本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種輔助圖形的形成方法。

背景技術(shù)：

隨著集成電路生產(chǎn)工藝的發(fā)展，半導(dǎo)體器件的特征尺寸不斷縮小，設(shè)計(jì)的規(guī)模也不斷擴(kuò)大，這就使得半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)的復(fù)雜度越來(lái)越高。當(dāng)特征尺寸接近光刻系統(tǒng)的理論分辨率極限時(shí)，光刻后在晶圓上所成的像將產(chǎn)生明顯的畸變，從而導(dǎo)致光刻質(zhì)量的嚴(yán)重下降。為了解決這一問(wèn)題，業(yè)界提出并采用了分辨率增強(qiáng)技術(shù)，其中主要包括了離軸照明、光學(xué)鄰近校正、移相掩模、次分辨率輔助圖形(sraf)等校正方法。

其中，次分辨率輔助圖形(sraf)技術(shù)通過(guò)在掩模中加入位于主圖形周邊的次分辨率輔助圖形，減小不同主圖形由于衍射效應(yīng)的不同所產(chǎn)生的成像偏差，改善圖形頻譜中各種頻率成分的能量和位相分布，有效地調(diào)整空間像的光強(qiáng)分布，而不會(huì)在光刻膠上形成圖形，能起到改善線寬偏差，強(qiáng)化邊角輪廓和增加曝光焦深的作用。具體來(lái)說(shuō)，由于采用具有一定間距和周期的圖形優(yōu)化了照明的角度，提高了工藝窗口，但是衍射效應(yīng)的存在，使得不同主圖形所成的像存在偏差。例如，當(dāng)掩模板上的主圖形間距越小，衍射光線離開掩模板的出射角度就越大，而具有較大角度的衍射光線在傳輸?shù)倪^(guò)程中將會(huì)被削弱，因此，對(duì)于掩模板上的一組密集線所成的像與一條孤立線或半孤立線而言，兩者所成的像存在很大的差異。sraf技術(shù)可通過(guò)在掩模圖形的孤立線或者半孤立線附近放置較小的次分辨率輔助圖形，對(duì)原始的孤立線或者半孤立線的衍射產(chǎn)生影響，使其與密集線產(chǎn)生了相同的傳輸特性，從而降低孤立線和半孤立線所產(chǎn)生的偏差。

而如何使得次分辨率輔助圖形在輔助成像的同時(shí)，能夠不在光刻膠上形成圖形，這是最為重要的一點(diǎn)?，F(xiàn)有技術(shù)中，隨著工藝節(jié)點(diǎn)的不斷減小，圖形尺寸不斷接近光刻機(jī)臺(tái)的能力極限，工藝窗口越來(lái)越小，按照傳統(tǒng)的簡(jiǎn)單規(guī)則加入sraf已經(jīng)不能滿足嚴(yán)苛的工藝窗口要求。并且，現(xiàn)有技術(shù)在采用一 定的規(guī)則在主圖形中加入次分辨率輔助圖形后需要進(jìn)行芯片驗(yàn)證，在晶圓上對(duì)圖形進(jìn)行曝光顯影，以判斷加入的輔助圖形是否能夠在光刻膠上形成圖案。若該次分辨率輔助圖形在光刻膠上能夠形成圖案，則需要對(duì)所述次分辨率輔助圖形進(jìn)行調(diào)整，然后再進(jìn)行芯片驗(yàn)證，直到所述次分辨率輔助圖形無(wú)法在光刻膠上形成圖案。

