本實用新型涉及顯示技術領域，尤其涉及一種液晶顯示面板及顯示裝置。

背景技術：

液晶顯示面板主要由對向基板、陣列基板以及位于該兩基板之間的液晶分子組成。具體地，如圖1所示，圖1為現有的液晶顯示面板中陣列基板的俯視結構示意圖，在陣列基板一側一般設置有薄膜晶體管(TFT)101、柵線102、數據線103、像素電極104以及公共電極105，其中，薄膜晶體管101的柵極與柵線102相連，源極與數據線103相連，漏極與像素電極104相連。在對向基板一側一般設置有黑矩陣、彩膜層等。圖2為圖1對應的等效電路圖，如圖2所示，像素電極與公共電極之間形成存儲電容Cst，該存儲電容Cst可以使TFT保持電位。

目前，為了得到具有較高分辨率的液晶顯示面板，一般通過減小像素電極的尺寸來實現。然而，像素電極的尺寸減小，會使像素電極與公共電極的交疊面積減小，從而會導致像素電極與公共電極之間的存儲電容降低。像素電極與公共電極之間的存儲電容較小，會使像素電極的電位難以穩(wěn)定保持在充電完成時的電壓，像素電極的電位在充電完成后會發(fā)生一定程度的下降，這樣，不僅會導致施加到液晶分子的電場較小而影響液晶顯示面板的顯示亮度，還會導致液晶顯示面板出現閃爍、串擾以及殘影等問題。

為了避免上述顯示問題，需要提高像素電極與公共電極之間的存儲電容。目前，一般通過減薄像素電極與公共電極之間的絕緣層來實現，然而，這種方法的可靠性較差，反而會降低像素電極與公共電極之間的存儲電容，并且，還會影響液晶顯示面板的制作良率。

因此，如何可靠、有效地提高像素電極與公共電極之間的存儲電容，是本領域技術人員亟需解決的技術問題。

技術實現要素：

有鑒于此，本實用新型實施例提供了一種液晶顯示面板及顯示裝置，用以可靠、有效地提高像素電極與公共電極之間的存儲電容。

因此，本實用新型實施例提供了一種液晶顯示面板，具有多個像素區(qū)，每個所述像素區(qū)分為透光區(qū)域和遮光區(qū)域，每個所述像素區(qū)內具有相互絕緣的公共電極和像素電極；每個所述像素區(qū)內還具有與所述公共電極電性連接且與所述像素電極相互絕緣的電容補償電極；

在每個所述像素區(qū)內，所述像素電極位于所述透光區(qū)域內的部分與所述電容補償電極互不重疊。

在一種可能的實現方式中，在本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板中，包括：相對而置的對向基板和陣列基板；其中，所述像素電極、所述公共電極和所述電容補償電極位于所述陣列基板面向所述對向基板的一側；每個所述像素區(qū)內還具有薄膜晶體管；

所述像素電極位于所述公共電極背離所述陣列基板的一側，所述像素電極位于所述透光區(qū)域內的部分為條狀電極，所述公共電極位于所述遮光區(qū)域內的部分具有貫穿所述公共電極的第一過孔，所述像素電極位于所述遮光區(qū)域內的部分通過貫穿所述第一過孔的第二過孔與所述薄膜晶體管中的漏極電性連接；

所述電容補償電極位于所述像素電極背離所述陣列基板的一側。

在一種可能的實現方式中，在本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板中，在每個所述像素區(qū)內，所述電容補償電極在所述陣列基板的正投影與所述第一過孔在所述陣列基板的正投影具有交疊區(qū)域。

在一種可能的實現方式中，在本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板中，在每個所述像素區(qū)內，所述第一過孔在所述陣列基板的正投影位于所述電容補償電極在所述陣列基板的正投影內。

在一種可能的實現方式中，在本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板中，包括：相對而置的對向基板和陣列基板；其中，所述像素電極、所述公共電極和所述電容補償電極位于所述陣列基板面向所述對向基板的一側；

