電極結(jié)構(gòu)及制備方法、陣列基板及制備方法和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電極結(jié)構(gòu)及制備方法、陣列基板及制備方法和顯示裝置。該電極結(jié)構(gòu)包括引入電極和本體電極，引入電極與本體電極之間設(shè)置有第一隔離層和第二隔離層，第一隔離層中開設(shè)有第一過孔、第二隔離層中開設(shè)有第二過孔，第一過孔的孔軸和第二過孔的孔軸在同一直線，引入電極依次通過第一過孔和第二過孔與本體電極電連接，第一過孔的直徑小于第二過孔的直徑，第一隔離層還延伸至覆蓋第二過孔的孔壁。該電極結(jié)構(gòu)通過使第一隔離層將第二隔離層中第二過孔的孔壁完全覆蓋，從而使第二隔離層中第二過孔的孔壁不會遭到損壞，進(jìn)而確保引入電極與本體電極能夠很好地電連接，保證了信號的正常引入。
【專利說明】電極結(jié)構(gòu)及制備方法、陣列基板及制備方法和顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地，涉及一種電極結(jié)構(gòu)及制備方法、陣列基板及制備方法和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器(LCD:Liquid Crystal Display)因其體積小、功耗低、無福射等特點已成為目前平板顯示器中的主流產(chǎn)品。目前，隨著高分辨率小尺寸液晶顯示器的廣泛應(yīng)用，低功耗的液晶顯示器成為大勢所趨。
[0003]陣列基板是液晶顯示器的重要組成部分，也是用來顯示的關(guān)鍵組件。隨著技術(shù)的發(fā)展，為了降低液晶顯示器的功耗，人們嘗試著對陣列基板進(jìn)行了諸多改進(jìn)。
[0004]如針對HADS (High Advanced Super Dimension Switch,高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù))模式的液晶顯示器陣列基板，如圖1所示，由于公共電極設(shè)置在數(shù)據(jù)線的上方，且公共電極與數(shù)據(jù)線在空間位置上存在相互重疊的部分，使得該陣列基板在顯示時，公共電極與數(shù)據(jù)線之間會形成電容，該電容的電容值越大，陣列基板的功耗就會越大。為了降低陣列基板乃至整個顯示器的功耗，通常在陣列基板的公共電極和數(shù)據(jù)線之間增設(shè)有機絕緣層。有機絕緣層使得公共電極與數(shù)據(jù)線之間的距離加大，能夠減小公共電極與數(shù)據(jù)線之間的電容，從而使陣列基板的功耗降低。
[0005]一般情況下，陣列基板在制備完成后都要進(jìn)行信號測試，通常，信號測試結(jié)構(gòu)形成在陣列基板的非顯示區(qū)內(nèi)，且與陣列基板顯示區(qū)內(nèi)的顯示結(jié)構(gòu)一同制備完成，顯示區(qū)內(nèi)的部分層結(jié)構(gòu)還延伸至非顯示區(qū)，例如:有機絕緣層、柵絕緣層和鈍化層等，這樣既不會增加額外的工藝步驟，又有利于減少非顯示區(qū)與顯示區(qū)的斷差，便于非顯示區(qū)與顯示區(qū)的信號交換。
[0006]一般的，信號測試包括柵線信號測試和數(shù)據(jù)線信號測試，即通過測試結(jié)構(gòu)在柵線上加入柵線測試信號，在數(shù)據(jù)線上加入數(shù)據(jù)線測試信號，以檢測該陣列基板是否能正常運行。在現(xiàn)有技術(shù)中，如圖1所示，柵線測試信號通過設(shè)置在非顯示區(qū)02的柵線信號輸入電極21加入，數(shù)據(jù)線測試信號通過設(shè)置在非顯示區(qū)02的數(shù)據(jù)線信號輸入電極22加入。柵線信號輸入電極21與柵線同層設(shè)置，柵線信號輸入電極21上方依次設(shè)置有從顯示區(qū)01延伸過來的柵絕緣層8、有機絕緣層9和鈍化層10，鈍化層10上形成有第一引入電極61，該第一引入電極61通過貫穿柵絕緣層8、有機絕緣層9和鈍化層10的過孔一 010與柵線信號輸入電極21電連接；數(shù)據(jù)線信號輸入電極22與數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，數(shù)據(jù)線信號輸入電極22上方依次設(shè)置有從顯示區(qū)01延伸過來的有機絕緣層9和鈍化層10，鈍化層10上形成有第二引入電極62，該第二引入電極62通過貫穿有機絕緣層9和鈍化層10的過孔二 020與數(shù)據(jù)線信號輸入電極22電連接。其中，第一引入電極61和第二引入電極62的作用是將測試信號分別引入至柵線信號輸入電極21和數(shù)據(jù)線信號輸入電極22上。
