本發(fā)明涉及光刻技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種曝光方法、基板及曝光裝置。

背景技術(shù)：

目前，傳統(tǒng)的基板在制作的過程中，曝光工藝采用曝光機(jī)的裝置，襯底基板的待曝光膜層上要形成的圖形和掩膜版上的圖形一致，通過使用掩膜版曝光后形成全部圖形。由于現(xiàn)有技術(shù)是針對襯底基板的一側(cè)進(jìn)行曝光，所以一種產(chǎn)品只能對應(yīng)一個(gè)掩膜版，不同的產(chǎn)品之間的掩膜版不可以復(fù)用。而掩膜版成本是項(xiàng)目開發(fā)中比例最大的，因此這樣制作成本大大的提升。

綜上所述，目前傳統(tǒng)的基板在制作的過程中，使用的掩膜板成本較高，如何簡化膜層圖形的制作，并降低膜層圖形的制作成本，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種曝光方法、基板及曝光裝置，用以解決目前基板制作過程中，使用的掩膜板成本較高，如何簡化膜層圖形的制作，并降低膜層圖形的制作成本的問題。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種曝光方法，包括：

將至少兩個(gè)掩膜版拼接成掩膜版組合；

通過所述掩膜版組合對襯底基板上的待曝光膜層進(jìn)行曝光，直到在所述待曝光膜層上形成完整的待曝光圖形。

本發(fā)明實(shí)施例提供的曝光方法，采用至少兩個(gè)掩膜版組成的掩膜版組合，對待曝光膜層進(jìn)行曝光，進(jìn)而形成完整的待曝光膜層的圖形；由于本發(fā)明使用了至少兩個(gè)掩膜版拼接成的掩膜版組合，因而可以使用掩膜版組合通過一次曝光形成一個(gè)掩膜版難以形成的圖形，進(jìn)而簡化了膜層圖形的制作；同時(shí)，由于每個(gè)掩膜版可以制作成不同的圖形，因而可以根據(jù)需要將兩個(gè)掩膜版分別復(fù)用到其它不同圖形的產(chǎn)品中，進(jìn)而降低膜層圖形的制作成本。

較佳的，通過所述掩膜版組合對襯底基板上的待曝光膜層進(jìn)行曝光，具體包括：

在通過所述掩膜版組合中的第一掩膜版對襯底基板上第一區(qū)域?qū)?yīng)的待曝光膜層進(jìn)行曝光的同時(shí)，通過所述掩膜版組合中的第二掩膜版對襯底基板上第二區(qū)域?qū)?yīng)的待曝光膜層進(jìn)行曝光。

較佳的，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊；或，

所述第一掩膜版和所述第二掩膜版在所述襯底基板上的正投影互不重疊。

較佳的，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版位于所述襯底基板的同一側(cè)；或，

所述第一掩膜版和所述第二掩膜版分別位于所述襯底基板的不同側(cè)。

較佳的，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版位于所述襯底基板的同一側(cè)時(shí)，采用至少一個(gè)曝光光源，且所述至少一個(gè)曝光光源位于所述第一掩膜版和所述第二掩膜版所在的一側(cè)；或，

所述第一掩膜版和所述第二掩膜版分別位于所述襯底基板的不同側(cè)，采用至少兩個(gè)曝光光源，且所述至少兩個(gè)曝光光源分別位于所述襯底基板的不同側(cè)。

較佳的，所述待曝光膜層的材料為正性光刻膠材料時(shí)，所述待曝光圖形采用與所述掩膜版組合中所有掩膜版疊加后的圖形互補(bǔ)的圖形。

較佳的，所述待曝光膜層的材料為負(fù)性光刻膠材料時(shí)，所述待曝光圖形采用所述掩膜版組合中所有掩膜版疊加后的圖形。

較佳的，該方法用于制作黑矩陣層或彩膜層。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種采用本發(fā)明實(shí)施例提供的上述曝光方法制作的基板，包括：襯底基板，以及位于所述襯底基板上的黑矩陣層和/或彩膜層；其中，

所述黑矩陣層和/或彩膜層為由本發(fā)明實(shí)施例提供的上述曝光方法形成的。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種用于制作本發(fā)明實(shí)施例提供的上述基板的曝光裝置，包括：能夠分別在襯底基板不同側(cè)同時(shí)進(jìn)行曝光的第一曝光機(jī)和第二曝光機(jī)。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種曝光方法的步驟流程圖；

圖2A為本發(fā)明實(shí)施例提供的采用第一掩膜版和第二掩膜版對襯底基板的上下兩側(cè)進(jìn)行曝光的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2B為本發(fā)明實(shí)施例提供的圖2A所示的第一掩膜版和第二掩膜版疊加后的圖形示意圖；

