一種電學檢測設(shè)備及陣列檢測系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種電學檢測設(shè)備，包括發(fā)出入射光的光源、對所述光源發(fā)出的入射光進行匯聚以及對經(jīng)所述調(diào)制器反射后的反射光進行發(fā)散的光學器件、利用自身與待測陣列基板之間的電場將匯聚的入射光進行反射形成反射光的調(diào)制器、對經(jīng)所述光學器件發(fā)散后的反射光進行電信號轉(zhuǎn)換形成圖像的圖像傳感器、和對所述圖像傳感器生成的圖像進行處理的圖像處理器。本實用新型還公開一種陣列檢測系統(tǒng)。采用本實用新型的技術(shù)方案，能夠提升電學檢測設(shè)備的解析能力，從而實現(xiàn)高PPI的準確測試。
【專利說明】一種電學檢測設(shè)備及陣列檢測系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及顯示技術(shù)，尤其涉及一種電學檢測設(shè)備及陣列檢測系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著平板顯示技術(shù)發(fā)展的多樣化，產(chǎn)品的不良也呈現(xiàn)出多樣化。降低生產(chǎn)成本和提高良品率是每個廠家一直追求的目標。因此，在制作陣列基板的過程中需要用到多種陣列檢測設(shè)備，用于在制作完每一道工序之后檢測產(chǎn)品是否屬于良品。
[0003]在制作薄膜晶體管液晶顯示器件的陣列基板的過程中，對薄膜晶體管陣列的檢測設(shè)備主要分為兩類，一類是光學檢測設(shè)備，用于檢測陣列基板上的陣列電路的顆粒，該顆?？赡軄碜钥諝庵械膲m?；蛘邅碜藻兡み^程中的污漬，但是當該顆粒足夠大時，可以損壞后續(xù)對陣列電路進行檢測的電學檢測設(shè)備；另一類是電學檢測設(shè)備，用于陣列電路加電的情況下，檢測薄膜晶體管像素是否存在導致不良的因素，以便及時進行修復。
[0004]圖1為現(xiàn)有的一種電學檢測設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，所述電學檢測設(shè)備包括光源101、分光鏡102、物鏡103、調(diào)制器104、圖像傳感器106和圖像處理器107 ;其中，所述調(diào)制器104包括玻璃板、反光鏡、以及在玻璃板和反光鏡之間的液晶。
[0005]光源101發(fā)出的入射光經(jīng)分光鏡102的反射后，再經(jīng)過物鏡103進入調(diào)制器104，進而照射在待檢測的陣列基板105上；與此同時，在陣列基板105加電后，會在陣列基板105與調(diào)制器104之間形成電場，而調(diào)制器104內(nèi)的液晶根據(jù)所述電場強度大小而發(fā)生不同的偏轉(zhuǎn)，調(diào)制器104內(nèi)的液晶偏轉(zhuǎn)方向的不同從而使得經(jīng)過液晶反射回去的反射光也就不同，反射光再依次經(jīng)過物鏡103的透射和分光鏡102的透射后進入圖像傳感器106，圖像傳感器106把反射光存圖并轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號后傳輸給圖像處理器107，圖像處理器107進而根據(jù)反射光的強度判斷陣列基板105上的像素是否正常。
[0006]由于每英寸所擁有的像素數(shù)目(PPI，Pixels Per Inch)越高代表顯示屏能夠以越高的密度顯示圖像，因此，高PPI的產(chǎn)品一直被用戶和廠家所追求，這里高PPI的產(chǎn)品是指高于300PPI的產(chǎn)品。而在生產(chǎn)的過程，電學檢測設(shè)備的解析能力決定著能夠生產(chǎn)多高的PPI，在圖1中，調(diào)制器104的尺寸為130nrnX130iimi，而圖像傳感器106的解析能力為4KX4K，其中，1K=1000，即:水平和垂直方向分別分布著4Κ個感光單元，根據(jù)檢出原理可以計算，電學檢測設(shè)備的分辨率為32.5um(130mm/4K);圖2為現(xiàn)有的電學檢測設(shè)備在檢測像素間距小于感光單元的尺寸時調(diào)制器照射在陣列基板上的光照范圍示意圖，如圖2所示，由于像素間距小于32.5 μ m，即:像素間距已經(jīng)小于一個電荷耦合器件的感光單元的尺寸，經(jīng)調(diào)制器照射在陣列基板上的光照范圍已經(jīng)遠大于像素間距，因此，被測試的像素或面板以外的區(qū)域的反射光對所述被測試的像素的檢測是無用的，所以無法通過電學檢測設(shè)備對陣列基板進行有效測試。