[0007]在上述陣列基板的制備過程中，如圖2所示，例如:在形成柵線信號輸入電極21上方所對應(yīng)的過孔一 010時，首先在有機絕緣層9中形成有機絕緣層過孔；然后通過一次干刻工藝同時在鈍化層10中形成鈍化層過孔和在柵絕緣層8中形成柵絕緣層過孔。由于鈍化層10在對應(yīng)將要形成過孔的被曝光顯影部分的開口直徑(即鈍化層10中過孔的開口直徑r)比有機絕緣層中過孔的開口直徑R大，所以在通過一次干刻工藝形成鈍化層過孔和柵絕緣層過孔的圖形時，容易將有機絕緣層過孔的孔壁再次部分刻蝕掉，從而形成如圖2中所示的機絕緣層過孔中的缺口 14。這會導(dǎo)致在后續(xù)的引入電極6的制備過程中，延伸至有機絕緣層過孔中的引入電極6與柵線信號輸入電極21虛接或者斷開，由此進(jìn)一步導(dǎo)致測試信號無法輸入，陣列基板無法正常測試。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述技術(shù)問題，提供了一種電極結(jié)構(gòu)及制備方法、陣列基板及制備方法和顯示裝置。該電極結(jié)構(gòu)通過使第一隔離層將第二隔離層中的第二過孔的孔壁完全覆蓋，從而使第二隔離層中的第二過孔的孔壁不會遭到損壞，進(jìn)而確保引入電極與本體電極能夠很好地電連接，保證了信號的正常引入。
[0009]本發(fā)明提供一種電極結(jié)構(gòu)，包括引入電極和本體電極，所述引入電極與所述本體電極之間設(shè)置有第一隔離層和第二隔離層，所述第一隔離層中開設(shè)有第一過孔、所述第二隔離層中開設(shè)有第二過孔，所述第一過孔的孔軸和所述第二過孔的孔軸在同一直線，所述引入電極依次通過所述第一過孔和所述第二過孔與所述本體電極電連接，所述第一過孔的直徑小于所述第二過孔的直徑，所述第一隔離層還延伸至覆蓋所述第二過孔的孔壁。
[0010]優(yōu)選的，所述本體電極與所述第二隔離層之間還設(shè)置有第三隔離層，所述第三隔離層中開設(shè)有第三過孔，所述第三過孔的孔軸與所述第二過孔的孔軸在同一直線、且其直徑小于等于所述第一過孔的直徑，所述引入電極還通過所述第三過孔與所述本體電極電連接，所述第一隔離層還延伸至覆蓋所述第三隔離層對應(yīng)著所述第三過孔區(qū)域未被所述第二隔離層覆蓋的表面。
[0011]優(yōu)選的，所述第二隔離層采用聚酰亞胺環(huán)氧樹脂材料形成，所述第一隔離層和所述第三隔離層采用氮化硅材料形成，所述引入電極采用氧化銦錫或摻銦氧化鋅材料形成。
[0012]本發(fā)明還提供一種陣列基板，包括襯底基板以及設(shè)置于所述襯底基板上方的多個電極結(jié)構(gòu)，所述陣列基板包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述電極結(jié)構(gòu)采用上述電極結(jié)構(gòu)，所述電極結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述顯示區(qū)或所述非顯示區(qū)。
[0013]優(yōu)選的，多條交叉設(shè)置的柵線和數(shù)據(jù)線將所述顯示區(qū)劃分為多個像素區(qū)域，所述像素區(qū)域區(qū)內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、源極和漏極，所述柵極與所述柵線電連接，所述源極與所述數(shù)據(jù)線電連接，所述薄膜晶體管的上方還設(shè)置有有機絕緣層和鈍化層，所述鈍化層的上方還設(shè)置有公共電極，所述柵絕緣層、所述有機絕緣層和所述鈍化層還同時延伸至所述非顯示區(qū)。
[0014]優(yōu)選的，所述電極結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述非顯示區(qū)，且所述電極結(jié)構(gòu)包括第一電極結(jié)構(gòu)和第二電極結(jié)構(gòu)，所述柵線與所述第一電極結(jié)構(gòu)中的所述本體電極電連接，所述鈍化層還延伸至所述非顯示區(qū)并作為所述第一隔離層，所述有機絕緣層還延伸至所述非顯示區(qū)并作為所述第二隔離層，所述柵絕緣層還延伸至所述非顯示區(qū)并作為所述第三隔離層，所述引入電極用于引入柵線測試信號；和/或，所述數(shù)據(jù)線與所述第二電極結(jié)構(gòu)中的所述本體電極電連接，所述鈍化層還延伸至所述非顯示區(qū)并作為所述第一隔離層，所述有機絕緣層還延伸至所述非顯示區(qū)并作為所述第二隔離層，所述引入電極用于引入數(shù)據(jù)線測試信號。
[0015]優(yōu)選的，所述電極結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述顯示區(qū)，在所述顯示區(qū)內(nèi)，所述襯底基板上還設(shè)置有公共電極線，所述公共電極線為所述電極結(jié)構(gòu)中的所述本體電極，所述鈍化層為所述第一隔離層，所述有機絕緣層為所述第二隔離層，所述公共電極為所述電極結(jié)構(gòu)中的所述引入電極，所述引入電極用于接入公共參考電壓。
[0016]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述陣列基板。
[0017]本發(fā)明還提供一種電極結(jié)構(gòu)的制備方法，包括:
[0018]在第一襯底基板上，采用構(gòu)圖工藝形成本體電極；
[0019]在形成所述本體電極的所述第一襯底基板上，形成第二隔離層，采用構(gòu)圖工藝形成第二過孔；
[0020]在形成所述本體電極及所述第二隔離層的所述第一襯底基板上形成第一隔離層，并采用構(gòu)圖工藝形成第一過孔，使得所述第一過孔的直徑小于所述第二過孔的直徑，且所述第一隔離層將所述第二過孔的孔壁完全覆蓋；
[0021]在形成所述本體電極、所述第二隔離層及所述第一隔離層的所述第一襯底基板上，采用構(gòu)圖工藝形成引入電極。