圖2C為本發(fā)明實(shí)施例提供的采用圖2A所示結(jié)構(gòu)進(jìn)行曝光后在待曝光膜層上形成的圖形示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一掩膜版和第二掩膜版在襯底基板上的正投影部分重疊的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一掩膜版和第二掩膜版在襯底基板上的正投影互不重疊的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一掩膜版和第二掩膜版位于襯底基板同一側(cè)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，并不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

其中，附圖中各個(gè)結(jié)構(gòu)的大小和形狀不反映其真實(shí)比例，目的只是示意說明本發(fā)明的內(nèi)容。

如圖1所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種曝光方法的步驟流程圖，包括：

步驟101，將至少兩個(gè)掩膜版拼接成掩膜版組合；

步驟102，通過掩膜版組合對襯底基板上的待曝光膜層進(jìn)行曝光，直到在待曝光膜層上形成完整的待曝光圖形。

在具體實(shí)施時(shí)，針對現(xiàn)有曝光方法中，只對襯底基板的一側(cè)進(jìn)行曝光，一種產(chǎn)品只能對應(yīng)一個(gè)掩膜版的情況。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種新的曝光方法，該曝光方法采用至少兩個(gè)掩膜版組成的掩膜版組合，對襯底基板上的待曝光膜層進(jìn)行曝光，直到在待曝光膜層上形成完整的待曝光圖形。

其中，上述掩膜版組合中每個(gè)掩膜版上的圖形可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置，可以設(shè)置為相同的圖形，也可以根據(jù)需要設(shè)置為不同的圖形，只要是掩膜版組合中所有掩膜版疊加后的圖形能夠形成待曝光圖形即可。由于本發(fā)明使用了至少兩個(gè)掩膜版，因而可以使用掩膜版組合通過一次曝光形成一個(gè)掩膜版難以形成的圖形(如混合模式產(chǎn)品)，進(jìn)而簡化了膜層圖形的制作；同時(shí)，由于每個(gè)掩膜版可以制作成不同的圖形，因而可以根據(jù)需要將兩個(gè)掩膜版分別復(fù)用到其它不同圖形的產(chǎn)品中，進(jìn)而降低膜層圖形的制作成本。

具體的，本發(fā)明實(shí)施例通過掩膜版組合對襯底基板上的待曝光膜層進(jìn)行曝光，在曝光時(shí)，掩膜版組合可以分別對襯底基板上的不同區(qū)域進(jìn)行曝光，下面進(jìn)行具體介紹。

較佳的，通過掩膜版組合對襯底基板上的待曝光膜層進(jìn)行曝光，具體包括：在通過掩膜版組合中的第一掩膜版對襯底基板上第一區(qū)域?qū)?yīng)的待曝光膜層進(jìn)行曝光的同時(shí)，通過掩膜版組合中的第二掩膜版對襯底基板上第二區(qū)域?qū)?yīng)的待曝光膜層進(jìn)行曝光。

在具體實(shí)施時(shí)，采用的掩膜版數(shù)量可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置，至少包括兩個(gè)，為了方便說明，本發(fā)明實(shí)施例中以掩膜版組合中僅包括第一掩膜版和第二掩膜版為例進(jìn)行說明，但實(shí)際上并不限于只包括兩個(gè)掩膜版，也可以包括多個(gè)掩膜版。

當(dāng)掩膜版組合中包括兩個(gè)掩膜版時(shí)，可以通過掩膜版組合中的第一掩膜版和第二掩膜版分別對襯底基板上的不同區(qū)域同時(shí)進(jìn)行曝光。如圖2A所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的采用第一掩膜版和第二掩膜版對襯底基板的上下兩側(cè)進(jìn)行曝光的結(jié)構(gòu)示意圖；在通過第一掩膜版202對襯底基板203的上側(cè)區(qū)域(即第一區(qū)域)對應(yīng)的待曝光膜層204進(jìn)行曝光的同時(shí)，通過第二掩膜版206對襯底基板的下側(cè)區(qū)域(圖中未示出)對應(yīng)的待曝光膜層204進(jìn)行曝光。圖中201和205分別代表兩個(gè)曝光光源。

其中，為了節(jié)省曝光時(shí)間，減少節(jié)拍時(shí)間，因而較佳的可以對襯底基板的兩側(cè)同時(shí)進(jìn)行曝光，但也可以根據(jù)需要對襯底基板的一側(cè)先進(jìn)行曝光之后，再對另一側(cè)進(jìn)行曝光，具體曝光的順序，可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置。