現(xiàn)有形成次分辨率輔助圖形的方法工藝窗口較小，容易在光刻膠上形成圖案，并且需要耗費(fèi)大量的驗(yàn)證時(shí)間。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種輔助圖形的形成方法，避免在光刻過(guò)程中，在光刻膠上形成所述輔助圖形的圖案，從而不需要對(duì)所述輔助圖形是否能夠曝光成像進(jìn)行芯片驗(yàn)證。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種輔助圖形的形成方法，包括：提供待刻蝕圖形，所述待刻蝕圖形包括若干主圖形；根據(jù)待刻蝕圖形內(nèi)的主圖形的分布密度，在所述待刻蝕圖形內(nèi)設(shè)置初始輔助圖形；根據(jù)待進(jìn)行的光刻工藝的參數(shù)信息，建立光學(xué)模型；以所述待刻蝕圖形和初始輔助圖形作為光刻掩膜圖形，通過(guò)所述光學(xué)模型進(jìn)行光學(xué)模擬，獲得光刻過(guò)程中透過(guò)所述初始輔助圖形到達(dá)光刻膠時(shí)的模擬光強(qiáng)值；若所述模擬光強(qiáng)值的最大值小于曝光臨界值，則完成輔助圖形的設(shè)置，所述曝光臨界值是在光刻膠上形成圖案的最小光強(qiáng)；若所述模擬光強(qiáng)值的最大值大于或等于曝光臨界值，則減小所述初始輔助圖形的寬度，直至獲得的模擬光強(qiáng)值小于曝光臨界值，完成輔助圖形的設(shè)置。

可選的，所述初始輔助圖形為矩形。

可選的，曝光臨界值的獲取方法包括：在所述待進(jìn)行的光刻工藝條件下，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，在光刻膠上形成圖案，測(cè)量所述光刻膠在圖案邊緣處接受到的光強(qiáng)，即為所述曝光臨界值。

可選的，待進(jìn)行的光刻工藝的參數(shù)信息包括：光源形狀、光源尺寸、光源的光強(qiáng)、光刻膠材料和光刻膠厚度。

可選的，減小所述初始輔助圖形的寬度，直至獲得的模擬光強(qiáng)值小于曝 光臨界值的方法包括：將所述初始輔助圖形的寬度減小設(shè)定值后，繼續(xù)進(jìn)行所述光學(xué)模擬，獲得模擬光強(qiáng)值；若模擬光強(qiáng)值仍然大于或等于曝光臨界值，則繼續(xù)將所述初始輔助圖形的寬度減小一設(shè)定值，再進(jìn)行光學(xué)模擬；多次循環(huán)后，直至獲得的模擬光強(qiáng)值小于曝光臨界值。

可選的，減小所述初始輔助圖形的寬度的方法包括：標(biāo)記所述初始輔助圖形的兩條長(zhǎng)邊，將兩條長(zhǎng)邊同時(shí)移動(dòng)相同距離，使所述初始輔助圖形的寬度減小。

可選的，所述設(shè)定值為0.1nm～2nm。

可選的，還包括：在設(shè)置初始輔助圖形之前，對(duì)所述主圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正。

可選的，若所述模擬光強(qiáng)值的最大值大于或等于曝光臨界值時(shí)，還包括：在減小所述初始輔助圖形的寬度后，重新對(duì)主圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正，然后再進(jìn)行光學(xué)模擬。

可選的，還包括：完成初始輔助圖形的設(shè)置后，獲得修正后圖形，所述修正后圖形包括光學(xué)鄰近修正后的主圖形、輔助圖形；以所述修正后圖形作為掩膜圖形進(jìn)行光刻，對(duì)所述修正后圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正的驗(yàn)證。

可選的，還包括：若所述光學(xué)鄰近修正的驗(yàn)證中，獲得的光刻圖形沒有錯(cuò)誤，則輸出所述掩膜圖形；若獲得的光刻圖形出現(xiàn)錯(cuò)誤，則根據(jù)所述錯(cuò)誤的數(shù)量，對(duì)主圖形重新進(jìn)行光學(xué)修正以及設(shè)置輔助圖形，直至光學(xué)鄰近修正驗(yàn)證中獲得的光刻圖形沒有錯(cuò)誤；或者若獲得的光刻圖形出現(xiàn)錯(cuò)誤，則根據(jù)所述錯(cuò)誤的數(shù)量對(duì)修正后圖形進(jìn)行修復(fù)，直至光學(xué)鄰近修正驗(yàn)證中獲得的光刻圖形沒有錯(cuò)誤。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明的技術(shù)方案中，在設(shè)置初始圖形之后，通過(guò)光學(xué)模擬，獲得光刻過(guò)程中透過(guò)所述初始輔助圖形到達(dá)光刻膠時(shí)的模擬光強(qiáng)值，若所述模擬光強(qiáng)值的最大值小于曝光臨界值，則完成輔助圖形的設(shè)置，所述曝光臨界值是在光刻膠上形成圖案的最小光強(qiáng)；若所述模擬光強(qiáng)值的最大值大于或等于曝光臨界值，則減小所述初始輔助圖形的寬度，直至獲得的模擬光強(qiáng)值小于曝光 臨界值，完成輔助圖形的設(shè)置。上述方法不需要再對(duì)設(shè)置好的輔助圖形進(jìn)行芯片驗(yàn)證，從而可以節(jié)約芯片驗(yàn)證時(shí)間，并且可以確保所述輔助圖形在實(shí)際光刻過(guò)程中，不會(huì)出現(xiàn)在光刻膠上。

