陣列基板及其制造方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，解決了現(xiàn)有的陣列基板中跨線連接處的阻抗較大的技術(shù)問(wèn)題。該陣列基板，包括：位于第一金屬層中的第一走線和第二走線；覆蓋于第一金屬層上的第一絕緣層，在第一絕緣層上開(kāi)設(shè)有對(duì)應(yīng)于第一走線和第二走線的過(guò)孔；位于第一絕緣層上的第二金屬層中的跨接線，跨接線通過(guò)過(guò)孔與第一走線和第二走線連接，使第一走線與第二走線通過(guò)跨接線導(dǎo)通。本發(fā)明可用于液晶電視、液晶顯示器、手機(jī)、平板電腦等顯示裝置。
【專利說(shuō)明】陣列基板及其制造方法、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地說(shuō)，涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器已經(jīng)成為最為常見(jiàn)的顯示裝置。
[0003]陣列基板是液晶顯示器中的重要部件，其中包括顯示區(qū)域和外圍區(qū)域(非顯示區(qū)域)。在陣列基板的外圍區(qū)域設(shè)置有一些走線，而且有些走線之間需要連接。如圖1所示，在襯底基板100上，位于第一金屬層(柵極金屬層)的第一走線11和第二走線12需要連接起來(lái)，但第一走線11和第二走線12之間還隔著第三走線13,這就需要將第一走線11和第二走線12進(jìn)行跨線連接?，F(xiàn)有的跨線連接方法是，在覆蓋著第一金屬層上的第一絕緣層2上設(shè)置跨接線3，跨接線3位于的第二金屬層(源漏極金屬層)，在第二金屬層上覆蓋第二絕緣層4。然后形成穿透第一絕緣層2和第二絕緣層4的過(guò)孔51，以及穿透第二絕緣層4的過(guò)孔52，再利用透明電極6通過(guò)過(guò)孔51、52將第一走線11、第二走線12與跨接線3連接，從而實(shí)現(xiàn)第一走線11與第二走線12的跨線連接。
[0004]透明電極6的材料通常選用銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)，其電阻率比金屬高出2個(gè)數(shù)量級(jí)，導(dǎo)致第一走線11、第二走線12與跨接線3之間的接觸阻抗較大，不利于電信號(hào)的傳輸，而且增加了陣列基板整體的功耗。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，以解決現(xiàn)有的陣列基板中跨線連接處的阻抗較大的技術(shù)問(wèn)題。
[0006]本發(fā)明提供一種陣列基板，包括:
[0007]位于第一金屬層中的第一走線和第二走線；
[0008]覆蓋于所述第一金屬層上的第一絕緣層，在所述第一絕緣層上開(kāi)設(shè)有對(duì)應(yīng)于所述第一走線和所述第二走線的過(guò)孔；
[0009]位于所述第一絕緣層上的第二金屬層中的跨接線，所述跨接線通過(guò)所述過(guò)孔與所述第一走線和所述第二走線連接，使所述第一走線與所述第二走線通過(guò)所述跨接線導(dǎo)通。
[0010]進(jìn)一步，該陣列基板還包括覆蓋于所述第二金屬層上的第二絕緣層。
[0011]進(jìn)一步，該陣列基板還包括位于所述第二絕緣層上的透明電極層。
[0012]優(yōu)選的，所述第一走線、所述第二走線和所述跨接線均位于所述陣列基板的板邊區(qū)域。
[0013]本發(fā)明還提供了上述陣列基板的制造方法，包括:
[0014]步驟1，在襯底基板上形成第一金屬層的圖形，其中包括第一走線和第二走線；
[0015]步驟2，形成覆蓋在所述第一金屬層上的第一絕緣層的圖形，其中包括對(duì)應(yīng)于所述第一走線和所述第二走線的過(guò)孔；
[0016]步驟3，在所述第一絕緣層上形成第二金屬層的圖形，其中包括通過(guò)所述過(guò)孔與所述第一走線和所述第二走線連接的跨接線，使所述第一走線與所述第二走線通過(guò)所述跨接線導(dǎo)通。
[0017]優(yōu)選的，在所述步驟2中，包括:
[0018]形成覆蓋在所述第一金屬層上的第一絕緣層；
[0019]形成覆蓋在所述第一絕緣層上的有源層；
[0020]在所述有源層上涂覆光刻膠；
[0021]利用灰階光罩對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光；
[0022]對(duì)光刻膠進(jìn)行顯影，去除過(guò)孔區(qū)域的光刻膠；
[0023]蝕刻掉所述過(guò)孔區(qū)域的有源層和第一絕緣層，形成對(duì)應(yīng)于所述第一走線和所述第二走線的過(guò)孔；
[0024]對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化，去除絕緣區(qū)域的光刻膠；
[0025]蝕刻掉所述絕緣區(qū)域的有源層；
[0026]去除剩余的光刻膠。
[0027]進(jìn)一步，該制造方法還包括:
[0028]步驟4，形成覆蓋在所述第二金屬層上的第二絕緣層的圖形。
[0029]進(jìn)一步,該制造方法還包括:
[0030]步驟5，在所述第二絕緣層上形成透明電極層的圖形。