實用新型內(nèi)容
[0007]有鑒于此，本實用新型的主要目的在于提供一種電學檢測設(shè)備及陣列檢測系統(tǒng)，能夠提升電學檢測設(shè)備的解析能力，從而實現(xiàn)高PPI的準確測試。
[0008]為達到上述目的，本實用新型的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:
[0009]本實用新型實施例提供了一種電學檢測設(shè)備，所述電學檢測設(shè)備包括:發(fā)出入射光的光源、對所述光源發(fā)出的入射光進行匯聚以及對調(diào)制器反射后的反射光進行發(fā)散的光學器件、利用自身與待測陣列基板之間的電場將匯聚的入射光進行反射形成反射光的調(diào)制器、對所述光學器件發(fā)散后的反射光進行電信號轉(zhuǎn)換形成圖像的圖像傳感器、和對所述圖像傳感器生成的圖像進行處理的圖像處理器。
[0010]優(yōu)選地，所述光學器件包括:對所述光源發(fā)出的入射光進行反射以及對通過第一物鏡的反射光進行透射的第一分光鏡，和對所述第一分光鏡反射后的入射光進行匯聚以及對所述調(diào)制器反射后的反射光進行發(fā)散的第一物鏡。
[0011]優(yōu)選地，所述光學器件包括:對所述光源發(fā)出的入射光進行反射以及對所述調(diào)制器反射后的反射光進行透射的第二分光鏡、調(diào)整所述第二分光鏡與水平面之間的夾角的調(diào)節(jié)機構(gòu)、以及對所述第二分光鏡透射后的反射光進行透射的第二物鏡。
[0012]優(yōu)選地，所述調(diào)節(jié)機構(gòu)為連接在所述第二分光鏡上的旋轉(zhuǎn)軸。
[0013]優(yōu)選地，所述調(diào)節(jié)機構(gòu)為連接在所述第二分光鏡上的伸縮桿。
[0014]優(yōu)選地，所述電學檢測設(shè)備還包括驅(qū)動所述調(diào)節(jié)機構(gòu)對所述夾角進行調(diào)整的電機。
[0015]優(yōu)選地，所述圖像傳感器為電荷耦合器件。
[0016]本實用新型實施例還提供了一種陣列檢測系統(tǒng)，所述陣列檢測系統(tǒng)包括光學檢測設(shè)備，以及上述的電學檢測設(shè)備。
[0017]本實用新型實施例提供的電學檢測設(shè)備及陣列檢測系統(tǒng)，包括發(fā)出入射光的光源、對所述光源發(fā)出的入射光進行匯聚以及對經(jīng)調(diào)制器反射后的反射光進行發(fā)散的光學器件、利用自身與待測陣列基板之間的電場將匯聚的入射光進行反射形成反射光的調(diào)制器、對經(jīng)所述光學器件發(fā)散后的反射光進行電信號轉(zhuǎn)換形成圖像的圖像傳感器和對所述圖像傳感器生成的圖像進行處理的圖像處理器；如此，采用本實用新型的技術(shù)方案能夠提升電學檢測設(shè)備的解析能力，從而實現(xiàn)高PPI的準確測試。
[0018]進一步地，本實用新型實施例的電學檢測設(shè)備應(yīng)用于檢測像素間距小于圖像傳感器的感光單元的尺寸時，能夠在現(xiàn)有圖像傳感器的硬件不變的基礎(chǔ)上，只需將原有的物鏡更換為具有匯聚作用的物鏡，或者通過增加的調(diào)整機構(gòu)增大分光鏡與水平面之間的夾角，如此，不但可以達到提升電學檢測設(shè)備解析能力的效果，而且具有實用性強、操作方便等優(yōu)點。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1為現(xiàn)有的一種電學檢測設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2為現(xiàn)有的電學檢測設(shè)備在檢測像素間距小于感光單元的尺寸時調(diào)制器照射在陣列基板上的光照范圍示意圖；
