Boa型液晶面板及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種BOA型液晶面板及其制作方法，所述BOA型液晶面板包括第一基板、與所述第一基板相對設(shè)置的第二基板、設(shè)于所述第一基板上的黑色矩陣、設(shè)于所述黑色矩陣上的薄膜晶體管、設(shè)于所述第二基板上的色阻層、設(shè)于所述第二基板和色阻層上的公共電極層、設(shè)于所述公共電極層上位于第一基板與第二基板之間的光阻間隔物、及設(shè)于所述第一基板與第二基板之間的液晶層，本發(fā)明通過將液晶面板的黑色矩陣設(shè)于在基板上預(yù)先形成的溝道內(nèi)部，從而使得液晶面板的膜厚變得均勻，提高了液晶面板的顯示效果。
【專利說明】BOA型液晶面板及其制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種BOA型液晶面板及其制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，LCD)具有機身薄、省電、無福射等眾多優(yōu)點，得到了廣泛的應(yīng)用，如:移動電話、個人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字相機、計算機屏幕或筆記本電腦屏幕等。
[0003]現(xiàn)有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示裝置，其包括背光模組(Backlight module)及結(jié)合于背光模組上的液晶面板。
[0004]在TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯示器)中，通常會在基板上制作一層BM(Black Matrix，黑色矩陣)，用于分割相鄰色阻，遮擋色彩的空隙，防止漏光或者混色，將黑色矩陣制備在TFT陣列基板的技術(shù)叫做B0A(BMOn Array，黑色矩陣貼附于陣列基板)，BOA可以解決上下基板錯位導(dǎo)致遮光區(qū)域不匹配的問題，這種對曲面顯示器尤其有用。
[0005]如圖1所示，現(xiàn)有BOA型的液晶面板的制程中，直接在陣列基板100上制備一層黑色矩陣120，這樣會使陣列基板100的BM區(qū)域的膜層厚度hi增加。圖2所示為一種非B0A(BM on CF)型的結(jié)構(gòu)，即黑色矩陣120設(shè)于CF基板200上，可見圖1中BOA型的液晶面板的膜層厚度hi要大于圖2中的非BOA型的液晶面板的膜層厚度h2。因此，對于BOA型液晶面板來說，由于TFT基板上設(shè)置黑色矩陣位置的膜厚增加，這導(dǎo)致BM區(qū)域和非BM區(qū)域的膜厚段差變大，也使得在BM和非BM區(qū)域膜層的拔模角變得更加陡峭，在進行后續(xù)金屬制程的時候，會出現(xiàn)拔模角太大導(dǎo)致的斷線風(fēng)險，導(dǎo)致一些不良出現(xiàn)。如果增加平坦層又會增加一些額外的工藝制程，從而衍生出其他一些問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種BOA型液晶面板，將該液晶面板的黑色矩陣設(shè)于在基板上預(yù)先形成的溝道內(nèi)部，從而使得液晶面板的膜厚變得均勻，顯示效果好。
[0007]本發(fā)明的另一目的在于提供一種BOA型液晶面板的制作方法，在TFT制程之前預(yù)先在基板上設(shè)置溝道，并在溝道中形成黑色矩陣，從而使得液晶面板的膜厚變得均勻，提高顯示器的顯示效果。
[0008]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種BOA型液晶面板，包括第一基板、與所述第一基板相對設(shè)置的第二基板、設(shè)于所述第一基板上的黑色矩陣、設(shè)于所述黑色矩陣上的薄膜晶體管、設(shè)于所述第二基板上的色阻層、設(shè)于所述第二基板和色阻層上的公共電極層、設(shè)于所述公共電極層上且位于第一基板與第二基板之間的光阻間隔物、及設(shè)于所述第一基板與第二基板之間的液晶層，所述第一基板上設(shè)有溝道，所述黑色矩陣設(shè)于所述溝道內(nèi)部，所述第一基板表面與所述黑色矩陣表面平齊。
[0009]所述第一基板與第二基板均為玻璃基板。
[0010]所述第一基板為TFT基板，第二基板為CF基板。
[0011]所述薄膜晶體管包括設(shè)于所述第一基板上的第一金屬層、設(shè)于所述第一金屬層上并覆蓋第一基板的柵極絕緣層、設(shè)于所述柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層、設(shè)于所述半導(dǎo)體層上的第二金屬層、及設(shè)于所述第二金屬層上并覆蓋第一基板的絕緣保護層。
[0012]所述柵極絕緣層的材料為氮化硅。
[0013]所述半導(dǎo)體層的材料為非晶硅或多晶硅。
[0014]本發(fā)明還提供一種BOA型液晶面板的制作方法，包括如下步驟:
[0015]步驟1、提供第一基板與第二基板，并對所述第一基板與第二基板進行清洗；
[0016]步驟2、在所述第一基板上制作溝道；