所述公共電極位于所述像素電極背離所述陣列基板的一側，所述公共電極為條狀電極；

所述電容補償電極位于所述像素電極所在膜層與所述陣列基板之間。

在一種可能的實現方式中，在本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板中，包括：相對而置的對向基板和陣列基板；其中，所述像素電極和所述電容補償電極位于所述陣列基板面向所述對向基板的一側，所述公共電極位于所述對向基板面向所述陣列基板的一側；

所述電容補償電極位于所述像素電極所在膜層與所述陣列基板之間。

在一種可能的實現方式中，在本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板中，包括：相對而置的對向基板和陣列基板；其中，所述像素電極和所述電容補償電極位于所述陣列基板面向所述對向基板的一側，所述公共電極位于所述對向基板面向所述陣列基板的一側；

所述電容補償電極位于所述像素電極背離所述陣列基板的一側。

在一種可能的實現方式中，在本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板中，還具有包圍所述多個像素區(qū)的周邊區(qū)；

所述電容補償電極與所述公共電極通過位于所述周邊區(qū)內的第三過孔電性連接。

本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置，包括：本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板。

本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板及顯示裝置，該液晶顯示面板具有多個像素區(qū)，每個像素區(qū)分為透光區(qū)域和遮光區(qū)域，每個像素區(qū)內具有相互絕緣的公共電極和像素電極，通過在每個像素區(qū)內增加設置與公共電極電性連接且與像素電極相互絕緣的電容補償電極，且該電容補償電極與像素電極位于透光區(qū)域內的部分互不重疊，這樣，電容補償電極可以與像素電極位于透光區(qū)域內的部分產生能夠作用于液晶分子的水平電場，從而可以補償像素電極與公共電極之間的存儲電容，進而可以避免由于像素電極與公共電極之間的存儲電容較小而影響液晶顯示面板的顯示亮度以及使液晶顯示面板出現閃爍、串擾以及殘影等問題。

附圖說明

圖1為現有的液晶顯示面板中陣列基板的結構示意圖；

圖2為圖1的等效電路圖；

圖3為本實用新型實例一中液晶顯示面板的結構示意圖；

圖4為圖3沿AA方向的剖視圖；

圖5為圖3沿BB方向的剖視圖；

圖6為本實用新型實例二中液晶顯示面板的結構示意圖；

圖7為本實用新型實例三中液晶顯示面板的結構示意圖；

圖8為本實用新型實例四中液晶顯示面板的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖，對本實用新型實施例提供的液晶顯示面板及顯示裝置的具體實施方式進行詳細地說明。

附圖中各膜層的形狀和厚度不反映陣列基板或對向基板的真實比例，目的只是示意說明本實用新型內容。

本實用新型實施例提供的一種液晶顯示面板，具有多個像素區(qū)，每個像素區(qū)分為透光區(qū)域和遮光區(qū)域，每個像素區(qū)內具有相互絕緣的公共電極和像素電極；如圖3-圖5所示，圖3為本實用新型實例一中液晶顯示面板的結構示意圖；圖4為圖3沿AA方向的剖視圖，圖5為圖3沿BB方向的剖視圖，每個像素區(qū)內還具有與公共電極電性連接且與像素電極1相互絕緣的電容補償電極2；

在每個像素區(qū)內，像素電極1位于透光區(qū)域內的部分與電容補償電極2互不重疊。本實用新型實施例中，遮光區(qū)域為設置在對向基板上的黑矩陣所對應遮蓋的區(qū)域，主要包括金屬走線及元器件等不夠讓光透過的區(qū)域，而透光區(qū)域為除遮光區(qū)域外的其他區(qū)域，透光區(qū)域為顯示面板的有效顯示區(qū)域。

