量子點薄膜及背光模組的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種量子點薄膜及背光模組，量子點薄膜包括量子點層，所述量子點層包括基質(zhì)及若干均勻分散于基質(zhì)中的量子點，所述基質(zhì)中還包含若干均勻分散的擴(kuò)散粒子，所述擴(kuò)散粒子與基質(zhì)之間折射率差大于0.01，擴(kuò)散粒子用于對基質(zhì)內(nèi)的入射光線進(jìn)行散射，增加光線通過量子點層的光程。本發(fā)明能夠增加光線通過量子點層的光程，提高量子點利用率，提高光轉(zhuǎn)化效率，降低成本；可以提供光轉(zhuǎn)換和霧化和增亮三種效果，降低背光模組的厚度。
【專利說明】量子點薄膜及背光模組
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及量子點【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種量子點薄膜及背光模組。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器(liquid crystal display, LED)背光源大多采用冷極突光管(Coldcathode fluorescent lamp, CCFL),但是隨著市場的需要，發(fā)光二極管(Light emittingdiode, LED)因其體積小、省能和環(huán)保等特性逐漸取代CCFL作為液晶顯示器背光源。
[0003]應(yīng)用在背光模組中的白光LED,主要有兩種:一種是通過LED自身發(fā)出的藍(lán)光,激發(fā)黃色熒光粉，兩色混合形成白光；另一種是LED單元通過三原色LED光源混合形成白光；第三種是LED藍(lán)色光，通過激發(fā)紅色和綠色兩種量子點熒光粉，三色光混合形成白光。其中第三種方法是現(xiàn)在研究比較多的一種方法，這種方法能夠提高顯示器的色域從70%NTSC到100%NTSC。
[0004]紅色和綠色量子點可以放置在三種位置上:第一是在LED芯片上；第二是在導(dǎo)光板的邊緣；第三是在背光模組內(nèi)。第一種位置量子點的用量很少，但是LED芯片有很高的溫度，量子點使用壽命短。第三種一般是把量子點分散到膜片上，離LED最遠(yuǎn)，溫度低，但是量子點用量大，成本高。第二種量子點用量介于第一種和第二種之間，一般用到大尺寸顯示器比較合適。
[0005]在LED藍(lán)光激發(fā)紅色和綠色量子點，混合形成白光的過程中，量子點的光轉(zhuǎn)化效率是非常重要的，它直接影響著量子點的用量。提高光轉(zhuǎn)化效率的方法就是提高量子產(chǎn)率(Quantum Yield)，這與量子點的種類、結(jié)構(gòu)和粒徑大小都有關(guān)系，現(xiàn)階段量子產(chǎn)率能夠提高的范圍已經(jīng)非常的有限。
[0006]量子點薄膜的厚度大概在幾十到一百微米左右，在這么薄的厚度下，量子點的光轉(zhuǎn)化率是很低的，現(xiàn)有技術(shù)中通常通過增加量子點含量來提高量子點的光轉(zhuǎn)化率，然而由于量子點價格昂貴，會使成本增加。
[0007]由于量子點成本高，現(xiàn)在研究比較多的是第三種把量子點分散到膜片上，主要考慮的是附加值比較高的小尺寸液晶屏幕。由于量子點的量子產(chǎn)率是一定的，所以如何提高光轉(zhuǎn)化率是降低成本的關(guān)鍵。
[0008]因此，針對上述技術(shù)問題，有必要提供一種量子點薄膜及背光模組。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種量子點薄膜及背光模組，其量子點利用率高、光轉(zhuǎn)化效率高、且成本低。
[0010]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案如下:
[0011]一種量子點薄膜，包括量子點層，所述量子點層包括基質(zhì)及若干均勻分散于基質(zhì)中的量子點，所述基質(zhì)中還包含若干均勻分散的擴(kuò)散粒子，所述擴(kuò)散粒子與基質(zhì)之間折射率差大于0.01，擴(kuò)散粒子用于對基質(zhì)內(nèi)的入射光線進(jìn)行散射，增加光線通過量子點層的光程。
[0012]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述擴(kuò)散粒子為無機粒子、有機高分子粒子中的一種或兩種。
[0013]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述無機粒子包括Si02、Ti02、Al203、CaC03、BaSO4中的一種或多種。
[0014]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述有機高分子粒子包括聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、聚苯乙烯PS、烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物ABS、聚氨酯PU、有機硅聚合物中的一種或多種。
[0015]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述擴(kuò)散粒子為單一粒徑分散或多種粒徑混合分散。