[0017]步驟3、在所述溝道中形成黑色矩陣；
[0018]步驟4、在所述黑色矩陣上制作薄膜晶體管；
[0019]步驟5、在所述第二基板上形成色阻層，在第二基板和色阻層上形成公共電極層，并在所述公共電極層上形成光阻間隔物；
[0020]步驟6、在所述第一基板與第二基板之間灌注液晶分子，形成液晶層，并對所述第一基板與第二基板進行封裝。
[0021]所述步驟1中的第一基板與第二基板均為玻璃基板。
[0022]所述步驟2中通過光刻或蝕刻在所述第一基板上制作溝道。
[0023]所述步驟4包括依次在所述第一基板上形成第一金屬層、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層、及絕緣保護層的步驟。
[0024]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的BOA型液晶面板，將該液晶面板的黑色矩陣設(shè)于在基板上預(yù)先形成的溝道內(nèi)部，從而使得液晶面板的膜厚變得均勻，顯示效果好。本發(fā)明提供的BOA型液晶面板的制作方法，在TFT制程之前預(yù)先在基板上設(shè)置溝道，并在溝道中形成黑色矩陣，從而使得液晶面板的膜厚變得均勻，提高顯示器的顯示效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。
[0026]附圖中，
[0027]圖1為現(xiàn)有BOA型液晶面板的尚]面不意圖；
[0028]圖2為一種非BOA型液晶面板的剖面示意圖；
[0029]圖3為本發(fā)明BOA型液晶面板的剖面示意圖；
[0030]圖4為本發(fā)明BOA型液晶面板的制作方法的示意流程圖；
[0031]圖5為本發(fā)明BOA型液晶面板的制作方法步驟2的剖面示意圖；
[0032]圖6為本發(fā)明BOA型液晶面板的制作方法步驟2的俯視示意圖；
[0033]圖7為本發(fā)明BOA型液晶面板的制作方法步驟3的剖面示意圖；
[0034]圖8為本發(fā)明BOA型液晶面板的制作方法步驟3的俯視示意圖；
[0035]圖9為本發(fā)明BOA型液晶面板的制作方法步驟4的剖面示意圖；
[0036]圖10為本發(fā)明BOA型液晶面板的制作方法步驟5的剖面示意圖。

【具體實施方式】
[0037]為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段極其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。
[0038]請參閱圖3，本發(fā)明提供一種BOA型液晶面板，包括第一基板1、與所述第一基板1相對設(shè)置的第二基板2、設(shè)于所述第一基板1內(nèi)的黑色矩陣12、設(shè)于所述黑色矩陣12上的薄膜晶體管13、設(shè)于所述第二基板2上的色阻層21、設(shè)于所述第二基板2和色阻層21上的公共電極層22、設(shè)于所述公共電極層22上且位于第一基板1與第二基板2之間的光阻間隔物23、及設(shè)于所述第一基板1與第二基板2之間的液晶層3，所述第一基板1上設(shè)有溝道11，所述黑色矩陣12設(shè)于所述溝道11內(nèi)部，所述第一基板1表面與所述黑色矩陣12表面平齊。
[0039]優(yōu)選的，所述第一基板1與第二基板2均為玻璃基板，所述第一基板1為TFT基板，所述第二基板2為CF基板。具體地，所述薄膜晶體管13包括設(shè)于所述第一基板1上的第一金屬層101、設(shè)于所述第一金屬層101上并覆蓋第一基板1的柵極絕緣層102、設(shè)于所述柵極絕緣層102上的半導(dǎo)體層103、設(shè)于所述半導(dǎo)體層103上的第二金屬層105、及設(shè)于所述第二金屬層105上并覆蓋第一基板1的絕緣保護層106。
[0040]具體的，所述第一金屬層101作為薄膜晶體管13的柵極，所述第二金屬層105作為薄膜晶體管13的源極或漏極。
[0041]優(yōu)選的，所述柵極絕緣層102的材料為氮化硅(SiNx)。
[0042]優(yōu)選的，所述半導(dǎo)體層103的材料為多晶硅或非晶硅。
[0043]請參閱圖4，本發(fā)明還提供一種BOA型液晶面板的制作方法，包括如下步驟:
[0044]步驟1、提供第一基板1與第二基板2，并對所述第一基板1與第二基板2進行清洗。
[0045]優(yōu)選的，所述第一基板1與第二基板2均為玻璃基板，所述第一基板1為TFT基板，所述第二基板2為CF基板。
[0046]步驟2、如圖5與圖6所示，在所述第一基板1上制作溝道11。
[0047]具體地，根據(jù)欲形成的黑色矩陣的形狀，采用光刻或蝕刻在所述第一基板1上制作溝道11，圖6所示為在第一基板1上制作的溝道11的局部俯視示意圖。
[0048]步驟3、如圖7與圖8所示，在所述溝道11中形成黑色矩陣12。
[0049]具體地，根據(jù)溝道11的深度及寬度計算出所需要填充的黑色矩陣材料的量，并使得填入的黑色矩陣材料正好填滿溝道11，圖8所示為填充黑色矩陣材料后的溝道11的局部俯視示意圖。
[0050]步驟4、如圖9所示，在所述黑色矩陣12上制作薄膜晶體管13。
