帶正電單層型電子照相感光體以及圖像形成裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種帶正電單層型電子照相感光體以及圖像形成裝置。本發(fā)明的帶正電單層型電子照相感光體包括：空穴輸送材料，包括由下述式（1）表示的三芳胺衍生物；以及電子輸送材料，包括選自由特定結(jié)構(gòu)的醌化合物構(gòu)成的組中的化合物。根據(jù)本發(fā)明，能夠供給一種無圖像存儲(chǔ)的帶正電單層型電子照相感光體。另外，本發(fā)明的圖像形成裝置由于提供這種帶正電單層型電子照相感光體作為圖像承載體，因此能夠提供良好的圖像。
【專利說明】帶正電單層型電子照相感光體以及圖像形成裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及帶正電單層型電子照相感光體以及具備帶正電單層型電子照相感光體的圖像形成裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]作為電子照相方式的圖像形成裝置所具備的電子照相感光體，有具備由硒、非晶硅等無機(jī)材料構(gòu)成的感光層的無機(jī)感光體；以及具備主要由粘結(jié)劑樹脂、電荷發(fā)生材料、電荷輸送材料等有機(jī)材料構(gòu)成的感光層的有機(jī)感光體。而且，在這些感光體之中，由于與無機(jī)感光體相比制備容易，能夠從廣泛的材料中選擇感光層的材料，設(shè)計(jì)的自由度高，因此有機(jī)感光體被廣泛使用。[0003]作為這樣的有機(jī)感光體,可以舉出具備在同一層包括電荷發(fā)生材料和電荷輸送材料的感光層的單層型有機(jī)感光體。眾所周知單層型有機(jī)感光體與在導(dǎo)電性基體上層壓了含有電荷發(fā)生材料的電荷發(fā)生層與含有電荷輸送材料的電荷輸送層的層壓型有機(jī)感光體相t匕，結(jié)構(gòu)簡單且制備容易，并且能夠抑制皮膜缺陷的發(fā)生。
[0004]使用這樣的電子照相感光體，實(shí)施包括以下的工序I~5的圖像形成工藝。
[0005]工序1:使電子照相感光體的表面帶電
[0006]工序2:使帶電的電子照相感光體表面曝光，從而形成靜電潛像
[0007]工序3:在施加有顯影偏壓的狀態(tài)下使靜電潛像進(jìn)行調(diào)色劑顯影
[0008]工序4:通過反轉(zhuǎn)顯影方式將形成的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體
[0009]工序5:使轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體的調(diào)色劑圖像進(jìn)行加熱定影
[0010]但是，在這樣的圖像形成工藝中，由于旋轉(zhuǎn)使用電子照相感光體，因此會(huì)出現(xiàn)在前一周中曝光的部分的電位(明電位)殘留而即使經(jīng)過下一周中的帶電工序也會(huì)在所述部分中無法得到期望的帶電電位(暗電位)的現(xiàn)象(轉(zhuǎn)印存儲(chǔ)(転寫^ ^ ') 一 ))。而且，存在轉(zhuǎn)印存儲(chǔ)的發(fā)生部分與未發(fā)生的部分的圖像濃度改變，難以得到良好的圖像的問題。
[0011]另外，單層型電子照相感光體有帶正電型和帶負(fù)電型，作為電子照相感光體的帶電方式有接觸帶電方式和非接觸帶電方式。當(dāng)使電子照相感光體的表面帶電時(shí)，幾乎不發(fā)生對(duì)電子照相感光體的壽命和辦公環(huán)境造成不良影響的臭氧等氧化性氣體的方面出發(fā)，優(yōu)選使用帶正電型的單層型電子照相感光體，更優(yōu)選組合使用接觸帶電方式的帶電部與帶正電單層型電子照相感光體。但是，組合使用接觸帶電方式的帶電部與帶正電單層型電子照相感光體時(shí)，存在特別易于發(fā)生轉(zhuǎn)印存儲(chǔ)的問題。
[0012]根據(jù)如以上所示的情況，期望一種能夠抑制圖像形成時(shí)的轉(zhuǎn)印存儲(chǔ)的發(fā)生的帶正電型的單層型電子照相感光體。為了抑制轉(zhuǎn)印存儲(chǔ)的發(fā)生，有效的是使用電荷輸送能力優(yōu)異的電荷輸送材料。作為電荷輸送能力優(yōu)異的電荷輸送材料，提出了各種三芳胺衍生物作為空穴輸送材料。而且，優(yōu)選作為空穴輸送材料的三芳胺衍生物的具體例可以舉出下述化合物(HTM-A 和 HTM-B )。
[0013]
【權(quán)利要求】
1.一種帶正電單層型電子照相感光體，其特征在于， 在導(dǎo)電性基體上形成有至少包括電荷發(fā)生材料、空穴輸送材料、電子輸送材料和粘結(jié)劑樹脂的單層結(jié)構(gòu)的感光層， 所述空穴輸送材料包括由下述式(I)表示的三芳胺衍生物，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶正電單層型電子照相感光體，其中，所述電子輸送材料的漂移遷移率在電場強(qiáng)度3.0X 105V/cm的條件下為4.5X 10_7cm2/V.sec以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的帶正電單層型電子照相感光體，其中，所述電子輸送材料的相對(duì)于Ag/Ag +的還原電位為一1.05V以上且一0.85V以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中的任一項(xiàng)所述的帶正電單層型電子照相感光體，其中，所述電子輸送材料的分子量為400以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~3中的任一項(xiàng)所述的帶正電單層型電子照相感光體，其中，所述電荷發(fā)生材料為X型無金屬酞菁或酞菁氧鈦。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~3中的任一項(xiàng)所述的帶正電單層型電子照相感光體，其中， 所述粘結(jié)劑樹脂包括由下述式(5)表示的樹脂，
7.根據(jù)權(quán)利要求1~3中的任一項(xiàng)所述的帶正電單層型電子照相感光體，其中，在具備施加直流電壓的接觸方式的帶電部的圖像形成裝置中被用作圖像承載體。
8.一種圖像形成裝置，其中，具備: 圖像承載體； 帶電部，用于使所述圖像承載體的表面帶電； 曝光部，用于使帶電的所述圖像承載體的表面曝光，從而在所述圖像承載體的表面上形成靜電潛像； 顯影部，用于將所述靜電潛像顯影為調(diào)色劑圖像；以及 轉(zhuǎn)印部，用于將所述調(diào)色劑圖像從所述圖像承載體轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體， 所述圖像承載體為權(quán)利要求1~7中的任一項(xiàng)所述的帶正電單層型電子照相感光體。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像形成裝置，其中，所述帶電部為施加直流電壓的接觸方式的帶電部。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖像形成裝置，其中，所述轉(zhuǎn)印部中的轉(zhuǎn)印以直接轉(zhuǎn)印方式進(jìn)行。
【文檔編號(hào)】G03G15/00GK103852983SQ201310581536
【公開日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2013年11月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月30日
【發(fā)明者】清水智文, 宮本榮一, 鶴見裕樹 申請(qǐng)人:京瓷辦公信息系統(tǒng)株式會(huì)社