[0022]優(yōu)選的，在形成所述本體電極的所述第一襯底基板上，形成所述第二隔離層之前形成第三隔離層，并采用構(gòu)圖工藝形成第三過孔；
[0023]所述第一過孔及所述第三過孔通過一次構(gòu)圖工藝形成，使得所述第三過孔的直徑小于等于所述第一過孔的直徑，且所述第一隔離層還將所述第三隔離層對應(yīng)著所述第三過孔區(qū)域未被所述第二隔離層覆蓋的表面完全覆蓋。
[0024]本發(fā)明還提供一種陣列基板的制備方法，所述陣列基板包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，采用上述電極結(jié)構(gòu)的制備方法，在所述顯示區(qū)或所述非顯示區(qū)形成多個電極結(jié)構(gòu)。
[0025]優(yōu)選的，在所述顯示區(qū)，形成柵極和柵線；
[0026]形成柵絕緣層，所述柵絕緣層還延伸至所述非顯示區(qū)并作為所述第三隔離層；
[0027]形成包括源極、漏極和數(shù)據(jù)線的源漏金屬層，以及形成有源層；
[0028]形成有機絕緣層和鈍化層，所述有機絕緣層和所述鈍化層還延伸至所述非顯示區(qū)并分別作為所述第二隔離層和所述第一隔離層；
[0029]形成公共電極。
[0030]優(yōu)選的，所述電極結(jié)構(gòu)形成于所述非顯示區(qū)，且所述電極結(jié)構(gòu)包括第一電極結(jié)構(gòu)和第二電極結(jié)構(gòu)，所述第一電極結(jié)構(gòu)中的所述本體電極與所述柵極采用相同的材料、且在同一構(gòu)圖工藝中形成；和/或，所述第二電極結(jié)構(gòu)中的所述本體電極與所述源極采用相同的材料、且在同一構(gòu)圖工藝中形成；
[0031]所述柵線與所述第一電極結(jié)構(gòu)中的所述本體電極電連接，和/或，所述數(shù)據(jù)線與所述第二電極結(jié)構(gòu)中的所述本體電極電連接。
[0032]優(yōu)選的，所述電極結(jié)構(gòu)形成于所述顯示區(qū)，所述顯示區(qū)內(nèi)還形成有公共電極線，所述公共電極線為所述電極結(jié)構(gòu)中的所述本體電極，所述公共電極為所述電極結(jié)構(gòu)中的所述引入電極；所述公共電極線與所述柵極采用相同的材料、且在同一構(gòu)圖工藝中形成；所述引入電極與所述公共電極采用相同的材料、且在同一構(gòu)圖工藝中形成。
[0033]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明所提供的電極結(jié)構(gòu)，通過使第一隔離層將第二隔離層中第二過孔的孔壁完全覆蓋，從而使第二隔離層中第二過孔的孔壁不會遭到損壞，進(jìn)而確保引入電極與本體電極能夠很好地電連接，保證了信號的正常引入。采用該電極結(jié)構(gòu)的陣列基板，能夠通過該電極結(jié)構(gòu)正常引入測試信號和顯示信號，從而使陣列基板能正常進(jìn)行測試和顯示，不僅提高了陣列基板的測試效率，還提高了陣列基板的顯示效果。采用該陣列基板的顯示裝置，不僅能正常進(jìn)行測試，而且能提高其顯示效果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0034]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖2為圖1中柵線信號測試部分存在缺陷時的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖3為本發(fā)明實施例1中電極結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖4為本發(fā)明實施例2中電極結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖5為本發(fā)明實施例3中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖6為本發(fā)明實施例5中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0040]其中的附圖標(biāo)記說明:
[0041]1.第一襯底基板；2.本體電極；21.柵線信號輸入電極；22.數(shù)據(jù)線信號輸入電極；3.第三隔離層；31.第三過孔；4.第二隔離層；41.第二過孔；5.第一隔離層；51.第一過孔；6.引入電極；61.第一引入電極；62.第二引入電極；7.薄膜晶體管；71.柵極；72.源極；73.漏極；74.有源層；8.柵絕緣層；9.有機絕緣層；10.鈍化層；11.襯底基板；12.公共電極；13.公共電極線；14.缺口 ；01.顯示區(qū)；02.非顯示區(qū)；001.第一電極結(jié)構(gòu)；002.第二電極結(jié)構(gòu)；003.電極結(jié)構(gòu)；010.過孔一 ；020.過孔二。
【具體實施方式】
[0042]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明一種電極結(jié)構(gòu)及制備方法、陣列基板及制備方法和顯示裝置作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0043]實施例1:
