本發(fā)明是有關(guān)于一種導(dǎo)光板及背光組件，且特別是有關(guān)于一種包括微結(jié)構(gòu)的導(dǎo)光板、背光組件及照明裝置。
背景技術(shù)：
：目前的電子裝置多采用平面顯示組件進(jìn)行畫面的顯示，其中又以液晶顯示組件的技術(shù)較為純熟且普及化。然而，由于液晶顯示組件的顯示面板本身無法發(fā)光，故在顯示面板下方具有背光組件以提供顯示畫面所需光線。背光組件主要可分為側(cè)光式背光組件及直下式背光組件。側(cè)光式背光組件是利用導(dǎo)光板將配置于導(dǎo)光板入光側(cè)面的光源所發(fā)出的光線導(dǎo)向?qū)Ч獍宓某龉饷?，藉以形成面光源。一般而言，可通過圖案轉(zhuǎn)印等方式在導(dǎo)光板的表面形成光學(xué)微結(jié)構(gòu)，以提高導(dǎo)光板的出光均勻度及亮度。因此，導(dǎo)光板的光學(xué)微結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)攸關(guān)背光組件的出光效率及品質(zhì)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明提供一種導(dǎo)光板，可使背光組件具有良好的出光均勻度及亮度。本發(fā)明提供一種背光組件，具有良好的出光均勻度及亮度。本發(fā)明提供一種照明裝置，具有良好的出光均勻度及亮度。本發(fā)明的導(dǎo)光板包括一板體、多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)及多個(gè)第二微結(jié)構(gòu)。板體具有相對(duì)的一第一表面及一第二表面。各第一微結(jié)構(gòu)形成于板體的第一表面，其中各第一微結(jié)構(gòu)呈凹狀且具有一開口端及一曲面。開口端位于第一表面，曲面包括一第一區(qū)段、一第二區(qū)段及一反曲點(diǎn)，第一區(qū)段位于開口端與第二區(qū)段之間并與第二區(qū)段交接于反曲點(diǎn)。經(jīng)過第二區(qū)段的任一點(diǎn)的切線斜率的絕對(duì)值大于經(jīng)過第一區(qū)段的任一點(diǎn)的切線斜率的絕對(duì)值。各第一微結(jié)構(gòu)在開口端的直徑等于D1，各第一微結(jié)構(gòu)在第一區(qū)段與第二區(qū)段交界處的內(nèi)徑等于D2，且D2/D1介于0.05與0.5之間。這些第二微結(jié)構(gòu)形成于板體的第二表面， 其中這些第二微結(jié)構(gòu)的節(jié)距(pitch)為50～400μm。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各第一微結(jié)構(gòu)在第一區(qū)段與第二區(qū)段交界處的內(nèi)徑小于各第一微結(jié)構(gòu)在開口端的直徑。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各第一微結(jié)構(gòu)具有一底端，曲面位于開口端與底端之間，開口端與底端之間的距離等于H1，反曲點(diǎn)與底端之間的距離等于H2，H2/H1介于0.1與0.5之間。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第二表面為導(dǎo)光板的出光面。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各第二微結(jié)構(gòu)為透鏡結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的導(dǎo)光板包括一板體、多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)及多個(gè)第二微結(jié)構(gòu)。板體具有相對(duì)的一第一表面及一第二表面。各第一微結(jié)構(gòu)形成于板體的第一表面，其中各第一微結(jié)構(gòu)呈凹狀且具有一開口端及一曲面。開口端位于第一表面，曲面包括一第一區(qū)段、一第二區(qū)段及一交界線，第一區(qū)段位于開口端與第二區(qū)段之間并與第二區(qū)段交接于交界線。經(jīng)過第二區(qū)段的任一點(diǎn)的切線斜率的絕對(duì)值大于經(jīng)過第一區(qū)段的任一點(diǎn)的切線斜率的絕對(duì)值。各第一微結(jié)構(gòu)在開口端的直徑等于D1，各第一微結(jié)構(gòu)在第一區(qū)段與第二區(qū)段交界處的內(nèi)徑等于D2，且D2/D1介于0.05與0.5之間。這些第二微結(jié)構(gòu)形成于板體的第二表面，其中這些第二微結(jié)構(gòu)的節(jié)距為50～400μm。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的曲面還包含一反曲點(diǎn)，反曲點(diǎn)位于交界線上。