[0021]圖3為本實用新型實施例一電學檢測設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖4為本實用新型實施例一電學檢測設(shè)備在檢測像素間距小于感光單元的尺寸時調(diào)制器照射在陣列基板上的光照范圍示意圖；[0023]圖5為本實用新型實施例二電學檢測設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]附圖標記:
[0025]101—光源；102—分光鏡；103—物鏡；104—調(diào)制器；105—陣列基板；106—圖像傳感器；107-圖像處理器；302-第一分光鏡；303—第一物鏡；501—調(diào)節(jié)機構(gòu)；502—第二分光鏡；503—第二物鏡。
【具體實施方式】
[0026]本實用新型實施例提供的電學檢測設(shè)備，包括:光源、調(diào)制器、圖像傳感器和圖像處理器，所述電學檢測設(shè)備可應(yīng)用于檢測像素間距小于圖像傳感器的感光單元的尺寸時，所述電學檢測設(shè)備還包括光學器件；其中，
[0027]所述光源，用于發(fā)出入射光；
[0028]所述光學器件，用于對所述光源發(fā)出的入射光進行匯聚以及對經(jīng)所述調(diào)制器反射的反射光進行發(fā)散；
[0029]所述調(diào)制器，用于利用自身與待測陣列基板之間的電場將匯聚的入射光進行反射，形成反射光；
[0030]所述圖像傳感器，用于對經(jīng)所述光學器件發(fā)散后的反射光進行電信號轉(zhuǎn)換，形成圖像；
[0031]所述圖像處理器，用于對所述圖像傳感器生成的圖像進行處理。比如:檢測陣列基板上的像素是否正常等。
[0032]優(yōu)選地，所述光學器件可以包括第一分光鏡和第一物鏡；所述第一分光鏡，用于對所述光源發(fā)出的入射光進行反射以及對經(jīng)所述第一物鏡發(fā)散后的反射光進行透射；所述第一物鏡，用于對經(jīng)過所述第一分光鏡反射后的入射光進行匯聚以及對經(jīng)所述調(diào)制器反射后的反射光進行發(fā)散，以進入所述第一分光鏡。其中，所述第一物鏡可由多個透鏡組合形成，多個透鏡組合形成所述第一物鏡的具體實現(xiàn)為本領(lǐng)域技術(shù)人員的慣用技術(shù)手段。
[0033]優(yōu)選地，所述光學器件可以包括調(diào)節(jié)機構(gòu)、第二分光鏡和第二物鏡；所述調(diào)節(jié)機構(gòu)，用于調(diào)整所述第二分光鏡與水平面之間的夾角；所述第二分光鏡，用于對所述光源發(fā)出的入射光進行反射以及對經(jīng)所述調(diào)制器反射后的反射光進行透射；所述第二物鏡，用于對經(jīng)所述第二分光鏡透射后的反射光進行透射，以進入所述圖像傳感器。其中，所述第二物鏡可由多個透鏡組合形成，多個透鏡組合形成所述第二物鏡的具體實現(xiàn)為本領(lǐng)域技術(shù)人員的慣用技術(shù)手段。
[0034]優(yōu)選地，所述調(diào)節(jié)機構(gòu)可以為連接在所述第二分光鏡上的旋轉(zhuǎn)軸，還可以為連接在所述第二分光鏡上的伸縮桿。
[0035]優(yōu)選地，所述電學檢測設(shè)備還包括電機；所述電機，用于驅(qū)動所述調(diào)節(jié)機構(gòu)對所述
夾角進行調(diào)整。
[0036]優(yōu)選地，所述圖像傳感器為電荷耦合器件。
[0037]本實用新型實施例提供的陣列檢測系統(tǒng)，所述陣列檢測系統(tǒng)包括光學檢測設(shè)備和上述的電學檢測設(shè)備。
[0038]下面結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型的技術(shù)方案進一步詳細闡述。
[0039]實施例一[0040]圖3為本實用新型實施例一電學檢測設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3所示，所述電學檢測設(shè)備包括:光源101、第一分光鏡302、具有匯聚作用的第一物鏡303、調(diào)制器104、圖像傳感器106和圖像處理器107;