[0044]本實施例提供一種電極結(jié)構(gòu)，如圖3所示，包括引入電極6和本體電極2，本體電極2設(shè)置在第一襯底基板I上，引入電極6與本體電極2之間設(shè)置有第一隔離層5和第二隔離層4，第一隔離層5中開設(shè)有第一過孔51、第二隔離層4中開設(shè)有第二過孔41，第一過孔51的孔軸和第二過孔41的孔軸在同一直線，引入電極6依次通過第一過孔51和第二過孔41與本體電極2電連接，第一過孔51的直徑小于第二過孔41的直徑，第一隔離層5還延伸至覆蓋第二過孔41的孔壁。
[0045]其中，第二隔離層4采用聚酰亞胺環(huán)氧樹脂材料形成，第一隔離層5采用氮化硅材料形成，引入電極6采用氧化銦錫或摻銦氧化鋅材料形成。
[0046]本實施例還提供一種上述電極結(jié)構(gòu)的制備方法，該制備方法的具體步驟為:
[0047]步驟S1:采用構(gòu)圖工藝在第一襯底基板I上形成本體電極2。
[0048]步驟S2:采用一次構(gòu)圖工藝在完成步驟SI的第一襯底基板I上形成第二隔離層4及第二過孔41。
[0049]在該步驟中，采用掩模板對第二過孔41進(jìn)行曝光，掩模板上對應(yīng)形成第二過孔41的圖形為圓形，其直徑為R。相應(yīng)地，形成的第二過孔41的直徑也為R。
[0050]步驟S3:采用一次構(gòu)圖工藝在完成步驟S2的第一襯底基板I上形成第一隔離層5及第一過孔51。
[0051]在該步驟中，采用掩模板對第一過孔51進(jìn)行曝光，掩模板上對應(yīng)形成第一過孔51的圖形為圓形，其直徑為r。相應(yīng)地，形成的第一過孔51的直徑也為r。
[0052]步驟S4:采用一次構(gòu)圖工藝在完成步驟S3的第一襯底基板I上形成引入電極6。
[0053]至此，本實施例中的電極結(jié)構(gòu)制備完成。
[0054]由于r < R，當(dāng)通過刻蝕第一隔離層5以形成第一過孔51時，在第二過孔41中，通過調(diào)節(jié)掩模板的對應(yīng)尺寸，使得緊貼第二過孔41孔壁的R-r厚度的第一隔離層5不會被刻蝕掉，且這部分第一隔離層5將第二過孔41的孔壁完全覆蓋，所以不會對已形成于第二隔離層4中的第二過孔41的孔壁造成刻蝕損壞，從而使引入電極6與本體電極2能夠接觸良好，不會造成引入電極6與本體電極2之間虛接或斷開，進(jìn)而使引入電極6能夠?qū)㈦娦盘栒Ｒ胫帘倔w電極2上。
[0055]實施例2:
[0056]本實施例提供一種電極結(jié)構(gòu)，如圖4所示，與實施例1不同的是，在實施例1的基礎(chǔ)上，本實施例中的電極結(jié)構(gòu)，在本體電極2與第二隔離層4之間還設(shè)置有第三隔離層3，第三隔離層3中開設(shè)有第三過孔31，第三過孔31的孔軸與第二過孔41的孔軸在同一直線、且其直徑小于等于第一過孔51的直徑，引入電極6還通過第三過孔31與本體電極2電連接，第一隔離層5還延伸至覆蓋第三隔離層3對應(yīng)著第三過孔31區(qū)域未被第二隔離層4覆蓋的表面。
[0057]其中，第三隔離層3采用氮化硅材料形成。
[0058]在實施例1中電極結(jié)構(gòu)的制備步驟的基礎(chǔ)上，本實施例中電極結(jié)構(gòu)的制備步驟還包括:
[0059]在步驟SI和步驟S2之間還包括:步驟SI’:在完成步驟SI的第一襯底基板I上沉積或涂敷第三隔離層3。
[0060]步驟S3還進(jìn)一步包括:采用一次構(gòu)圖工藝在完成步驟S2的第一襯底基板I上形成第三過孔31。
[0061]在該步驟中，第一過孔51和第三過孔31在一次刻蝕工藝中形成。即采用掩模板對第一過孔51進(jìn)行曝光后，通過一次刻蝕同時形成第一過孔51和第三過孔31。因此，第一過孔51與第三過孔31的直徑相同，也即，二者的直徑均為r。
[0062]這里需要說明的是，由于實際制備工藝中的原因，第三過孔31的直徑一般略小于第一過孔51的直徑。
[0063]本實施例中電極結(jié)構(gòu)的其他制備步驟與實施例1中相同。此處不再贅述。
[0064]由于r < R，且第一隔離層5 —直延伸至覆蓋第三隔離層3對應(yīng)著第三過孔31區(qū)域未被第二隔離層4覆蓋的表面，當(dāng)通過一次刻蝕第一隔離層5和第三隔離層3以同時形成第一過孔51和第三過孔31時，同樣地，在第二過孔41中，通過調(diào)節(jié)掩模板的對應(yīng)尺寸，使得緊貼第二過孔41孔壁的R-r厚度的第一隔離層5不會被刻蝕掉，且這部分第一隔離層5將第二過孔41的孔壁完全覆蓋，所以不會對已形成于第二隔離層4中的第二過孔41的孔壁造成刻蝕損壞，從而使引入電極6與本體電極2能夠接觸良好，不會造成引入電極6與本體電極2之間虛接或斷開，進(jìn)而使引入電極6能夠?qū)㈦娦盘栒Ｒ胫帘倔w電極2上。
[0065]實施例3:
[0066]本實施例提供一種陣列基板，如圖5所示，包括襯底基板11以及設(shè)置于襯底基板11上方的多個電極結(jié)構(gòu)，陣列基板包括顯示區(qū)01和非顯示區(qū)02，電極結(jié)構(gòu)采用實施例1-2中的電極結(jié)構(gòu)，該電極結(jié)構(gòu)設(shè)置于非顯示區(qū)02。