需要說明的是，如圖3所示，由相鄰的兩條數據線3和相鄰的兩條柵線4所圍成的區(qū)域為一個像素區(qū)，在每個像素區(qū)內，透光區(qū)域和遮光區(qū)域的面積比例決定了像素區(qū)的開口率，公共電極8一般設置在整個像素區(qū)內。

本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板，通過在每個像素區(qū)內增加設置與公共電極電性連接且與像素電極相互絕緣的電容補償電極，且該電容補償電極與像素電極位于透光區(qū)域內的部分互不重疊，這樣，電容補償電極可以與像素電極位于透光區(qū)域內的部分產生能夠作用于液晶分子的水平電場，從而可以補償像素電極與公共電極之間的存儲電容，進而可以避免由于像素電極與公共電極之間的存儲電容較小而影響液晶顯示面板的顯示亮度以及使液晶顯示面板出現閃爍、串擾以及殘影等問題。

在具體實施時，在本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板中，電容補償電極2的結構并非局限于如圖3所示的結構，只要保證像素電極1位于透光區(qū)域內的部分與電容補償電極2互不重疊即可，例如，電容補償電極2可以為如圖3所示的結構中的任意一部分，在此不做限定。

需要說明的是，在本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板中，電容補償電極有可能位于像素區(qū)的透光區(qū)域內，因此，電容補償電極的材料可以為透明導電材料，例如，氧化銦錫(Indium Tin Oxides,ITO)等。

在具體實施時，本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板可以應用于高級超維場開關(Advanced Super Dimension Switch,ADS)型液晶顯示面板；或者，本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板也可以應用于扭轉向列(Twisted Nematic,TN)型液晶顯示面板，在此不做限定。

下面通過四個具體的實例對本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板分別應用于上述兩種結構的液晶顯示面板時的具體實現方式進行詳細說明。

實例一：本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板為ADS型液晶顯示面板，即公共電極和像素電極都位于陣列基板一側，其中，像素電極位于公共電極背離陣列基板的一側。

在具體實施時，在本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板中，如圖3-圖5所示，可以包括：相對而置的對向基板5和陣列基板6以及位于對向基板5與陣列基板6之間的液晶分子7；其中，像素電極1、公共電極8和電容補償電極2位于陣列基板5面向對向基板6的一側，像素電極1與公共電極8之間以及像素電極1與電容補償電極2之間可以通過設置絕緣層實現相互絕緣；每個像素區(qū)內還具有薄膜晶體管9；像素電極1位于公共電極8背離陣列基板5的一側，像素電極1位于透光區(qū)域內的部分為條狀電極，如圖5所示，公共電極8位于遮光區(qū)域內的部分具有貫穿公共電極8的第一過孔A，像素電極1位于遮光區(qū)域內的部分通過貫穿第一過孔A的第二過孔B與薄膜晶體管9中的漏極90電性連接；電容補償電極2位于像素電極1背離陣列基板5的一側。如圖4所示，電容補償電極2與像素電極1位于透光區(qū)域內的部分可以產生能夠作用于液晶分子7的水平電場(如圖4所示的箭頭所示)，從而可以補償像素電極1與公共電極8之間的存儲電容，進而可以避免由于像素電極1與公共電極8之間的存儲電容較小而影響液晶顯示面板的顯示亮度以及使液晶顯示面板出現閃爍、串擾以及殘影等問題。

在具體實施時，在本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板中，如圖4所示，由于像素電極1位于公共電極8背離陣列基板5的一側，因此，需要在公共電極8位于遮光區(qū)域內的部分設置貫穿公共電極8的第一過孔A，使得像素電極1位于遮光區(qū)域內的部分可以通過貫穿第一過孔A的第二過孔B與薄膜晶體管9中的漏極90電性連接，這樣，就會導致在第一過孔A所在區(qū)域內像素電極1與公共電極8互不重疊，從而會導致在第一過孔A所在區(qū)域內像素電極1與公共電極8之間無法形成存儲電容。