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的交界線的內(nèi)徑小于微結(jié)構(gòu)在開口端的直徑。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各第一微結(jié)構(gòu)具有一底端，曲面位于開口端與底端之間，開口端與底端之間的距離等于H1，交界線與底端之間的距離等于H2，H2/H1介于0.1與0.5之間。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各第二微結(jié)構(gòu)為透鏡結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的背光組件包括上述的導(dǎo)光板及一光源。光源位于導(dǎo)光板的一側(cè)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的背光組件還包含一反射片，第一表面為導(dǎo)光板靠近反射片的表面。本發(fā)明的照明裝置包括上述的導(dǎo)光板及一光源。光源位于導(dǎo)光板的一側(cè)?；谏鲜?，在本發(fā)明的導(dǎo)光板中，板體的第一表面具有多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)， 各第一微結(jié)構(gòu)的第一區(qū)段及第二區(qū)段分別具有較小的切線斜率及較大的切線斜率。藉此，當(dāng)光線以各種入射角從導(dǎo)光板內(nèi)部入射至凹狀微結(jié)構(gòu)時(shí)，具有不同切線斜率的第一區(qū)段及第二區(qū)段能夠更有效地破壞具有各種入射角的光線的全反射，進(jìn)而提升背光組件的出光均勻度及亮度。此外，本發(fā)明的板體還在其第二表面具有多個(gè)第二微結(jié)構(gòu)，以通過第一微結(jié)構(gòu)與第二微結(jié)構(gòu)的共同作用來進(jìn)一步提升所述出光均勻度及亮度。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。附圖說明圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的背光組件的示意圖；圖2是圖1的導(dǎo)光板的俯視圖；圖3是圖2沿A-A’的局部剖面圖；圖4是圖1的導(dǎo)光板的示意圖。附圖標(biāo)記說明：100：背光組件；110：導(dǎo)光板；112：板體；112a：第一表面；112b：第二表面；112c：入光側(cè)面；114：第一微結(jié)構(gòu)；114a：開口端；114b：曲面；114c：底端；116：第二微結(jié)構(gòu)；120：光源；122：基板；124：發(fā)光單元；130：反射片；140：框架；142：容置空間；D1：直徑；D2：內(nèi)徑；H1、H2：距離；S1：第一區(qū)段；S2：第二區(qū)段；P1、P2：位置；P3：反曲點(diǎn)；L1：交界線。具體實(shí)施方式圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的背光組件的示意圖。圖2是圖1的導(dǎo)光板的俯視圖。圖3是圖2沿A-A’的局部剖面圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖1及圖2，本實(shí)施例的背光組件100例如為適用于平面顯示組件的側(cè)光式背光組件，其包括一導(dǎo)光板110、一光源120、一反射片130及一框架140?？蚣芏x一容置空間142，導(dǎo)光板110、光源120及反射片130位于容置空間142內(nèi)，導(dǎo)光板110置于反射片130的上方。導(dǎo)光板110包括一板體112及多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)114。第一微結(jié)構(gòu)114形成于板體112的一第一表面112a，第一表面112a例如為板體112的一背面，也即為導(dǎo)光板110靠近反射片130的一面，所述板體112具有一相對(duì)于第一表面112a的一第二表面112b，第二表面112b為導(dǎo)光板110的出光面。光源120位于導(dǎo)光板110的一側(cè)，朝向板體112的一入光側(cè)面112c，入光側(cè)面112c夾接于第一表面112a與第二表面112b。光源120包括基板122及發(fā)光單元124，發(fā)光單元124例如為發(fā)光二極管(lightemittingdiode，LED)元件或其它種類的發(fā)光元件且配置于基板122上。發(fā)光單元124發(fā)出的光線進(jìn)入導(dǎo)光板110后經(jīng)由導(dǎo)光板110的導(dǎo)引而從第二表面112b出光，藉以形成面光源。