1.一種二氧化硅的刻蝕方法，其特征在于，包括：
第一步，對二氧化硅進(jìn)行刻蝕以形成寬槽和窄槽，且寬槽的深度大于窄槽的深度；
第二步，在所述寬槽和所述窄槽內(nèi)均沉積刻蝕阻擋層，且所述寬槽內(nèi)刻蝕阻擋層的厚度大于所述窄槽內(nèi)刻蝕阻擋層的厚度；
第三步，對所述寬槽和所述窄槽內(nèi)的刻蝕阻擋層進(jìn)行刻蝕，直至所述寬槽底部的刻蝕阻擋層有殘留，所述窄槽底部的刻蝕阻擋層完全去除；
第四步，對所述寬槽和所述窄槽進(jìn)行刻蝕。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化硅的刻蝕方法，其特征在于，
在第一步中，所述寬槽和所述窄槽內(nèi)沉積有反應(yīng)副產(chǎn)物；
在第二步中，所述刻蝕阻擋層與所述反應(yīng)副產(chǎn)物為同種物質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的二氧化硅的刻蝕方法，其特征在于，
在第二步中，在所述寬槽和所述窄槽內(nèi)同時(shí)沉積刻蝕阻擋層，寬槽內(nèi)刻蝕阻擋層的沉積速率為V1，窄槽內(nèi)刻蝕阻擋層的沉積速率為V2，沉積時(shí)間為T1；
在第三步中，對所述寬槽和所述窄槽內(nèi)的刻蝕阻擋層同時(shí)進(jìn)行刻蝕，寬槽內(nèi)刻蝕阻擋層的刻蝕速率為V3，窄槽內(nèi)刻蝕阻擋層的刻蝕速率為V4，刻蝕時(shí)間為T2；
其中，T2＝V2*T1/V4，第三步結(jié)束后，寬槽內(nèi)殘留的刻蝕阻擋層的厚度為V1*T1-V2*T1*V3/V4，即(V1-V2*V3/V4)*T1。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的二氧化硅的刻蝕方法，其特征在于，
V1＝0.05μm/min，V2＝0.01μm/min，T1＝5min,V3＝2.5μm/min，V4＝2.2μm/min，T2＝5s。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的二氧化硅的刻蝕方法，其特征在于，
在第二步中，沉積刻蝕阻擋層的沉積條件為：反應(yīng)氣體壓力為30mT-50mT，上電極射頻功率為1000W-2000W，下電極射頻功率為0W，沉積氣體為八氟環(huán)丁烷，其中，八氟環(huán)丁烷的流量為100sccm-200sccm，沉積時(shí)間為5min。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的二氧化硅的刻蝕方法，其特征在于，
在第三步中，對刻蝕阻擋層進(jìn)行刻蝕的刻蝕條件為：反應(yīng)氣體壓力為10mT-15mT，上電極射頻功率為1000W-2000W，下電極射頻功率為300W-500W，刻蝕氣體包括氧氣和氬氣，其中，氧氣的流量為100sccm，氬氣的流量為50sccm，刻蝕時(shí)間為5s。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的二氧化硅的刻蝕方法，其特征在于，
在第一步中，對二氧化硅進(jìn)行刻蝕的刻蝕條件為：反應(yīng)氣體壓力為3mT-5mT，上電極射頻功率為1500W，下電極射頻功率為500W，刻蝕氣體包括八氟環(huán)丁烷和氬氣，其中，八氟環(huán)丁烷的流量為30sccm-50sccm，氬氣的流量為70sccm-90sccm，刻蝕時(shí)間為10min。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的二氧化硅的刻蝕方法，其特征在于，
在第四步中，對寬槽和窄槽進(jìn)行刻蝕的刻蝕條件為：反應(yīng)氣體壓力為3mT-5mT，上電極射頻功率為1500W，下電極射頻功率為500W，刻蝕氣體包括八氟環(huán)丁烷和氬氣，其中，八氟環(huán)丁烷的流量為30sccm-50sccm，氬氣的流量為70sccm-90sccm。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的二氧化硅的刻蝕方法，其特征在于，第一步至第四步結(jié)束后，形成的窄槽的深度為6.91μm，形成的寬槽的深度為7.21μm，窄槽的深度和寬槽的深度之間的比值為96％。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的二氧化硅的刻蝕方法，其特征在于，第一步至第四步結(jié)束后，二氧化硅的線寬為7.01μm，線寬損失小于0.5μm。