶層40。其中，該陣列基板20可以為上述任一實(shí)施例所述的陣列基板20。

彩膜基板30上設(shè)有色阻層31、黑矩陣(bm)32和上電極33。色阻層31例如為r、g、b色阻。上電極33為整面的平面電極，即上電極33整面覆蓋彩膜基板30。本實(shí)施例中，色阻層31和黑矩陣32設(shè)置在彩膜基板30朝向液晶層40一側(cè)的內(nèi)表面上，其他膜層結(jié)構(gòu)設(shè)置在色阻層31和黑矩陣32上。

具體地，彩膜基板30上還可以設(shè)有至少一絕緣層或平坦層，以實(shí)現(xiàn)絕緣作用或者使彩膜基板30的內(nèi)側(cè)變得平坦。

本實(shí)施例中，彩膜基板30還設(shè)有第一平坦層35和第二平坦層36，第一平坦層35覆蓋色阻層32和黑矩陣31，上電極33形成在第一平坦層35上，第二平坦層36覆蓋上電極33。

本實(shí)施例中，液晶層40中的液晶分子為正性液晶分子，正性液晶分子具備響應(yīng)快的優(yōu)點(diǎn)。如圖9，在初始狀態(tài)(即液晶顯示裝置未施加任何電壓的情形)下，液晶層40內(nèi)的正性液晶分子呈現(xiàn)與基板20、30基本平行的平躺姿態(tài)，即正性液晶分子的長(zhǎng)軸方向與基板20、30的表面基本平行。但在實(shí)際應(yīng)用中，液晶層40內(nèi)的正性液晶分子與基板20、30之間可以具有較小的初始預(yù)傾角，該初始預(yù)傾角的范圍可為小于或等于10度，即：0°≦θ≦10°。

本實(shí)施例通過控制施加在彩膜基板30的上電極33和陣列基板20的公共電極塊25上的電壓信號(hào)，可以使該液晶顯示裝置在寬視角模式與窄視角模式之間實(shí)現(xiàn)切換。

寬視角模式：請(qǐng)參圖9，在寬視角模式下，向彩膜基板30的上電極33施加第一電壓，向陣列基板20的各個(gè)公共電極塊25施加第二電壓，使各個(gè)公共電極塊25與上電極33之間的電壓差小于一預(yù)設(shè)值(如小于1v)。此時(shí)，由于各個(gè)公共電極塊25與上電極33之間的電壓差較小，液晶層40中液晶分子的傾斜角度幾乎不發(fā)生變化，仍保持為平躺姿態(tài)，因此該液晶顯示裝置實(shí)現(xiàn)正常的寬視角顯示。

本實(shí)施例在寬視角模式下，向上電極33施加的第一電壓可以為恒定的0v(即vcf＝0)，向各個(gè)公共電極塊25施加的第二電壓可以為小于1v的某一電壓值(即此時(shí)vcom≤1v)，其中vcf代表施加在上電極33的第一電壓，vcom代表施加在各個(gè)公共電極塊25的第二電壓。其中，第二電壓可以為直流電壓，也可以為交流電壓。在寬視角模式下，各個(gè)公共電極塊25施加的第二電壓也可以為0v，即vcf＝vcom＝0。這樣，各個(gè)公共電極塊25與上電極33之間的電壓差為零。圖10所示為在vcf＝vcom＝0時(shí)，該液晶顯示裝置的視角模擬效果圖，可以看出該液晶顯示裝置此時(shí)在上下左右方向均實(shí)現(xiàn)了寬視角顯示效果。