[0067]該陣列基板中，多條交叉設(shè)置的柵線和數(shù)據(jù)線(圖5中均未示出)將顯示區(qū)01劃分為多個像素區(qū)域，像素區(qū)域區(qū)內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管7，薄膜晶體管7包括柵極71、柵絕緣層
8、有源層74、源極72和漏極73，柵絕緣層8設(shè)置在柵極71與源極72之間，柵極71與柵線電連接且設(shè)置在同一層中，源極72與數(shù)據(jù)線電連接且設(shè)置在同一層中，薄膜晶體管7的上方還設(shè)置有有機絕緣層9和鈍化層10，鈍化層10的上方還設(shè)置有公共電極12，柵絕緣層8、有機絕緣層9和鈍化層10還同時延伸至非顯示區(qū)02。
[0068]在本實施例中，電極結(jié)構(gòu)設(shè)置于非顯示區(qū)02，且電極結(jié)構(gòu)包括第一電極結(jié)構(gòu)001和第二電極結(jié)構(gòu)002。其中，第一電極結(jié)構(gòu)001采用實施例2中的電極結(jié)構(gòu)，第二電極結(jié)構(gòu)002采用實施例1中的電極結(jié)構(gòu)。柵線與第一電極結(jié)構(gòu)001中的本體電極(即柵線信號輸入電極21)電連接，鈍化層10還延伸至非顯示區(qū)02并作為第一隔離層，有機絕緣層9還延伸至非顯示區(qū)02并作為第二隔離層，柵絕緣層8還延伸至非顯示區(qū)02并作為第三隔離層，引入電極(即第一引入電極61)用于引入柵線測試信號。數(shù)據(jù)線與第二電極結(jié)構(gòu)002中的本體電極(即數(shù)據(jù)線信號輸入電極22)電連接，鈍化層10還延伸至非顯示區(qū)02并作為第一隔離層，有機絕緣層9還延伸至非顯示區(qū)02并作為第二隔離層，引入電極(即第二引入電極62)用于引入數(shù)據(jù)線測試信號。
[0069]其中，第一電極結(jié)構(gòu)001中的本體電極(即柵線信號輸入電極21)與柵極71采用相同的材料、且在同一構(gòu)圖工藝中形成，即第一電極結(jié)構(gòu)001中的本體電極與柵極71以及柵線形成在陣列基板的同一層中。本實施例中陣列基板的襯底基板11相當(dāng)于實施例2中電極結(jié)構(gòu)的第一襯底基板。第二電極結(jié)構(gòu)002中的本體電極(即數(shù)據(jù)線信號輸入電極22)與源極72采用相同的材料、且在同一構(gòu)圖工藝中形成，即第二電極結(jié)構(gòu)002中的本體電極與源極72以及數(shù)據(jù)線形成在陣列基板的同一層中。本實施例陣列基板中設(shè)置有柵絕緣層8的襯底基板11相當(dāng)于實施例1中電極結(jié)構(gòu)的第一襯底基板。第一電極結(jié)構(gòu)001的引入電極(即第一引入電極61)和第二電極結(jié)構(gòu)002的引入電極(即第二引入電極62)與公共電極12采用相同的材料、且在同一構(gòu)圖工藝中形成，即第一電極結(jié)構(gòu)001中的引入電極和第二電極結(jié)構(gòu)002中的引入電極均與公共電極12形成在陣列基板的同一層中。
[0070]如此設(shè)置，使得設(shè)置在陣列基板非顯示區(qū)02的第一電極結(jié)構(gòu)001和第二電極結(jié)構(gòu)002能夠隨陣列基板上顯示區(qū)01內(nèi)顯示結(jié)構(gòu)(如薄膜晶體管7、柵線和數(shù)據(jù)線)的制備一同制備而成，不會增加額外的工藝步驟；又有利于減少非顯示區(qū)02與顯示區(qū)01的斷差，便于非顯示區(qū)02與顯示區(qū)01的信號交換。
[0071]需要說明的是，雖然第一電極結(jié)構(gòu)001的引入電極和第二電極結(jié)構(gòu)002的引入電極與公共電極12形成在陣列基板的同一層中，但第一電極結(jié)構(gòu)001的引入電極、第二電極結(jié)構(gòu)002的引入電極和公共電極12中任意兩者之間不互相連接，即相互電隔離。原因是公共電極12用于在顯不時輸入公共參考電壓信號,第一電極結(jié)構(gòu)001的引入電極用于在測試時輸入柵線測試信號，第二電極結(jié)構(gòu)002的引入電極用于在測試時輸入數(shù)據(jù)線測試信號。顯示時的公共電壓信號和測試時的柵線測試信號及數(shù)據(jù)線測試信號分別獨立提供，互不干擾。
[0072]本實施例中，第一電極結(jié)構(gòu)001和第二電極結(jié)構(gòu)002均分別包括多個，多個第一電極結(jié)構(gòu)001或第二電極結(jié)構(gòu)002之間相互間隔設(shè)置。每個第一電極結(jié)構(gòu)001對應(yīng)一條柵線，多個第一電極結(jié)構(gòu)001的引入電極(即第一引入電極61)相互電連接。如此設(shè)置，有利于柵線測試信號的引入，即只要在一個第一電極結(jié)構(gòu)001的引入電極上輸入柵線測試信號，所有的第一電極結(jié)構(gòu)001中的本體電極都能通過互相連接在一起的引入電極獲得該柵線測試信號，因此不必在每個第一電極結(jié)構(gòu)001上都輸入柵線測試信號。每個第二電極結(jié)構(gòu)002對應(yīng)一條數(shù)據(jù)線，多個第二電極結(jié)構(gòu)002的引入電極(即第二引入電極62)相互電連接。如此設(shè)置，同樣有利于數(shù)據(jù)線測試信號的引入，即只要在一個第二電極結(jié)構(gòu)002的引入電極上輸入數(shù)據(jù)線測試信號，所有的第二電極結(jié)構(gòu)002中的本體電極都能通過互相連接在一起的引入電極獲得該數(shù)據(jù)線測試信號，因此不必在每個第二電極結(jié)構(gòu)002上都輸入數(shù)據(jù)線測試信號。