[0016]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述擴(kuò)散粒子的直徑為0.1um?20um。
[0017]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述擴(kuò)散粒子的直徑為Ium?15um。
[0018]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述擴(kuò)散粒子與基質(zhì)之間折射率差大于0.03。
[0019]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述擴(kuò)散粒子在基質(zhì)中含量為0.1%?10%。
[0020]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述擴(kuò)散粒子在基質(zhì)中含量為1%?5%。
[0021]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述量子點的直徑為I?10nm。
[0022]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述基質(zhì)內(nèi)的入射光線為藍(lán)光時，量子點包括綠色量子點和紅色量子點。
[0023]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述量子點材料包括第II主族與第VI主族中的元素形成的第一化合物中的任意一種、第III主族與第V主族中的元素形成的第二化合物中的任意一種、所述第一化合物和/或所述第二化合物中的多種包覆形成的核殼結(jié)構(gòu)化合物或者摻雜納米晶。
[0024]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第一化合物包括CdSe、CdTe、MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、Sr S、Sr Se、SrTe、BaS、BaSe、BaTe、ZnS、ZnSe、ZnTe 和 CdS，所述第 二化合物包括GaN、GaP、GaAs、InN、InP 和 InAs。
[0025]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述量子點薄膜還包括至少設(shè)于量子點層一側(cè)的水汽阻隔層。
[0026]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述水汽阻隔層為固體材料，或者固化的液體、凝膠、聚合物。
[0027]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述水汽阻隔層為高分子聚合物、無機氧化物、或者高分子聚合物與無機氧化物的組合物。
[0028]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述基質(zhì)材料為丙烯酸酯類樹脂、有機硅氧烷樹脂、丙烯酸酯改性聚氨酯、丙烯酸酯改性有機硅樹脂或環(huán)氧樹脂。
[0029]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述基質(zhì)材料固化方式為UV固化或熱固化。
[0030]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述量子點層的厚度為Ium?lOOOum。
[0031]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述量子點層的厚度為IOum?200um。
[0032]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述量子點層的厚度為50um?150um。
[0033]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述水汽阻隔層表面設(shè)有擴(kuò)散結(jié)構(gòu)，擴(kuò)散結(jié)構(gòu)為擴(kuò)散顆粒、或微結(jié)構(gòu)。
[0034]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述微結(jié)構(gòu)包括等腰三角形、多角錐形、圓錐形、半球形、以及表面具有凸起結(jié)構(gòu)的無規(guī)則形中的一種或多種的組合。[0035]相應(yīng)地，一種背光模組，所述背光模組包括:光源、導(dǎo)光板、棱鏡片、及量子點薄膜，所述量子點薄膜位于導(dǎo)光板和棱鏡片之間。
[0036]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0037]本發(fā)明能夠增加光線通過量子點層的光程，提高量子點利用率，提高光轉(zhuǎn)化效率，降低成本；
[0038]本發(fā)明可以提供光轉(zhuǎn)換和霧化和增亮三種效果，可以降低背光模組的厚度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0039]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明中記載的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0040]圖1為本發(fā)明實施方式一中量子點薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖2為本發(fā)明實施方式一中量子點薄膜的原理示意圖；
