感光性樹脂組合物、使用其的光致抗蝕膜、抗蝕圖案的形成方法以及導(dǎo)體圖案的形成方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及包含粘結(jié)劑聚合物、具有氨基的能夠光聚合的單體、光聚合引發(fā)劑、以及具有羧基的苯并三唑衍生物的感光性樹脂組合物,以及包含由該感光性樹脂組合物形成的感光性樹脂組合物層和支撐層的光致抗蝕膜。該感光性樹脂組合物以及光致抗蝕膜的分辨率和密合性良好,顯影后的固化抗蝕層的腳部極小、剝離性也良好。
【專利說明】感光性樹脂組合物、使用其的光致抗蝕膜、抗蝕圖案的形成方法以及導(dǎo)體圖案的形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及通過堿性水溶液能夠顯影的感光性樹脂組合物、包含由該感光性樹脂組合物形成的感光性樹脂組合物層和支撐層的光致抗蝕膜、使用該光致抗蝕膜在基材上形成抗蝕圖案的方法、以及使用該光致抗蝕膜的導(dǎo)體圖案的形成方法。更詳細而言,本發(fā)明涉及賦予適合于印刷電路板的制造、撓性印刷電路板的制造、IC芯片搭載用引線框(以下,稱為引線框)的制造、金屬掩膜制造等金屬箔精密加工、BGA(球柵陣列)和CSP(芯片尺寸封裝,Chip size package)等半導(dǎo)體封裝體制造、TAB (Tape Automated Bonding,帶式自動接合)和COF(Chip On Film:將半導(dǎo)體IC搭載于薄膜狀的微細電路板上而成的芯片)所代表的帶式基板的制造、半導(dǎo)體凸塊的制造、平板顯示器領(lǐng)域中的ITO電極、尋址電極、或者電磁波屏蔽體部件的制造的抗蝕圖案的感光性樹脂組合物及其相關(guān)技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]一直以來,印刷電路板采用光刻法制造。光刻法是指如下的方法:將感光性樹脂組合物涂布在基板上,進行圖案曝光,并使該感光性樹脂組合物的曝光部聚合固化,將未曝光部采用顯影液去除,在基板上形成抗蝕圖案,實施蝕刻或者鍍覆處理,形成導(dǎo)體圖案后,通過將該抗蝕圖案從該基板上剝離去除,從而在基板上形成導(dǎo)體圖案。
[0003]上述的光刻法中,可以任選使用如下的方法:在將感光性樹脂組合物涂布在基板上時,將光致抗蝕劑溶液涂布在基板上使之干燥的方法;或者使用將支撐層、由感光性樹脂組合物形成的層(以下,也稱為“感光性樹脂組合物層”。)、以及根據(jù)需要使用的保護層依次層疊而成的光致抗蝕膜,將其感光性樹脂組合物層側(cè)層疊在基板上的方法。在印刷電路板的制造中,大多使用后者的光致抗蝕膜。
[0004]對于使用上述的光致抗蝕膜制造印刷電路板的方法,以下簡單地敘述。
[0005]首先,光致抗蝕膜具有保護層例如聚乙烯薄膜時,從感光性樹脂組合物層將其剝離。接著,使用層壓機在基板例如覆銅層疊板上,以該基板、感光性樹脂組合物層、支撐層的順序?qū)盈B感光性樹脂組合物層以及支撐層。接著,介由具有布線圖案的掩模,對該感光性樹脂組合物層,采用包含超高壓汞燈產(chǎn)生的i射線(365nm)的紫外線等活性能量射線進行曝光,由此使曝光部分聚合固化。接著,剝離支撐層例如聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜。然后,采用顯影液例如具有弱堿性的水溶液將感光性樹脂組合物層的未曝光部分溶解或者分散去除,在基板上形成抗蝕圖案。抗蝕圖案形成后,形成電路的工藝大體上分為2種方法。第一種方法為將未被抗蝕圖案覆蓋的基板的銅面蝕刻去除后,將抗蝕圖案部分采用比顯影液更強的堿性水溶液去除的方法(蝕刻法)。第二種方法為在基板的銅面上使用銅、焊錫、鎳進行鍍覆處理之后,去除抗蝕圖案部分,進而將露出的基板的銅面蝕刻的方法(鍍覆法)。
[0006]另一方面,為了制作導(dǎo)體形狀均一的高密度的布線,采用半添加法。半添加法中,首先,在種子銅薄膜上采用上述的方法形成抗蝕圖案。接著,在抗蝕圖案之間實施鍍覆形成鍍銅布線,將抗蝕劑剝離之后,采用被稱為閃蝕(flash etching)的方法,將該鍍銅布線和種子銅薄膜同時蝕刻。半添加法與上述的鍍覆法不同,種子銅薄膜薄,幾乎沒有由蝕刻產(chǎn)生的影響,能夠制作矩形且高密度的布線。
[0007]然而,顯影后在固化抗蝕層和基板的邊界部分產(chǎn)生被稱為腳部(foot)(固化抗蝕層腳部)的半固化抗蝕層(參照圖1。)。特別是在高密度的抗蝕圖案之間,由于腳部,顯影后露出的種子銅薄膜的表面積減少,因此通過鍍覆法形成的鍍銅布線和銅薄膜的接地面積減少。因此,可能會導(dǎo)致鍍銅布線變得容易剝離的問題。另外,由于腳部存在于鍍銅布線下面,抗蝕劑剝離時也會成為被絆住、剝離不良的原因。進而,在蝕刻法中,由于腳部,顯影后露出的銅薄膜的表面積減少,因此存在蝕刻去除不充分的擔(dān)心。因此,尋求顯影后的固化抗蝕層的腳部極小的光致抗蝕膜。
[0008]作為解決這些課題的方法,例如專利文獻I中提出了通過使用三嗪化合物來防止透射光在基材表面上產(chǎn)生光暈,抑制腳部的產(chǎn)生的方法;另外,專利文獻2中提出了通過使用分子內(nèi)具有芴骨架的光聚合性化合物來抑制半固化抗蝕層(腳部)的產(chǎn)生的方法。
