本發(fā)明涉及液晶顯示器件制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種膜邊距測(cè)量方法及測(cè)量裝置。

背景技術(shù)：

在TFT-LCD(Thin film transistor liquid crystal display，薄膜晶體管液晶顯示器)產(chǎn)線中，需在玻璃基板上淀積完全覆蓋金屬圖形的保護(hù)膜層，對(duì)金屬圖形進(jìn)行保護(hù)。

如圖1所示，在玻璃基板成膜的工藝腔室內(nèi)設(shè)有位置和寬度都固定的遮擋板框架1，其中，遮擋板框架1中間有一鏤空區(qū)域，鏤空區(qū)域面積小于玻璃基板2的面積，且鏤空區(qū)域?qū)?yīng)玻璃基板2上待成膜的區(qū)域。玻璃基板2在傳送至遮擋板框架1下時(shí)，玻璃基板2與遮擋板框架1的相對(duì)位置需滿(mǎn)足玻璃基板2的邊緣與鏤空區(qū)域的邊緣的間距相等，這樣才能保證在玻璃基板2上所成保護(hù)膜層的膜邊到玻璃基板2邊緣的距離都相等，從而使保護(hù)膜層完全覆蓋金屬圖形。

但是在實(shí)際操作中，如圖2所示，玻璃基板2傳送至遮擋板框架1下時(shí)，玻璃基板2與遮擋板框架1的相對(duì)位置可能會(huì)發(fā)生偏移，這就會(huì)出現(xiàn)所成保護(hù)膜層某一邊的膜邊與玻璃基板2邊緣的距離(以下稱(chēng)保護(hù)膜層的膜邊與玻璃基板2邊緣的距離為膜邊距)過(guò)大的情況。當(dāng)膜邊距過(guò)大時(shí)，會(huì)產(chǎn)生兩方面問(wèn)題：一方面，金屬圖形的部分區(qū)域未被保護(hù)膜層覆蓋，導(dǎo)致后續(xù)的曝光和刻蝕工藝對(duì)金屬圖形產(chǎn)生不良影響；另一方面，由于產(chǎn)品的可設(shè)計(jì)范圍取決于被保護(hù)膜層所覆蓋的金屬圖形的面積的大小，因而，膜邊距過(guò)大會(huì)縮小產(chǎn)品的可設(shè)計(jì)范圍。

為了避免后續(xù)工藝對(duì)金屬圖形產(chǎn)生不良影響，以及避免產(chǎn)品的可設(shè)計(jì)范圍縮小，就需對(duì)所成保護(hù)膜層到玻璃基板的邊緣的距離進(jìn)行確定，甄別出膜邊距過(guò)大的玻璃基板。然而，玻璃基板上所成的保護(hù)膜層一般采用SiN_x(氮化硅)薄膜或SiO₂(二氧化硅)薄膜，SiN_x薄膜和SiO₂薄膜的膜質(zhì)透明，很難確定出保護(hù)膜層的膜邊到玻璃基板的邊緣的距離。因此，如何準(zhǔn)確測(cè)量保護(hù)膜層的膜邊到玻璃基板邊緣的距離，成為了丞待解決的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種膜邊距測(cè)量方法及測(cè)量裝置，可準(zhǔn)確測(cè)量保護(hù)膜層的膜邊到玻璃基板邊緣的距離，甄別出膜邊距過(guò)大的玻璃基板。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