在具體實(shí)施時(shí)，采用圖2A所示的第一掩膜版202和第二掩膜版206對襯底基板上的待曝光膜層204進(jìn)行曝光時(shí)，待曝光膜層204位于襯底基板203的上側(cè)，因而，采用位于襯底基板203上側(cè)的第一曝光光源201，通過第一掩膜版202對待曝光膜層204進(jìn)行曝光時(shí)，可以在待曝光膜層204上形成如第一掩膜版202所示的圖形；而采用位于襯底基板203下側(cè)的第二曝光光源205，通過第二掩膜版206對待曝光膜層204進(jìn)行曝光時(shí)，可以在待曝光膜層204上形成如第二掩膜版206所示的圖形。其中，黑色區(qū)域處代表曝光時(shí)能夠被遮住的區(qū)域，白色區(qū)域處代表曝光時(shí)沒有遮住的區(qū)域。

例如，采用圖2A所示的第一掩膜版202和第二掩膜版206對襯底基板上的待曝光膜層204進(jìn)行曝光時(shí)，理論上將第一掩膜版202和第二掩膜版206疊加后的得到圖形如圖2B所示，由于襯底基板203是透明的，因而在使用第一掩膜版202從襯底基板的上側(cè)進(jìn)行曝光時(shí)，區(qū)域1無法被遮擋，在使用第二掩膜版206從襯底基板的下側(cè)進(jìn)行曝光時(shí)，區(qū)域2無法被遮擋，因而實(shí)際上在待曝光膜層204上形成的待曝光圖形如圖2C所示。

進(jìn)一步的，采用圖2A所示的結(jié)構(gòu)對襯底基板上的待曝光膜層進(jìn)行曝光之后，可以在待曝光膜層上形成完整的待曝光圖形。根據(jù)選取的光刻膠材料的不同，形成的待曝光圖形與掩膜版組合中所有掩膜版疊加后的圖形的關(guān)系不同；較佳的，待曝光膜層的材料為正性光刻膠材料時(shí)，待曝光圖形采用與掩膜版組合中所有掩膜版疊加后的圖形互補(bǔ)的圖形。待曝光膜層的材料為負(fù)性光刻膠材料時(shí)，待曝光圖形采用掩膜版組合中所有掩膜版疊加后的圖形。在實(shí)際制作時(shí)，根據(jù)制作的待曝光膜層的不同，選取不同類型的光刻膠。

在具體實(shí)施時(shí)，較佳的，本發(fā)明實(shí)施例提供的曝光方法可以用于制作黑矩陣層或彩膜層。而由于黑矩陣層或彩膜層在顯示面板上的形狀不同，因而需要根據(jù)要制作的膜層的形狀，選擇待曝光膜層的光刻膠材料的類型。例如，若需要制作“條狀”結(jié)構(gòu)的黑矩陣，則需要選用負(fù)性光刻膠材料；若需要制作“島狀”結(jié)構(gòu)的彩膜，則需要選用正性光刻膠材料。

在具體實(shí)施時(shí)，可以采用兩個(gè)掩膜版拼接組成掩膜版組合，形成新的掩膜圖形，對待曝光膜層進(jìn)行曝光，而兩個(gè)不同掩膜版的相對位置可以全部重疊，也可以只重疊一部分，較佳的，第一掩膜版和第二掩膜版在襯底基板上的正投影至少部分重疊；或，第一掩膜版和第二掩膜版在襯底基板上的正投影互不重疊?？梢愿鶕?jù)需要制作的膜層圖形，改變兩個(gè)掩膜版的相對位置，而具體的相對位置在此不做限定。

例如，如圖2A所示，圖中采用第一曝光光源201，從襯底基板203的上方，通過第一掩膜版202對襯底基板203上方區(qū)域(即第一區(qū)域)進(jìn)行曝光；同時(shí)，采用第二曝光光源205，從襯底基板203的下方，通過第二掩膜版206對襯底基板203下方區(qū)域(即第二區(qū)域)進(jìn)行曝光。其中，通過兩側(cè)進(jìn)行曝光時(shí)，兩個(gè)曝光光源照射的區(qū)域(即第一區(qū)域和第二區(qū)域)在襯底基板上的正投影為互相重疊的區(qū)域。

又例如，如圖3所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一掩膜版和第二掩膜版在襯底基板上的正投影部分重疊的結(jié)構(gòu)示意圖；在進(jìn)行曝光時(shí)，第一掩膜版202和第二掩膜版206的相對位置為相互錯(cuò)開的位置，此時(shí)，進(jìn)行曝光的第一區(qū)域和第二區(qū)域在襯底基板上的正投影只有部分重疊。具體的，第一掩膜版202和第二掩膜版206在襯底基板上的正投影如何重疊，以及重疊多少，可以根據(jù)需要制作的膜層圖形(或待曝光膜層的圖形)、以及第一掩膜版和第二掩膜版上的圖形進(jìn)行設(shè)置。