[0041]光源101發(fā)出的入射光經(jīng)第一分光鏡302的反射后，再經(jīng)過第一物鏡303進行匯聚后進入調(diào)制器104，進而照射在待檢測的陣列基板105上；與此同時，在陣列基板105加電后，會在陣列基板105與調(diào)制器104之間形成電場，而調(diào)制器104內(nèi)的液晶根據(jù)所述電場強度大小而發(fā)生不同的偏轉(zhuǎn)，調(diào)制器104內(nèi)的液晶偏轉(zhuǎn)方向的不同使得經(jīng)過液晶反射回去的反射光的頻率也就不同；根據(jù)光路可逆原理，反射光經(jīng)過第一物鏡303，第一物鏡303對反射光起到發(fā)散的作用，經(jīng)過發(fā)散后的反射光經(jīng)第一分光鏡302的透射后進入圖像傳感器106，圖像傳感器106把反射光存圖，并轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號后傳輸給圖像處理器107，圖像處理器107進而根據(jù)反射光的強度判斷陣列基板105上的像素是否正常。
[0042]圖4為本實用新型實施例一電學檢測設(shè)備在檢測像素間距小于感光單元的尺寸時調(diào)制器照射在陣列基板上的光照范圍示意圖，如圖4所示，第一物鏡303對入射光進行匯聚后，經(jīng)調(diào)制器照射在陣列基板上的光照范圍正好等于像素間距，這樣在被測試的像素或面板以外的區(qū)域就不存在反射光，因此，可以通過電學檢測設(shè)備對陣列基板進行有效測試。圖3中的第一物鏡303所起的作用相當于把檢測像素或面板的信息進行放大，從而提升了電學檢測設(shè)備的解析能力。
[0043]本實用新型實施例一中，所述第一物鏡為若干個透鏡組合而成的一個透鏡組；在實際的生產(chǎn)過程中，可以通過更換物鏡來實現(xiàn)，例如，將原來不具有的匯聚作用的物鏡更換為具有匯聚作用的第一物鏡；或者將原來具有匯聚作用的物鏡更換為匯聚作用更強的第一物鏡。
[0044]實施例二
[0045]圖5為本實用新型實施例二電學檢測設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖5所示，所述電學檢測設(shè)備包括:光源101、調(diào)節(jié)機構(gòu)501、第二分光鏡502、第二物鏡503、調(diào)制器104、圖像傳感器106和圖像處理器107;其中，
[0046]調(diào)節(jié)機構(gòu)501可以為連接在第二分光鏡502上的旋轉(zhuǎn)軸，通過調(diào)節(jié)所述旋轉(zhuǎn)軸，以增大所述第二分光鏡與水平面之間的夾角；調(diào)節(jié)機構(gòu)501還可以為連接在第二分光鏡502的伸縮桿；通過調(diào)節(jié)所述伸縮桿的長度，以增大所述第二分光鏡與水平面之間的夾角。這里，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)各種現(xiàn)有技術(shù)來實現(xiàn)調(diào)節(jié)機構(gòu)501的作用，不再贅述。
[0047]光源101發(fā)出的入射光經(jīng)增大夾角的第二分光鏡502進行匯聚后，進入調(diào)制器104，進而照射在待檢測的陣列基板105上；與此同時，在陣列基板105加電后，會在陣列基板105與調(diào)制器104之間形成電場，而調(diào)制器104內(nèi)的液晶根據(jù)所述電場強度大小而發(fā)生不同的偏轉(zhuǎn)，調(diào)制器104內(nèi)的液晶偏轉(zhuǎn)方向的不同使得經(jīng)過液晶反射回去的反射光的頻率也就不同；根據(jù)光路可逆原理，反射光經(jīng)過第二分光鏡502的發(fā)散后，再經(jīng)第二物鏡503的透射后進入圖像傳感器106，圖像傳感器106把反射光存圖，并轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號后傳輸給圖像處理器107，圖像處理器107進而根據(jù)判斷反射光的強度判斷陣列基板105上的像素是否正常。