[0073]需要說明的是，圖5僅為本實施例中陣列基板的示意性結(jié)構(gòu)圖，實際陣列基板的薄膜晶體管7、第一電極結(jié)構(gòu)001和第二電極結(jié)構(gòu)002并不能在一個剖切面上同時剖出，圖5只是將這幾個結(jié)構(gòu)示意性地放到一個圖中進(jìn)行說明，以便能更清楚地說明它們之間的結(jié)構(gòu)關(guān)系。
[0074]本實施例還提供一種上述陣列基板的制備方法，包括在非顯示區(qū)02形成第一電極結(jié)構(gòu)001和第二電極結(jié)構(gòu)002。
[0075]該方法還包括在顯示區(qū)01，形成柵極71和柵線；形成柵絕緣層8，柵絕緣層8還延伸至非顯示區(qū)02并作為第三隔離層；形成包括源極72、漏極73和數(shù)據(jù)線的源漏金屬層，以及形成有源層74 ;形成有機絕緣層9和鈍化層10，有機絕緣層9和鈍化層10還延伸至非顯示區(qū)02并分別作為第二隔離層和第一隔離層；形成公共電極12。
[0076]其中，第一電極結(jié)構(gòu)001中的本體電極(即柵線信號輸入電極21)與柵極71采用相同的材料、且在同一構(gòu)圖工藝中形成；第二電極結(jié)構(gòu)002中的本體電極(即數(shù)據(jù)線信號輸入電極22)與源極72采用相同的材料、且在同一構(gòu)圖工藝中形成。
[0077]柵線與第一電極結(jié)構(gòu)001中的本體電極電連接，數(shù)據(jù)線與第二電極結(jié)構(gòu)002中的本體電極電連接。
[0078]本實施例中，第一電極結(jié)構(gòu)001的制備步驟與實施例2中電極結(jié)構(gòu)的制備步驟相同，第二電極結(jié)構(gòu)002的制備步驟與實施例1中電極結(jié)構(gòu)的制備步驟相同。
[0079]本實施例中，當(dāng)陣列基板需要測試時，向第一電極結(jié)構(gòu)001的引入電極(即第一引入電極61)輸入柵線測試信號，向第二電極結(jié)構(gòu)002的引入電極(即第二引入電極62)輸入數(shù)據(jù)線測試信號，就能夠?qū)φ麄€陣列基板進(jìn)行測試，從而發(fā)現(xiàn)被測試陣列基板的缺陷。
[0080]實施例4:
[0081]本實施例提供一種陣列基板，與實施例3不同的是，設(shè)置于非顯示區(qū)的電極結(jié)構(gòu)只包括第一電極結(jié)構(gòu)或第二電極結(jié)構(gòu)。
[0082]本實施例中陣列基板的第一電極結(jié)構(gòu)或第二電極結(jié)構(gòu)與實施例3中的第一電極結(jié)構(gòu)或第二電極結(jié)構(gòu)相同，制備步驟也相同。陣列基板顯示區(qū)內(nèi)的結(jié)構(gòu)及其制備方法與實施例3中相同，此處不再贅述。[0083]實施例3-4中的陣列基板通過設(shè)置第一電極結(jié)構(gòu)，使得對鈍化層和柵絕緣層進(jìn)行一次刻蝕形成過孔時，不會對已形成于有機絕緣層中的過孔的孔壁造成刻蝕損壞；和/或，通過設(shè)置第二電極結(jié)構(gòu)，使得對鈍化層進(jìn)行刻蝕形成過孔時，不會對已形成于有機絕緣層中的過孔的孔壁造成刻蝕損壞；從而使設(shè)置在非顯示區(qū)的第一電極結(jié)構(gòu)和/或第二電極結(jié)構(gòu)能夠正常引入測試信號，對該陣列基板進(jìn)行測試。提高了測試效率。
[0084]實施例5:
[0085]本實施例提供一種陣列基板，與實施例3-4不同的是，如圖6所示，本實施例中，電極結(jié)構(gòu)003設(shè)置于顯示區(qū)01，且該電極結(jié)構(gòu)003采用實施例2中的電極結(jié)構(gòu)。在顯示區(qū)01內(nèi)，襯底基板11上還設(shè)置有公共電極線13，公共電極線13為電極結(jié)構(gòu)003中的本體電極，鈍化層10為第一隔離層，有機絕緣層9為第二隔離層，公共電極12為電極結(jié)構(gòu)003中的引入電極，引入電極用于接入公共參考電壓。
[0086]陣列基板顯示區(qū)01內(nèi)的其他結(jié)構(gòu)與實施例3中相同，這里不再贅述。
[0087]本實施例中，公共電極線13與柵極71采用相同的材料、且在同一構(gòu)圖工藝中形成在同一層。即公共電極線13與柵極71形成在陣列基板的同一層中。襯底基板11相當(dāng)于實施例2中電極結(jié)構(gòu)的第一襯底基板。引入電極與公共電極12米用相同的材料、且在同一構(gòu)圖工藝中形成。即引入電極與公共電極12形成在陣列基板的同一層中，公共電極12既作為公共電極，又作為電極結(jié)構(gòu)003的引入電極。