進(jìn)一步，在提供所述待刻蝕圖形之后，首先對(duì)所述待刻蝕圖形內(nèi)的主圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正(opc)，然后再形成輔助圖形。所述輔助圖形的形成與光學(xué)鄰近修正(opc)同時(shí)進(jìn)行。在后續(xù)的芯片驗(yàn)證中，只需要進(jìn)行opc驗(yàn)證，不需要考慮輔助圖形是否會(huì)在光刻膠上形成圖形，從而可以節(jié)約芯片驗(yàn)證的時(shí)間，并且不會(huì)影響對(duì)主圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正的質(zhì)量，而且可以確保在光刻過(guò)程中，光刻膠上不會(huì)出現(xiàn)輔助圖形的圖案。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的實(shí)施例的輔助圖形的形成過(guò)程的流程示意圖；

圖2至圖3、圖10至圖11是本發(fā)明的實(shí)施例的輔助圖形的形成過(guò)程的示意圖；

圖4為本發(fā)明的實(shí)施例中獲得曝光臨界值采用的掩膜圖形的示意圖；

圖5為本發(fā)明的實(shí)施例中對(duì)掩膜圖形進(jìn)行曝光顯影后，在光刻膠上獲得的曝光圖形；

圖6為本發(fā)明的實(shí)施例中在對(duì)掩膜圖形進(jìn)行曝光過(guò)程中，光刻膠上各個(gè)位置處接收到的光強(qiáng)曲線。

圖7為本發(fā)明的實(shí)施例中另一掩膜圖形示意圖；

圖8為本發(fā)明的實(shí)施例中對(duì)另一掩膜圖形進(jìn)行曝光顯影后，在光刻膠上獲得的曝光圖形；

圖9為本發(fā)明的實(shí)施例中對(duì)另一掩膜圖形進(jìn)行曝光過(guò)程中，光刻膠上各個(gè)位置處接收到的光強(qiáng)曲線。

具體實(shí)施方式

如背景技術(shù)中所述，現(xiàn)有技術(shù)形成輔助圖形后，需要進(jìn)行芯片驗(yàn)證，以判斷加入的輔助圖形是否能夠在光刻膠上形成圖案；到所述次分辨率輔助圖形無(wú)法在光刻膠上形成圖案；若該次分辨率輔助圖形在光刻膠上能夠形成圖 案，則需要對(duì)所述次分辨率輔助圖形進(jìn)行調(diào)整，然后再進(jìn)行芯片驗(yàn)證，直到所述次分辨率輔助圖形無(wú)法在光刻膠上形成圖案，需要耗費(fèi)大量的芯片驗(yàn)證時(shí)間。

本發(fā)明的實(shí)施例中，通過(guò)光學(xué)模擬，獲得光刻過(guò)程中透過(guò)所述初始輔助圖形到達(dá)光刻膠時(shí)的模擬光強(qiáng)值，若所述模擬光強(qiáng)值的最大值小于曝光臨界值，則完成輔助圖形的設(shè)置，所述曝光臨界值是在光刻膠上形成圖案的最小光強(qiáng)；若所述模擬光強(qiáng)值的最大值大于或等于曝光臨界值，則減小所述初始輔助圖形的寬度，直至獲得的模擬光強(qiáng)值小于曝光臨界值，完成輔助圖形的設(shè)置。不需要再對(duì)設(shè)置好的輔助圖形進(jìn)行芯片驗(yàn)證。