本發(fā)明第一方面提供了一種膜邊距測(cè)量方法，所述膜邊距測(cè)量方法應(yīng)用于基板的成膜工藝中，所述膜邊距測(cè)量方法包括：步驟S1：制備待測(cè)基板，所述待測(cè)基板包括襯底基板，及形成于所述襯底基板上的測(cè)試圖形和保護(hù)膜層；所述測(cè)試圖形位于所述襯底基板的邊緣處，且所述測(cè)試圖形的外邊緣與所述襯底基板的邊緣對(duì)齊；所述保護(hù)膜層與所述測(cè)試圖形存在重合，或者所述保護(hù)膜層的邊緣與所述測(cè)試圖形的內(nèi)邊緣對(duì)齊；其中，所述測(cè)試圖形的外邊緣相對(duì)于內(nèi)邊緣靠近所述測(cè)試圖形所在的基板邊；步驟S2：沿測(cè)試路徑利用測(cè)試光線對(duì)所述待測(cè)基板進(jìn)行掃描，掃描過(guò)程中，接收被所述待測(cè)基板反射的測(cè)試光線，獲取所述測(cè)試路徑上各位置點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的光譜；其中，所述測(cè)試路徑的一個(gè)端點(diǎn)位于所述測(cè)試圖形所在的基板邊上，且所述測(cè)試路徑經(jīng)過(guò)所述測(cè)試圖形；所述保護(hù)膜層對(duì)所述測(cè)試光線的吸收程度高于所述測(cè)試圖形對(duì)所述測(cè)試光線的吸收程度；步驟S3：根據(jù)各位置點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的光譜，確定出現(xiàn)所述測(cè)試光線的吸收峰的光譜對(duì)應(yīng)的位置點(diǎn)，該位置點(diǎn)到所述測(cè)試圖形所在的基板邊的垂直距離即為所述保護(hù)膜層的膜邊與所述測(cè)試圖形所在的基板邊之間的膜邊距。

采用本發(fā)明第一方面所提供的膜邊距測(cè)量方法，在襯底基板的邊緣處形成外邊緣與襯底基板邊緣對(duì)齊的測(cè)試圖形，然后形成與測(cè)試圖形存在重合，或邊緣與測(cè)試圖形內(nèi)邊緣對(duì)齊的保護(hù)膜層，襯底基板、測(cè)試圖形及保護(hù)膜層構(gòu)成待測(cè)基板，通過(guò)沿特定的測(cè)試路徑利用測(cè)試光線對(duì)待測(cè)基板進(jìn)行掃描，根據(jù)測(cè)試圖形和保護(hù)膜層對(duì)測(cè)試光線的不同的吸收程度，確定保護(hù)膜層的膜邊在測(cè)試路徑上所處的位置點(diǎn)，進(jìn)而測(cè)量出保護(hù)膜層的膜邊與測(cè)試圖形所在的基板邊之間的膜邊距。通過(guò)該方法，可對(duì)保護(hù)膜層的膜邊距進(jìn)行準(zhǔn)確判斷，進(jìn)而可甄別出所成保護(hù)膜層膜邊距過(guò)大，不符合工藝要求的基板，避免了后續(xù)工藝對(duì)基板上的金屬圖形產(chǎn)生不良影響，以及避免縮小產(chǎn)品的可設(shè)計(jì)范圍。

本發(fā)明第二方面提供了一種膜邊距測(cè)量裝置，所述膜邊距測(cè)量裝置用于測(cè)量基板上所成保護(hù)膜層的膜邊距，所述膜邊距測(cè)量裝置包括：光線發(fā)射器件，用于沿測(cè)試路徑對(duì)所述待測(cè)基板發(fā)射測(cè)試光線；其中，所述測(cè)試路徑的一端位于所述測(cè)試圖形所在的基板邊上，且所述測(cè)試路徑經(jīng)過(guò)所述測(cè)試圖形；所述保護(hù)膜層對(duì)所述測(cè)試光線的吸收程度高于所述測(cè)試圖形對(duì)所述測(cè)試光線的吸收程度；光線接收器件，用于接收經(jīng)所述待測(cè)基板反射后的測(cè)試光線；與所述光線接收器件相連的光譜分析器件，所述光譜分析器件用于根據(jù)光線接收器件所接受的測(cè)試光線，得到所述測(cè)試路徑上各位置點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的光譜。

上述膜邊距測(cè)量裝置的有益效果與本發(fā)明的第一方面所提供的膜邊距測(cè)量方法的有益效果相同，此處不再贅述。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中玻璃基板與遮擋板框架的相對(duì)位置的示意圖一；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中玻璃基板與遮擋板框架的相對(duì)位置的示意圖二；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例一所提供的膜邊距測(cè)量方法流程圖一；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例一中的基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例一所提供的膜邊距測(cè)量方法流程圖二；