請(qǐng)參考圖2，第一微結(jié)構(gòu)114，例如為多個(gè)分布在導(dǎo)光板110的板體112的第一表面112a上，其排列密度沿遠(yuǎn)離光源120的方向漸增，然本發(fā)明并不對(duì)此加以限制，也可使這些第一微結(jié)構(gòu)114均布于第一表面112a。請(qǐng)同時(shí)參考圖2及圖3，第一微結(jié)構(gòu)114呈凹狀且具有一開口端114a、一曲面114b及一底端114c。開口端114a位于板體112的第一表面112a，曲面114b位于開口端114a與底端114c之間且包括一第一區(qū)段S1、一第二區(qū)段S2及一反曲點(diǎn)，第一區(qū)段S1位于開口端114a與第二區(qū)段S2之間并與第二區(qū)段S2交接于交界線L1，反曲點(diǎn)P3位于交界線L1上。經(jīng)過第二區(qū)段S2的任一點(diǎn)的切線斜率的絕對(duì)值大于經(jīng)過第一區(qū)段S1的任一點(diǎn)的切線斜率的絕對(duì)值。舉例來說，第二區(qū)段S2內(nèi)的位置P2的切線斜率的絕對(duì)值大于第一區(qū)段S1內(nèi)的位置P1的切線斜率的絕對(duì)值。在此對(duì)上述斜率的定義為：平行于第一表面112a的直線的斜率為0，而垂直于第一表面112a的直線的斜率為無限大。藉此，當(dāng)光線以各種入射角從導(dǎo)光板110內(nèi)部入射至凹狀微結(jié)構(gòu)114時(shí)，具有不同切線斜率的第一區(qū)段S1及第二區(qū)段S2能夠更有效地破壞具有各種入射角的光線的全反射，進(jìn)而提升背光組件100的出光均勻度及亮度。請(qǐng)同時(shí)參考圖2及圖3，本實(shí)施例的第一微結(jié)構(gòu)114的俯視圖例如呈圓形，側(cè)剖面例如為V狀。第一微結(jié)構(gòu)114在開口端114a的直徑等于D1，第一微結(jié)構(gòu)114在交界線L1的內(nèi)徑等于D2，內(nèi)徑D2小于直徑D1。在一實(shí)施例中，直徑D1為70μm～250μm，較佳為100μm～250μm，內(nèi)徑D2為12.5μm～35μm，較佳為20μm～35μm且D2/D1的比值范圍為0.05～0.5，較佳為0.1～0.3。開口端114a與底端114c之間的距離等于H1，交界線L1與底端114c之間的距離等于H2，H2<H1。在一實(shí)施例中，H1為20μm～30μm，較佳為23μm～29μm，H2為3μm～10μm，較佳為5μm～9μm且H2/H1的比值范圍為0.1～0.5，較佳為0.2～0.4。圖4是圖1的導(dǎo)光板的示意圖。請(qǐng)參考圖4，本實(shí)施例的導(dǎo)光板110還包括多個(gè)第二微結(jié)構(gòu)116。各第二微結(jié)構(gòu)116例如是透鏡結(jié)構(gòu)且形成于板體112的第二表面112b，其中這些第二微結(jié)構(gòu)的節(jié)距(pitch)為50～400μm，在此節(jié)距可定義為俯視第二微結(jié)構(gòu)116時(shí)相鄰兩底點(diǎn)距離，且第二微結(jié)構(gòu)的高度/節(jié)距的比值范圍為0.02～0.4，較佳為0.04～0.3。如圖4所示，本實(shí)施例的各第二微結(jié)構(gòu)116為半突圓狀，然本發(fā)明不以此為限。在其他實(shí)施例中，各第二微結(jié)構(gòu)116可為棱柱、角柱等適當(dāng)形狀的突狀結(jié)構(gòu)。通過第一微結(jié)構(gòu)114與第二微結(jié)構(gòu)116的共同作用，可進(jìn)一步提升背光組件100的出光均勻度及亮 度。在一實(shí)施例中，第一微結(jié)構(gòu)114及第二微結(jié)構(gòu)116的成型方式，例如是射出成型、壓模(stamper)轉(zhuǎn)寫成型或是滾輪(roller)轉(zhuǎn)寫成型，然本發(fā)明并不以此為限。在一實(shí)施例中，例如是以壓模轉(zhuǎn)寫方式形成第一微結(jié)構(gòu)114及第二微結(jié)構(gòu)116。具體而言，可利用一壓模對(duì)基材的一表面進(jìn)行加溫加壓，以在所述表面形成第一微結(jié)構(gòu)114，待基材冷卻后再利用相同方式在基材的另一表面形成第二微結(jié)構(gòu)116。在另一實(shí)施例中，也可以滾輪轉(zhuǎn)寫方式形成第一微結(jié)構(gòu)114及第二微結(jié)構(gòu)116，例如是可先以單一種類的樹脂形成一單層體或以兩不同種類的樹脂共同形成一積層體，然后在特定的溫度下以滾輪將第一微結(jié)構(gòu)114的形狀轉(zhuǎn)寫于所述單層體或積層體的一表面，待所述單層體或積層體稍待冷卻后再利用相同方式將第二微結(jié)構(gòu)116的形狀轉(zhuǎn)寫于所述單層體或積層體的另一表面。