請(qǐng)參考圖1，本實(shí)施例的輔助圖形的形成方法包括如下步驟：步驟s01：提供待刻蝕圖形；步驟s02：根據(jù)待刻蝕圖形內(nèi)的主圖形的分布密度，在所述待刻蝕圖形內(nèi)設(shè)置初始輔助圖形；步驟s03：根據(jù)待進(jìn)行的光刻工藝的參數(shù)信息，建立光學(xué)模型；步驟s04：以所述待刻蝕圖形和初始輔助圖形作為光刻掩膜圖形，通過(guò)所述光學(xué)模型進(jìn)行光學(xué)模擬，獲得光刻過(guò)程中透過(guò)所述初始輔助圖形到達(dá)光刻膠時(shí)的模擬光強(qiáng)值；步驟s05：判斷模擬光強(qiáng)值是否小于曝光臨界值；若所述模擬光強(qiáng)值的最大值小于曝光臨界值，則執(zhí)行步驟s05：完成輔助圖形的設(shè)置；若所述模擬光強(qiáng)值的最大值大于或等于曝光臨界值，則執(zhí)行步驟s06：減小所述初始輔助圖形的寬度；然后繼續(xù)執(zhí)行s04，直至所述模擬光強(qiáng)值的最大值小于曝光臨界值，完成輔助圖形的設(shè)置。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說(shuō)明。

請(qǐng)參考圖2，執(zhí)行步驟s01，提供待刻蝕圖形100，所述待刻蝕圖形100包括若干主圖形101。

所述待刻蝕圖形100是在光刻過(guò)程中，需要在光刻膠上形成的圖形。本實(shí)施例中，所述待刻蝕圖形100包括兩個(gè)矩形的主圖形101，以此為示例。本實(shí)施例中，所述主圖形101為矩形；在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述主圖形101還可以是其他形狀。在實(shí)際的待刻蝕圖形100中，包括多個(gè)主圖形，且不同區(qū)域內(nèi)的主圖形具有不同的分布密度。

請(qǐng)參考圖3，執(zhí)行步驟s01，根據(jù)待刻蝕圖形100內(nèi)的主圖形101的分布 密度，在所述待刻蝕圖形內(nèi)設(shè)置初始輔助圖形102。

在實(shí)際光刻過(guò)程中，在光刻膠上形成的圖形受到待刻蝕圖形100內(nèi)的主圖形分布密度影響，需要在圖形密度較小的區(qū)域加入初始輔助圖形，以提高所述待刻蝕圖形100內(nèi)的圖形分布均勻性。本實(shí)施例中，所選取的待刻蝕圖形100為圖形密度較小區(qū)域，根據(jù)初始輔助圖形的添加規(guī)則，在所述待刻蝕圖形100內(nèi)設(shè)置初始輔助圖形102。

所述初始輔助圖形102的設(shè)置需要考慮的參數(shù)包括初始輔助圖形102的長(zhǎng)度、初始輔助圖形102的寬度、初始輔助圖形102距離主圖形101的距離、相鄰初始輔助圖形之間的距離等。所述初始輔助圖形102可位于每個(gè)主圖形101的各個(gè)邊緣。出于輔助圖形的設(shè)計(jì)目的，在設(shè)置所述初始輔助圖形102時(shí)需要考慮到，一方面通過(guò)所述初始輔助圖形102的尺寸大小、數(shù)量和放置位置等以實(shí)現(xiàn)其對(duì)主圖形101在光刻過(guò)程中的光學(xué)分辨率的提高，另一方面所述初始輔助圖形102不能出現(xiàn)在曝光后的晶圓上。具體來(lái)說(shuō)，可根據(jù)現(xiàn)有設(shè)計(jì)規(guī)則，對(duì)所述初始輔助圖形參數(shù)進(jìn)行計(jì)算，在待刻蝕圖形內(nèi)的合適位置，設(shè)置合適的初始輔助圖形102。