[0048]這里，經(jīng)過對第二分光鏡502與水平面之間的夾角進行增大后，入射光經(jīng)調(diào)制器照射在陣列基板上起到了匯聚的作用，因此，圖5中的第二分光鏡所起的作用相當于把檢測像素或面板的信息進行放大，從而提升了電學檢測設(shè)備的解析能力。在實際的生產(chǎn)過程中，可以通過調(diào)節(jié)機構(gòu)501增大第二分光鏡502與水平面之間的夾角來實現(xiàn)，還可以在調(diào)節(jié)機構(gòu)501上連接電機，通過電機來驅(qū)動調(diào)節(jié)機構(gòu)501實現(xiàn)增大第二分光鏡502與水平面之間的夾角；本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)實際的應(yīng)用場景，來增大第二分光鏡502與水平面之間的夾角，這里不再贅述。
[0049]以上所述，僅為本實用新型的較佳實施例而已，并非用于限定本實用新型的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種電學檢測設(shè)備，其特征在于，所述電學檢測設(shè)備包括:發(fā)出入射光的光源、對所述光源發(fā)出的入射光進行匯聚以及對調(diào)制器反射后的反射光進行發(fā)散的光學器件、利用自身與待測陣列基板之間的電場將匯聚的入射光進行反射形成反射光的調(diào)制器、對所述光學器件發(fā)散后的反射光進行電信號轉(zhuǎn)換形成圖像的圖像傳感器、和對所述圖像傳感器生成的圖像進行處理的圖像處理器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電學檢測設(shè)備，其特征在于，所述光學器件包括:對所述光源發(fā)出的入射光進行反射以及對通過第一物鏡的反射光進行透射的第一分光鏡，和對所述第一分光鏡反射后的入射光進行匯聚以及對所述調(diào)制器反射后的反射光進行發(fā)散的第一物鏡。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電學檢測設(shè)備，其特征在于，所述光學器件包括:對所述光源發(fā)出的入射光進行反射以及對所述調(diào)制器反射后的反射光進行透射的第二分光鏡、調(diào)整所述第二分光鏡與水平面之間的夾角的調(diào)節(jié)機構(gòu)、以及對所述第二分光鏡透射后的反射光進行透射的第二物鏡。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電學檢測設(shè)備，其特征在于，所述調(diào)節(jié)機構(gòu)為連接在所述第二分光鏡上的旋轉(zhuǎn)軸。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電學檢測設(shè)備，其特征在于，所述調(diào)節(jié)機構(gòu)為連接在所述第二分光鏡上的伸縮桿。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電學檢測設(shè)備，其特征在于，所述電學檢測設(shè)備還包括驅(qū)動所述調(diào)節(jié)機構(gòu)對所述夾角進行調(diào)整的電機。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的電學檢測設(shè)備，其特征在于，所述圖像傳感器為電荷稱合器件。
8.一種陣列檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述陣列檢測系統(tǒng)包括光學檢測設(shè)備，以及權(quán)利要求I至7任一所述的電學檢測設(shè)備。
【文檔編號】G02F1/13GK203606585SQ201320677800
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2013年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月30日
【發(fā)明者】馬海濤, 趙海生, 張鐵林 申請人:北京京東方光電科技有限公司