基于此，在本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板中，如圖3和圖5所示，在每個像素區(qū)內，電容補償電極2在陣列基板5的正投影與第一過孔A在陣列基板5的正投影具有交疊區(qū)域；這樣，電容補償電極2可以與像素電極1位于第一過孔A所在區(qū)域內的部分形成垂直電場(如圖5所示的箭頭所示)，從而可以補償在第一過孔A所在區(qū)域內像素電極1與公共電極8之間無法形成的存儲電容，進而可以進一步地補償像素電極1與公共電極8之間的存儲電容。

較佳地，在本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板中，如圖3和圖5所示，在每個像素區(qū)內，可以將第一過孔A在陣列基板5的正投影設置于電容補償電極2在陣列基板5的正投影內，這樣，可以完全補償在第一過孔A所在區(qū)域內像素電極1與公共電極8之間無法形成的存儲電容，從而可以最大程度地補償像素電極1與公共電極8之間的存儲電容。

需要說明的是，本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板尤其適用于高分辨率的液晶顯示面板。如表1所示，將本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板分別應用于分辨率為400PPI和800PPI的液晶顯示面板，分辨率為400PPI的液晶顯示面板的像素電極的面積為350μm²，公共電極中的第一過孔的面積為80μm²，則第一過孔所占的面積比為23％；分辨率為800PPI的液晶顯示面板的像素電極的面積為120μm²，公共電極中的第一過孔的面積為42μm²，則第一過孔所占的面積比為35％；由此可知，分辨率為800PPI的液晶顯示面板與分辨率為400PPI的液晶顯示面板相比，第一過孔所占的面積比較大，利用電容補償電極補償在第一過孔所在區(qū)域內像素電極與公共電極之間無法形成的存儲電容的效果更佳，因此，本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板對于提高高分辨率的液晶顯示面板的存儲電容的效果更佳。

表1

實例二：本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板為ADS型液晶顯示面板，即公共電極和像素電極都位于陣列基板一側，其中，公共電極位于像素電極背離陣列基板的一側。

在具體實施時，在本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板應用于ADS型液晶顯示面板時，并非局限于如圖4所示的結構，如圖6所示，圖6為本實用新型實例二中液晶顯示面板的結構示意圖，可以包括：相對而置的對向基板6和陣列基板5以及位于對向基板6與陣列基板5之間的液晶分子7；其中，像素電極1、公共電極8和電容補償電極2位于陣列基板5面向對向基板6的一側，像素電極1與公共電極8之間以及像素電極1與電容補償電極2之間可以通過設置絕緣層實現相互絕緣；公共電極8位于像素電極1背離陣列基板5的一側，公共電極8為條狀電極；電容補償電極2位于像素電極1所在膜層與陣列基板5之間。如圖6所示，像素電極1與公共電極8之間形成水平電場(如圖6所示的箭頭所示)，電容補償電極2與像素電極1位于透光區(qū)域內的部分可以產生能夠作用于液晶分子7的水平電場(如圖6所示的箭頭所示)，從而可以補償像素電極1與公共電極8之間的存儲電容，進而可以避免由于像素電極1與公共電極8之間的存儲電容較小而影響液晶顯示面板的顯示亮度以及使液晶顯示面板出現閃爍、串擾以及殘影等問題。

在具體實施時，本實用新型實例二的具體實施與本實用新型實例一的實施類似，重復之處不再贅述。

實例三：本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板為TN型液晶顯示面板，即公共電極位于對向基板一側，像素電極位于陣列基板一側，電容補償電極位于像素電極與陣列基板之間。