[0042]圖3為本發(fā)明實施方式二中量子點薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖4為本發(fā)明實施方式三中量子點薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0044]本發(fā)明公開了一種量子點薄膜，包括量子點層，量子點層包括基質(zhì)及若干均勻分散于基質(zhì)中的量子點，基質(zhì)中還包含若干均勻分散的擴(kuò)散粒子，擴(kuò)散粒子用于對基質(zhì)內(nèi)的入射光線進(jìn)行散射，增加光線通過量子點層的光程。擴(kuò)散粒子與基質(zhì)之間折射率差大于
0.01，優(yōu)選地大于0.03。
[0045]基質(zhì)材料為丙烯酸酯類樹脂、有機硅氧烷樹脂、丙烯酸酯改性聚氨酯、丙烯酸酯改性有機硅樹脂或環(huán)氧樹脂，基質(zhì)材料固化方式為UV固化或熱固化。
[0046]進(jìn)一步地，擴(kuò)散粒子為無機粒子、有機高分子粒子中的一種或兩種。無機粒子包括Si02、Ti02、Al203、CaC03、BaSO4中的一種或多種；有機高分子粒子包括聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、聚苯乙烯PS、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物ABS、聚氨酯PU、有機硅聚合物中的一種或多種。
[0047]擴(kuò)散粒子可以為單一粒徑分散或多種粒徑混合分散，擴(kuò)散粒子的直徑為0.1um?20um,優(yōu)選地為Ium?15um。
[0048]擴(kuò)散粒子在基質(zhì)中含量為0.1%?10%，優(yōu)選地為1%?5%。
[0049]進(jìn)一步地，基質(zhì)內(nèi)的入射光線為藍(lán)光時，量子點包括綠色量子點和紅色量子點，量子點的直徑為I?10nm。
[0050]量子點層的厚度為Ium?IOOOum,優(yōu)選地為IOum?200um,更優(yōu)選地為50um?150umo
[0051]量子點材料包括第II主族與第VI主族中的元素形成的第一化合物中的任意一種、第III主族與第V主族中的元素形成的第二化合物中的任意一種、第一化合物和/或第二化合物中的多種包覆形成的核殼結(jié)構(gòu)化合物或者摻雜納米晶。第一化合物包括CdSe、CdTe,MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe、BaS、BaSe、BaTe、ZnS、ZnSe、ZnTe 和 CdS，第二化合物包括 GaN、GaP、GaAs、InN, InP 和 InAs。
[0052]進(jìn)一步地，量子點薄膜還包括至少設(shè)于量子點層一側(cè)的水汽阻隔層。水汽阻隔層為固體材料，或者固化的液體、凝膠、聚合物。水汽阻隔層可以為高分子聚合物、無機氧化物、或者高分子聚合物與無機氧化物的組合物。
[0053]水汽阻隔層表面還可以設(shè)有擴(kuò)散結(jié)構(gòu)，擴(kuò)散結(jié)構(gòu)為擴(kuò)散顆粒、或微結(jié)構(gòu)。其中微結(jié)構(gòu)包括等腰三角形、多角錐形、圓錐形、半球形、以及表面具有凸起結(jié)構(gòu)的無規(guī)則形中的一種或多種的組合。
[0054]相應(yīng)地，本發(fā)明還公開了一種背光模組，包括:光源、導(dǎo)光板、棱鏡片、及量子點薄膜，其中量子點薄膜位于導(dǎo)光板之上、棱鏡片之下的任何位置。量子點薄膜單側(cè)或雙側(cè)制作有棱鏡結(jié)構(gòu)，可以集光轉(zhuǎn)化、增亮和擴(kuò)散作用于一起，減少背光模組的厚度。
[0055]以下將結(jié)合附圖所示的【具體實施方式】對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。但這些實施方式并不限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)這些實施方式所做出的結(jié)構(gòu)、方法、或功能上的變換均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0056]此外，在不同的實施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡單清楚地敘述本發(fā)明，不代表所討論的不同實施例及/或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)聯(lián)性。
[0057]實施方式一:
[0058]參圖1所示,一種量子點薄膜,包括:
[0059]量子點層10，量子點層10包括基質(zhì)11及若干均勻分散于基質(zhì)11中的量子點，本實施方式中量子點包括紅色量子點111和綠色量子點112?；|(zhì)11中還包含若干均勻分散的擴(kuò)散粒子113，擴(kuò)散粒子113用于對基質(zhì)內(nèi)的入射光線進(jìn)行散射，增加光線通過量子點層的光程；