除了上述兩個(gè)掩膜版的位置至少部分重疊的情況外，還可以根據(jù)需要設(shè)置為兩個(gè)掩膜版互不重疊，即第一掩膜版和第二掩膜版在襯底基板上的正投影互不重疊。如圖4所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一掩膜版和第二掩膜版在襯底基板上的正投影互不重疊的結(jié)構(gòu)示意圖。

在具體實(shí)施時(shí)，除了可以根據(jù)需要設(shè)置第一掩膜版和第二掩膜版的相對位置外，還可以根據(jù)需要設(shè)置第一掩膜版和第二掩膜版具體位于襯底基板的哪一側(cè)。較佳的，第一掩膜版和第二掩膜版位于襯底基板的同一側(cè)；或，第一掩膜版和第二掩膜版分別位于襯底基板的不同側(cè)。

為了使曝光光源能夠直接通過掩膜版照射待曝光膜層，減少曝光的時(shí)間。較佳的，第一區(qū)域和第二區(qū)域位于襯底基板的同一側(cè)。如圖5所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一掩膜版和第二掩膜版位于襯底基板的同一側(cè)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中采用第一曝光光源201，從襯底基板203的右側(cè)，通過第一掩膜版202對襯底基板203右側(cè)區(qū)域(即第一區(qū)域)進(jìn)行曝光；同時(shí)，采用第二曝光光源205，從襯底基板203的左側(cè)，通過第二掩膜版206對襯底基板203左側(cè)區(qū)域(即第二區(qū)域)進(jìn)行曝光。

此時(shí)，如圖5中所示，所采用兩個(gè)掩膜版對襯底基版上的投影互不重疊的兩個(gè)區(qū)域進(jìn)行曝光。實(shí)際上，也可以在兩個(gè)掩膜版對襯底基版上的投影部分重疊時(shí)，將兩個(gè)掩膜版設(shè)置在襯底基板的同一側(cè)，具體兩個(gè)掩膜版設(shè)置在哪一側(cè)，可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置。

由于掩膜版的數(shù)量、位置、以及相對位置都可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置，因而曝光光源的數(shù)量和位置也可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置。較佳的，第一掩膜版和第二掩膜版位于襯底基板的同一側(cè)時(shí)，采用至少一個(gè)曝光光源，且至少一個(gè)曝光光源位于第一掩膜版和第二掩膜版所在的一側(cè)；或，第一掩膜版和第二掩膜版分別位于襯底基板的不同側(cè)，采用至少兩個(gè)曝光光源，且至少兩個(gè)曝光光源分別位于襯底基板的不同側(cè)。

在具體實(shí)施時(shí)，第一掩膜版和第二掩膜版位于襯底基板的同一側(cè)時(shí)，采用至少一個(gè)曝光光源，同時(shí)通過設(shè)置在靠近待曝光膜層一側(cè)的掩膜版組合中的第一掩膜版和第二掩膜版，分別對第一區(qū)域和第二區(qū)域?qū)?yīng)的待曝光膜層進(jìn)行曝光，如圖5所示，即將兩個(gè)曝光光源(第一曝光光源201和第二曝光光源205，也可以根據(jù)需要設(shè)置一個(gè)曝光光源)和兩個(gè)掩膜版(第一掩膜版202和第二掩膜版206)分別設(shè)置在襯底基板的同一側(cè)，進(jìn)而對應(yīng)的待曝光膜層上進(jìn)行曝光的第一區(qū)域和第二區(qū)域也位于襯底基板的同一側(cè)。

又或者，第一掩膜版和第二掩膜版分別位于襯底基板的不同側(cè)，在采用第一曝光光源，通過掩膜版組合中的第一掩膜版對襯底基板上第一區(qū)域?qū)?yīng)的待曝光膜層進(jìn)行曝光的同時(shí)，采用第二曝光光源，通過掩膜版組合中的第二掩膜版對襯底基板上第二區(qū)域?qū)?yīng)的待曝光膜層進(jìn)行曝光，如圖2A、圖3、圖4所示，即根據(jù)需要將兩個(gè)曝光光源(第一曝光光源201和第二曝光光源205)和兩個(gè)掩膜版(第一掩膜版202和第二掩膜版206)分別設(shè)置在襯底基板的不同側(cè)，進(jìn)而對應(yīng)的待曝光膜層上進(jìn)行曝光的第一區(qū)域和第二區(qū)域也位于襯底基板的不同側(cè)。