圖6a-圖6d為本發(fā)明實(shí)施例一中的基板形成過(guò)程的各步驟圖；

圖7a為本發(fā)明實(shí)施例一中的基板的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖7b為本發(fā)明實(shí)施例一中的基板的結(jié)構(gòu)示意圖三；

圖8a為本發(fā)明實(shí)施例一中的基板的結(jié)構(gòu)示意圖四；

圖8b為本發(fā)明實(shí)施例一中的基板的結(jié)構(gòu)示意圖五；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例二所提供的膜邊距測(cè)量裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

1-遮擋板框架； 2-玻璃基板；

3-襯底基板； 4-測(cè)試圖形；

5-保護(hù)膜層； 6-金屬層；

7-光線發(fā)射器件； 8-光線接收器件；

9-測(cè)試滑軌。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，均屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

需要說(shuō)明的是，以下實(shí)施例結(jié)合的附圖中所示出的測(cè)試圖形的具體數(shù)量?jī)H僅為示意說(shuō)明，并不代表各自的實(shí)際數(shù)量。

實(shí)施例一

本實(shí)施例提供了一種膜邊距測(cè)量方法，該膜邊距測(cè)量方法應(yīng)用于基板的成膜工藝中，如圖3和圖4所示所示，該膜邊距測(cè)量方法具體包括：

步驟S1：制備待測(cè)基板，待測(cè)基板包括襯底基板3，及形成于襯底基板3上的測(cè)試圖形4和保護(hù)膜層5；測(cè)試圖形4位于襯底基板3的邊緣處，且測(cè)試圖形4的外邊緣與襯底基板3的邊緣對(duì)齊；保護(hù)膜層5與測(cè)試圖形4存在重合，或者保護(hù)膜層5的邊緣與測(cè)試圖形4的內(nèi)邊緣對(duì)齊；其中，測(cè)試圖形4的外邊緣相對(duì)于內(nèi)邊緣靠近測(cè)試圖形4所在的基板邊。

步驟S2：沿測(cè)試路徑利用測(cè)試光線對(duì)待測(cè)基板進(jìn)行掃描，掃描過(guò)程中，接收被待測(cè)基板反射的測(cè)試光線，獲取測(cè)試路徑上各位置點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的光譜；其中，測(cè)試路徑的一個(gè)端點(diǎn)位于測(cè)試圖形4所在的基板邊上，且測(cè)試路徑經(jīng)過(guò)測(cè)試圖形4；保護(hù)膜層5對(duì)測(cè)試光線的吸收程度高于測(cè)試圖形4對(duì)測(cè)試光線的吸收程度。

步驟S3：根據(jù)各位置點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的光譜，確定出現(xiàn)測(cè)試光線的吸收峰的光譜對(duì)應(yīng)的位置點(diǎn)，該位置點(diǎn)到測(cè)試圖形4所在的基板邊的垂直距離即為保護(hù)膜層5的膜邊與測(cè)試圖形4所在的基板邊之間的膜邊距。

采用本發(fā)明實(shí)施例一所提供的膜邊距測(cè)量方法，所制備的待測(cè)基板包括襯底基板3，及形成于襯底基板3上的測(cè)試圖形4和保護(hù)膜層5。通過(guò)將測(cè)試圖形4形成于襯底基板3的邊緣處，使測(cè)試圖形4的外邊緣與襯底基板3的邊緣對(duì)齊；以及使保護(hù)膜層5與測(cè)試圖形4存在重合，或者保護(hù)膜層5的邊緣與測(cè)試圖形4的內(nèi)邊緣對(duì)齊，進(jìn)而通過(guò)沿特定的測(cè)試路徑利用測(cè)試光線對(duì)待測(cè)基板進(jìn)行掃描，獲取測(cè)試路徑上各位置點(diǎn)的光譜，得到光譜圖。根據(jù)測(cè)試圖形4和保護(hù)膜層5對(duì)測(cè)試光線的不同吸收程度，確定保護(hù)膜層5的膜邊在測(cè)試路徑上所處的位置點(diǎn)，進(jìn)而測(cè)量出保護(hù)膜層5的膜邊與測(cè)試圖形4所在的基板邊之間的膜邊距。通過(guò)該方法，可對(duì)保護(hù)膜層5的膜邊距進(jìn)行準(zhǔn)確判斷，進(jìn)而可甄別出所成保護(hù)膜層5膜邊距過(guò)大，不符合工藝要求的基板，避免了后續(xù)工藝對(duì)基板上的金屬圖形產(chǎn)生不良影響，以及避免縮小產(chǎn)品的可設(shè)計(jì)范圍，從而提高產(chǎn)線良率。