[0009]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0010]專利文獻
[0011]專利文獻1:日本特開2007-114452號公報
[0012]專利文獻2:日本特開2009-53388號公報
【發(fā)明內(nèi)容】
[0013]發(fā)明要解決的問題
[0014]然而,雖然上述專利文獻I中所述的三嗪化合物對減少腳部有效果,但依然不能說充分;上述專利文獻2中所述的分子內(nèi)具有芴骨架的光聚合性化合物因其強疏水性而存在抗蝕劑剝離性大幅度變差的問題。
[0015]在這樣的背景下,本發(fā)明的目的在于提供分辨率以及密合性良好、并且顯影后的固化抗蝕層的腳部極小、剝離性也良好的感光性樹脂組合物、包含由該感光性樹脂組合物形成的感光性樹脂組合物層和支撐層的光致抗蝕膜、使用該光致抗蝕膜在基材上形成抗蝕圖案的方法以及使用該光致抗蝕膜的導(dǎo)體圖案的形成方法。
[0016]用于解決問題的方案
[0017]本發(fā)明人等為了解決上述課題進行了深入研究,結(jié)果發(fā)現(xiàn),通過在含有粘結(jié)劑聚合物作為主要成分、并且含有能夠光聚合的單體、光聚合引發(fā)劑的感光性樹脂組合物中,含有具有氨基的單體作為能夠光聚合的單體成分、和具有羧基的苯并三唑衍生物作為賦予剝離性的成分,能表現(xiàn)出高分辨率以及高密合性,并且顯影后的固化抗蝕層的腳部極小,剝離性也良好,能夠達到上述目的,從而完成了本發(fā)明。
[0018]S卩,本發(fā)明的主旨涉及一種感光性樹脂組合物,其特征在于,其含有(A)粘結(jié)劑聚合物、(B)具有氨基的能夠光聚合的單體、(C)光聚合引發(fā)劑以及(D)具有羧基的苯并三唑衍生物。
[0019]另外,本發(fā)明涉及包含由本發(fā)明的感光性樹脂組合物形成的感光性樹脂組合物層和支撐層的光致抗蝕膜。
[0020]進而,本發(fā)明還涉及抗蝕圖案的形成方法,其具有使用本發(fā)明的光致抗蝕膜在基材上形成感光性樹脂組合物層,并進行曝光、顯影的工序。[0021]另外,本發(fā)明涉及導(dǎo)體圖案的形成方法,其具有如下的工序:使用本發(fā)明的光致抗蝕膜在電路形成用基板上形成感光性樹脂組合物層,并進行曝光、顯影,形成抗蝕圖案的工序;和對形成有前述抗蝕圖案的前述電路形成用基板進行蝕刻或者鍍覆,剝離前述抗蝕圖
案的工序。
[0022]本發(fā)明包含以下方式。
[0023][I] 一種感光性樹脂組合物,其特征在于,其含有(A)粘結(jié)劑聚合物、(B)具有氨基的能夠光聚合的單體、(C)光聚合引發(fā)劑以及(D)具有羧基的苯并三唑衍生物。
[0024][2]根據(jù)[I]所述的感光性樹脂組合物,其特征在于,(B)具有氨基的能夠光聚合的單體為下述通式(I)所表示的能夠光聚合的不飽和化合物。
【權(quán)利要求】
1.一種感光性樹脂組合物,其特征在于,其含有(A)粘結(jié)劑聚合物、(B)具有氨基的能夠光聚合的單體、(C)光聚合引發(fā)劑以及(D)具有羧基的苯并三唑衍生物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光性樹脂組合物,其特征在于,(B)具有氨基的能夠光聚合的單體為下述通式(I)表示的能夠光聚合的不飽和化合物,
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的感光性樹脂組合物,其特征在于,相對于100重量份(A)粘結(jié)劑聚合物,含有0.01?30重量份(B)具有氨基的能夠光聚合的單體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1?3的任一項所述的感光性樹脂組合物,其特征在于,相對于100重量份(A)粘結(jié)劑聚合物,含有0.01?2重量份(D)具有羧基的苯并三唑衍生物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1?4的任一項所述的感光性樹脂組合物,其特征在于,(A)粘結(jié)劑聚合物具有羧基,其酸值為100?300mgK0H/g。
6.一種光致抗蝕膜,其特征在于,其包含由權(quán)利要求1?5的任一項所述的感光性樹脂組合物形成的感光性樹脂組合物層和支撐層。
7.一種抗蝕圖案的形成方法,其包括:使用權(quán)利要求6所述的光致抗蝕膜在基材上形成感光性樹脂組合物層,并進行曝光、顯影。
8.一種導(dǎo)體圖案的形成方法,其包括:使用權(quán)利要求6所述的光致抗蝕膜在電路形成用基板上形成感光性樹脂組合物層,并進行曝光、顯影,形成抗蝕圖案;以及對形成有所述抗蝕圖案的所述電路形成用基板進行蝕刻或者鍍覆,剝離所述抗蝕圖案。
【文檔編號】G03F7/085GK103430100SQ201280011581
【公開日】2013年12月4日 申請日期:2012年2月27日 優(yōu)先權(quán)日:2011年3月3日
【發(fā)明者】豐田大貴 申請人:日合墨東株式會社