窄視角模式：請(qǐng)參圖11，在窄視角模式下，向彩膜基板30的上電極33施加第三電壓，向陣列基板20的各個(gè)公共電極塊25施加第四電壓，使各個(gè)公共電極塊25與上電極33之間的電壓差大于上述預(yù)設(shè)值(如大于1v)。此時(shí)，由于各個(gè)公共電極塊25與上電極33之間的電壓差較大，在液晶盒中于陣列基板20與彩膜基板30之間會(huì)產(chǎn)生較強(qiáng)的垂直電場(chǎng)e(如圖11中箭頭所示)，由于正性液晶分子在電場(chǎng)作用下將沿著平行于電場(chǎng)線的方向旋轉(zhuǎn)，因此正性液晶分子在該垂直電場(chǎng)e作用下將發(fā)生偏轉(zhuǎn)，使液晶分子與基板20、30之間的傾斜角度增大而翹起，液晶分子從平躺姿態(tài)變換為傾斜姿態(tài)，使液晶顯示裝置出現(xiàn)大角度觀察漏光，在斜視方向?qū)Ρ榷冉档颓乙暯亲冋撘壕э@示裝置最終實(shí)現(xiàn)窄視角顯示。

本實(shí)施例在窄視角模式下，向上電極33施加的第三電壓可以為恒定的0v(即vcf＝0)，向各個(gè)公共電極塊25施加的第四電壓可以為大于3v的某一電壓值(即此時(shí)vcom≥3v)。圖12所示為在vcf＝0且vcom＝3.6v時(shí)，該液晶顯示裝置的視角模擬效果圖，可以看出該液晶顯示裝置此時(shí)在左右方向?qū)崿F(xiàn)了窄視角顯示效果。

也就是說，本實(shí)施例無論在寬視角模式還是窄視角模式下，向彩膜基板30的上電極33施加的電壓信號(hào)可以維持不變(例如始終為0v)，只需要改變施加在陣列基板20的各個(gè)公共電極塊25上的電壓信號(hào)，即可使該液晶顯示裝置實(shí)現(xiàn)在寬視角模式與窄視角模式之間的切換。

如圖9和圖11所示，該液晶顯示裝置還包括驅(qū)動(dòng)電路60，由驅(qū)動(dòng)電路60分別向彩膜基板30的上電極33和陣列基板20的各個(gè)公共電極塊25施加所需的電壓信號(hào)。為了給彩膜基板30的上電極33施加電壓信號(hào)，可以在顯示面板50的周邊非顯示區(qū)，通過導(dǎo)電膠70將陣列基板20導(dǎo)通至彩膜基板30，由驅(qū)動(dòng)電路60提供電壓信號(hào)至陣列基板20，再由陣列基板20通過導(dǎo)電膠70將電壓信號(hào)分別施加給彩膜基板30的上電極33。

如圖13a和圖13b所示，該液晶顯示裝置進(jìn)一步還設(shè)有視角切換按鍵80，用于切換該液晶顯示裝置的不同視角模式。視角切換按鍵80可以為機(jī)械按鍵(如圖13a)，也可以為虛擬按鍵(如圖13b，通過軟件控制或者應(yīng)用程序來設(shè)定)。當(dāng)用戶需要切換寬窄視角時(shí)，可通過操作該視角切換按鍵80向液晶顯示裝置發(fā)出視角切換請(qǐng)求，最終由驅(qū)動(dòng)電路60控制施加在彩膜基板30的上電極33和陣列基板20的各個(gè)公共電極塊25上的電壓信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)寬窄視角的切換，使用戶可以根據(jù)的不同防窺需求，自由選擇切換寬窄視角，因此本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示裝置具有較強(qiáng)的操作靈活性和方便性，提供集娛樂視頻與隱私保密于一體的多功能液晶顯示裝置。

本實(shí)施例通過將操控寬窄視角切換的電壓從彩膜基板30側(cè)的視角控制電極轉(zhuǎn)到陣列基板20側(cè)公共電極塊25來實(shí)現(xiàn)，并且額外增加一條公共線24和一個(gè)薄膜晶體管(即第二薄膜晶體管27)連接每個(gè)公共電極塊25進(jìn)行電壓切換控制。當(dāng)每一條掃描線21打開時(shí)，與該掃描線21連接的第一薄膜晶體管26和第二薄膜晶體管27打開，分別通過數(shù)據(jù)線22和公共線24對(duì)像素單元p內(nèi)的像素電極23和公共電極塊25進(jìn)行充電，使每個(gè)已經(jīng)充電好的像素單元p與待充電的像素單元p之間不受電壓耦合影響，可以有效降低信號(hào)耦合，從而解決面板內(nèi)不同位置的像素由于受到信號(hào)的耦合影響不一致產(chǎn)生的畫面顯示不均(mura)問題，提高了顯示畫質(zhì)。