如圖5和圖6a-圖6d所示，步驟S1具體可包括：

步驟S11：在襯底基板3上沉積一層金屬層6。在該步驟中，具體可采用CVD(Chemical Vapor Deposition，化學(xué)氣相淀積)工藝形成金屬層6。

步驟S12：對(duì)金屬層6進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成位于襯底基板3中間區(qū)域的金屬圖形(圖中未示出)，以及測(cè)試圖形4。對(duì)金屬層6進(jìn)行構(gòu)圖工藝具體是指對(duì)金屬層6依次進(jìn)行曝光、顯影和刻蝕。

步驟S13：在金屬圖形上形成保護(hù)膜層5。

通過(guò)上述步驟，利用一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成了所需要制備的金屬圖形和測(cè)試圖形4，即將測(cè)試圖形4的形成兼容于制備金屬圖形的步驟中，從而無(wú)需再額外增加形成測(cè)試圖形4的步驟，簡(jiǎn)化了工藝流程。

需要說(shuō)明的是，所形成的金屬圖形具體可包括柵線，這種情況下，保護(hù)膜層5對(duì)應(yīng)地可為SiN_x膜層或者SiO₂膜層。當(dāng)然，金屬圖形也可為顯示器件中陣列基板或彩膜基板中的其它金屬圖形，例如：金屬圖形包括數(shù)據(jù)線，這種情況下，保護(hù)膜層5對(duì)應(yīng)地可為鈍化層。

本實(shí)施例所提供的膜邊距測(cè)量方法的步驟S2中，在沿測(cè)試路徑利用測(cè)試光線對(duì)待測(cè)基板進(jìn)行掃描時(shí)，可采用不同的掃描方式。例如，可對(duì)測(cè)試路徑上的所有位置點(diǎn)同時(shí)進(jìn)行掃描，也可對(duì)測(cè)試路徑上的每一個(gè)位置點(diǎn)依次進(jìn)行逐點(diǎn)掃描。

優(yōu)選的，當(dāng)對(duì)測(cè)試路徑上的每一個(gè)位置點(diǎn)依次進(jìn)行逐點(diǎn)掃描時(shí)，步驟S2具體可包括：沿測(cè)試路徑，從測(cè)試圖形4所在的基板邊向保護(hù)膜層5，利用測(cè)試光線對(duì)待測(cè)基板進(jìn)行逐點(diǎn)掃描，掃描過(guò)程中，實(shí)時(shí)接收被待測(cè)基板反射的測(cè)試光線，獲取測(cè)試路徑上各位置點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的光譜，形成光譜圖，當(dāng)所獲取的光譜中出現(xiàn)測(cè)試光線的吸收峰時(shí)，停止掃描。

采用如上所述的掃描方式，由于測(cè)試圖形4對(duì)測(cè)試光線的吸收程度高于保護(hù)膜層5對(duì)測(cè)試光線的吸收程度，因此，在從測(cè)試圖形4所在的基板邊向保護(hù)膜層5進(jìn)行逐點(diǎn)掃描時(shí)，當(dāng)光譜圖中出現(xiàn)測(cè)試光線的吸收峰時(shí)，說(shuō)明在出現(xiàn)測(cè)試光線的吸收峰的光譜所對(duì)應(yīng)的位置點(diǎn)處，測(cè)試圖形4上覆蓋有保護(hù)膜層5。進(jìn)而通過(guò)步驟S4，根據(jù)光譜圖的測(cè)試光線的吸收峰所對(duì)應(yīng)的位置點(diǎn)，得出保護(hù)膜層5的膜邊與測(cè)試圖形4所在的基板邊之間的膜邊距。