[0088]需要說明的是，電極結(jié)構(gòu)003中，公共電極12作為引入電極與公共電極線13電連接，能夠使公共電極12在連接處的面積增大，從而減小了公共電極12的電阻。設(shè)置在顯示區(qū)01內(nèi)的電極結(jié)構(gòu)003包括多個，多個電極結(jié)構(gòu)003間隔設(shè)置，每個電極結(jié)構(gòu)003對應(yīng)一條公共電極線13，多個電極結(jié)構(gòu)003的引入電極相互電連接。如此設(shè)置,能夠大大減小公共電極12的電阻，從而大大降低公共電極12本身的功耗，同時還使輸入至公共電極12上的公共參考電壓更加均勻。
[0089]本實施例中，陣列基板中電極結(jié)構(gòu)003的制備步驟與實施例2中電極結(jié)構(gòu)的制備步驟相同，陣列基板顯示區(qū)內(nèi)其它結(jié)構(gòu)的制備方法與實施例3中相同，此處不再贅述。
[0090]實施例5的有益效果:實施例5中的陣列基板通過設(shè)置電極結(jié)構(gòu)，使得對鈍化層和柵絕緣層進(jìn)行一次刻蝕形成過孔時，不會對已形成于有機絕緣層中的過孔的孔壁造成刻蝕損壞；從而使設(shè)置在顯示區(qū)的電極結(jié)構(gòu)能夠減小公共電極的電阻，從而降低公共電極在顯示時的功耗，提高陣列基板顯示效果。
[0091]實施例6:
[0092]本實施例提供一種顯示裝置，包括實施例3-5中任一的陣列基板。由于采用上述陣列基板，不僅使得顯示裝置能夠正常進(jìn)行測試，而且還能夠提高顯示裝置的顯示效果。
[0093]該顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0094]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明所提供的電極結(jié)構(gòu)，通過使第一隔離層將第二隔離層中第二過孔的孔壁完全覆蓋，從而使第二隔離層中第二過孔的孔壁不會遭到損壞，進(jìn)而確保引入電極與本體電極能夠很好地電連接，保證了信號的正常引入。采用該電極結(jié)構(gòu)的陣列基板，能夠通過該電極結(jié)構(gòu)正常引入測試信號和顯示信號，從而使陣列基板能正常進(jìn)行測試和顯示，不僅提高了陣列基板的測試效率，還提高了陣列基板的顯示效果。采用該陣列基板的顯示裝置，不僅能正常進(jìn)行測試，而且能提高其顯示效果。
[0095]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種電極結(jié)構(gòu)，包括引入電極和本體電極，所述引入電極與所述本體電極之間設(shè)置有第一隔離層和第二隔離層，所述第一隔離層中開設(shè)有第一過孔、所述第二隔離層中開設(shè)有第二過孔，所述第一過孔的孔軸和所述第二過孔的孔軸在同一直線，所述引入電極依次通過所述第一過孔和所述第二過孔與所述本體電極電連接，在其特征在于:所述第一過孔的直徑小于所述第二過孔的直徑，所述第一隔離層還延伸至覆蓋所述第二過孔的孔壁。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述本體電極與所述第二隔離層之間還設(shè)置有第三隔離層，所述第三隔離層中開設(shè)有第三過孔，所述第三過孔的孔軸與所述第二過孔的孔軸在同一直線、且其直徑小于等于所述第一過孔的直徑，所述引入電極還通過所述第三過孔與所述本體電極電連接，所述第一隔離層還延伸至覆蓋所述第三隔離層對應(yīng)著所述第三過孔區(qū)域未被所述第二隔離層覆蓋的表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二隔離層采用聚酰亞胺環(huán)氧樹脂材料形成，所述第一隔離層和所述第三隔離層采用氮化硅材料形成，所述引入電極采用氧化銦錫或摻銦氧化鋅材料形成。
4.一種陣列基板，包括襯底基板以及設(shè)置于所述襯底基板上方的多個電極結(jié)構(gòu)，所述陣列基板包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，其特征在于，所述電極結(jié)構(gòu)采用權(quán)利要求1-3中任意一項所述的電極結(jié)構(gòu)，所述電極結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述顯示區(qū)或所述非顯示區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，多條交叉設(shè)置的柵線和數(shù)據(jù)線將所述顯示區(qū)劃分為多個像素區(qū)域，所述像素區(qū)域區(qū)內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、源極和漏極，所述柵極與所述柵線電連接，所述源極與所述數(shù)據(jù)線電連接，所述薄膜晶體管的上方還設(shè)置有有機絕緣層和鈍化層，所述鈍化層的上方還設(shè)置有公共電極，所述柵絕緣層、所述有機絕緣層和所述鈍化層還同時延伸至所述非顯示區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述電極結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述非顯示區(qū)，且所述電極結(jié)構(gòu)包括第一電極結(jié)構(gòu)和第二電極結(jié)構(gòu)，所述柵線與所述第一電極結(jié)構(gòu)中的所述本體電極電連接，所述鈍化層還延伸至所述非顯示區(qū)并作為所述第一隔離層，所述有機絕緣層還延伸至所述非顯示區(qū)并`作為所述第二隔離層，所述柵絕緣層還延伸至所述非顯示區(qū)并作為所述第三隔離層，所述引入電極用于引入柵線測試信號；和/或，所述數(shù)據(jù)線與所述第二電極結(jié)構(gòu)中的所述本體電極電連接，所述鈍化層還延伸至所述非顯示區(qū)并作為所述第一隔離層，所述有機絕緣層還延伸至所述非顯示區(qū)并作為所述第二隔離層，所述引入電極用于引入數(shù)據(jù)線測試信號。