本實(shí)施例采用將數(shù)據(jù)線22與公共線24上下重疊設(shè)置，增加的公共線24不會(huì)對(duì)像素開口率造成的影響。

本實(shí)施例可解決現(xiàn)有彩膜基板30側(cè)視角控制電極在窄視角操作下以交流信號(hào)驅(qū)動(dòng)所造成的屏幕閃爍及提升窄視角的對(duì)比度，因此可將液晶顯示裝置的幀頻由120hz降低至60hz，可用60hz實(shí)現(xiàn)原有120hz窄視角驅(qū)動(dòng)效果，增大了像素的充電時(shí)間，改善了充電效果。

本實(shí)施例由陣列基板20側(cè)互相獨(dú)立的公共電極塊25操作窄視角，可消除由彩膜基板30側(cè)施加交流電壓波形所造成相鄰像素的亮度差異，達(dá)到窄視角下各像素亮度相同，提升顯示畫面質(zhì)量。

[第五實(shí)施例]

請(qǐng)參圖14與圖15，本實(shí)施例提供的液晶顯示裝置與上述第四實(shí)施例的區(qū)別在于，本實(shí)施例中的液晶層40采用負(fù)性液晶分子。隨著技術(shù)進(jìn)步，負(fù)性液晶的性能得到顯著提高，應(yīng)用也越發(fā)廣泛。本實(shí)施例中，如圖14所示，在初始狀態(tài)(即液晶顯示裝置未施加任何電壓的情形)下，液晶層40內(nèi)的負(fù)性液晶分子相對(duì)于基板20、30具有較大的初始預(yù)傾角，即負(fù)性液晶分子在初始狀態(tài)相對(duì)于基板20、30呈傾斜姿態(tài)。

窄視角模式：請(qǐng)參圖14，本實(shí)施例的液晶顯示裝置當(dāng)向彩膜基板30的上電極33施加第一電壓，向陣列基板20的各個(gè)公共電極塊25施加第二電壓，使各個(gè)公共電極塊25與上電極33之間的電壓差小于一預(yù)設(shè)值(如小于1v)時(shí)，由于各個(gè)公共電極塊25與上電極33之間的電壓差較小，液晶層40中液晶分子的傾斜角度幾乎不發(fā)生變化，仍保持為傾斜姿態(tài)，使液晶顯示裝置出現(xiàn)大角度觀察漏光，在斜視方向?qū)Ρ榷冉档颓乙暯亲冋?，此時(shí)該液晶顯示裝置實(shí)現(xiàn)窄視角顯示。

本實(shí)施例在窄視角模式下，向上電極33施加的第一電壓可以為恒定的0v(即vcf＝0)，向各個(gè)公共電極塊25施加的第二電壓可以為小于1v的某一電壓值(即此時(shí)vcom≤1v)。其中，第二電壓可以為直流電壓，也可以為交流電壓。在窄視角模式下，各個(gè)公共電極塊25施加的第二電壓也可以為0v，即vcf＝vcom＝0，這樣各個(gè)公共電極塊25與上電極33之間的電壓差為零。