[0031]優(yōu)選的，所述第一走線、所述第二走線和所述跨接線均位于所述陣列基板的板邊區(qū)域。
[0032]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括彩膜基板和上述的陣列基板。
[0033]本發(fā)明帶來(lái)了以下有益效果:本發(fā)明提供的陣列基板中，通過(guò)在第一絕緣層上開(kāi)設(shè)過(guò)孔，使位于第二金屬層的跨接線能夠通過(guò)過(guò)孔直接與第一走線、第二走線相接觸，而不需要通過(guò)透明電極將跨接線與第一走線、第二走線連接。不僅簡(jiǎn)化了陣列基板的結(jié)構(gòu)，還降低了跨接線與第一走線、第二走線之間的接觸阻抗，從而提高了電信號(hào)傳輸?shù)目煽啃?，也降低了陣列基板整體的功耗。
[0034]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書(shū)中闡述，并且，部分地從說(shuō)明書(shū)中變得顯而易見(jiàn)，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求書(shū)以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0035]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要的附圖做簡(jiǎn)單的介紹:
[0036]圖1是現(xiàn)有的陣列基板的跨線連接處的示意圖；
[0037]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的跨線連接處的示意圖；
[0038]圖3a至圖3h是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造過(guò)程的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0039]以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來(lái)解決技術(shù)問(wèn)題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過(guò)程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說(shuō)明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0040]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板包括顯示區(qū)域和外圍區(qū)域(板邊區(qū)域)。本實(shí)施例中，在外圍區(qū)域采用了跨線連接。如圖2所示，跨線連接處具體包括襯底基板100，位于第一金屬層(柵極金屬層)中的第一走線11、第二走線12和第三走線13，覆蓋于第一金屬層上的第一絕緣層2 (柵絕緣層)，以及位于第一絕緣層2上的第二金屬層(源漏極金屬層)中的跨接線3。
[0041]其中，在第一絕緣層2上開(kāi)設(shè)有對(duì)應(yīng)于第一走線11和第二走線12的過(guò)孔5，跨接線3跨過(guò)第三走線13,并通過(guò)過(guò)孔5與第一走線11和第二走線12連接,使第一走線11與第二走線12通過(guò)跨接線3導(dǎo)通。
[0042]此外，該陣列基板還進(jìn)一步包括覆蓋于第二金屬層上的第二絕緣層4 (鈍化層)，以及位于第二絕緣層4上的透明電極層(圖中未示出)。
[0043]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中，跨接線3能夠通過(guò)過(guò)孔5直接與第一走線11、第二走線12相接觸，而不需要通過(guò)透明電極將跨接線3與第一走線11、第二走線12連接。不僅簡(jiǎn)化了陣列基板的結(jié)構(gòu)，還降低了跨接線3與第一走線11、第二走線12之間的接觸阻抗，從而提高了電信號(hào)傳輸?shù)目煽啃裕步档土岁嚵谢逭w的功耗。
[0044]另外，在現(xiàn)有技術(shù)中(如圖1所示)，由于透明電極6的電阻率高于金屬，所以會(huì)在跨線連接處設(shè)置大量的密集的過(guò)孔，以在一定程度上降低第一金屬層與第二金屬層之間的接觸阻抗。但是，過(guò)孔是利用帶電粒子通過(guò)干法蝕刻而成，而且為了保證第一絕緣層2、第二絕緣層4能夠被完全蝕刻掉，還會(huì)采用過(guò)蝕刻的方法，使帶電粒子與第一金屬層、第二金屬層過(guò)多接觸，而造成第一金屬層、第二金屬層上產(chǎn)生電荷積累，過(guò)孔越多，電荷積累也越多。過(guò)多的電荷積累會(huì)導(dǎo)致陣列基板上的跨線連接處或其他部位發(fā)生靜電放電(Electro-Static Discharge,簡(jiǎn)稱ESD),造成擊穿、短路等不良后果，降低了陣列基板的良品率。
[0045]相比于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)施例中，跨接線3直接與第一走線11、第二走線12接觸,本身的接觸阻抗就很小，所以不需要設(shè)置很多過(guò)孔，所以在蝕刻過(guò)孔5的過(guò)程中，所產(chǎn)生的電荷積累極少，從而能夠有效避免靜電放電的發(fā)生，提聞了陣列基板的良品率。