[0051]具體地，依次在所述第一基板1上形成第一金屬層101、柵極絕緣層102、半導(dǎo)體層103、第二金屬層105、及絕緣保護層106。所述第一金屬層101作為薄膜晶體管13的柵極，所述第二金屬層105作為薄膜晶體管13的源極或漏極。
[0052]步驟5、如圖10所示，在所述第二基板2上形成色阻層21，在所述第二基板2和色阻層21上形成公共電極層22，并在所述公共電極層22上形成光阻間隔物23。所述光阻間隔物23起到支撐第一基板1和第二基板2的作用，用于維持液晶層的厚度。
[0053]步驟6、在所述第一基板1與第二基板2之間灌注液晶分子，形成液晶層3，并對所述第一基板1與第二基板2進行封裝。
[0054]具體地，在所述第一基板1與第二基板2之間涂覆UV膠(未示出)，并在真空環(huán)境下將所述第一基板1與第二基板2進行貼合。使用UV光照射或加熱使所述UV膠固化，從而完成液晶面板的封裝，完成封裝后的液晶面板的剖面示意圖如圖3所示。
[0055]綜上所述，本發(fā)明提供的BOA型液晶面板，通過將該液晶面板的黑色矩陣設(shè)于在基板上預(yù)先形成的溝道內(nèi)部，從而使得液晶面板的膜厚變得均勻，顯示效果好。本發(fā)明提供的BOA型液晶面板的制作方法，在TFT制程之前預(yù)先在基板上設(shè)置溝道，并在溝道中形成黑色矩陣，從而使得液晶面板的膜厚變得均勻，提高顯示器的顯示效果。
[0056]以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種BOA型液晶面板，包括第一基板(I)、與所述第一基板(I)相對設(shè)置的第二基板(2)、設(shè)于所述第一基板(I)上的黑色矩陣(12)、設(shè)于所述黑色矩陣(12)上的薄膜晶體管(13)、設(shè)于所述第二基板(2)上的色阻層(21)、設(shè)于所述第二基板(2)和色阻層(21)上的公共電極層(22)、設(shè)于所述公共電極層(22)上且位于第一基板(I)與第二基板(2)之間的光阻間隔物(23)、及設(shè)于所述第一基板(I)與第二基板(2)之間的液晶層(3)，其特征在于，所述第一基板(I)上設(shè)有溝道(11)，所述黑色矩陣(12)設(shè)于所述溝道(11)內(nèi)部，所述第一基板(I)表面與所述黑色矩陣(12)表面平齊。
2.如權(quán)利要求1所述的BOA型液晶面板，其特征在于，所述第一基板(I)與第二基板(2)均為玻璃基板。
3.如權(quán)利要求1所述的BOA型液晶面板，其特征在于，所述第一基板(I)為TFT基板，第二基板⑵為CF基板。
4.如權(quán)利要求1所述的BOA型液晶面板，其特征在于，所述薄膜晶體管(13)包括設(shè)于所述第一基板(I)上的第一金屬層(101)、設(shè)于所述第一金屬層(101)上并覆蓋第一基板(I)的柵極絕緣層(102)、設(shè)于所述柵極絕緣層(102)上的半導(dǎo)體層(103)、設(shè)于所述半導(dǎo)體層(103)上的第二金屬層(105)、及設(shè)于所述第二金屬層(105)上并覆蓋第一基板(I)的絕緣保護層(106)。
5.如權(quán)利要求4所述的BOA型液晶面板，其特征在于，所述柵極絕緣層(102)的材料為氮化娃。
6.如權(quán)利要求4所述的BOA型液晶面板，其特征在于，所述半導(dǎo)體層(103)的材料為非晶娃或多晶娃。
7.—種BOA型液晶面板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟1、提供第一基板(I)與第二基板(2)，并對所述第一基板(I)與第二基板(2)進行清洗； 步驟2、在所述第一基板(I)上制作溝道(11); 步驟3、在所述溝道(11)中形成黑色矩陣(12); 步驟4、在所述黑色矩陣(12)上制作薄膜晶體管(13); 步驟5、在所述第二基板(2)上形成色阻層(21)，在所述色阻層(21)和第二基板(2)上形成公共電極層(22)，并在所述公共電極層(22)上形成光阻間隔物(23); 步驟6、在所述第一基板(I)與第二基板(2)之間灌注液晶分子，形成液晶層(3)，并對所述第一基板(I)與第二基板(2)進行封裝。
8.如權(quán)利要求7所述的BOA型液晶面板的制作方法，其特征在于，所述步驟I中的第一基板(I)與第二基板(2)均為玻璃基板。
9.如權(quán)利要求7所述的BOA型液晶面板的制作方法，其特征在于，所述步驟2中通過光刻或蝕刻在所述第一基板(I)上制作溝道(11)。
10.如權(quán)利要求7所述的BOA型液晶面板的制作方法，其特征在于，所述步驟4包括依次在所述第一基板(I)上形成第一金屬層(101)、柵極絕緣層(102)、半導(dǎo)體層(103)、第二金屬層(105)、及絕緣保護層(106)的步驟。
【文檔編號】G02F1/1362GK104460146SQ201410642135
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年11月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月13日
【發(fā)明者】吳川 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司