技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種輔助圖形的形成方法，包括：提供待刻蝕圖形，包括若干主圖形；根據(jù)待刻蝕圖形內(nèi)的主圖形的分布密度，在待刻蝕圖形內(nèi)設(shè)置初始輔助圖形；根據(jù)待進(jìn)行的光刻工藝的參數(shù)信息，建立光學(xué)模型；通過(guò)光學(xué)模型進(jìn)行光學(xué)模擬，獲得光刻過(guò)程中透過(guò)所述初始輔助圖形到達(dá)光刻膠時(shí)的模擬光強(qiáng)值；若模擬光強(qiáng)值的最大值小于曝光臨界值，則完成輔助圖形的設(shè)置；若模擬光強(qiáng)值的最大值大于或等于曝光臨界值，則減小所述初始輔助圖形的寬度，直至獲得的模擬光強(qiáng)值小于曝光臨界值，完成輔助圖形的設(shè)置。上述方法不需要再對(duì)設(shè)置好的輔助圖形進(jìn)行芯片驗(yàn)證，從而可以節(jié)約芯片驗(yàn)證時(shí)間，并且可以確保所述輔助圖形在實(shí)際光刻過(guò)程中，不會(huì)出現(xiàn)在光刻膠上。

技術(shù)研發(fā)人員：楊青
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.06
技術(shù)公布日：2017.07.14