本實(shí)施例中，在所述兩個(gè)主圖形101之間設(shè)置一長(zhǎng)條狀的矩形的初始輔助圖形102。

按照一般的規(guī)則，將所述初始輔助圖形102設(shè)置好后，需要對(duì)所述設(shè)置有初始輔助圖形102的待刻蝕圖形進(jìn)行光學(xué)模擬，以獲得光刻過(guò)程中透過(guò)所述初始輔助圖形到達(dá)光刻膠時(shí)的模擬光強(qiáng)值，將所述模擬光強(qiáng)值與曝光臨界值進(jìn)行比較來(lái)判斷所述初始輔助圖形在實(shí)際光刻過(guò)程中，能否在光刻膠層上形成圖案。

在半導(dǎo)體制作工藝的光刻過(guò)程中，光源通過(guò)掩膜板照射到光刻膠薄膜上所述光刻膠在光照作用下，化學(xué)性能會(huì)發(fā)生變化，再通過(guò)顯影處理，在光刻膠上留下圖案。而只有光刻膠接受到的光強(qiáng)值大于臨界值，才能使得被照射區(qū)域的化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化，而該臨界值即為本實(shí)施例中的曝光臨界值。當(dāng)光刻膠受到的光強(qiáng)大于或等于所述曝光臨界值，則被照射處的光刻膠化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化，在顯影過(guò)程中，就能在光刻膠上形成圖案；若光刻膠受到的光強(qiáng) 小于所述曝光臨界值，則被照射處的光刻膠化學(xué)性質(zhì)不會(huì)發(fā)生變化，在顯影過(guò)程中，就不能在光刻膠上形成圖案。

所以，如果加入的初始輔助圖形在掩膜版上透過(guò)的光強(qiáng)小于曝光臨界值，則該初始輔助圖形就不會(huì)在光刻膠薄膜上形成圖案，可以作為最終的輔助圖形；而如果加入的初始輔助圖形在掩膜版上透過(guò)的光強(qiáng)大于或等于曝光臨界值，則該初始輔助圖形就會(huì)在光刻膠薄膜上形成圖案，此時(shí)需要對(duì)所述初始輔助圖形進(jìn)行調(diào)整。

所述曝光臨界值，受到光刻膠材料、光源類型、曝光時(shí)間等影響，所以，不同光刻工藝通常具有不同的曝光臨界值。

所述曝光臨界值需要通過(guò)在晶圓上進(jìn)行實(shí)際曝光顯影來(lái)獲得，在所述待進(jìn)行的光刻工藝條件下，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，在光刻膠上形成圖案，測(cè)量所述光刻膠在圖案邊緣處接受到的光強(qiáng)，即為所述曝光臨界值。

請(qǐng)參考圖4至圖6，圖4為本發(fā)明的實(shí)施例中為了獲得曝光臨界值采用的掩膜圖形；圖5為本發(fā)明的實(shí)施例中，對(duì)所述掩膜圖形采用實(shí)際工藝中采用的光刻工藝進(jìn)行曝光顯影后，在光刻膠上獲得的曝光圖形；圖6為在進(jìn)行曝光過(guò)程中，光刻膠上各個(gè)位置處接收到的光強(qiáng)曲線。圖6中對(duì)應(yīng)圖4曝光圖形邊緣處的光強(qiáng)即為曝光臨界值?？梢妶D4中，透過(guò)掩膜圖形中的各個(gè)圖形，到達(dá)光刻膠薄膜的最大光強(qiáng)值，均大于所述曝光臨界值，從而，掩膜圖形中的各個(gè)圖形，均能夠在光刻膠上形成曝光圖形。

請(qǐng)參考圖7至圖9，圖7為對(duì)圖4中位于中間的長(zhǎng)條狀圖形進(jìn)行尺寸縮小后形成的掩膜圖形；圖8為對(duì)所述掩膜圖形采用實(shí)際工藝中采用的光刻工藝進(jìn)行曝光顯影后，在光刻膠上獲得的曝光圖形；圖9為在進(jìn)行曝光過(guò)程中，對(duì)光刻膠上各個(gè)位置處接收到的光強(qiáng)曲線。圖9中位于掩膜圖形中間的長(zhǎng)條狀圖形所透過(guò)的光強(qiáng)值小于曝光臨界值，從而在光刻膠上沒有形成對(duì)應(yīng)的曝光圖形。