[0060]位于量子點層10兩側(cè)的水汽阻隔層，包括位于量子點層10上方的第一水汽阻隔層21、和位于量子點層10下方的第二水汽阻隔層22。水汽阻隔層為固體材料，或者固化的液體、凝膠、聚合物。
[0061]在本實施方式中，基質(zhì)11材料為丙烯酸酯類樹脂、有機硅氧烷樹脂、丙烯酸酯改性聚氨酯、丙烯酸酯改性有機硅樹脂或環(huán)氧樹脂，基質(zhì)材料固化方式為UV固化或熱固化。
[0062]擴(kuò)散粒子113為無機粒子、有機高分子粒子中的一種或兩種。無機粒子包括Si02、Ti02、Al203、CaC03、BaSO4中的一種或多種；有機高分子粒子包括聚甲基丙烯酸甲酯PMMAj苯乙烯PS、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物ABS、聚氨酯PU、有機硅聚合物中的一種或多種。
[0063]擴(kuò)散粒子113的直徑為0.1um?20um,優(yōu)選地為Ium?15um,擴(kuò)散粒子113可以為單一粒徑分散或多種粒徑混合分散，例如5um、8um、12um三種大小的SiO2粒子，按照重量比為2:1:0.5的比例分散在量子點層，又如5um SiO2和5um PS粒子按照重量比1:1的比例分散在量子點層。
[0064]擴(kuò)散粒子在量子點層中所占的重量百分比為0.1%至50%，優(yōu)選的占量子點層總量的百分比例為0.1%至10%之間，更優(yōu)選地為1%?5%。其擴(kuò)散粒子的重量比，是由擴(kuò)散粒子與基質(zhì)材料之間的折射率差決定的，擴(kuò)散粒子113與基質(zhì)11之間折射率差大于0.01，優(yōu)選地大于0.03。折射率差越大，擴(kuò)散粒子的重量百分比就越小，擴(kuò)散粒子與基質(zhì)材料之間的折射率差越小，擴(kuò)散粒子的重量百分比就越大。
[0065]本實施方式中，基質(zhì)內(nèi)的入射光線為藍(lán)光，量子點包括綠色量子點和紅色量子點，量子點的直徑為I~10nm。當(dāng)入射光線不同時，量子點的數(shù)量和種類也需分別進(jìn)行設(shè)置。
[0066]量子點層10的厚度為Ium~lOOOum，優(yōu)選地為IOum~200um，更優(yōu)選地為50um~150umo
[0067]量子點材料包括第II主族與第VI主族中的元素形成的第一化合物中的任意一種、第III主族與第V主族中的元素形成的第二化合物中的任意一種、第一化合物和/或第二化合物中的多種包覆形成的核殼結(jié)構(gòu)化合物或者摻雜納米晶。第一化合物包括CdSe、CdTe,MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe、BaS、BaSe、BaTe、ZnS、ZnSe、ZnTe和 CdS，第二化合物包括 GaN、GaP、GaAs、InN, InP 和 InAs。
[0068]水汽阻隔層包括但不限于高分子聚合物(如聚對苯二甲酸乙二酯PET、聚萘二甲酸乙二醇酯PEN、聚碳酸酯PC等)、無機氧化物、(如SiO2, Si2O3, TiO2, Al2O3等)、或者高分子聚合物與無機氧化物的組合物。
[0069]優(yōu)選的水汽阻隔層包括2層或者兩層以上不同材料或者復(fù)合物。例如無機有機層相互交替，能夠提供高的水和氧氣的阻隔性能。水分透過率優(yōu)選為lmg/m2.241ι至10E_6mg/m2.24h,更優(yōu)選為 10E_2mg/m2.24h 至 10E_3mg/m2.24h,氧氣透過率優(yōu)選為 lmL/m2.24h至 10E-6mL/m2.24h，更優(yōu)選為 10E_2mL/m2.24h 至 10E_3mL/m2.24h。
[0070]在本實施方式中，如基質(zhì)選取折射率為1.4556的樹脂，采用PMMA微球作為擴(kuò)散粒子，激發(fā)光源為450nm藍(lán)光,測試結(jié)果如下表:
[0071]
【權(quán)利要求】
1.一種量子點薄膜，包括量子點層，所述量子點層包括基質(zhì)及若干均勻分散于基質(zhì)中的量子點，其特征在于，所述基質(zhì)中還包含若干均勻分散的擴(kuò)散粒子，所述擴(kuò)散粒子與基質(zhì)之間折射率差大于0.01，擴(kuò)散粒子用于對基質(zhì)內(nèi)的入射光線進(jìn)行散射，增加光線通過量子點層的光程。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點薄膜，其特征在于，所述擴(kuò)散粒子為無機粒子、有機高分子粒子中的一種或兩種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的量子點薄膜，其特征在于，所述無機粒子包括Si02、TiO2,A1203、CaCO3、BaSO4 中的一種或多種。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的量子點薄膜，其特征在于，所述有機高分子粒子包括聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、聚苯乙烯PS、烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物ABS、聚氨酯PU、有機娃聚合物中的一種或多種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點薄膜，其特征在于，所述擴(kuò)散粒子為單一粒徑分散或多種粒徑混合分散。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的量子點薄膜，其特征在于，所述擴(kuò)散粒子的直徑為0.1um~20umo