如圖7a所示，當(dāng)僅在襯底基板3的相鄰的兩條邊上分別形成一個(gè)測(cè)試圖形4時(shí)，在步驟S4中，除測(cè)量出保護(hù)膜層5的膜邊與測(cè)試圖形4所在的基板邊之間的膜邊距M之外，還可根據(jù)膜邊距M計(jì)算出保護(hù)膜層5的膜邊到襯底基板3中與測(cè)試圖形4所在的邊相對(duì)的邊之間的膜邊距N。具體計(jì)算過(guò)程如下所示：

為了使表述更清楚，對(duì)襯底基板3的邊進(jìn)行了定義。對(duì)于圖7a中左邊的測(cè)試圖形4來(lái)說(shuō)，襯底基板3的各條邊中，稱(chēng)左邊的測(cè)試圖形4所在的邊為第一邊，與第一邊相對(duì)的邊為第二邊，與第一邊垂直的兩條邊中的一條為第三邊。

保護(hù)膜層5的膜邊與襯底基板3的第二邊之間的膜邊距N具體可由公式N＝L₁-L₂-M計(jì)算得出。其中，L₁為襯底基板3的第三邊的長(zhǎng)度；L₂為保護(hù)膜層5中與襯底基板3的第三邊平行的邊的長(zhǎng)度。

當(dāng)僅在襯底基板3的相鄰的兩條邊上分別形成測(cè)試圖形4時(shí)，只需要測(cè)量出保護(hù)膜層5的膜邊與襯底基板3的第一邊之間的膜邊距，再通過(guò)數(shù)學(xué)公式換算，即可計(jì)算得出保護(hù)膜層5的膜邊與襯底基板3的第二邊之間的膜邊距。采用這種測(cè)量方式，可減少測(cè)量次數(shù)。

如圖8a所示，當(dāng)在襯底基板3的四條邊上都分別形成一個(gè)測(cè)試圖形4時(shí)，只需根據(jù)步驟S4，利用襯底基板3的四條邊上各自形成的測(cè)試圖形4即可分別測(cè)量得出保護(hù)膜層5的膜邊與襯底基板3的四條邊之間的膜邊距。采用這種方法無(wú)需經(jīng)過(guò)數(shù)學(xué)公式換算，可更加直觀準(zhǔn)確地得出保護(hù)膜層5膜邊與襯底基板3四條邊之間的膜邊距。

如圖7b和圖8b所示，當(dāng)基板至少一條邊上形成有多個(gè)測(cè)試圖形4時(shí)，步驟S3還包括：分別計(jì)算多個(gè)測(cè)試圖形4各自所對(duì)應(yīng)的膜邊距，并計(jì)算多個(gè)測(cè)試圖形4各自所對(duì)應(yīng)的膜邊距的平均值，該平均值即為保護(hù)膜層5的膜邊到測(cè)試圖形4所在的基板邊之間的膜邊距。

通過(guò)在襯底基板3至少一條邊上形成多個(gè)測(cè)試圖形4，令保護(hù)膜層5的膜邊到測(cè)試圖形4所在的襯底基板3邊之間的膜邊距取多個(gè)測(cè)試圖形4各自所對(duì)應(yīng)的膜邊距的平均值，能夠使測(cè)量得出的膜邊距更加精確，提高膜邊距測(cè)量的準(zhǔn)確性。