針對(duì)不同的光刻工藝，都可以通過(guò)曝光顯影，獲得一個(gè)曝光臨界值。

然后，執(zhí)行步驟s03：根據(jù)待進(jìn)行的光刻工藝的參數(shù)信息，建立光學(xué)模型。

所述光刻工藝的參數(shù)信息包括：光源形狀、光源尺寸、光源的光強(qiáng)、光 刻膠材料和光刻膠厚度等信息。根據(jù)上述信息建立光學(xué)模型，后續(xù)可以通過(guò)該光學(xué)模型，對(duì)待刻蝕圖案，模擬實(shí)際曝光過(guò)程。不同的光刻工藝，會(huì)形成不同的光學(xué)模型。

執(zhí)行步驟s04：以所述待刻蝕圖形和初始輔助圖形作為光刻掩膜圖形，通過(guò)所述光學(xué)模型進(jìn)行光學(xué)模擬，獲得光刻過(guò)程中透過(guò)所述初始輔助圖形到達(dá)光刻膠時(shí)的模擬光強(qiáng)值。

所述光學(xué)模型能夠計(jì)算出實(shí)際光刻過(guò)程中，透過(guò)所述掩膜圖形到達(dá)光刻膠各個(gè)位置處的光強(qiáng)。從而可以獲得透過(guò)初始輔助圖形102到達(dá)光刻膠時(shí)的光強(qiáng)最大值，后續(xù)將該光強(qiáng)最大值與該光刻工藝的曝光臨界值比較，從而判斷該初始輔助圖形102在實(shí)際光刻過(guò)程中，是否會(huì)在光刻膠上形成圖形。

隨后，執(zhí)行步驟s05：判斷所述模擬光強(qiáng)值是否小于曝光臨界值。

若所述模擬光強(qiáng)值的最大值小于曝光臨界值，則所述初始輔助圖形102在實(shí)際光刻過(guò)程中，不會(huì)在光刻膠上形成圖案，符合要求，所述初始輔助圖形102的設(shè)置合理，執(zhí)行步驟s06：完成輔助圖形的設(shè)置。

若所述模擬光強(qiáng)值的最大值大于或等于曝光臨界值，說(shuō)明，透過(guò)該初始輔助圖形的光到達(dá)光刻膠時(shí)能夠使對(duì)應(yīng)位置的光刻膠性質(zhì)發(fā)生變化，在顯影或會(huì)在該位置產(chǎn)生初始輔助圖形對(duì)應(yīng)的圖案，不滿足輔助圖形的設(shè)置要求，繼續(xù)執(zhí)行步驟s07：減小所述初始輔助圖形的寬度。

由于透過(guò)初始輔助圖形102的光強(qiáng)受到所述初始輔助圖形102的圖形面積影響，由于所述初始輔助圖形102的寬度較小，在寬度方向上對(duì)光線的限制作用比在長(zhǎng)度方向上的限制作用要大，所以，本實(shí)施例中，減小初始輔助圖形102的寬度能夠有效減小透過(guò)初始輔助圖形102的光強(qiáng)。

請(qǐng)參考圖10，減小所述初始輔助圖形的寬度的具體方法包括：標(biāo)記所述初始輔助圖形102的兩條長(zhǎng)邊，將兩條長(zhǎng)邊同時(shí)相向移動(dòng)相同距離，使所述初始輔助圖形102的寬度減小。請(qǐng)參考圖11，為寬度減小后的初始輔助圖形102a的示意圖。

本實(shí)施例中，將兩條長(zhǎng)邊同時(shí)相向移動(dòng)相同距離可以保持所述初始輔助圖形102a與兩側(cè)的主圖形101之間的距離相同，使得所述初始輔助圖形102a 在實(shí)際光刻過(guò)程中，對(duì)與兩側(cè)的主圖形101的曝光影響相同。