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述電極結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述顯示區(qū)，在所述顯示區(qū)內(nèi)，所述襯底基板上還設(shè)置有公共電極線，所述公共電極線為所述電極結(jié)構(gòu)中的所述本體電極，所述鈍化層為所述第一隔離層，所述有機絕緣層為所述第二隔離層，所述公共電極為所述電極結(jié)構(gòu)中的所述引入電極，所述引入電極用于接入公共參考電壓。
8.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求4-7中任意一項所述的陣列基板。
9.一種電極結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括: 在第一襯底基板上，采用構(gòu)圖工藝形成本體電極； 在形成所述本體電極的所述第一襯底基板上，形成第二隔離層，采用構(gòu)圖工藝形成第二過孔； 在形成所述本體電極及所述第二隔離層的所述第一襯底基板上形成第一隔離層，并采用構(gòu)圖工藝形成第一過孔，使得所述第一過孔的直徑小于所述第二過孔的直徑，且所述第一隔離層將所述第二過孔的孔壁完全覆蓋； 在形成所述本體電極、所述第二隔離層及所述第一隔離層的所述第一襯底基板上，采用構(gòu)圖工藝形成引入電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于， 在形成所述本體電極的所述第一襯底基板上，形成所述第二隔離層之前形成第三隔離層，并采用構(gòu)圖工藝形成第三過孔； 所述第一過孔及所述第三過孔通過一次構(gòu)圖工藝形成，使得所述第三過孔的直徑小于等于所述第一過孔的直徑，且所述第一隔離層還將所述第三隔離層對應(yīng)著所述第三過孔區(qū)域未被所述第二隔離層覆蓋的表面完全覆蓋。
11.一種陣列基板的制備方法，所述陣列基板包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，其特征在于，采用如權(quán)利要求9或10所述的電極結(jié)構(gòu)的制備方法，在所述顯示區(qū)或所述非顯示區(qū)形成多個電極結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于， 在所述顯示區(qū)，形成柵極和柵線； 形成柵絕緣層，所述柵絕緣層還延伸至所述非顯示區(qū)并作為所述第三隔離層； 形成包括源極、漏極和數(shù)據(jù)線的源漏金屬層，以及形成有源層； 形成有機絕緣層和鈍化層，所述有機絕緣層和所述鈍化層還延伸至所述非顯示區(qū)并分別作為所述第二隔離層和所述第一隔離層； 形成公共電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述電極結(jié)構(gòu)形成于所述非顯示區(qū)，且所述電極結(jié)構(gòu)包括第一電極結(jié)構(gòu)和第二電極結(jié)構(gòu)，所述第一電極結(jié)構(gòu)中的所述本體電極與所述柵極采用相同的材料、且在同一構(gòu)圖工藝中形成；和/或，所述第二電極結(jié)構(gòu)中的所述本體電極與所述源極采用相同的材料、且在同一構(gòu)圖工藝中形成； 所述柵線與所述第一電極結(jié)構(gòu)中的所述本體電極電連接，和/或，所述數(shù)據(jù)線與所述第二電極結(jié)構(gòu)中的所述本體電極電連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述電極結(jié)構(gòu)形成于所述顯示區(qū)，所述顯示區(qū)內(nèi)還形成有公共電極線，所述公共電極線為所述電極結(jié)構(gòu)中的所述本體電極，所述公共電極為所述電極結(jié)構(gòu)中的所述引入電極；所述公共電極線與所述柵極采用相同的材料、且在同一構(gòu)圖工藝中形成；所述引入電極與所述公共電極采用相同的材料、且在同一構(gòu)圖工藝中形成。
【文檔編號】G02F1/1362GK103676354SQ201310651938
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年12月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月6日
【發(fā)明者】張敏, 金玟秀 申請人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司