優(yōu)選的，當(dāng)襯底基板3的至少一條邊上形成有一個(gè)測(cè)試圖形4時(shí)，測(cè)試圖形4可位于襯底基板3的邊的中心處；當(dāng)襯底基板3的至少一條邊上形成有多個(gè)測(cè)試圖形4時(shí)，多個(gè)測(cè)試圖形4平均分布在襯底基板3的邊上。當(dāng)在襯底基板3上形成測(cè)試圖形4時(shí)，可利用測(cè)試圖形4實(shí)現(xiàn)膜邊距的測(cè)量；而將測(cè)試圖形4整齊有序地形成在襯底基板3上，可進(jìn)一步提高膜邊距測(cè)量的準(zhǔn)確性。

需要說(shuō)明的是，在實(shí)際操作中，測(cè)試光線可根據(jù)測(cè)試圖形4以及保護(hù)膜層5的膜質(zhì)進(jìn)行選擇，只要滿(mǎn)足：測(cè)試圖形4對(duì)測(cè)試光線的吸收程度高于保護(hù)膜層5對(duì)測(cè)試光線的吸收程度即可。對(duì)于金屬圖形為柵極層，保護(hù)膜層5為SiN_x膜層或SiO₂膜層的情況時(shí)，本實(shí)施例所提供的膜邊距測(cè)量方法中采用的測(cè)試光線可為紅外光。

實(shí)施例二

本實(shí)施例提供了一種膜邊距測(cè)量裝置，該膜邊距測(cè)量裝置用于測(cè)量基板上所成保護(hù)膜層5的膜邊距，適用于實(shí)施例一所提供的膜邊距測(cè)量方法。如圖9所示，該膜邊距測(cè)量裝置具體包括：光線發(fā)射器件7、光線接收器件8以及光譜分析器件(圖中未示出)。

具體的，光線發(fā)射器件7用于沿測(cè)試路徑對(duì)待測(cè)基板發(fā)射測(cè)試光線；其中，測(cè)試路徑的一端位于測(cè)試圖形4所在的基板邊上，且測(cè)試路徑經(jīng)過(guò)測(cè)試圖形4；測(cè)試光線為不能被測(cè)試圖形4吸收，但能夠被保護(hù)膜層5吸收的光線。光線接收器件8用于接收經(jīng)待測(cè)基板反射后的測(cè)試光線。光譜分析器件與光線接收器件8相連，用于根據(jù)光線接收器件8所接收的測(cè)試光線，得到測(cè)試路徑上各位置點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的光譜。

該膜邊距測(cè)量裝置還可包括測(cè)試滑軌9，測(cè)試滑軌9固定于待測(cè)基板的沉積有保護(hù)膜層5的一面的上方，光線發(fā)射器件7和光線接收器件8安裝于測(cè)試滑軌9上，測(cè)試滑軌9用于帶動(dòng)光線發(fā)射器件7和光線接收器件8沿測(cè)試路徑滑動(dòng)，測(cè)試滑軌9的滑動(dòng)方向可如圖9中的箭頭方向所示，由基板的邊向保護(hù)膜層5。

可選的，對(duì)于金屬圖形為柵極層，保護(hù)膜層5為SiN_x膜層或SiO₂膜層的情況，光線發(fā)射器件7可為紅外光線發(fā)射器件，光線接收器件8可為紅外光線接收器件。

采用本實(shí)施例所提供的膜邊距測(cè)量裝置，可測(cè)量出保護(hù)膜層5的膜邊與測(cè)試圖形4所在的基板邊之間的膜邊距。通過(guò)采用該裝置，可對(duì)保護(hù)膜層5的膜邊距進(jìn)行準(zhǔn)確判斷，進(jìn)而可甄別出所成保護(hù)膜層5膜邊距過(guò)大，不符合工藝要求的基板，避免了后續(xù)工藝對(duì)基板上的金屬圖形產(chǎn)生不良影響，同時(shí)避免了產(chǎn)品的可設(shè)計(jì)范圍的縮小，從而提高產(chǎn)線良率。

需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例一所提供的膜邊距測(cè)量方法和實(shí)施例二所提供的膜邊距測(cè)量裝置適用于所有成膜工藝中膜邊距的計(jì)算，并不僅限于應(yīng)用在本發(fā)明實(shí)施例所涉及的在基板上沉積保護(hù)膜層的工藝中。

以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。