[0046]如圖3a至圖3h所示，本發(fā)明實(shí)施例還提供了該陣列基板的制造方法，包括:
[0047]S1:如圖3a所示，在襯底基板100上形成第一金屬層的圖形。
[0048]本步驟可采用常規(guī)的構(gòu)圖工藝，經(jīng)曝光、顯影、蝕刻等工序形成第一金屬層的圖形，所形成的第一金屬層的圖形包括位于顯示區(qū)域的柵線、公共電極線(圖中未示出)，以及位于外圍區(qū)域的第一走線U、第二走線12和第三走線13。
[0049]S2:形成覆蓋在第一金屬層上的第一絕緣層的圖形，其中包括對(duì)應(yīng)于第一走線和第二走線的過(guò)孔。
[0050]本實(shí)施例中，第一絕緣層的圖形與有源層的圖形在同一次構(gòu)圖工藝中形成，因此步驟S2具體包括:
[0051]S21:如圖3b所示，形成覆蓋在第一金屬層上的第一絕緣層2，其厚度優(yōu)選為3000A 至4000A,,
[0052]S22:形成覆蓋在第一絕緣層2上的有源層20。
[0053]有源層20具體可分為半導(dǎo)體層(非晶硅層)和摻雜半導(dǎo)體層(磷摻雜非晶硅層)，其中半導(dǎo)體層的厚度優(yōu)選為1000A至1500A,摻雜半導(dǎo)體層的厚度優(yōu)選為300A至500A。
[0054]S23:在有源層20上涂覆光刻膠7，其厚度優(yōu)選為1.5 μ m至2.2 μ m。
[0055]S24:利用灰階光罩對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光。
[0056]本實(shí)施例采用的灰階光罩中，全透光區(qū)域?qū)?yīng)于跨線連接處的過(guò)孔區(qū)域，不透光區(qū)域?qū)?yīng)于薄膜晶體管(TFT)的硅島區(qū)域，其余區(qū)域?yàn)榘胪腹鈪^(qū)域，對(duì)應(yīng)于陣列基板的絕緣區(qū)域。
[0057]利用該灰階光罩對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光之后，過(guò)孔區(qū)域的光刻膠被完全曝光，絕緣區(qū)域的光刻膠被部分曝光，娃島區(qū)域的光刻膠沒(méi)有被曝光。
[0058]S25:對(duì)光刻膠進(jìn)行顯影。
[0059]因?yàn)樵诓襟ES24中采用了灰階光罩，所以對(duì)光刻膠7進(jìn)行顯影之后，完全去除了過(guò)孔區(qū)域的光刻膠；去除絕緣區(qū)域的部分光刻膠，使絕緣區(qū)域的光刻膠的厚度變?yōu)?.3μπι至
0.7μπι，如圖3c所示；而硅島區(qū)域(圖中未示出)的光刻膠完全保留，其厚度仍為1.5μπι至 2.2 μ m。
[0060]S26:蝕刻掉過(guò)孔區(qū)域的有源層20和第一絕緣層2，形成對(duì)應(yīng)于第一走線11和第二走線12的過(guò)孔5，如圖3d所示。
[0061]通過(guò)干法蝕刻工藝，利用帶電粒子蝕刻掉過(guò)孔區(qū)域的有源層20和第一絕緣層2。為了保證第一絕緣層2能夠被完全蝕刻掉，可以采用過(guò)蝕刻的方法，但由于本實(shí)施例中僅有兩個(gè)過(guò)孔5，所以第一走線11和第二走線12上的電荷積累也非常少，從而能夠有效避免靜電放電的發(fā)生，提高陣列基板的良品率。
[0062]S27:對(duì)光刻膠7進(jìn)行灰化。
[0063]具體的，利用灰化工藝削減光刻膠7的厚度，從而去除絕緣區(qū)域的光刻膠，如圖3e所示。同時(shí)，硅島區(qū)域(圖中未示出)的光刻膠的厚度也會(huì)減小，但不會(huì)被完全去除。
[0064]S28:蝕刻掉絕緣區(qū)域的有源層20，如圖3f所示。
[0065]通過(guò)干法蝕刻工藝，利用帶電粒子蝕刻掉絕緣區(qū)域的有源層20。相比于步驟S26，本步驟中的蝕刻時(shí)間較短，因此能夠只蝕刻掉絕緣區(qū)域的有源層20，而保留絕緣區(qū)域的第一絕緣層2。
[0066]S29:利用灰化工藝，去除(硅島區(qū)域)剩余的光刻膠。
[0067]S3:在第一絕緣層2上形成第二金屬層的圖形。
[0068]其中包括位于顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)線、源極、漏極(圖中未示出)，以及位于外圍區(qū)域的跨接線3。跨接線3通過(guò)過(guò)孔5與第一走線11和第二走線12連接,使第一走線11與第二走線12通過(guò)跨接線3導(dǎo)通,如圖3g所示。
[0069]進(jìn)一步，該陣列基板的制造方法還可以包括:
[0070]S4:如圖3h所示，形成覆蓋在第二金屬層上的第二絕緣層4的圖形，其中包括位于顯示區(qū)域的每個(gè)像素中的過(guò)孔，還可能包括位于外圍區(qū)域的其他用途(非跨線連接用途)的過(guò)孔。
[0071]S5:在第二絕緣層上形成透明電極層的圖形，其中包括位于顯示區(qū)域的每個(gè)像素中的像素電極，還可能包括位于外圍區(qū)域的其他用途(非跨線連接用途)的電極。
[0072]上述步驟S3、S4、S5均可采用常規(guī)的構(gòu)圖工藝，經(jīng)曝光、顯影、蝕刻等工序?qū)崿F(xiàn)。