此外，也可通過兩具有不同轉(zhuǎn)寫結(jié)構(gòu)的滾輪同時(shí)滾壓所述單層體或積層體的兩表面，以同時(shí)形成第一微結(jié)構(gòu)114及第二微結(jié)構(gòu)116。下表為背光組件平均亮度的模擬數(shù)值，其中實(shí)驗(yàn)例1～6為采用本發(fā)明具有相同D1、D2、H2、H1數(shù)值(D1＝150μm，D2＝20μm，H1＝20μm，H2＝5μm)的第一微結(jié)構(gòu)，并分別采用具有高度/節(jié)距比值為0.23的不同節(jié)距的第二微結(jié)構(gòu)的光學(xué)模擬數(shù)據(jù)，而比較例則為僅采用本發(fā)明具上述數(shù)值的第一微結(jié)構(gòu)且未采用本發(fā)明的第二微結(jié)構(gòu)的光學(xué)模擬數(shù)據(jù)。表一如表一所示，實(shí)驗(yàn)例1～6的平均亮度皆高于比較例的平均亮度，故相較于導(dǎo)光板僅單一表面具有所述第一微結(jié)構(gòu)，在導(dǎo)光板的相對(duì)兩表面分別具有所述第一微結(jié)構(gòu)及第二微結(jié)構(gòu)的情況下，背光組件具有較佳的出光品質(zhì)。表二為導(dǎo)光板收光率的模擬數(shù)值，其中實(shí)驗(yàn)例1～4與比較例1～2為采用本發(fā)明具有相同D1、D2、H2、H1數(shù)值(D1＝150μm，D2＝20μm，H1＝20μm，H2＝5μm)的第一微結(jié)構(gòu)及高度/節(jié)距比值為0.23的第二微結(jié)構(gòu)的不同厚度的導(dǎo)光板的光學(xué)模擬數(shù)據(jù)。收光率為導(dǎo)光板的光源對(duì)應(yīng)區(qū)域的中心亮度與遠(yuǎn)離光源區(qū)域的中心亮度的比值，數(shù)值越大表示兩個(gè)區(qū)域的亮度差異小，即收光效果差；數(shù)值越小表示兩個(gè)區(qū)域的亮度差異大，即收光效果佳。表二厚度(mm)收光率比較例150.54比較例20.50.05實(shí)驗(yàn)例140.48實(shí)驗(yàn)例230.41實(shí)驗(yàn)例320.39實(shí)驗(yàn)例41.50.2如表二所示，實(shí)驗(yàn)例1～4的收光率皆可在不影響其出光均勻度的前提下提升導(dǎo)光板亮度。比較例1的導(dǎo)光板厚度較實(shí)驗(yàn)例1～4厚，雖其收光率在可接受的范圍內(nèi)，但因其厚度厚而將導(dǎo)致于轉(zhuǎn)寫成型時(shí)第一微結(jié)構(gòu)與第二微結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)寫率差，而使得導(dǎo)光板的生產(chǎn)良率差，且又因?qū)Ч獍搴穸群?，將使背光組件的整體厚度變厚且重量變重；比較例2導(dǎo)光板厚度較實(shí)驗(yàn)例1～4薄，雖收光率佳，但會(huì)因厚度太薄而導(dǎo)致生產(chǎn)時(shí)因材料冷卻速度太快而導(dǎo)致于轉(zhuǎn)寫成型時(shí)第一微結(jié)構(gòu)與第二微結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)寫率差，也會(huì)影響導(dǎo)光板的生產(chǎn)良率。因此,導(dǎo)光板的厚度范圍在大于0.5mm至小于5mm內(nèi)時(shí)可兼具光學(xué)效果及生 產(chǎn)良率。在一實(shí)施例中，本發(fā)明的導(dǎo)光板可應(yīng)用于照明裝置。照明裝置包含一導(dǎo)光板與一光源，且光源位于導(dǎo)光板的一側(cè)。導(dǎo)光板具有第二微結(jié)構(gòu)116的第二表面112b為照明裝置的出光面。本發(fā)明的照明裝置也可還包含一反射片，配置于鄰近導(dǎo)光板的第一表面112a。即在照明裝置中，導(dǎo)光板、光源與反射片的配置關(guān)系如同應(yīng)用于背光組件中的配置。綜上所述，在本發(fā)明的導(dǎo)光板中，板體的第一表面具有多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)，各第一微結(jié)構(gòu)的第一區(qū)段及第二區(qū)段分別具有較小的切線斜率及較大的切線斜率。藉此，當(dāng)光線以各種入射角從導(dǎo)光板內(nèi)部入射至凹狀微結(jié)構(gòu)時(shí)，具有不同切線斜率的第一區(qū)段及第二區(qū)段能夠更有效地破壞具有各種入射角的光線的全反射，進(jìn)而提升背光組件的出光均勻度及亮度。此外，本發(fā)明的板體還在其第二表面具有多個(gè)第二微結(jié)構(gòu)，以通過第一微結(jié)構(gòu)與第二微結(jié)構(gòu)的共同作用來進(jìn)一步提升所述出光均勻度及亮度。最后應(yīng)說明的是：以上各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3