由于本發(fā)明采用了至少兩個(gè)掩膜版，因而可以根據(jù)需要應(yīng)用到混合模式的產(chǎn)品中。同時(shí)，由于在同一掩膜版上制作兩個(gè)不同圖形難度較大，成本較高，因而針對需要在同一待曝光膜層上制作不同的圖形的產(chǎn)品，可以應(yīng)用本發(fā)明的方法，分別在兩個(gè)掩膜版上形成不同的圖形，通過兩個(gè)掩膜版分別對兩個(gè)區(qū)域進(jìn)行曝光，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)在同一待曝光膜層上制作出不同的圖形目的，且兩個(gè)掩膜版還可以復(fù)用到其它需要制作類似圖形的產(chǎn)品中，有效的降低了產(chǎn)品的制作成本。

進(jìn)一步的，為了減少曝光的時(shí)間，本發(fā)明實(shí)施例提供的曝光方法，也可以擴(kuò)展為使用多個(gè)曝光光源和多個(gè)對應(yīng)的掩膜版，而針對掩膜版上的圖形，也可以根據(jù)需要通過調(diào)節(jié)掩膜版和基板之間的距離來調(diào)節(jié)在待曝光膜層上形成的圖形。

基于同一構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例中還提供了一種采用本發(fā)明實(shí)施例提供的上述曝光方法制作的基板，包括：襯底基板，以及位于襯底基板上的黑矩陣層和/或彩膜層；其中，黑矩陣層和/或彩膜層為由本發(fā)明實(shí)施例提供的上述曝光方法形成的。由于該基板解決問題的原理與本發(fā)明實(shí)施例提供的上述曝光方法相似，因此，該基板的實(shí)施可以參見上述曝光方法的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。

基于同一構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例提供還了一種用于制作本發(fā)明實(shí)施例提供的上述基板的曝光裝置，該曝光機(jī)裝置包括：能夠分別在襯底基板不同側(cè)同時(shí)進(jìn)行曝光的第一曝光機(jī)和第二曝光機(jī)。由于該曝光機(jī)裝置解決問題的原理與本發(fā)明實(shí)施例提供的上述基板相似，因此，該曝光機(jī)裝置的實(shí)施可以參見上述基板的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。

如圖2A所示，第一曝光機(jī)通過上側(cè)的第一掩膜版形成X方向的圖形,第二曝光機(jī)通過下側(cè)的第二掩膜版形成Y方向的圖形，從而實(shí)現(xiàn)整張襯底基板的圖形。也可以上側(cè)和下側(cè)各放置一張全部圖形的掩膜版曝光襯底基板的不同區(qū)域?qū)崿F(xiàn)節(jié)拍時(shí)間的大幅降低，提升產(chǎn)能，如圖4所示。

例如，以制作黑矩陣側(cè)為例，通過第一曝光機(jī)中的第一掩膜版形成X側(cè)的黑矩陣邊框圖形，第二曝光機(jī)通過第二掩膜版形成Y側(cè)黑矩陣邊框圖形，經(jīng)過上下側(cè)曝光裝機(jī)的曝光就會(huì)形成完整的黑矩陣邊框圖形。只要分別制作出幾張第一掩膜版和幾張第二掩膜版，形成不同的掩膜版組合，理論上可以形成任意的黑矩陣邊框圖形；這樣新產(chǎn)品制作的時(shí)候就可以通過已有的第一掩膜版和第二掩膜版曝光來實(shí)現(xiàn)，就不必要從新制作新的掩膜版，從而降低成本。第一曝光機(jī)和第二曝光機(jī)的曝光間隙和曝光量也可以單獨(dú)控制提升制作工藝。同理，彩膜層的圖形也可以采用這種辦法實(shí)現(xiàn)，進(jìn)而大大降低新產(chǎn)品開發(fā)的成本。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的曝光方法，采用至少兩個(gè)掩膜版組成的掩膜版組合，對待曝光膜層進(jìn)行曝光，進(jìn)而形成完整的待曝光膜層的圖形；由于本發(fā)明使用了至少兩個(gè)掩膜版拼接成的掩膜版組合，因而可以使用掩膜版組合通過一次曝光形成一個(gè)掩膜版難以形成的圖形，進(jìn)而簡化了膜層圖形的制作；同時(shí)，由于每個(gè)掩膜版可以制作成不同的圖形，因而可以根據(jù)需要將兩個(gè)掩膜版分別復(fù)用到其它不同圖形的產(chǎn)品中，進(jìn)而降低膜層圖形的制作成本。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。