在減小所述初始輔助圖形的寬度之后，繼續(xù)進(jìn)行光學(xué)模擬，獲得模擬光強(qiáng)值；若所述模擬光強(qiáng)值仍然大于或等于曝光臨界值，則繼續(xù)將所述初始輔助圖形的寬度減小一設(shè)定值，再進(jìn)行光學(xué)模擬；多次循環(huán)后，直至獲得的模擬光強(qiáng)值小于曝光臨界值，完成輔助圖形的設(shè)置。

本實(shí)施例中，每次對(duì)初始輔助圖形102的寬度減小一設(shè)定值，所述設(shè)定值根據(jù)具體的光刻工藝以及初始輔助圖形的初始條件進(jìn)行設(shè)定。本實(shí)施例中，所述設(shè)定值可以是0.1nm～2nm。

在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，還提供一種輔助圖形的形成方法，與光學(xué)鄰近修正(opc)同時(shí)進(jìn)行。

在提供所述待刻蝕圖形之后，首先對(duì)所述待刻蝕圖形內(nèi)的主圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正(opc)，通過(guò)對(duì)主圖形的修正，改變主圖形的形狀彌補(bǔ)光刻工藝中產(chǎn)生的光刻圖形的變形，使得光刻得到的圖形與預(yù)期的圖形基本符合。

在對(duì)主圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正之后，設(shè)置初始輔助圖形，并進(jìn)行光學(xué)模擬，獲得光刻過(guò)程中透過(guò)所述初始輔助圖形到達(dá)光刻膠時(shí)的模擬光強(qiáng)值；若所述模擬光強(qiáng)值的最大值小于曝光臨界值，則所述初始輔助圖形作為最終的輔助圖形，完成輔助圖形的設(shè)置；若所述模擬光強(qiáng)值的最大值大于或等于曝光臨界值，則減小所述初始輔助圖形的寬度，直至獲得的模擬光強(qiáng)值小于曝光臨界值，完成輔助圖形的設(shè)置。

若所述模擬光強(qiáng)值的最大值大于或等于曝光臨界值時(shí)，還包括：在減小所述初始輔助圖形的寬度后，重新對(duì)主圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正，然后再進(jìn)行光學(xué)模擬。

在完成所述輔助圖形的設(shè)置之后，獲得修正后圖形，所述修正后圖形包括光學(xué)鄰近修正后的主圖形、輔助圖形；以所述修正后圖形作為掩膜圖形進(jìn)行光刻，對(duì)所述修正后圖形進(jìn)行opc驗(yàn)證，通過(guò)在光刻膠上獲得的光刻圖形，判斷上述修正后圖形是否可以作為掩膜圖形。

若獲得的光刻圖形沒有錯(cuò)誤，基本與期望得到的圖形一致，則輸出所述掩膜圖形；若獲得的光刻圖形出現(xiàn)錯(cuò)誤，與期望得到的圖形之間發(fā)生偏差， 則根據(jù)所述錯(cuò)誤的數(shù)量，進(jìn)行下一步的處理。

如果所述光刻圖形的錯(cuò)誤較多，則需要對(duì)主圖形重新進(jìn)行光學(xué)修正以及重新設(shè)置輔助圖形，直至opc驗(yàn)證中獲得的光刻圖形沒有錯(cuò)誤。

如果所述光刻圖形的錯(cuò)誤較少，則僅需要對(duì)修正后圖形進(jìn)行局部的修復(fù)，然后進(jìn)行opc驗(yàn)證，直至opc驗(yàn)證中獲得的光刻圖形沒有錯(cuò)誤。

所述opc驗(yàn)證，只需要對(duì)主圖形形成的圖案進(jìn)行驗(yàn)證，不需要考慮輔助圖形是否會(huì)在光刻膠上形成圖形，從而可以節(jié)約芯片驗(yàn)證的時(shí)間。并且，所述輔助圖形的形成可以與光學(xué)鄰近修正的方法同時(shí)進(jìn)行，并且不會(huì)影響對(duì)主圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正的質(zhì)量，而且可以確保在光刻過(guò)程中，光刻膠上不會(huì)出現(xiàn)輔助圖形的圖案。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。