寬視角模式：請(qǐng)參圖15，本實(shí)施例的液晶顯示裝置當(dāng)向彩膜基板30的上電極33施加第三電壓，向陣列基板20的各個(gè)公共電極塊25施加第四電壓，使各個(gè)公共電極塊25與上電極33之間的電壓差大于上述預(yù)設(shè)值(如大于1v)時(shí)，由于各個(gè)公共電極塊25與上電極33之間產(chǎn)生較大的電壓差，在液晶盒中于陣列基板20與彩膜基板30之間會(huì)產(chǎn)生較強(qiáng)的垂直電場(chǎng)e(如圖15中箭頭所示)，由于負(fù)性液晶分子在電場(chǎng)作用下將沿著垂直于電場(chǎng)線的方向偏轉(zhuǎn)，因此負(fù)性液晶分子在該垂直電場(chǎng)e作用下發(fā)生偏轉(zhuǎn)，使液晶分子與基板20、30之間的傾斜角度減小，該液晶顯示裝置出現(xiàn)大角度漏光現(xiàn)象會(huì)相應(yīng)減少，在斜視方向?qū)Ρ榷忍岣咔乙暯窃龃?，該液晶顯示裝置最終實(shí)現(xiàn)寬視角顯示。

本實(shí)施例在寬視角模式下，向上電極33施加的第三電壓可以為恒定的0v(即vcf＝0)，向各個(gè)公共電極塊25施加的第四電壓可以為大于3v的某一電壓值(即此時(shí)vcom≥3v)。

也就是說，本實(shí)施例無論在寬視角模式還是窄視角模式下，向彩膜基板30的上電極33施加的電壓信號(hào)可以維持不變(例如始終為0v)，只需要改變施加在陣列基板20的各個(gè)公共電極塊25上的電壓信號(hào)，即可使該液晶顯示裝置實(shí)現(xiàn)在寬視角模式與窄視角模式之間的切換。

關(guān)于本實(shí)施例的其他結(jié)構(gòu)，可以參見上述第四實(shí)施例，在此不再贅述。

[第六實(shí)施例]

本發(fā)明還提供一種驅(qū)動(dòng)上述液晶顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，包括：

在第一種視角模式下，向彩膜基板30的上電極33施加第一電壓，向陣列基板20的各個(gè)公共電極塊25施加第二電壓，使各個(gè)公共電極塊25與上電極33之間的電壓差小于一預(yù)設(shè)值；

在第二種視角模式下，向彩膜基板30的上電極33施加第三電壓，向陣列基板20的各個(gè)公共電極塊25施加第四電壓，使各個(gè)公共電極塊25與上電極33之間的電壓差大于該預(yù)設(shè)值。

在一實(shí)施例中，該第三電壓和該第一電壓為相同的電壓，即無論在第一種視角模式還是第二種視角模式下，向彩膜基板30的上電極33施加的電壓信號(hào)可以維持不變，例如該第三電壓和該第一電壓均為恒定的0v。

進(jìn)一步地，該第二電壓和該第一電壓也可以是相同的電壓，使得在第一種視角模式下，各個(gè)公共電極塊25與上電極33之間的電壓差為零。

在一實(shí)施例中，該第四電壓為相對(duì)該第三電壓為中心波動(dòng)的周期性交流電壓，例如該第三電壓為恒定的0v，該第四電壓為幅值大于3v的周期性交流方波，而且該第四電壓的驅(qū)動(dòng)頻率可以為該液晶顯示裝置的幀頻的1/2，即在該第四電壓的一個(gè)周期t內(nèi)，該液晶顯示裝置刷新兩幀(frame)畫面，如圖16所示，但不限于此。

在一實(shí)施例中，液晶層40采用正性液晶分子，該第一種視角模式為寬視角模式，該第二種視角模式為窄視角模式。

在一實(shí)施例中，液晶層40采用負(fù)性液晶分子，該第一種視角模式為窄視角模式，該第二種視角模式為寬視角模式。

進(jìn)一步地，該液晶顯示裝置包括驅(qū)動(dòng)電路60，由驅(qū)動(dòng)電路60分別向各個(gè)公共電極塊25與上電極33施加所需的電壓信號(hào)。

進(jìn)一步地，該液晶顯示裝置設(shè)有視角切換按鍵80，用于切換該液晶顯示裝置的不同視角模式。

本實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法與上述實(shí)施例中的液晶顯示裝置屬于同一個(gè)構(gòu)思，該驅(qū)動(dòng)方法的更多內(nèi)容還可以參見上述實(shí)施例中關(guān)于液晶顯示裝置的描述，在此不再贅述。

以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。