[0073]采用該制造方法能夠制成上述本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，簡(jiǎn)化了陣列基板的結(jié)構(gòu)，降低了跨接線與第一走線、第二走線之間的接觸阻抗，還能夠提高陣列基板的良品率。并且，該制造方法中，也只需五個(gè)光罩，經(jīng)五次構(gòu)圖工藝就能夠制成陣列基板，因此并不會(huì)因?yàn)榭缇€連接處的結(jié)構(gòu)變化，而增加陣列基板的制造成本和制造難度。
[0074]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，具體可以是液晶電視、液晶顯示器、手機(jī)、平板電腦等。該顯示裝置包括彩膜基板和上述本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板等部件。
[0075]因?yàn)楸景l(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置，與上述實(shí)施例提供的陣列基板具有相同的技術(shù)特征，所以也能解決相同的技術(shù)問(wèn)題，達(dá)到相同的技術(shù)效果。
[0076]雖然本發(fā)明所公開(kāi)的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】?jī)?nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開(kāi)的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板,包括: 位于第一金屬層中的第一走線和第二走線； 覆蓋于所述第一金屬層上的第一絕緣層，在所述第一絕緣層上開(kāi)設(shè)有對(duì)應(yīng)于所述第一走線和所述第二走線的過(guò)孔； 位于所述第一絕緣層上的第二金屬層中的跨接線，所述跨接線通過(guò)所述過(guò)孔與所述第一走線和所述第二走線連接，使所述第一走線與所述第二走線通過(guò)所述跨接線導(dǎo)通。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括覆蓋于所述第二金屬層上的第二絕緣層。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括位于所述第二絕緣層上的透明電極層。
4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一走線、所述第二走線和所述跨接線均位于所述陣列基板的板邊區(qū)域。
5.一種陣列基板的制造方法，包括: 步驟1，在襯底基板上形成第一金屬層的圖形，其中包括第一走線和第二走線； 步驟2，形成覆蓋在所述第一金屬層上的第一絕緣層的圖形，其中包括對(duì)應(yīng)于所述第一走線和所述第二走線的過(guò)孔； 步驟3，在所述第一絕緣層上形成第二金屬層的圖形，其中包括通過(guò)所述過(guò)孔與所述第一走線和所述第二走線連接的跨接線，使所述第一走線與所述第二走線通過(guò)所述跨接線導(dǎo)通。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在所述步驟2中，包括: 形成覆蓋在所述第一金屬層上的第一絕緣層； 形成覆蓋在所述第一絕緣層上的有源層； 在所述有源層上涂覆光刻膠； 利用灰階光罩對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光； 對(duì)光刻膠進(jìn)行顯影，去除過(guò)孔區(qū)域的光刻膠； 蝕刻掉所述過(guò)孔區(qū)域的有源層和第一絕緣層，形成對(duì)應(yīng)于所述第一走線和所述第二走線的過(guò)孔； 對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化，去除絕緣區(qū)域的光刻膠； 蝕刻掉所述絕緣區(qū)域的有源層； 去除剩余的光刻膠。
7.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，還包括: 步驟4，形成覆蓋在所述第二金屬層上的第二絕緣層的圖形。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，還包括: 步驟5，在所述第二絕緣層上形成透明電極層的圖形。
9.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一走線、所述第二走線和所述跨接線均位于所述陣列基板的板邊區(qū)域。
10.一種顯示裝置，包括彩膜基板和如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK104076567SQ201410351748
【公開(kāi)日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2014年7月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月22日
【發(fā)明者】李金磊 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司