技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種二氧化硅的刻蝕方法，涉及刻蝕技術(shù)領(lǐng)域，能夠減輕二氧化硅的刻蝕負載效應。該刻蝕方法包括：第一步，對二氧化硅進行刻蝕以形成寬槽和窄槽，且寬槽的深度大于窄槽的深度；第二步，在所述寬槽和所述窄槽內(nèi)均沉積刻蝕阻擋層，且所述寬槽內(nèi)刻蝕阻擋層的厚度大于所述窄槽內(nèi)刻蝕阻擋層的厚度；第三步，對所述寬槽內(nèi)和所述窄槽內(nèi)的刻蝕阻擋層進行刻蝕，直至所述寬槽底部的刻蝕阻擋層有殘留，所述窄槽底部的刻蝕阻擋層完全去除；第四步，對所述寬槽和所述窄槽進行刻蝕。該刻蝕方法用于對二氧化硅光波導進行刻蝕。

技術(shù)研發(fā)人員：謝秋實
受保護的技術(shù)使用者：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
文檔號碼：201510564878
技術(shù)研發(fā)日：2015.09.07
技術(shù)公布日：2017.03.15