在具體實施時，在本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板，如圖7所示，圖7為本實用新型實例三中液晶顯示面板的結構示意圖，可以包括：相對而置的對向基板6和陣列基板5以及位于對向基板6與陣列基板5之間的液晶分子7；其中，像素電極1和電容補償電極2位于陣列基板5面向對向基板6的一側，公共電極8位于對向基板6面向陣列基板5的一側，像素電極1與電容補償電極2之間可以通過設置絕緣層實現相互絕緣；電容補償電極2位于像素電極1所在膜層與陣列基板5之間。如圖7所示，像素電極1與公共電極8之間形成垂直電場(如圖7所示的箭頭所示)，電容補償電極2與像素電極1位于透光區(qū)域內的部分可以產生能夠作用于液晶分子7的水平電場(如圖7所示的箭頭所示)，從而可以補償像素電極1與公共電極8之間的存儲電容，進而可以避免由于像素電極1與公共電極8之間的存儲電容較小而影響液晶顯示面板的顯示亮度以及使液晶顯示面板出現閃爍、串擾以及殘影等問題。

在具體實施時，本實用新型實例三的具體實施與本實用新型實例一的實施類似，重復之處不再贅述。

實例四：本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板為TN型液晶顯示面板，即公共電極位于對向基板一側，像素電極位于陣列基板一側，電容補償電極位于像素電極背離陣列基板的一側。

在具體實施時，在本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板應用于TN型液晶顯示面板時，并非局限于如圖7所示的結構，如圖8所示，圖8為本實用新型實例四中液晶顯示面板的結構示意圖，可以包括：相對而置的對向基板6和陣列基板5以及位于對向基板6與陣列基板5之間的液晶分子7；其中，像素電極1和電容補償電極2位于陣列基板5面向對向基板6的一側，公共電極8位于對向基板6面向陣列基板5的一側，像素電極1與電容補償電極2之間可以通過設置絕緣層實現相互絕緣；電容補償電極2位于像素電極1背離陣列基板5的一側。如圖8所示，像素電極1與公共電極8之間形成垂直電場(如圖7所示的箭頭所示)，電容補償電極2與像素電極1位于透光區(qū)域內的部分可以產生能夠作用于液晶分子7的水平電場(如圖8所示的箭頭所示)，從而可以補償像素電極1與公共電極8之間的存儲電容，進而可以避免由于像素電極1與公共電極8之間的存儲電容較小而影響液晶顯示面板的顯示亮度以及使液晶顯示面板出現閃爍、串擾以及殘影等問題。

在具體實施時，本實用新型實例四的具體實施與本實用新型實例一的實施類似，重復之處不再贅述。

顯然，上述實施例僅是本實用新型的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于所描述的本實用新型的實施例，本領域普通技術人員在無需創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

在具體實施時，在本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板中，還可以具有包圍多個像素區(qū)的周邊區(qū)，該周邊區(qū)一般設置有外圍走線和接線端子等；電容補償電極與公共電極可以通過位于周邊區(qū)內的第三過孔實現電性連接。當然，電容補償電極與公共電極還可以通過其他方式實現電性連接，在此不做限定。

基于同一實用新型構思，本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置，包括本實用新型實施例提供的上述液晶顯示面板，該顯示裝置可以為：手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。該顯示裝置的實施可以參見上述液晶顯示面板的實施例，重復之處不再贅述。

本實用新型實施例提供的一種液晶顯示面板及顯示裝置，該液晶顯示面板具有多個像素區(qū)，每個像素區(qū)分為透光區(qū)域和遮光區(qū)域，每個像素區(qū)內具有相互絕緣的公共電極和像素電極，通過在每個像素區(qū)內增加設置與公共電極電性連接且與像素電極相互絕緣的電容補償電極，且該電容補償電極與像素電極位于透光區(qū)域內的部分互不重疊，這樣，電容補償電極可以與像素電極位于透光區(qū)域內的部分產生能夠作用于液晶分子的水平電場，從而可以提高像素電極與公共電極之間的存儲電容，進而可以避免由于像素電極與公共電極之間的存儲電容較小而影響液晶顯示面板的顯示亮度以及使液晶顯示面板出現閃爍、串擾以及殘影等問題。

顯然，本領域的技術人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權利要求及其等同技術的范圍之內，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內。