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的量子點薄膜，其特征在于，所述擴(kuò)散粒子的直徑為Ium~15um。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點薄膜，其特征在于，所述擴(kuò)散粒子與基質(zhì)之間折射率差大于0.03。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點 薄膜，其特征在于，所述擴(kuò)散粒子在基質(zhì)中含量為0.1% ~10%。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的量子點薄膜，其特征在于，所述擴(kuò)散粒子在基質(zhì)中含量為1% ~5%。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點薄膜，其特征在于，所述量子點的直徑為I~10nm。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點薄膜，其特征在于，所述基質(zhì)內(nèi)的入射光線為藍(lán)光時，量子點包括綠色量子點和紅色量子點。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點薄膜，其特征在于，所述量子點材料包括第II主族與第VI主族中的元素形成的第一化合物中的任意一種、第III主族與第V主族中的元素形成的第二化合物中的任意一種、所述第一化合物和/或所述第二化合物中的多種包覆形成的核殼結(jié)構(gòu)化合物或者摻雜納米晶。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的量子點薄膜，其特征在于，所述第一化合物包括CdSe、CdTe、MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、Sr S、Sr Se、SrTe、BaS、BaSe、BaTe、ZnS、ZnSe、ZnTe和CdS，所述第二化合物包括GaN、GaP、GaAs、InN, InP和InAs。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點薄膜，其特征在于，所述量子點薄膜還包括至少設(shè)于量子點層一側(cè)的水汽阻隔層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的量子點薄膜，其特征在于，所述水汽阻隔層為固體材料，或者固化的液體、凝膠、聚合物。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的量子點薄膜，其特征在于，所述水汽阻隔層為高分子聚合物、無機氧化物、或者高分子聚合物與無機氧化物的組合物。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點薄膜，其特征在于，所述基質(zhì)材料為丙烯酸酯類樹月旨、有機硅氧烷樹脂、丙烯酸酯改性聚氨酯、丙烯酸酯改性有機硅樹脂或環(huán)氧樹脂。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的量子點薄膜，其特征在于，所述基質(zhì)材料固化方式為UV固化或熱固化。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點薄膜，其特征在于，所述量子點層的厚度為Ium~lOOOum。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的量子點薄膜，其特征在于，所述量子點層的厚度為IOum~200umo
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的量子點薄膜，其特征在于，所述量子點層的厚度為50um~150umo
23.根據(jù)權(quán)利要求15所述的量子點薄膜，其特征在于，所述水汽阻隔層表面設(shè)有擴(kuò)散結(jié)構(gòu)，擴(kuò)散結(jié)構(gòu)為擴(kuò)散顆粒、或微結(jié)構(gòu)。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的量子點薄膜，其特征在于，所述微結(jié)構(gòu)包括等腰三角形、多角錐形、圓錐形、半球形、以及表面具有凸起結(jié)構(gòu)的無規(guī)則形中的一種或多種的組合。
25.—種背光模組,其特征在于,所述背光模組包括:光源、導(dǎo)光板、棱鏡片、及權(quán)利要求I~24任一項中的量子點薄膜，所 述量子點薄膜位于導(dǎo)光板和棱鏡片之間。
【文檔編號】G02F1/1335GK103487857SQ201310473832
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2013年10月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月11日
【發(fā)明者】劉光, 肖志宏, 丁清華, 吳智華 申請人:張家港康得新光電材料有限公司